專利名稱：一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜及其制作方法
技術領域：
本發明涉及撓性電路板以及剛撓電路板用的屏蔽膜領域，具體為一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜及其制作方法。
背景技術：
隨著電子產品輕、薄、短、小的需求，以及通訊系統的高頻化及高速的驅動下所引發的組件內部及外部的電磁干擾問題將逐漸嚴重，電磁屏蔽成為必然。目前，主要的抗電磁干擾技術包括屏蔽技術、接地技術和濾波技術。對于電路板，包括撓性電路板、硬板以及剛撓電路板，實現抗電磁干擾主要從以下幾個方面考慮。印刷導電銀漿，增加金屬銅層或者貼合電磁屏蔽膜。從撓曲性和厚度方面考慮，電磁屏蔽膜具有更 好地操作和實用性能。廣泛應用于撓性電路板和剛撓電路板中。現有屏蔽膜主要分以下幾種結構第一種結構如下公告號為CN 101176388A，名稱為《屏蔽膜、屏蔽印刷電路板、屏蔽柔性印刷電路板、屏蔽膜制造方法及屏蔽印刷電路板制造方法》的中國發明專利公開了一種屏蔽膜，其是最外層硬層和次外層軟層構成絕緣層，在軟層上形成一層實心金屬導體層，然后在實心金屬導體層上形成一層熱固化的導電膠層，由于具有一層實心的金屬屏蔽層，該屏蔽膜具有較高的屏蔽效能。但是隨著頻率的增高，特別是當頻率超過IGHz后，其屏蔽效能大大地降低，不能滿足60dB以上的屏蔽效能要求；因此，對于需要60dB以上穩定屏蔽效能要求的產品，很多廠家還是選用印刷一定厚度的銀漿實現。公告號為CN101448362B，名稱為《可改變電路阻抗的極薄屏蔽膜、電路板及其制作方法》的中國發明專利公開的產品結構是三層結構，絕緣層是最外層、然后是一層金屬導體層、最后在金屬導體層上涂布一層熱固化的導電膠層。該發明專利重點是通過改變金屬導體層的網格尺寸，實現最終的阻抗控制；同時兼具了屏蔽膜功能。但其屏蔽效能與上述的屏蔽膜相當，存在相同的不足。且上述兩個專利申請都是采用了一層金屬導體層，然后涂布導電膠的結構實現屏蔽功能，僅是一般意義上的屏蔽膜。第二種結構如下公開號為CN 1842245A，名稱為《附有導電層的電子組件及導電膠膜與其制造方法》的中國發明專利公開的是由兩層結構組成。最外層為金屬導體層，然后是導電膠層。相對于第一種結構，最外層沒有絕緣層，最外層能夠直接與金屬相連接。其屏蔽結構是采用一層金屬導體層，然后涂布導電膠層。屏蔽效能與上述第一種結構沒有本質區別。第三種結構如下公開號為CN 101120627A，名稱為《電磁波屏蔽性粘合薄膜、其制備方法以及被粘合物的電磁波屏蔽方法》的中國發明專利公開的是由兩層結構組成，最外層絕緣層，然后是全方位的導電膠層。相對于第一和第二種結構，這種結構沒有實心的金屬薄膜層結構。能夠實現更薄的要求，耐彎折性能更好，更廉價。但是作為屏蔽膜，最重要的指標是屏蔽效能，由于缺少實心屏蔽金屬導體層，當傳輸頻率超過IGHz時,其屏蔽效能不能到達40dB。第四種結構如下公開號為CN 2626193Y，名稱為《具有高導熱及電磁屏蔽功能的復合材料》中國發明專利公開的是具有的兩層屏蔽層，但是電磁屏蔽層呈棋盤格狀，兩屏蔽層中間設置在一高導熱層中而形成。一方面，其導熱膠內包含有地導熱粒子，不能將屏蔽層中累計的電荷導入接地層實現穩定的高頻信號屏蔽；另外一方面，金屬導體層呈棋盤格狀，不是實心金屬屏蔽層結構，實現不了極高屏蔽效能。第五種結構如下公告號為CN 1819758A，名稱為《電磁雙重屏蔽膜》的中國發明專利公開了一種采 用奧氏體的鎳鉻類不銹鋼作為濺射靶材的電磁雙重屏蔽膜，是對于塑料表面加工，而且整體生產效率極低，不能實現卷狀的極薄屏蔽膜大規模生產。第六種結構如下公告號為CN 101521985A，名稱為《屏蔽結構及具有該屏蔽結構的柔性印刷電路板》的中國發明專利公開了一種屏蔽膜，先采用涂布的方式形成一單面撓性覆銅板結構，然后在金屬層上涂布導電膠而成，其中金屬銅層在1-6微米之間，聚酰亞胺在3-10微米范圍。由于金屬層厚度大于I微米，遠高于目前市場上的屏蔽金屬層厚度，硬度大幅度增加，不利于柔韌性要求。同時該結構金屬箔需要載體支撐而工藝復雜、成本高昂，無市場競爭力。第七種結構如下公告號為CN 101772996A，名稱為《印刷布線板用屏蔽膜以及印刷布線板》的中國發明專利公開了一種屏蔽膜，獲得對于從大彎曲半徑至變為小的彎曲半徑的反復彎曲及滑動，金屬層難以發生破壞的印刷布線板用屏蔽膜以及印刷布線板。該第一金屬層是一種以上的鱗片狀金屬粒子形成的層，第二金屬層是具有多個孔的多孔質層。難以實現極高屏蔽效能。上述幾種結構或者是一層完整金屬導體層涂布導電膠結構；或者是僅有一層全方位的導電膠的結構；或者是有兩層網格金屬導體層、無實心金屬導體層且無接地設計的導熱的結構設計。或者不能滿足60dB以上的屏蔽效能、或者不能滿足彎折性能、或者不能滿足剝離強度、或者不能滿足抗氧化性能、或者不能滿足極薄卷狀生產的規模化生產。

發明內容
