專利名稱：一種多晶鑄錠的線切割方法
技術領域：
本發明涉及多晶鑄錠線切割技術領域。
背景技術：
在現多晶晶錠長晶工藝過程中，晶體是以陶瓷坩堝為載體進行結晶、生長。為防止 硅晶體粘附坩堝造成裂錠等不良影響，鑄錠工藝中坩堝需要噴涂SiNx細粉。這樣在晶體的 生長過程中，坩堝以及表面涂層中SiNx的雜質優先向靠近坩堝的多晶硅錠擴散，造成此表 面金屬雜質和SiC、SiN及SiCNx等硬度系數明顯高內部的多晶硅。目前在多晶鑄錠切片工 藝中，采用的工藝方法一般是將開方、截斷、磨面、粘棒，線切割。在粘棒時，因為對入刀面 不進行選擇，如果將位于鑄錠四周的硅塊的靠近坩堝的一面作為入刀面，由于該面硬度系 數高，容易造成跳線、蹦邊甚至斷線等不良影響，降低硅片的合格率，增加了硅片的切割成 本。

發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種多晶鑄錠的線切割方法，解決開方后多 晶鑄錠邊緣靠近坩堝的硅塊切片合格率偏低的問題，達到提高多晶鑄錠的硅片出片率，降 低硅片的切割成本的目的。本發明解決其技術問題所采用的技術方案是一種多晶鑄錠的線切割方法，該生 產方法如下(一 )、標記將多晶鑄錠進行開方得到硅塊，對鑄錠邊緣四周靠近坩堝的硅塊進 行標識，以區分硅塊的A、B面，B面靠近坩堝，A面是B面的對應面；( 二)、將開方后得硅塊經IR測試、LT測試、截斷、磨面；(三)、粘棒將區分A、B面的硅塊的B面粘結在晶托上，其他硅塊正常粘棒，待粘 膠固化后上棒切片；(四)、切片將固化好的硅塊上機切片，區分A、B面的硅塊的A面為入刀面。本發明的有益效果是通過對開方后鑄錠邊緣四周靠近坩堝的硅塊標識A面、B 面，將B面粘在玻璃板上，通過玻璃板固定在晶托上，這樣在硅塊上機進行線切割的時候， 雜質含量較低的A面為入刀面，雜質和硬點高的B面為出刀面。這樣切割的好處是，剛開始 切割時，由于A面的雜質和硬點少，鋼線比較容易進入晶體，大大降低了跳線、蹦邊等不良 記錄；如果將B面為入刀面，由于B面靠近坩堝導致該面的金屬雜質、SiC、SiNx及SiCNx含 量較高，鋼線不容易切入晶體，導致跳線等不良記錄偏高。甚至容易導致斷線而引起晶棒報 廢、車間產能損失、原材料輔材浪費等問題。因此本發明大大提高了硅片的出片率，降低了 硅片切割成本，提高了企業的經濟效率。


下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明；
圖1是本發明中多晶硅錠開方后的示意圖；圖2是本發明中標記A、B面的硅塊的示意圖；圖3是本發明中標記A、B面的硅塊粘棒的示意圖。
具體實施例方式一種多晶鑄錠的線切割方法，該生產方法如下(一 )、標記將多晶鑄錠進行開方得到硅塊，對鑄錠邊緣四周靠近坩堝的硅塊進 行標識，以區分硅塊的A、B面，B面靠近坩堝，A面是B面的對應面。為方便描述，在在圖1中對硅塊進行編號，編號1至16號的開方后得到的硅塊為 需要區分硅塊的A B面的硅塊。其余編號的硅塊無需進行標識。進行標識的方法只要方便 區分A面、B面即可采用。(二)、將開方后得硅塊經IR測試、LT測試、截斷、磨面；(三)、粘棒如圖2和3所示，將區分A、B面的硅塊的B面粘結在晶托上，其他硅 塊正常粘棒，待粘膠固化后上棒切片；(四)、切片將固化好的硅塊上機切片，區分A、B面的硅塊的A面為入刀面。
權利要求
1. 一種多晶鑄錠的線切割方法，該生產方法如下(一)、標記將多晶鑄錠進行開方得到硅塊，對鑄錠邊緣四周靠近坩堝的硅塊進行標 識，以區分硅塊的A、B面，B面靠近坩堝，A面是B面的對應面；(二)、將開方后得硅塊經頂測試、LT測試、截斷、磨面；(三)、粘棒將區分A、B面的硅塊的B面粘結在晶托上，其他硅塊正常粘棒，待粘膠固 化后上棒切片；(四)、切片將固化好的硅塊上機切片，區分A、B面的硅塊的A面為入刀面。
全文摘要
本發明涉及多晶鑄錠線切割技術領域，特別是一種多晶鑄錠的線切割方法，該生產方法如下(一)標記將多晶鑄錠進行開方得到硅塊，對鑄錠邊緣四周靠近坩堝的硅塊進行標識，以區分硅塊的A、B面，B面靠近坩堝，A面是B面的對應面；(二)將開方后得硅塊經IR測試、LT測試、截斷、磨面；(三)粘棒將區分A、B面的硅塊的B面粘結在晶托上，其他硅塊正常粘棒，待粘膠固化后上棒切片；(四)切片將固化好的硅塊上機切片，區分A、B面的硅塊的A面為入刀面。將雜質和硬點少的A面作為入刀面，鋼線比較容易進入晶體，大大降低了跳線、蹦邊等不良記錄，大大提高了硅片的出片率，降低了硅片切割成本，提高了企業的經濟效率。
文檔編號B28D5/04GK102133776SQ201010620010
公開日2011年7月27日 申請日期2010年12月31日 優先權日2010年12月31日
發明者劉振淮, 李畢武, 賀潔, 黃振飛 申請人:常州天合光能有限公司