專利名稱：晶體管及其制造方法以及顯示器的制作方法
技術領域：
本技術涉及適合于低溫制造的晶體管、該晶體管的制造方法以及顯示器。
背景技術：
場效應晶體管(FET)用作許多電子單元中的薄膜晶體管(TFT)。薄膜晶體管在基底上設置有柵電極、柵絕緣層、半導體層、以及源電極和漏電極。根據這些元件的柵電極的配置，薄膜晶體管大體分為兩種結構類型頂柵型；底柵型。此外，根據源電極和漏電極的配置，薄膜晶體管分為頂接觸型和底接觸型。
例如，在頂柵型TFT結構中，從基底側起依次設置有半導體層、柵絕緣層、柵電極以及源/漏電極。在底柵型TFT結構中，從基底側起依次設置有柵電極、柵絕緣層、半導體層以及源/漏電極。目前，在這樣的TFT中，無機物質(如硅(Si))通常用作半導體層。然而，在形成無機半導體層時需要昂貴的大規模單元，因此，期望發展低成本且可簡單地制造的 TFT。這樣的低成本TFT之一是將有機半導體材料用于半導體層的TFT。這種TFT的發展已經大力進行。在用該有機半導體材料形成半導體層時，有機半導體材料在有機溶劑中溶解，然后從所得物干燥有機溶劑。因此，與過去由非晶硅等制成無機半導體層的形成工藝相比，有機半導體材料能夠以極低溫度形成半導體層。有機半導體可以轉變成油墨狀態。因此，可以通過例如涂布沉積(諸如印刷方法)(例如，參見國際公開第W02003/016599號)以低溫且容易的制造工藝來形成有機半導體。此外，該有機半導體層能夠通過將具有低沸點的有機溶劑干燥而形成。因此，與現有的以非晶硅等制成無機半導體層的形成工藝相比，能夠在極低溫度下制造該有機半導體。這使得允許使用塑性膜等來代替通常使用的耐熱性硅基底或玻璃基底，從而可以制造柔性裝置。通過設計構造分子，能夠控制有機半導體材料的物理特性和性能。此外，有機半導體層比無機半導體層更輕且具有柔性。該有機半導體可以實現低成本、高性能、柔性以及重量的減輕。因此，期待有機半導體除了可用于TFT (FET)之外還可以用于有機發光裝置和諸如有機太陽能電池的有機電子裝置。與此同時，對于使用有機半導體層的TFT，已經研究了以低溫形成除半導體之外的層。每個電極優選地由金屬制成，并且例如被設計為通過使銀納米粒子分散到有機溶劑以處于油墨狀態、并且將所得物以低溫(例如，約150° C)燒結以獲得導電性。此外，對于每個柵絕緣層等，沒有使用諸如在具有無機半導體層的TFT中所采用的氧化硅(SiO2)的無機材料。相反，通過涂布溶解在溶劑中的高分子有機材料所形成的膜被用于每個柵絕緣層等。能夠在不削弱有機半導體的柔性的情況下，以低溫制造工藝來形成絕緣層等。

發明內容
然而，高分子材料的特性根據類型而大大地變化。因此，重要的是，選擇改善TFT的特性的高分子材料以作為絕緣層中所使用的材料。特別地，因為柵絕緣層與半導體層直接接觸，所以在高分子材料用于柵絕緣層時，細致的檢測是必需的。TFT特性由于例如高分子材料對制造工藝中所用的有機溶劑的諸如耐熱性、耐受性以及吸濕性等一些特性而改變。絕緣層中的所使用的優選的材料包括具有優異絕緣特性的聚乙烯酚(PVP)樹脂、環氧樹脂、光致抗蝕劑材料等，但是從中所獲得的TFT特性仍然是不足的。因此，期望更適于的絕緣層的高分子材料。期望提供一種特性通過使用適于絕緣層的材料而得以改善的晶體管、該晶體管的制造方法以及采用該晶體管的顯示器。根據本技術的實施方式，提供了一種晶體管，包括控制電極；面向控制電極的有源層；電連接至有源層的第一電極和第二電極；設置在控制電極和有源層之間的絕緣層，該絕緣層包含間苯二甲酸二烯丙酯樹脂(diallyl isophthalate resin)。根據本技術的實施方式，提供了一種晶體管的制造方法，該方法包括形成控制電 極；形成面向控制電極的有源層；形成電連接至有源層的第一電極和第二電極；在控制電極和有源層之間形成絕緣層，該絕緣層包含間苯二甲酸二烯丙酯樹脂。根據本技術的實施方式，提供了一種顯示器，包括多個像素以及被配置為驅動多個像素中的每一個的晶體管，該晶體管包括控制電極；面向控制電極的有源層；電連接至有源層的第一電極和第二電極；設置在控制電極和有源層之間的絕緣層，該絕緣層包含間苯二甲酸二烯丙酯樹脂。在根據本技術的實施方式的晶體管、晶體管的制造方法以及顯示器中，絕緣層包含間苯二甲酸二烯丙酯樹脂。因此，該絕緣層在耐熱性、低吸濕性和表面潤濕性方面表現出優秀的特性。根據本技術的實施方式中的晶體管、制造晶體管的方法和顯示器，絕緣層包含間苯二甲酸二烯丙酯樹脂，因此使得其特性得以改善。應理解，前面的一般說明和以下的詳細說明是示例性的，并且旨在提供所要求的本技術的進一步的說明。