本發明的目的是克服上述現有技術的不足，提供一種抗干擾性能好，且能夠提供良好的彎曲性能，滿足電子產品的輕、薄需求的高屏蔽效能的極薄屏蔽膜。本發明的另一目的是提供一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法。本發明是這樣實現的一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其包括兩層以上的實心屏蔽層。所述實心屏蔽層之間為在逐層表面上依次形成。所述實心屏蔽層至少有兩層由不同材料制成。所述最外層實心屏蔽層一側外表面形成有導電膠層，所述最外層實心屏蔽層一側外表面形成有絕緣膜層。
所述絕緣膜層可以是各種絕緣薄膜層，或者各種樹脂層，或者是絕緣層薄膜上根據需要涂布不同樹脂復合而成。所述絕緣膜層外表面覆蓋有載體膜層，所述導電膠層外表面根據需要可以形成有保護膜。所述絕緣膜層為連接在一起的第一絕緣膜層和第二絕緣膜層組成，其厚度為3-25微米。其中所述第一絕緣膜層選用的材料是聚苯硫醚(PPS)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酯或聚酰亞胺薄膜；第二絕緣膜層是涂布的環氧樹脂、聚氨酯類樹脂、丙烯酸樹脂或者聚酰亞胺樹脂。所述實心屏蔽層的材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀或金，或者是包含上述金屬中任意一種以上的金屬合金，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米-0.5微米之間。考慮彎折需求,厚度優先選擇0. 01微米-0. 2微米之間。所述導電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆粒或者碳納米管，其導電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據實際要求，優先選擇導電膠層厚度為3um-20um，重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個方面考慮，導電粒子優先選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優先選擇耐高溫的具有熱固化性能的環氧樹脂或者丙烯酸樹脂；予固化條件為溫度為80°C至150°C，時間為20分鐘-I分鐘。所述保護膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護膜，也可以是聚酯硅膠保護膜。厚度25微米到125微米。一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，包括以下制作步驟I)在載體膜層上形成絕緣膜層；2)在絕緣膜層上形成第一實心屏蔽層；3)在第一實心屏蔽層上表面形成至少一層實心屏蔽層；4)在最外層心屏蔽層的外表面形成有導電膠層。
以上操作步驟可以依順序形成，也可以是如下第二制作步驟一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，包括以下制作步驟I)根據需要形成可剝離的兩層以上的實心屏蔽層；2)在所述實心屏蔽層一側外表面形成絕緣膜層；3)在所述實心屏蔽層另一側外表面形成需要的導電膠層。所述導電膠層外表面根據需要形成保護膜。以上形成的屏蔽膜結構以上述形成的一致，但工藝不同。其中，絕緣膜層選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；或者是涂布改性環氧樹脂、聚氨酯類樹脂、改性丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂；或者是絕緣層薄膜上根據需要涂布不同樹脂復合而成；所述絕緣膜層厚度3微米一 25微米，優先選擇3微米一 7微米之間，保證足夠的柔韌性和介電強度。兩層以上的實心屏蔽層直接因為具有不同的電磁屏蔽界面，可以通過對干擾信號的多次反射和吸收，實現對高頻和高速干擾信號的高效屏蔽。實心屏蔽層與線路板經過導電膠的電氣連接，保證干擾信號形成的電荷能夠順利接地，實現高效屏蔽。與現有的技術相比，本發明具有如下優點提供了兩層以上極薄的實心屏蔽層，能夠多次反射和吸收高頻干擾信號，同時將多余電荷導入接地層，實現極高屏蔽效能，經測試，在頻率超過300MHz時，屏蔽效能能夠達到60dB以上；設置不同的屏蔽層可以實現高剝離強度、抗氧化性能，同時極薄的屏蔽層能夠提供很好的彎曲性能，滿足電子產品的輕、薄需求。


圖I為本發明高屏蔽效能的極薄屏蔽膜實施例I的剖面圖結構示意圖；圖2為本發明高屏蔽效能的極薄屏蔽膜實施例2的剖面圖結構示意圖；
圖3為本發明高屏蔽效能的極薄屏蔽膜實施例3的剖面圖結構示意圖；圖4為本發明高屏蔽效能的極薄屏蔽膜實施例4的剖面圖結構示意圖；圖5為本發明高屏蔽效能的極薄屏蔽膜實施例5的剖面圖結構示意圖；圖6為本發明高屏蔽效能的極薄屏蔽膜實施例6的剖面圖結構示意圖。
