專利名稱：一種瓷絕緣子自潔釉及其制備方法
技術領域：
本發明涉及一種電瓷釉，具體說是一種瓷絕緣子用低成本自潔釉及其制備方法。
背景技術：
釉是覆蓋在陶瓷制品表面的一薄層連續均勻的、光滑的玻璃態物質。電瓷釉則為瓷絕緣子表面的平滑玻璃質，該玻璃層的厚度約為0. 2-0. 3mm。雖然釉層很薄，但對于提高高壓電瓷絕緣子的機械強度，隔絕大氣環境中的液體和氣體的侵蝕，提高電氣絕緣性能，確保運行中絕緣子的自潔性和便于人工清洗等起著重要作用。對釉的顯微結構分析指出，在連續的、玻璃態的釉中還存在少量細小的晶粒和氣泡。一般的瓷絕緣子表面不是十分光滑，容易積污，當表面粘附污穢物質后，吸收水分 而具有導電性，致使絕緣子的絕緣水平大大降低，為了防止線路污穢閃絡的發生，目前采取的方法是每年定期進行對絕緣子的清掃，如果能開發出表面很光滑，而且具有憎水性和自潔能力的瓷絕緣子的表面釉，那將大大減少污穢對絕緣子的影響，提高防污閃能力。據了解目前的自潔釉也有開發出來額報道，都是納米材料制成，且生產成本太高，因此開發瓷絕緣子用低成本自潔釉十分必要。

發明內容
發明目的為了克服上述現有技術的不足，本發明提供了一種表面光滑且具有憎水性和自潔能力、低成本的瓷絕緣子的表面釉及其制備方法和使用方法。技術方案為了解決上述目的，本發明采取的技術方案為一種自潔釉，主要由如下原料組成長石20-30%、新會土 5-15%、滑石8-15%、石灰石3_10%、星子高嶺土 5_11%、水洗高嶺土 5-16%、左云土 3-8%、乳濁劑1-8%、氧化鋅1-5%、氧化鈦0. 5-1. 6%，以上百分數均為質量百分數。本發明自潔釉屬于生料釉，采用長石、粘土等原料，其主要礦物成分與坯料的礦物成分相同。釉料除采用較多的長石熔劑外還采用了相當數量的滑石、石灰石等作為熔劑。本發明添加了少量氧化鋅、氧化鈦等化工原料。上述自潔釉的制備方法，具體如下首先將原料按配好的比例進行稱料，再在原料中加入基料原料總重量的30%的水得到漿料；然后對漿料進行球磨48h，球磨至料漿細度達到325目篩余0. 01%-0. 04%,即得到所述自潔釉。上述瓷絕緣子自潔釉的使用方法，采用淋釉法施釉，上釉厚度0. 23-0. 28，所述自潔釉的比重為I. 45-1. 5、粘度為0. 05-0. 12。這樣改善了釉水的工藝性能，進而提高產品的質量。有益效果與現有技術相比，本發明的優點是該瓷絕緣子自潔釉表面光滑，自潔性能好且生產成本較低、易于工藝控制。所用原料均為現有的普通陶瓷礦物原料，采用了水洗高嶺土和左云土，縮短球磨時間，既能降低成本又能改善工藝性能。為了改善瓷絕緣子的外觀質量，本發明采用超細硅酸鋯來作為乳濁劑，減少釉面針孔缺陷，改善釉面質量。超細硅酸鋯屬四方晶系，晶體形態呈四方柱和四方雙錐組成的短柱狀晶形，集合體呈粒狀，其粉體粒徑非常小，平均為l_5ym，可以提高釉面的光滑度。通過引入適量超細硅酸鋯，調整釉的化學組成以調整釉中硅酸鋯、玻璃相等礦物組成，減少釉表面針孔，提高釉面光澤度，進而提高釉面的自潔性能。本發明所述的制備方法成本低且易于工藝控制。
具體實施例方式本發明中涉及到的百分數均為質量百分數。本發明瓷絕緣子用自潔釉制備及生產使用工藝步驟為
將原料按質量百分數為長石20-30%、新會土 5-15%、滑石8-15%、石灰石3_10%、星子高嶺土 5-11%、水洗高嶺土 5-16%、左云土 3-8%、超細硅酸鋯1-8%、氧化鋅1-5%、氧化鈦
