專(zhuān)利名稱(chēng)：絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法及氧化鎂及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及絕緣電纜瓷柱用的氧化鎂材料，尤其涉及一種絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，
背景技術(shù)：
礦物質(zhì)絕緣電纜作為防火電纜，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)建設(shè)中起到非常重要作用。隨著經(jīng)濟(jì)發(fā)展，該礦物質(zhì)絕緣電纜的使用越來(lái)越廣泛。目前我國(guó)礦物質(zhì)絕緣電纜主要生產(chǎn)材料已經(jīng)全部國(guó)產(chǎn)，但由于絕緣材料氧化鎂填充料的特性，在電纜制作過(guò)程中始終存在高能耗、低生產(chǎn)率等缺點(diǎn)，致使礦物質(zhì)絕緣電纜的生產(chǎn)成本很難降低。同時(shí)，在節(jié)能減排的大背景下，企業(yè)也越來(lái)越重視降低能耗、提高制造效率以及節(jié)省材料。目前國(guó)內(nèi)礦物質(zhì)絕緣電纜用氧化鎂大部分采用的是電熔氧化鎂。電熔氧化鎂的制 備過(guò)程要經(jīng)過(guò)兩個(gè)基本的步驟，煅燒得到輕燒氧化鎂，對(duì)粉狀輕燒氧化鎂進(jìn)行熔煉。上述整個(gè)過(guò)程耗時(shí)長(zhǎng)，能耗高。并且在后期礦物質(zhì)絕緣電纜絕緣瓷柱的制備過(guò)程中，煅燒溫度也較高，煅燒時(shí)間長(zhǎng)，很難顯著降低電纜的制造成本，提高制造效率。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，同時(shí)還給出了通過(guò)本發(fā)明的方法制備的氧化鎂及其在絕緣電纜瓷柱制備中的應(yīng)用。本發(fā)明的制備方法降低了氧化鎂生產(chǎn)過(guò)程的能耗，氧化鎂生產(chǎn)成本約為電熔氧化鎂的2/3左右。采用本發(fā)明的方法制備的氧化鎂生產(chǎn)瓷柱，在保證瓷柱的各項(xiàng)性能的情況下，瓷柱的重量可減輕10 15%。本發(fā)明提供的技術(shù)方案為一種絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，包括以下步驟步驟一、對(duì)原料氧化鎂在1100 1200°C的溫度下煅燒，得到輕燒氧化鎂；步驟二、采用所述步驟一得到的輕燒氧化鎂制得兩種粒徑的輕燒氧化鎂，分別為粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂；步驟三、將粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂混合，得到礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂，其中，粒徑大于150目的輕燒氧化鎂的用量為礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂總量的3 5%。優(yōu)選的是，所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，所述步驟二中，將所述步驟一得到的輕燒氧化鎂研磨至50目以上，然后對(duì)研磨后的輕燒氧化鎂利用振動(dòng)篩進(jìn)行篩選，振動(dòng)篩的篩分粒徑分別為80目和150目，篩分得到粒徑大于150目以及80 150目的輕
燒氧化鎂。優(yōu)選的是，所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法中，篩分得到粒徑小于80目的輕燒氧化鎂再與所述步驟一得到的輕燒氧化鎂混合后，進(jìn)行研磨。優(yōu)選的是，所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法中，所述步驟一的原料氧化鎂通過(guò)以下方法得到從菱鎂礦尾礦中篩選直徑小于8mm的原料氧化鎂。優(yōu)選的是，所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法中，所述步驟一的原料氧化鎂通過(guò)以下方法得到從菱鎂礦尾礦中篩選直徑小于8_的原料氧化鎂，再經(jīng)過(guò)磁選。優(yōu)選的是，所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法中，所述步驟一得到的輕燒氧化鎂的密度為I. 5 I. 7g/cm3。優(yōu)選的是，所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法中，所述步驟一中，對(duì)原料氧化鎂在1100 1200°C的溫度下煅燒2. 5 3h。 優(yōu)選的是，所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法中，所述步驟三之后還有步驟四，所述步驟三得到的礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂再經(jīng)過(guò)磁選。一種采用所述的方法制備的氧化鎂。所述的氧化鎂在礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱的制備中的應(yīng)用。本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明的制備方法降低了氧化鎂生產(chǎn)過(guò)程的能耗，氧化鎂生產(chǎn)成本約為電熔氧化鎂的2/3左右。采用本發(fā)明的方法制備的氧化鎂生產(chǎn)瓷柱，最終得到的瓷柱的密度為I. 9 2. Og/cm3，瓷柱的重量可減輕10 15%，但是瓷柱的生產(chǎn)率不受影響。