具體實施例方式以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細的說明。實施例I一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖I所示，包括兩層實心屏蔽層第一實心屏蔽層I和第二實心屏蔽層2。所述第一實心屏蔽層I形成在所述第二實心屏蔽層2表面上。所述第二實心屏蔽層2外表面形成有導電膠層8，所述第一實心屏蔽層I外表面形成有絕緣膜層10。絕緣層膜10上表面覆蓋有載體膜層11，所述導電膠層8下表面覆蓋保護膜9。載體膜層11對絕緣膜層10起到支撐作用，有利于后續加工。保護膜9對導電膠層8有保護作用，也有利于后續加工，并可以防止外界污染。其中，所述第一實心屏蔽層I和第二實心屏蔽層2通過導電膠層8實現接地。一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具體制作步驟如下I)在載體膜層11上形成絕緣膜層10，絕緣膜層10厚度3-25微米；絕緣膜層10選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；或者是涂布環氧樹脂、聚氨酯類樹脂、丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂。厚度優先選擇3微米-8微米之間。2)在絕緣膜層上形成需要的第一實心屏蔽層。所述第一實心屏蔽層的材料可以是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的金屬合金，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。其厚度為0.01微米一 0.5微米之間。可以采用化學鍍方式、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。考慮彎折需求，厚度優先選擇0. 01微米-0. 2微米之間。3)在所述第一實心屏蔽層I上形成所需要的第二實心屏蔽層2。第二實心屏蔽層2的材料可以是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的金屬合金，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米-3微米之間。可以采用化學鍍方式、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。考慮屏蔽效能，第一實心屏蔽層和第二實心屏蔽層為不同的屏蔽材料。所述第二實心屏蔽層厚度優先選擇0. 01微米-I微米之間。4)在第二實心屏蔽層2外表面上涂布導電膠層，予固化。所述導電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆粒或者碳納米管，其導電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據實際要求，優先選擇導電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個方面考慮，導電粒子優先選擇銀包銅粒 子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優先選擇耐高溫的具有熱固化性能的改性環氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂；厚度為3um至50um，予固化條件為溫度為80°C至150°C，時間為20分鐘-I分鐘。5)在導電膠層8覆蓋可離形的保護膜9。所述保護膜9選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護膜，也可以是聚酯硅膠保護膜。厚度25微米到125微米。實施例2一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖2所示，包括三層實心屏蔽層第一實心屏蔽層I、第二實心屏蔽層2和第三實心屏蔽層3。所述第一實心屏蔽層I、第二實心屏蔽層2和第三實心屏蔽層2逐層依次在下一層的外表面上形成。所述第三實心屏蔽層3外表面形成有導電膠層8，所述第一實心屏蔽層I外表面形成有絕緣膜層I。絕緣層膜I上表面覆蓋有載體膜層I，所述導電膠層8下表面覆蓋保護膜9。載體膜層I對絕緣膜層I起到支撐作用，有利于后續加工；保護膜9對導電膠層8有保護作用，也有利于后續加工，并可以防止外界污染。所述第一實心屏蔽層I、第二實心屏蔽層2和第三實心屏蔽層2通過導電膠層實現接地。一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具體制作步驟如下I)在載體膜層11上形成絕緣膜層10，絕緣膜層10厚度3-25微米；絕緣膜層選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；或者是涂布環氧樹脂、聚氨酯類樹脂、丙烯酸樹月旨、或者聚酰亞胺樹脂。厚度優先選擇3微米-8微米之間。2)在絕緣膜層10上形成需要的第一實心屏蔽層。所述第一實心屏蔽層的材料可以是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米-0.5微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。考慮彎折需求，厚度優先選擇0. 01微米一0.2微米之間。3)在所述第一實心屏蔽層I上形成需要的第二實心屏蔽層2。第二實心屏蔽層2材料可以是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0. 01微米-3微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。第一實心屏蔽層和第二實心屏蔽層為不同的屏蔽材料。第二實心屏蔽層厚度優先選擇0. 01微米-0. 5微米之間。
