本實用新型屬于光伏發電技術領域，涉及一種用于直拉單晶的加熱器。

背景技術：

直拉硅單晶是目前最重要的太陽能電池材料，由于目前行業競爭激烈，很多公司為了降低成本，增大投料量，但是同時也帶來了氧含量高的問題，氧含量目前成為太陽能直拉單晶中最重要的質量參數，越來越受到客戶的關注。為了降低氧含量，很多公司采用矮加熱器，通過改變熔硅中的熱對流來降低氧含量。

如圖1和圖2所示，現有技術的圓筒狀的矮加熱器200，包括矮加熱器本體210以及位于矮加熱器本體210底端的安裝座220，矮加熱器的加熱區域分布在矮加熱器本體210的上部，矮加熱器本體210的下部具有一段很長的空置部分。整個加熱區域的高度與坩堝的高度相當，該加熱區域從上向下分為a、c、b、三個不同溫度區，該矮加熱器安裝到坩堝外圍后，坩堝的中上部處于c溫度區，坩堝的底部處于b溫度區，并且底端向下超出了b溫度區。其中，a、b溫度區產生的溫度低于c溫度區產生的溫度，在拉晶過程中，受溫差的影響，處于c區域的高氧硅液會向坩堝中心和a、b區域流動，降氧效果不好。

由于矮加熱器的加熱區域分布在矮加熱器本體210的上部，矮加熱器本體的下部具有較長的閑置部分，使得坩堝位置不能降得太低，坩堝上部空間縮小，坩堝裝料量受到限制。

由于坩堝的底部處于b溫度區，并且底端向下超出了b溫度區，使得坩堝的底部周圍溫度較低，底部的高氧硅液結晶，容易使坩堝底部破裂，從而出現漏料事故。

技術實現要素：

基于此，有必要提供一種降氧效果好的用于直拉單晶的加熱器。

一種用于直拉單晶的加熱器，包括圓筒狀的加熱器本體，所述加熱器本體從上向下分布有第一高溫部、低溫部；加熱器本體通電后，第一高溫部產生的溫度高于低溫部產生的溫度。

本申請的好處在于:在加熱器本體安裝到坩堝的外圍后，第一高溫部和低溫部將分別對應坩堝的上部和中部，加熱器本體通電后，第一高溫部產生的溫度高于低溫部產生的溫度，使得在溫差的作用下，坩堝上部的高氧硅液會流向坩堝中部，導致硅液表面即結晶面的氧含量很低，降氧效果相對于現有技術更好。

所述加熱器本體還包括位于低溫部下方的第二高溫部；加熱器本體通電后，第一高溫部和第二高溫部產生的溫度分別高于低溫部產生的溫度。

加熱器本體通電后，所述第一高溫部產生的溫度高于第二高溫部產生的溫度。

所述用于直拉單晶的加熱器為電阻加熱器，第一高溫部和第二高溫部的電阻分別高于低溫部的電阻。

第一高溫部和第二高溫部的電阻值相同，加熱器本體通電后，電流的流動方向是從第二高溫部流向第一高溫部。

在加熱器本體安裝到坩堝的外圍后，第二高溫部向下超出坩堝的底端一段距離。

在加熱器本體安裝到坩堝的外圍后，第一高溫部超出坩堝的頂端一段距離。

所述第一高溫部和第二高溫部在圓周方向上分別設置有挖空結構。

第二高溫部的底端連接有能夠安裝到單晶爐中的安裝座。

第二高溫部向下延伸至加熱器本體的底端。

附圖說明

圖1是現有技術的矮加熱器的結構示意圖；

圖2是現有技術的矮加熱器安裝到坩堝外圍后的工作狀態示意圖；

圖3是本實用新型的用于直拉單晶的加熱器的剖視圖；

圖4是本實用新型的用于直拉單晶的加熱器的立體圖；

圖5是本實用新型的用于直拉單晶的加熱器安裝到坩堝外圍后的工作狀態示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本實用新型。但是本實用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本實用新型內涵的情況下做類似改進，因此本實用新型不受下面公開的具體實施例的限制。

下面結合附圖，說明本實用新型的較佳實施方式。

本實用新型的用于直拉單晶的加熱器100，包括圓筒狀的加熱器本體110，加熱器本體110從上向下分布有第一高溫部A、低溫部C，在加熱器本體110安裝到坩堝G的外圍后，第一高溫部A和低溫部C將分別對應坩堝的上部和中部；加熱器本體110通電后，第一高溫部A產生的溫度高于低溫部C產生的溫度。加熱器本體110通電后，在溫差的作用下，坩堝上部的高氧硅液會流向坩堝中部，導致硅液表面即結晶面的氧含量很低，降氧效果相對于現有技術更好。

加熱器本體110還包括位于低溫部C下方的第二高溫部B，在加熱器本體110安裝到坩堝的外圍后，第二高溫部B將對應坩堝的底部；加熱器本體110通電后，第一高溫部A和第二高溫部B產生的溫度分別高于低溫部C產生的溫度。第一高溫部A產生的溫度高于第二高溫部B產生的溫度。如圖5所示：加熱器本體110通電后，在溫差的作用下，坩堝上部和底部的高氧硅液會流向坩堝中部。

用于直拉單晶的加熱器100為電阻加熱器，第一高溫部A和第二高溫部B的電阻分別高于低溫部C的電阻。第一高溫部A和第二高溫部B的電阻值相同，加熱器本體110通電后，電流的流動方向是從第二高溫部B流向第一高溫部A。經過試驗驗證，當第一高溫部A和第二高溫部B的電阻值相同的時候，電流先經過第二高溫部B后經過第一高溫部A，會使得第一高溫部A的溫度高于第二高溫部B。

在加熱器本體110安裝到坩堝的外圍后，第二高溫部B向下超出坩堝的底端一段距離。使得坩堝的底部周圍的溫度較高，從而不會發生漏料的情況。

在加熱器本體110安裝到坩堝的外圍后，第一高溫部A超出坩堝的頂端一段距離。

第一高溫部A和第二高溫部B在圓周方向上分別設置有挖空結構130，該挖空結構130可以是矩形結構，也可以是圓形等其它結構，使得第一高溫部A和第二高溫部B的電阻高于低溫部C的電阻。通電后，第一高溫部A和第二高溫部B產生的溫度高于低溫部C產生的溫度。

第二高溫部B的底端連接有能夠安裝到單晶爐中的安裝座120。安裝座120包括一段豎直部分122和連接在豎直部分底端的朝向加熱器本體110內部的水平部分124，水平部分124上設置有豎直的安裝孔1241。通過螺釘將安裝孔1241安裝到單晶爐中。其中，豎直部分122的高度和水平部分124的長度相當，即豎直部分122的高度很短。

如圖1所示，現有技術的矮加熱器200的a、b、c溫度區只分布在矮加熱器本體210的中上部，使得坩堝也只能安裝在矮加熱器本體210的中上部，并且由于現有技術的矮加熱器本體210的下部還具有一段較長的空置部分，更加使得坩堝的位置不能向下降的太低。如圖4所示，本申請的第二高溫部B向下延伸至加熱器本體110的底端，使得本申請的加熱器本體110的下部沒有空置的部分，使得坩堝的位置可以降的很低，增大坩堝的內部空間，增大坩堝的裝料量。

以上實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。

以上實施例僅表達了本實用新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對實用新型專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。因此，本實用新型專利的保護范圍應以所附權利要求為準。