專利名稱：防靜電膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜場效應(yīng)晶體管領(lǐng)域，尤其涉及一種防靜電膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的大部分TFT (薄膜場效應(yīng)晶體管)鍍膜產(chǎn)品所鍍的防靜電膜為Si02+IT0膜層。該鍍膜產(chǎn)品，在550nm處透過率約為90%，鍍膜前后透過率的比值為97%左右，視覺效果較差，大部分TFT鍍膜廠家都可以做到這種質(zhì)量的觸摸屏產(chǎn)品。由于技術(shù)指標(biāo)較低，薄膜透射率較低，在日益激烈的觸摸屏行業(yè)競爭處于越來越不利的地位，隨著人們對視覺品質(zhì)的不斷追求，有必要生產(chǎn)出具有更高透射率的觸摸屏產(chǎn)品
發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種透射率較高的防靜電膜及其制備方法。—種防靜電膜，包括玻璃基底、置于所述玻璃基底上的第一 Nb2O5層、置于所述第
一Nb2O5層上的第一 SiO2層、置于所述第一 SiO2層上的第二 Nb2O5層、置于所述第二 Nb2O5層上的第二 SiO2層及置于所述第二 SiO2層上的ITO層。在其中一個實施例中，所述第一 Nb2O5層的厚度為14 16nm,所述第二 Nb2O5層的厚度為123 127nm。在其中一個實施例中，所述第一 SiO2層的厚度為32 35nm，所述第二 SiO2層的厚度為59 62nm。在其中一個實施例中，所述ITO層的厚度為12 16nm。一種防靜電膜的制備方法，包括如下步驟使用Nb靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底上鍍制第一 Nb2O5層；使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述第一 Nb2O5層上鍍制第一 SiO2層；使用Nb靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述第一 SiO2層上鍍制第二 Nb2O5層；使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述第二 Nb2O5層上鍍制第二 SiO2層；使用ITO靶材進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述第二 SiO2層上鍍制ITO層，得到所述防靜電膜。在其中一個實施例中，所述使用Nb靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底上鍍制第一Nb2O5層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。在其中一個實施例中，所述使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述第一 Nb2O5層上鍍制第一 SiO2層的過程中，磁控濺射頻率為40KHZ。在其中一個實施例中，所述使用Nb靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在第一 SiO2層上鍍制第
二Nb2O5層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。在其中一個實施例中，所述使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述第二 Nb2O5層上鍍制第二 SiO2層的過程中，磁控濺射頻率為40KHZ。在其中一個實施例中，所述使用ITO靶材進(jìn)行磁控濺射鍍膜過程中，磁控濺射頻率為40KHz。上述防靜電膜的制備方法利用先進(jìn)的光學(xué)薄膜技術(shù)，經(jīng)過精心仔細(xì)的光學(xué)膜系設(shè)計，利用光的衍射原理，結(jié)合材料的折射率關(guān)系，采用AR (anti-reglection,減反射)配合ITO技術(shù)，將TFT鍍膜玻璃在550nm處的折射率提高到93. 5 %，玻璃的鍍膜前后透過率的比值由97%提高到102. 5%，極大地提高了 TFT鍍膜玻璃的光學(xué)性能。


圖I為一實施方式的防靜電膜的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖I中防靜電膜與傳統(tǒng)TFT玻璃透射率的對比圖。
具體實施方式