4)在所述第二實心屏蔽層2上形成需要的第三實心屏蔽層3。第三實心屏蔽層3材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻 合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米-3微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。第二實心屏蔽層2和第三實心屏蔽層3可以是不同的屏蔽材料，兩者的工藝可以不同。第三實心屏蔽層3可以增加屏蔽效能，其厚度優先選擇0. 01微米-I微米之間。5)在第三實心屏蔽層3外表面上涂布導電膠層8，予固化。所述導電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆粒或者碳納米管，其導電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據實際要求，優先選擇導電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個方面考慮，導電粒子優先選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優先選擇耐高溫的具有熱固化性能的改性環氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂；厚度為3um至50um，予固化條件為溫度為80°C至150°C，時間為20分鐘-I分鐘。6)在導電膠層覆蓋可離形的保護膜。所述保護膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護膜，也可以是聚酯硅膠保護膜。厚度25微米到125微米。實施例3—種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖3所示，包括四層實心屏蔽層第一實心屏蔽層I、第二實心屏蔽層2、第三實心屏蔽層3和第四實心屏蔽層4。所述第一實心屏蔽層I、第二實心屏蔽層2、第三實心屏蔽層3和第四實心屏蔽層3為逐層依次在下一層的外表面上形成。所述第四實心屏蔽層4外表面形成有導電膠層8，所述第一實心屏蔽層I外表面形成有絕緣膜層I。絕緣層膜I上表面覆蓋有載體膜層I，所述導電膠層8下表面覆蓋保護膜9。載體膜層I對絕緣膜層I起到支撐作用，有利于后續加工；保護膜9對導電膠層8有保護作用，也有利于后續加工，并可以防止外界污染。四層實心屏蔽層通過導電膠層實現接地。一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具體制作步驟如下I)在載體膜層11上形成絕緣膜層10，絕緣膜層10厚度3-25微米；絕緣膜層選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；或者是涂布改性環氧樹脂、聚氨酯類樹脂、改性丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂。厚度優先選擇3微米-8微米之間。2)在絕緣膜層上形成需要的第一實心屏蔽層I。所述第一實心屏蔽層I材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米至0.5微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。考慮彎折需求，厚度優先選擇0. 01微米-0. 2微米之間。3)在所述第一實心屏蔽層I上形成需要的第二實心屏蔽層2。第二實心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0. Ol微米-3微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。第一實心屏蔽層I和第二實心屏蔽層2為不同的屏蔽材料。第二實心屏蔽層2厚度優先選擇0. 01微米-0. 5微米之間。4)在所述第二實心屏蔽層2上形成需要的第三實心屏蔽層3。第三實心屏蔽層3材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米一 3微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。第二實心屏蔽層和第三實心屏蔽層可以是不同的屏蔽材料，兩者的工藝可以不同。第三實心屏蔽層可以增加屏蔽效能，其厚度優先選擇0.01微米-I微米之間。5)在所述第三實心屏蔽層3上形成需要的第四實心屏蔽層4。第四實心屏蔽層4材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體 和碳納米管等材質。