為了提供對本公開的進一步的理解，附圖被包括和結合且構成本說明書的一部分。附圖示出了實施方式，并且與說明書一起用來說明本技術的原理。圖I是示出了根據本公開的實施方式的有機TFT的構造的截面圖。圖2是示出了根據應用例I的顯示器的電路構造的示圖。圖3是示出了圖2中所示的像素驅動電路的示例的等效電路示意圖。圖4A和圖4B是各自示出了應用例2的外觀的透視圖。圖5是示出了應用例3的外觀的透視圖。圖6A和圖6B是各自示出了應用例4的外觀的透視圖，即，圖6A示出了當從前面觀看時的外觀，圖6B示出了從后面觀看時的外觀。圖7是示出了應用例5的外觀的透視圖。圖8是示出了應用例6的外觀的透視圖。圖9A到圖9G是應用例7的示圖，即，分別為打開狀態下的前視圖、打開狀態下的側視圖、關閉狀態下的前視圖、左側視圖、右側視圖、頂視圖以及底視圖。
圖10是示出了根據圖I中所示的有機TFT的修改的構造的截面圖。
具體實施例方式本技術的實施方式將參考附圖詳細地說明如下。應該注意，將以如下順序給出說明。I.實施方式(絕緣層中包括間苯二甲酸二烯丙酯樹脂的示例)2.應用例3.實施例[實施方式]
圖I示出了根據本公開的實施方式的有機薄膜晶體管(有機TFT I)的截面構造。有機TFT I是場效應晶體管并且被用作液晶、有機EL和電泳顯示器的驅動裝置。有機TFTI是頂接觸底柵結構的TFT。在有機TFTl中，在基底11上依次設置柵電極12 (控制電極)、柵絕緣層13 (絕緣層)、有機半導體層14 (有源層)、以及源/漏電極15A和15B (第一電極和第二電極)。基底11由玻璃基底、石英基底、塑性膜等構成。例如，作為塑性材料，可以使用PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PEN (聚萘二甲酸乙二醇酯)、PI (聚酰亞胺)、PAR (多芳基化合物)、PES (聚乙烯硫醚)或PPS (聚苯硫醚)。柵電極12用于施加柵電壓到有機TFTl，并且基于該柵電壓控制有機半導體層14中的載流子密度。柵電極12被設置在基底11上的選擇性的區域中。例如，柵電極12由諸如鉬(Pt)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鑰(Mo)、銅(Cu)、鎢(W)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鋁(Al)以及鉭(Ta)的金屬單質或金屬的合金制成。其他的無機導電材料、有機導電材料、還有碳材料可以用于柵電極12。柵電極配線(未示出)被設置在柵電極12的同一層。柵絕緣層13被設置在柵電極12和有機半導體層14之間，從而將柵電極12與有機半導體層14相絕緣。有機半導體層14電連接至源/漏電極15A和15B。在本實施方式中，柵絕緣層13包括間苯二甲酸二烯丙酯樹脂。這改善了有機TFTl的TFT特性。柵絕緣層13中的間苯二甲酸二烯丙酯樹脂的含量為例如50%以上(重量比)，優選75%以上。柵絕緣層13可以僅由間苯二甲酸二烯丙酯樹脂構成。使用了 100%的間苯二甲酸二烯丙酯樹脂的固化膜的耐熱溫度為大約250° C，這是很高的。用于制造有機TFT的通常的處理溫度(制造處理溫度)為在150° C (含)到160° C (含)的范圍內，或最高約180° C。因此，該耐熱溫度是足夠高的。此外，在柵絕緣層13還包括除間苯二甲酸二烯丙酯樹脂之外的樹脂(附加的樹脂)的情況下，如果間苯二甲酸二烯丙酯樹脂的含量為50%以上，則也可明確地表現出該效果。例如，經證實，甚至當附加的樹脂的比例是25%和50%時，分別獲得對大約200° C以上和大約150° C以上的耐熱性。在形成之柵絕緣層13后，附加的樹脂的比例可以根據處理溫度而選擇。附加的樹脂可以是間苯二甲酸二烯丙酯樹脂，以及例如具有光固化官能團的樹月旨，諸如雙官能丙烯酸酯、多官能丙烯酸酯、雙官能甲基丙烯酸酯、以及多官能甲基丙烯酸酯。因為丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯包括各種類型，因此可容易地選擇丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯。例如，直鏈烷基二甲基丙烯酸酯、直鏈烷基二丙烯酸酯等是優選的。