下面主要結(jié)合附圖及具體實施方式

對防靜電膜及其制備方法和應(yīng)用作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。如圖I所不,一實施方式的防靜電膜100包括玻璃基底110、第一 Nb2O5層120、第一 SiO2 層 130、第二 Nb2O5 層 140、第二 SiO2 層 150 及 ITO 層 160。其中，第一 Nb2O5層120位于玻璃基底110上；第一 SiO2層130位于第一 Nb2O5層120上；第二 Nb2O5層140位于第一 SiO2層130上；第二 SiO2層150位于第二 Nb2O5層140上；ITO層160位于SiO2層150上。在本實施方式中，第一 Nb2O5層120的厚度可以為14 16nm，第二 Nb2O5層140的厚度可以為123 127nm。第一 SiO2層130的厚度可以為32 35nm，第二SiO2層150的厚度可以為59 62nm。ITO層160的厚度可以為12 16nm。此外，本實施方式還提供了一種防靜電膜的制備方法，包括如下步驟使用Nb靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底上鍍制第一 Nb2O5層；使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在第一 Nb2O5層上鍍制第一 SiO2層；使用Nb靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在第一 SiO2層上鍍制第二 Nb2O5層；使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在第二 Nb2O5層上鍍制第二 SiO2層；使用ITO靶材進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在第二 SiO2層上鍍制ITO層，得到防靜電膜。在本實施方式中，使用Nb靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底上鍍制第一 Nb2O5層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在第一 Nb2O5層上鍍制第一 SiO2層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。使用Nb靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在第一 SiO2層上鍍制第二 Nb2O5層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在第二 Nb2O5層上鍍制第二 SiO2層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。使用ITO靶材進(jìn)行磁控濺射鍍膜過程中，磁控濺射頻率為40KHz。上述防靜電膜的制備方法利用先進(jìn)的光學(xué)薄膜技術(shù)，經(jīng)過精心仔細(xì)的光學(xué)膜系設(shè)計，利用光的衍射原理，結(jié)合材料的折射率關(guān)系，采用AR (anti-reflection,減反射)配合ITO技術(shù)，將TFT鍍膜玻璃在550nm處的折射率提高到93. 5%，如圖2所示，玻璃的鍍膜前后透過率的比值由97%提高到102. 5%，極大地提高了 TFT鍍膜玻璃的光學(xué)性能。
以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并 不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種防靜電膜，其特征在于，包括玻璃基底、置于所述玻璃基底上的第一 Nb2O5層、置于所述第一 Nb2O5層上的第一 SiO2層、置于所述第一 SiO2層上的第二 Nb2O5層、置于所述第二 Nb2O5層上的第二 SiO2層及置于所述第二 SiO2層上的ITO層。
2.如權(quán)利要求I所述的防靜電膜，其特征在于，所述第一Nb2O5層的厚度為 Γ 6ηπι，所述第二 Nb2O5層的厚度為123 127nm。
3.如權(quán)利要求I所述的防靜電膜，其特征在于，所述第一SiO2層的厚度為32 35nm，所述第二 SiO2層的厚度為59 62nm。
4.如權(quán)利要求I所述的防靜電膜，其特征在于，所述ITO層的厚度為12 16nm。
5.一種防靜電膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 使用Nb靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底上鍍制第一 Nb2O5層； 使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述第一 Nb2O5層上鍍制第一 SiO2層； 使用Nb靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述第一 SiO2層上鍍制第二 Nb2O5層； 使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述第二 Nb2O5層上鍍制第二 SiO2層； 使用ITO靶材進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述第二 SiO2層上鍍制ITO層，得到所述防靜電膜。
6.如權(quán)利要求5所述的防靜電膜的制備方法，其特征在于，所述使用Nb靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底上鍍制第一 Nb2O5層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。
7.如權(quán)利要求5所述的防靜電膜的制備方法，其特征在于，所述使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述第一 Nb2O5層上鍍制第一 SiO2層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。
8.如權(quán)利要求5所述的防靜電膜的制備方法，其特征在于，所述使用Nb靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在第一 SiO2層上鍍制第二 Nb2O5層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。
9.如權(quán)利要求5所述的防靜電膜的制備方法，其特征在于，所述使用Si靶進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在所述第二 Nb2O5層上鍍制第二 SiO2層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。
10.如權(quán)利要求5所述的防靜電膜的制備方法，其特征在于，所述使用ITO靶材進(jìn)行磁控濺射鍍膜過程中，磁控濺射頻率為40KHz。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種防靜電膜及其制備方法和應(yīng)用。該防靜電膜包括玻璃基底、置于所述玻璃基底上的第一Nb2O5層、置于所述第一Nb2O5層上的第一SiO2層、置于所述第一SiO2層上的第二Nb2O5層、置于所述第二Nb2O5層上的第二SiO2層及置于所述第二SiO2層上的ITO層。該防靜電膜的制備方法利用先進(jìn)的光學(xué)薄膜技術(shù)，經(jīng)過精心仔細(xì)的光學(xué)膜系設(shè)計，利用光的波動性和干涉原理，結(jié)合材料的折射率關(guān)系，采用AR配合ITO技術(shù)，將TFT鍍膜玻璃在550nm處的折射率提高到93.5％，玻璃的鍍膜前后透過率的比值由97%提高到102.5%，極大地提高了TFT鍍膜玻璃的光學(xué)性能。
文檔編號B32B17/06GK102848655SQ2012103660
公開日2013年1月2日 申請日期2012年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月27日
發(fā)明者鄭芳平, 張迅 申請人:江西沃格光電科技有限公司