厚度為0.01微米一 3微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。第四實心屏蔽層和第三實心屏蔽層可以是不同的屏蔽材料，第四實心屏蔽層可以提高屏蔽效能、提高抗氧化性能。其厚度優先選擇0.01微米-I微米之間。6)在第四實心屏蔽層4外表面上涂布導電膠層，予固化。所述導電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆粒或者碳納米管，其導電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據實際要求，優先選擇導電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個方面考慮，導電粒子優先選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優先選擇耐高溫的具有熱固化性能的改性環氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂；厚度為3um至50um，予固化條件為溫度為80°C至150°C，時間為20分鐘-I分鐘。6)在導電膠層覆蓋可離形的保護膜。所述保護膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護膜，也可以是聚酯硅膠保護膜。厚度25微米到125微米。實施例4一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖4所示，包括兩層實心屏蔽層第一實心屏蔽層I和第二實心屏蔽層2。所述第二實心屏蔽層2為在第一實心屏蔽層I表面上形成。所述第二實心屏蔽層2外表面形成有導電膠層8，所述第一實心屏蔽層I外表面形成有絕緣膜層10。絕緣層膜10外面形成有絕緣層12，絕緣層12上表面覆蓋有載體膜層1，所述導電膠層8下表面覆蓋保護膜9。載體膜層I對絕緣膜層I和絕緣層2起到支撐作用，有利于后續加工；保護膜9對導電膠層8有保護作用，也有利于后續加工，并可以防止外界污染。兩實心屏蔽層通過導電膠層8實現接地。一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具體制作步驟如下I)在載體膜層上形成第二絕緣膜層12，所述第二絕緣膜層12上形成第一絕緣膜層10，所述第二絕緣膜層12和第一絕緣膜層10整體厚度3-25微米。所述第二絕緣膜層12選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；第一絕緣膜層1010是涂布改性環氧樹脂、聚氨酯類樹脂、改性丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂而成。所述第二絕緣膜層12和第一絕緣膜層10根據需要可以順序互換，即靠近載體膜可以是第一絕緣膜層10，然后是第二絕緣膜層12。不受附圖所示結構所限制。設置多層絕緣層目的是提高絕緣層壓合時耐撕裂能力，實現更高臺階壓合需求。總絕緣層厚度優先選擇3微米-8微米之間。2)在絕緣膜層上形成需要的第一實心屏蔽層。所述第一實心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米-0.5微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。考慮彎折需求，厚度優先選擇0. 01微米-0. 2微米之間。
3)在所述第一實心屏蔽層上形成需要的第二實心屏蔽層。第二實心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米至3微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。考慮屏蔽效能，第一實心屏蔽層和第二實心屏蔽層為不同的屏蔽材料。第二實心屏蔽層厚度優先選擇0. 01微米-I微米之間。4)在第二實心屏蔽層外表面上涂布導電膠層，予固化。所述導電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆粒或者碳納米管，其導電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據實際要求，優先選擇導電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個方面考慮，導電粒子優先選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優先選擇耐高溫的具有熱固化性能的改性環氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂；厚度為3um至50um，予固化條件為溫度為80°C至150°C，時間為20分鐘-I分鐘。5)在導電膠層覆蓋可離形的保護膜。所述保護膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護膜，也可以是聚酯硅膠保護膜。