0.5-1. 6%進行混合，再在原料中加入基料原料總重量的30%的水得到漿料；然后對漿料進行球磨48h，球磨至料漿細度達到325目篩余0.01%-0.04%。其中超細硅酸鋯為乳濁劑，它的平均粒徑為1-5 u m。新會土Ai20333%、Fe2O3L 6%、Si0254%,產地廣東。滑石燒錢燒后呈白色粉末狀，產地蘇州。石灰石Ca055% ,產地景德鎮 星子高嶺土Si025 5%、Ai20329%，產地河北水洗高嶺土Si0254%、Ai20332%，產地廣西 左云土 Si025 7%、Ai20327%，產地山西 氧化鋅、氧化鈦均為化工原料。上述瓷絕緣子自潔釉的使用方法為采用淋釉法施釉，上釉厚度0. 23-0. 28，所述自潔釉的比重為I. 45-1. 5、粘度為0. 05-0. 12。下面的實施例是按照上述工藝步驟進行制備的，并通過具體的實施例對本發明做進一步的闡述。實施例I :選取長石28%、新會土 15%、滑石14%、石灰石5%、星子高嶺土 10%、水洗高嶺土 10%、左云土 8%、超細硅酸鋯5%、氧化鋅4%、氧化鈦1%，混合，濕法球磨48小時后料漿細度達到325目篩余0. 01%-0. 04%范圍內后即得到自潔釉。使用時，采用淋釉法施釉，上釉厚度為0. 23，自潔釉的比重為I. 45、粘度為0. 05。根據GB/T 5893.5—1999檢測，得到如下結果高溫流動度53，燒成溫度范圍12300C -1280°C，上釉抗折強度190，表面光滑無針孔，自潔性能好。實施例2 :選取長石26%、新會土 14%、滑石13%、石灰石6%、星子高嶺土 11%、水洗高嶺土 11%、左云土 8%、超細硅酸鋯6%、氧化鋅4%、氧化鈦1%，混合，濕法球磨48小時后料漿細度達到325目篩余0. 01%-0. 04%范圍內后即得到自潔釉。使用時,采用淋釉法施釉,上釉厚度為0. 28，自潔釉的比重為I. 5、粘度為0. 12。根據GB/T 5893. 5—1999檢測，得到如下結果高溫流動度52. 6，燒成溫度范圍12300C -1280°C，上釉抗折強度184，表面光滑無針孔，自潔性能好。實施例3 :選取長石25%、新會土 15%、滑石13%、石灰石6%、星子高嶺土 11%、水洗高嶺土 9%、左云土 8%、超細硅酸鋯8%、氧化鋅4%、氧化鈦1%，混合，濕法球磨48小時后料漿細度達到325目篩余0. 01%-0. 04%范圍內后即得到自潔釉。
使用時,采用淋釉法施釉,上釉厚度為0. 25,自潔釉的比重為I. 46、粘度為0. 08。根據GB/T 5893. 5—1999檢測，得到如下結果高溫流動度52. 8，燒成溫度范圍12300C -1280°C，上釉抗折強度185，表面光滑無針孔，自潔性能好。實施例4 :選取長石27%、新會土 15%、滑石13%、石灰石6%、星子高嶺土 13%、水洗高嶺土 7%、左云土 8%、超細硅酸鋯6%、氧化鋅4%、氧化鈦1%，混合，濕法球磨48小時后料漿細度達到325目篩余0. 01%-0. 04%后即得到自潔釉。使用時，采用淋釉法施釉，上釉厚度為0. 26，自潔釉的比重為I. 47、粘度為0. 09。根據GB/T 5893. 5—1999檢測，得到如下結果高溫流動度52. 9，燒成溫度范圍12300C -1280°C，上釉抗折強度184，表面光滑無針孔，自潔性能好。實施例5 :選取長石24%、新會土 14%、滑石13%、石灰石6%、星子高嶺土 11%、水洗高 嶺土 13%、左云土 8%、超細硅酸鋯6%、氧化鋅4%、氧化鈦1%，混合，濕法球磨48小時后料漿細度達到325目篩余0. 01%-0. 04%后即得到自潔釉。使用時,采用淋釉法施釉,上釉厚度為0. 27,自潔釉的比重為I. 49、粘度為0. I。根據GB/T 5893. 5—1999檢測，得到如下結果高溫流動度52. 5，燒成溫度范圍12300C -1280°C，上釉抗折強度183，表面光滑無針孔，自潔性能好。實施例6 :選取長石20%、新會土 15%、滑石15%、石灰石10%、星子高嶺土 6. 4%、水洗高嶺土 16%、左云土 3%、超細硅酸鋯8%、氧化鋅5%、氧化鈦I. 6%，混合，濕法球磨48小時后料漿細度達到325目篩余0. 01%-0. 04%后即得到自潔釉。根據GB/T 5893. 5—1999檢測，得到如下結果高溫流動度52. 5，燒成溫度范圍1230°C-1280°C，上釉抗折強度183，表面光滑無針孔，自潔性能好。