具體實(shí)施例方式下面對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，以令本領(lǐng)域技術(shù)大員參照說(shuō)明書(shū)文字能夠據(jù)以實(shí)施。本發(fā)明提供一種絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，包括以下步驟步驟一、對(duì)原料氧化鎂在1100 1200°C的溫度下煅燒，得到輕燒氧化鎂；步驟二、采用所述步驟一得到的輕燒氧化鎂制得兩種粒徑的輕燒氧化鎂，分別為粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂；步驟三、將粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂混合，得到礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂，其中，粒徑大于150目的輕燒氧化鎂的用量為礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂總量的3 5%。將兩種粒徑的輕燒氧化鎂以一定比例混合，使得輕燒氧化鎂顆粒之間的空隙較小，使得瓷柱更致密。同時(shí)，由于在瓷柱后期的制備過(guò)程中，還需要對(duì)瓷柱進(jìn)行煅燒，以除去粘結(jié)劑，但是實(shí)際上在該煅燒階段輕燒氧化鎂顆粒的表面也會(huì)發(fā)生熔化，從而使得輕燒氧化鎂顆粒之間的粘結(jié)效果更好。因此，兩種粒徑的輕燒氧化鎂以合適的比例混合，還有助于改善瓷柱的強(qiáng)度。輕燒氧化鎂的粒徑的選擇以及不同粒徑之間的混合比例，將影響到瓷柱的密度。本發(fā)明中選擇大于150目和80 150目?jī)煞N粒徑，且大于150目的輕燒氧化鎂相對(duì)于氧化鎂總量的添加量為3 5%。在步驟一的煅燒過(guò)程中，原料氧化鎂的結(jié)晶程度會(huì)發(fā)生改變，因此，通過(guò)控制煅燒溫度，可以得到具有一定密度的輕燒氧化鎂。輕燒氧化鎂的密度同時(shí)也會(huì)影響到瓷柱的密度。本發(fā)明中的煅燒溫度為1100 1200°C。所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，所述步驟二中，將所述步驟一得到的輕燒氧化鎂研磨至50目以上，然后對(duì)研磨后的輕燒氧化鎂利用振動(dòng)篩進(jìn)行篩選，振動(dòng)篩的篩分粒徑分別為80目和150目，篩分得到粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂。
所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法中，篩分得到粒徑小于80目的輕燒氧化鎂再與所述步驟一得到的輕燒氧化鎂混合后，進(jìn)行研磨。所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法中，所述步驟一的原料氧化鎂通過(guò)以下方法得到從菱鎂礦尾礦中篩選直徑小于8mm的原料氧化鎂。所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法中，所述步驟一的原料氧化鎂通過(guò)以下方法得到從菱鎂礦尾礦中篩選直徑小于8mm的原料氧化鎂，再經(jīng)過(guò)磁選。所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法中，所述步驟一得到的輕燒氧化鎂的密度為 I. 5 I. 7g/cm3。所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法中，所述步驟一中，對(duì)原料氧化鎂在1100 1200°C的溫度下煅燒2. 5 3h。 所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法中，所述步驟三之后還有步驟四，所述步驟三得到的礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂再經(jīng)過(guò)磁選。一種采用所述的方法制備的氧化鎂。所述的氧化鎂在礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱的制備中的應(yīng)用。本發(fā)明的氧化鎂在礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱的制備中的應(yīng)用，其過(guò)程為先按照一定的添加比例將粘結(jié)劑溶于水中，然后在造粒機(jī)中以噴霧的形式與氧化鎂混合。上述過(guò)程中，粘結(jié)劑的添加比例為氧化鎂重量的2 3%。混合有粘結(jié)劑的氧化鎂通過(guò)壓片機(jī)進(jìn)行壓制，得到瓷柱。將壓制好的瓷柱置于電爐內(nèi)進(jìn)行煅燒。瓷柱經(jīng)煅燒后冷卻。最終得到的瓷柱的密度為I. 9 2. Og/cm3，瓷柱的重量減輕了 10 15%。將瓷柱在烘干箱烘干后裝配，經(jīng)過(guò)拉拔淬火等處理，最后得到礦物質(zhì)絕緣電纜。經(jīng)測(cè)試，電纜生產(chǎn)率與傳統(tǒng)方法相當(dāng)，無(wú)生產(chǎn)率降低現(xiàn)象。瓷柱的生產(chǎn)率就是采用一定體積的瓷柱所生產(chǎn)的礦物質(zhì)絕緣電纜的數(shù)量。