厚度25微米到125微米。實施例5一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖5所示，包括三層實心屏蔽層第一實心屏蔽層I、第二實心屏蔽層2和第三實心屏蔽層3。所述第一實心屏蔽層I、第二實心屏蔽層2和第三實心屏蔽層3為逐層依次在下一層的外表面上形成。所述第三實心屏蔽層3外表面形成有導電膠層8，所述第一實心屏蔽層I外表面形成有絕緣膜層10。絕緣層膜10外面形成有絕緣層12，絕緣層12上表面覆蓋有載體膜層11，所述導電膠層8下表面覆蓋保護膜9。載體膜層11對絕緣膜層I和絕緣層2起到支撐作用，有利于后續加工；并可以防止外界污染。三層實心屏蔽層通過導電膠層實現接地。一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具體制作步驟如下I)在載體膜層上形成第二絕緣膜層12，所述第二絕緣膜層12上形成第一絕緣膜層10，所述第二絕緣膜層12和第一絕緣膜層10整體厚度3-25微米。所述第二絕緣膜層12選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；第一絕緣膜層1010是涂布改性環氧樹脂、聚氨酯類樹脂、改性丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂而成。所述第二絕緣膜層12和第一絕緣膜層10根據需要可以順序互換，即靠近載體膜可以是第一絕緣膜層10，然后是第二絕緣膜層12。不受附圖所示結構所限制。設置多層絕緣層目的是提高絕緣層壓合時耐撕裂能力，實現更高臺階壓合需求。總絕緣層厚度優先選擇3微米-8微米之間。2)在絕緣膜層上形成需要的第一實心屏蔽層。所述第一實心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米-0.5微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。考慮彎折需求，厚度優先選擇0. 01微米-0. 2微米之間。3)在所述第一實心屏蔽層上形成需要的第二實心屏蔽層。第二實心屏蔽層材料是 鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米至3微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。第一實心屏蔽層和第二實心屏蔽層為不同的屏蔽材料。第二實心屏蔽層厚度優先選擇0. 01微米-0. 5微米之間。4)在所述第二實心屏蔽層上形成需要的第三實心屏蔽層。第三實心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米至3微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。第二實心屏蔽層和第三實心屏蔽層可以是不同的屏蔽材料，兩者的工藝可以不同。第三實心屏蔽層可以增加屏蔽效能，其厚度優先選擇0.01微米-I微米之間。5)在第三實心屏蔽層外表面上涂布導電膠層，予固化。所述導電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆粒或者碳納米管，其導電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據實際要求，優先選擇導電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個方面考慮，導電粒子優先選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優先選擇耐高溫的具有熱固化性能的改性環氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂；厚度為3um至50um，予固化條件為溫度為80°C至150°C，時間為20分鐘-I分鐘。6)在導電膠層覆蓋可離形的保護膜。所述保護膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護膜，也可以是聚酯硅膠保護膜。厚度25微米到125微米。實施例6一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖6所示，包括四層實心屏蔽層第一實心屏蔽層I、第二實心屏蔽層2、第三實心屏蔽層3和第四實心屏蔽層4。所述第一實心屏蔽層I、第二實心屏蔽層2、第三實心屏蔽層3和第四實心屏蔽層3為逐層依次在下一層的外表面上形成。所述第四實心屏蔽層4外表面形成有導電膠層8，所述第一實心屏蔽層I外表面形成有絕緣膜層2。絕緣層膜2外面形成有絕緣層1，絕緣層I上表面覆蓋有載體膜層1，所述導電膠層8下表面覆蓋保護膜9。載體膜層I對絕緣膜層I和絕緣層2起到支撐作用，有利于后續加工；并可以防止外界污染。四層實心屏蔽層通過導電膠層實現接地。一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具體制作步驟如下I)在載體膜層上形成第二絕緣膜層12，所述第二絕緣膜層12上形成第一絕緣膜層10，所述第二絕緣膜層12和第一絕緣膜層10整體厚度3-25微米。