實施例7 :選取長石30%、新會土 5%、滑石15%、石灰石3%、星子高嶺土 11%、水洗高嶺土 16%、左云土 8%、超細硅酸鋯8%、氧化鋅3. 5%、氧化鈦0. 5%，混合，濕法球磨48小時后料漿細度達到325目篩余0. 01%-0. 04%后即得到自潔釉。根據GB/T 5893. 5—1999檢測，得到如下結果高溫流動度52. 5，燒成溫度范圍1230°C-1280°C，上釉抗折強度183，表面光滑無針孔，自潔性能好。實施例8 :選取長石30%、新會土 15%、滑石8%、石灰石10%、星子高嶺土 11%、水洗高嶺土 16%、左云土 7%、超細硅酸鋯1%、氧化鋅1%、氧化鈦1%，混合，濕法球磨48小時后料漿細度達到325目篩余0. 01%-0. 04%后即得到自潔釉。根據GB/T 5893. 5—1999檢測，得到如下結果高溫流動度52. 5，燒成溫度范圍1230°C-128(TC，上釉抗折強度183，表面光滑無針孔，自潔性能好。實施例9 :選取長石28%、新會土 15%、滑石12%、石灰石10%、星子高嶺土 5%、水洗高嶺土 8%、左云土 8%、超細硅酸鋯8%、氧化鋅5%、氧化鈦1%，混合，濕法球磨48小時后料漿細度達到325目篩余0. 01%-0. 04%后即得到自潔釉。根據GB/T 5893. 5—1999檢測，得到如下結果高溫流動度52. 5，燒成溫度范圍1230°C-128(TC，上釉抗折強度183，表面光滑無針孔，自潔性能好。實施例10 :選取長石27%、新會土 12%、滑石15%、石灰石10%、星子高嶺土 13%、水洗高嶺土 5%、左云土 7%、超細硅酸鋯7%、氧化鋅3%、氧化鈦1%，混合，濕法球磨48小時后料漿細度達到325目篩余0. 01%-0. 04%后即得到自潔釉。根據GB/T 5893. 5—1999檢測，得到如下結果高溫流動度52. 5，燒成溫度范圍1230°C-128(TC，上釉抗折強度183，表面光滑無針孔，自 潔性能好。
權利要求
1.一種瓷絕緣子用自潔釉，其特征在于，主要由如下原料組成長石20-30%、新會土5-15%、滑石8-15%、石灰石3-10%、星子高嶺土 5_11%、水洗高嶺土 5_16%、左云土 3_8%、乳濁劑1-8%、氧化鋅1-5%、氧化鈦O. 5-1. 6%，以上百分數均為質量百分數。
2.根據權利要求I所述的瓷絕緣子自潔釉，其特征在于，所述乳濁劑為平均粒徑為1-5 μ m的超細硅酸鋯。
3.根據權利要求I所述的瓷絕緣子自潔釉的制備方法，其特征在于，首先將各原料按配好的比例進行稱料，再在原料中加入原料總重量的30%的水得到漿料；然后對漿料進行球磨48h，球磨至料漿細度達到325目篩余O. 01%-0. 04%,即得到所述自潔釉。
4.根據權利要求I所述的瓷絕緣子自潔釉的使用方法，其特征在于，采用淋釉法施釉，上釉厚度O. 23-0. 28，所述自潔釉的比重為I. 45-1. 5、粘度為O. 05-0. 12。
全文摘要
本發明公開了一種瓷絕緣子用自潔釉及其制備方法，原料組成如下長石20-30%、新會土5-15%、滑石8-15%、石灰石3-10%、星子高嶺土5-11%、水洗高嶺土5-16%、左云土3-8%、乳濁劑1-8%、氧化鋅1-5%、氧化鈦0.5-1.6%。制備時，首先將原料按配好的比例進行稱料，再在原料中加入基料原料總重量的30%的水得到漿料；然后對漿料球磨至料漿細度達到325目篩余0.01%-0.04%即可。本發明的優點該瓷絕緣子用釉表面光滑，自潔性能好且生產成本較低、易于工藝控制。所用原料均為現有的普通陶瓷礦物原料，采用了水洗高嶺土和左云土，縮短球磨時間，既能降低成本又能改善工藝性能。
文檔編號C04B41/86GK102701796SQ20121020683
公開日2012年10月3日 申請日期2012年6月21日 優先權日2012年6月21日
發明者仲伯煊, 劉少華, 朱文浩, 楊志峰, 羅杰, 黃蘊君 申請人:江蘇南瓷絕緣子有限公司