實(shí)施例實(shí)施例一絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，包括以下步驟步驟一、對(duì)原料氧化鎂在1150°C的溫度下煅燒3h，得到純度大于90%的輕燒氧化鎂，原料氧化鎂通過(guò)以下方法得到從菱鎂礦尾礦中篩選直徑小于8_的原料氧化鎂，再經(jīng)過(guò)強(qiáng)磁機(jī)磁選；步驟二、采用所述步驟一得到的輕燒氧化鎂制得兩種粒徑的輕燒氧化鎂，分別為粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂，其具體過(guò)程為，將所述步驟一得到的輕燒氧化鎂采用雷蒙磨研磨至50目以上，然后對(duì)研磨后的輕燒氧化鎂利用分級(jí)振動(dòng)篩進(jìn)行篩選，分級(jí)振動(dòng)篩的篩分粒徑分別為80目和150目，篩分得到粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂備用，篩分得到粒徑小于80目的輕燒氧化鎂再與所述步驟一得到的輕燒氧化鎂混合后，進(jìn)行研磨；步驟三、將粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂混合，得到礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂，其中，粒徑大于150目的輕燒氧化鎂的用量為礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂總量的5% ；步驟四、所述步驟三得到的礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂再經(jīng)過(guò)強(qiáng)磁機(jī)的磁選，強(qiáng)磁機(jī)的有效直徑小于15cm。
本實(shí)施例中所述步驟一得到的輕燒氧化鎂的密度為1.65g/cm3。采用本實(shí)施例的氧化鎂生產(chǎn)瓷柱，瓷柱密度為1.93g/cm3，絕緣電阻超過(guò)10000M Ω，耐壓2500V，各項(xiàng)指標(biāo)符合要求。實(shí)施例二 絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，包括以下步驟步驟一、對(duì)原料氧化鎂在1180°C的溫度下煅燒3h，得到純度大于90%的輕燒氧化鎂，原料氧化鎂通過(guò)以下方法得到從菱鎂礦尾礦中篩選直徑小于8_的原料氧化鎂，再經(jīng)過(guò)強(qiáng)磁機(jī)磁選；步驟二、采用所述步驟一得到的輕燒氧化鎂制得兩種粒徑的輕燒氧化鎂，分別為粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂，其具體過(guò)程為，將所述步驟一得到的輕燒氧化鎂采用雷蒙磨研磨至50目以上，然后對(duì)研磨后的輕燒氧化鎂利用分級(jí)振動(dòng)篩進(jìn)行篩選，分級(jí)振動(dòng)篩的篩分粒徑分別為80目和150目，篩分得到粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂備用，篩分得到粒徑小于80目的輕燒氧化鎂再與所述步驟一得到的輕燒氧化鎂混合后，進(jìn)行研磨；步驟三、將粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂混合，得到礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂，其中，粒徑大于150目的輕燒氧化鎂的用量為礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂總量的4% ；步驟四、所述步驟三得到的礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂再經(jīng)過(guò)強(qiáng)磁機(jī)的磁選，強(qiáng)磁機(jī)的有效直徑小于15cm。本實(shí)施例中所述步驟一得到的輕燒氧化鎂的密度為1.73g/cm3。采用本實(shí)施例的氧化鎂生產(chǎn)瓷柱，瓷柱密度為1.98g/cm3，絕緣電阻超過(guò)10000M Ω，耐壓2500V，各項(xiàng)指標(biāo)符合要求。實(shí)施例三絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，包括以下步驟步驟一、對(duì)原料氧化鎂在1100°C的溫度下煅燒2. 5h，得到純度大于90%的輕燒氧化鎂，原料氧化鎂通過(guò)以下方法得到從菱鎂礦尾礦中篩選直徑小于8mm的原料氧化鎂，再經(jīng)過(guò)強(qiáng)磁機(jī)磁選；步驟二、采用所述步驟一得到的輕燒氧化鎂制得兩種粒徑的輕燒氧化鎂，分別為粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂，其具體過(guò)程為，將所述步驟一得到的輕燒氧化鎂采用雷蒙磨研磨至50目以上，然后對(duì)研磨后的輕燒氧化鎂利用分級(jí)振動(dòng)篩進(jìn)行篩選，分級(jí)振動(dòng)篩的篩分粒徑分別為80目和150目，篩分得到粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂備用，篩分得到粒徑小于80目的輕燒氧化鎂再與所述步驟一得到的輕燒氧化鎂混合后，進(jìn)行研磨；步驟三、將粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂混合，得到礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂，其中，粒徑大于150目的輕燒氧化鎂的用量為礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂總量的3% ；步驟四、所述步驟三得到的礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂再經(jīng)過(guò)強(qiáng)磁機(jī)的磁選，強(qiáng)磁機(jī)的有效直徑小于15cm。本實(shí)施例中所述步驟一得到的輕燒氧化鎂的密度為1.5g/cm3。