所述第二絕緣膜層12選用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；第一絕緣膜層1010是涂布改性環氧樹脂、聚氨酯類樹脂、改性丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂而成。所述第二絕緣膜層12和第一絕緣膜層10根據需要可以順序互換，即靠近載體膜可以是第一絕緣膜層10，然后是第二絕緣膜層12。不受附圖所示結構所限制。設置多層絕緣層目的是提高絕緣層壓合時耐撕裂能力，實現更高臺階壓合需求。總絕緣層厚度優先選擇3微米-8微米之間。 2)在絕緣膜層上形成需要的第一實心屏蔽層。所述第一實心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米-0.5微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。考慮彎折需求，厚度優先選擇0. 01微米-0. 2微米之間。3)在所述第一實心屏蔽層上形成需要的第二實心屏蔽層。第二實心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米至3微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。第一實心屏蔽層和第二實心屏蔽層為不同的屏蔽材料。第二實心屏蔽層厚度優先選擇0. 01微米-0. 5微米之間。4)在所述第二實心屏蔽層上形成需要的第三實心屏蔽層。第三實心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米至3微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。第二實心屏蔽層和第三實心屏蔽層可以是不同的屏蔽材料，兩者的工藝可以不同。第三實心屏蔽層可以增加屏蔽效能，其厚度優先選擇0.01微米-I微米之間。5)在所述第三實心屏蔽層上形成需要的第四實心屏蔽層。第四實心屏蔽層材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀、金以及包含這些材料中任意一種以上的合金金屬層，包括但不僅限于鎳鉻合金，銅鎳合金、鈦錳合金、鎳鉻類不銹鋼等材質；也可以是鐵氧體和碳納米管等材質。厚度為0.01微米至3微米之間。可以采用化學鍍方式、PVD、CVD、電子槍蒸發鍍、濺射鍍、電鍍或者其復合工藝形成。第四實心屏蔽層和第三實心屏蔽層可以是不同的屏蔽材料，第四實心屏蔽層可以提高屏蔽效能、提高抗氧化性能。其厚度優先選擇0. 01微米-I微米之間。6)在第四實心屏蔽層外表面上涂布導電膠層，予固化。所述導電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類等熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂；導電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆粒或者碳納米管，其導電粒子與膠的重量比為10%到400%。根據實際要求，優先選擇導電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100%。從可靠性和成本兩個方面考慮，導電粒子優先選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子、鎳粒子；粘合劑優先選擇耐高溫的具有熱固化性能的改性環氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂；厚度為3um至50um，予固化條件為溫度為80°C至150°C，時間為20分鐘-I分鐘。6)在導電膠層覆蓋可離形的保護膜。所述保護膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯保護膜，也可以是聚酯硅膠保護膜。厚度25微米到125微米。 實施例7一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其制作步驟如下(I)形成光亮基體載帶；(2)在光亮基體載帶上采用蒸發鍍或者電沉積或者化學沉積技術，依次形成需要的兩層以上的實心屏蔽層；(3)在所述實心屏蔽層外表面形成絕緣膜層；(4)在絕緣膜層上貼合可轉移膠膜，將絕緣膜層和實心屏蔽層從光亮基體載帶上剝離下來；(5)在所述實心屏蔽層另一側外表面形成需要的導電膠層(6)根據需要在導電膠層面貼合保護層。關于具體制作兩層以上的實心屏蔽層的制作工藝可以依發明人在2009年申請的公開號為CN101486264，專利名稱為《一種可剝離的超薄轉移載體金屬箔及其制造方法》的中國發明專利申請。以上所述者，僅為本發明的較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施的范圍， 即大凡依本發明申請專利范圍及發明說明內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的范圍內。
權利要求
1.一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，包括兩層以上的實心屏蔽層。
2.根據權利要求I所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述實心屏蔽層為在逐層表面上依次形成。
3.根據權利要求2所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述實心屏蔽層至少有兩層由不同材料制成。
4.根據權利要求I所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述實心屏蔽層一側外表面形成有導電膠層，所述實心屏蔽層另外一側外表面形成有一層以上的絕緣膜層。
5.根據權利要求I所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述絕緣膜層為連接在一起的第一絕緣膜層和第二絕緣膜層組成，厚度為3-25微米。
6.根據權利要求5所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述第一絕緣膜層選用的材料是PPS、PEN、聚酯或者聚酰亞胺薄膜；第二絕緣膜層是涂布的環氧樹脂、聚氨酯類樹脂、丙烯酸樹脂或者聚酰亞胺樹脂。
7.根據權利要求4、5或者6所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述絕緣膜層外表面覆蓋有載體膜層，所述導電膠層外表面根據需要形成有保護膜。
8.根據權利要求I所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述實心屏蔽層的材料是鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀或金，或者是包含上述金屬中任意一種以上的金屬合金，或者是鐵氧體、碳納米管；厚度為O. Ol微米-O. 5微米之間。
9.根據權利要求8所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述實心屏蔽層厚度選擇O. 01微米-O. 2微米之間。
10.根據權利要求4所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述導電膠層中的粘合劑是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯類、聚酯類、聚乙烯類、聚酰胺類、橡膠類丙烯酸酯類熱塑性樹脂，或者使用酚醛類、環氧類、氨基甲酸酯類、三聚氰胺類或醇酸類熱固性樹脂，導電粒子是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳、銅銀、鎳銀、鎳金、銀包玻璃或者銅鎳金顆粒或者碳納米管，其導電粒子與膠的重量比為10%到400% ;厚度為3um至50um。
11.根據權利要求4所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，導電膠層厚度為5um-20um,重量比為10%_100% ;導電粒子選擇銀包銅粒子、鎳包銅粒子、銀粒子、銅粒子或鎳粒子。
12.根據權利要求1-11任一所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其特征在于，包括以下步驟 1)在載體膜層上形成絕緣膜層； 2)在絕緣膜層上形成第一實心屏蔽層； 3)在第一實心屏蔽層上表面形成至少一層實心屏蔽層； 4)在最外層心屏蔽層的外表面形成有導電膠層。
13.根據權利要求1-11任一所述一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其特征在于，包括以下制作步驟 1)根據需要形成可剝離的兩層以上的實心屏蔽層； 2)在所述實心屏蔽層一側外表面形成絕緣膜層； 3)在所述實心屏蔽層另一側外表面形成需要的導電膠層。
全文摘要
本發明提供一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，包括兩層以上實心屏蔽層，所述實心屏蔽層一側外表面涂覆有導電膠層，所述實心屏蔽層另外一側外表面設置有一層以上的絕緣層；所述絕緣膜層外表面設置有載體膜層，所述導電膠層下表面覆蓋保護膜。本發明還公開一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法。本發明具有如下優點提供了兩層以上極薄的完整的實心屏蔽層，能夠多次反射和吸收高頻干擾信號，同時將多余電荷導入接地層，實現高屏蔽效能，經測試，在頻率超過300MHz時，屏蔽效能能夠達到60dB以上；同時極薄的實心屏蔽層能夠提供很好的彎曲性能，滿足電子產品的輕、薄需求。
文檔編號B32B37/00GK102711428SQ201210209
公開日2012年10月3日 申請日期2012年6月21日 優先權日2012年6月21日
發明者蘇陟 申請人:廣州方邦電子有限公司