采用本實(shí)施例的氧化鎂生產(chǎn)瓷柱，瓷柱密度為1.91g/cm3，絕緣電阻超過(guò)10000M Ω，耐壓2500V，各項(xiàng)指標(biāo)符合要求。盡管本發(fā)明的實(shí)施方案已公開(kāi)如上，但其并不僅僅限于說(shuō)明書(shū)和實(shí)施方式中所列運(yùn)用，它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領(lǐng)域，對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的大員而言，可容易地實(shí)現(xiàn)另外的修改，因此在不背離權(quán)利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發(fā)明并不限 于特定的細(xì)節(jié)和這里示出與描述的實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟一、對(duì)原料氧化鎂在1100 1200°C的溫度下煅燒，得到輕燒氧化鎂； 步驟二、采用所述步驟一得到的輕燒氧化鎂制得兩種粒徑的輕燒氧化鎂，分別為粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂； 步驟三、將粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂混合，得到礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂，其中，粒徑大于150目的輕燒氧化鎂的用量為礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂總量的3 5%。
2.如權(quán)利要求I所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，其特征在于，所述步驟二中，將所述步驟一得到的輕燒氧化鎂研磨至50目以上，然后對(duì)研磨后的輕燒氧化鎂利用振動(dòng)篩進(jìn)行篩選，振動(dòng)篩的篩分粒徑分別為80目和150目，篩分得到粒徑大于150目以及80 150目的輕燒氧化鎂。
3.如權(quán)利要求2所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，其特征在于，篩分得到粒徑小于80目的輕燒氧化鎂再與所述步驟一得到的輕燒氧化鎂混合后，進(jìn)行研磨。
4.如權(quán)利要求I所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，其特征在于，所述步驟一的原料氧化鎂通過(guò)以下方法得到從菱鎂礦尾礦中篩選直徑小于8mm的原料氧化鎂。
5.如權(quán)利要求4所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，其特征在于，所述步驟一的原料氧化鎂通過(guò)以下方法得到從菱鎂礦尾礦中篩選直徑小于8_的原料氧化鎂，再經(jīng)過(guò)磁選。
6.如權(quán)利要求I或4所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，其特征在于，所述步驟一得到的輕燒氧化鎂的密度為I. 5 I. 7g/cm3。
7.如權(quán)利要求I所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，其特征在于，所述步驟一中，對(duì)原料氧化鎂在1100 1200°C的溫度下煅燒2. 5 3h。
8.如權(quán)利要求I所述的絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法，其特征在于，所述步驟三之后還有步驟四，所述步驟三得到的礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用氧化鎂再經(jīng)過(guò)磁選。
9.一種采用如權(quán)利要求I 8中任一項(xiàng)所述的方法制備的氧化鎂。
10.如權(quán)利要求9所述的氧化鎂在礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱的制備中的應(yīng)用。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種絕緣電纜瓷柱用氧化鎂的制備方法及氧化鎂及其在絕緣電纜瓷柱制備中的應(yīng)用。本發(fā)明的制備方法降低了氧化鎂生產(chǎn)過(guò)程的能耗，氧化鎂生產(chǎn)成本約為電熔氧化鎂的2/3左右。采用本發(fā)明的方法制備的氧化鎂生產(chǎn)瓷柱，在保證瓷柱的各項(xiàng)性能的情況下，最終得到的瓷柱的密度為1.9～2.0g/cm3，瓷柱的重量可減輕10～15％。本發(fā)明的方法還尤其適用于礦物質(zhì)絕緣電纜瓷柱用的氧化鎂的制備。
文檔編號(hào)C04B35/622GK102838345SQ20121036296
公開(kāi)日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月25日
發(fā)明者張楠, 崔永坤 申請(qǐng)人:上海同化新材料科技有限公司