更具體地說，可以優選地使用1，6己二醇二丙烯酸酯、1，9-壬二醇二丙烯酸酯、1，10-癸二醇丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯、9，9-雙[4-(2-丙烯酰氧乙氧基)苯基]芴、己二醇二甲基丙烯酸酯、壬二醇二甲基丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯等。允許諸如丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、包括丙烯酸樹脂的抗蝕劑等的材料單獨地形成固化膜。然而，這樣的膜具有極低耐熱性從而不適于處理溫度。即，這樣的附加的樹脂在與間苯二甲酸二烯丙酯樹脂相混合時能夠構成具有高耐熱性的柵絕緣層13。另一方面，將附加的樹脂添加到間苯二甲酸二烯丙酯樹脂，這向柵絕緣層13提供了間苯二甲酸二烯丙酯樹脂所沒有的特性，例如，直鏈烷基二甲基丙烯酸酯、直鏈烷基二丙烯酸酯等的柔性。 至于具有類似于間苯二甲酸二烯丙酯樹脂的結構的鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂，其固化膜的耐熱溫度是大約150° C，其低于間苯二甲酸二烯丙酯樹脂。鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂的低耐熱性原因是化學結構中的鄰苯二甲酸，并且其自有分子鏈通過加熱被切斷。相反，間苯二甲酸二烯丙酯樹脂沒有鄰苯二甲酸的結構，因此，形成具有高耐熱性的固化膜。因為柵絕緣層13包括具有高耐熱溫度的間苯二甲酸二烯丙酯樹脂，制造工藝中的柵絕緣層13的劣化被抑制，從而能夠獲得具有優異TFT特性的有機TFT I。此外，間苯二甲酸二烯丙酯樹脂的固化膜具有高表面能，并且間苯二甲酸二烯丙酯樹脂具有優異的涂布性能(固化膜表面的潤濕性)。換言之，在間苯二甲酸二烯丙酯樹脂的固化表面上容易形成另一膜。由于這些特性，當在柵絕緣層13上通過涂布方法形成有機半導體層14時，有機半導體層14的厚度變得均勻，這抑制了 TFT特性的變化。此外，因為結構包括羥基和/或極性基，所述聚乙烯酚(PVP)樹脂以及環氧樹脂具有高吸濕性。另一方面，間苯二甲酸二烯丙酯樹脂沒有這樣的吸濕基。因此，與其他樹脂相t匕，間苯二甲酸二烯丙酯樹脂具有低吸濕性。已證實，在裝置中存在水分時，水分影響TFT的閾值電壓等，并且長期地還會引起特性的劣化。因此，具有低吸濕性的柵絕緣層13提高了有機TFTl的可靠性。有機半導體層14被設置為在柵絕緣層13上與柵電極12相對，并且與源/漏電極15A和15B相接觸。有機半導體層14被圖案化為形成島狀。形成有機半導體層14的材料的示例包括聚噻吩、通過向聚噻吩引入己基形成的聚-3-己基噻吩[P3HT]、并五苯[2，3，6，7- 二苯并蒽]、聚蒽、并四苯、并六苯、并七苯、二苯并五苯、四苯并五苯、稠二萘、二萘嵌苯、六苯并苯、漆纟侖、間二蒽嵌四并苯、夸特銳烯(quaterrylene)、循環蒽、苯并花、二苯并芘、苯并菲、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚聯乙炔、聚亞苯基、聚呋喃、聚吲哚、聚乙烯基咔唑、聚突蒽、聚締吩(polytellurophene)、聚異硫卻(polyisothianaphthene)、聚咔唑、聚苯硫醚、聚苯亞乙烯、聚乙烯撐硫化物、聚噻吩乙炔、聚萘、聚芘、聚奧、由聚酞菁銅代表的聚酞菁、部花青素、半花菁、聚乙烯二羥噻吩、噠嗪、萘四甲酸二酰亞胺、聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸鹽)[PED0T/PSS]、4，4’ -聯苯二硫醇、4，4’ - 二異氰基聯苯、4，4’ - 二異氰基對聯三苯、2，5-雙(5’-硫代乙酰-2’-苯硫基)噻吩、2，5-雙(5’_硫乙酰氧基-2’-苯硫基)噻吩、4，4’ - 二異氰基苯、聯苯胺(聯苯_4，4’ - 二胺)、TCNQ(四氰基對醌二甲烷)、由四硫富瓦烯(TTF)-TCNQ絡合物代表的電荷轉移絡合物、二乙烯四硫富瓦烯(BEDTTTF)-高氯酸絡合物、BEDTTTF-碘絡合物和TCNQ-碘絡合物、聯苯_4，4’ - 二羧酸、1，4- 二(4-苯硫基乙酰基)-2_苯乙烷、1，4-二(4-異氰基苯基乙炔基)-2-乙基苯、樹狀聚合物、富勒烯(如C60、C70、C76、C78和C84)、l，4-二(4-苯硫基乙炔基)-2-苯乙烷、2 " -二羥基_1，1’4’，1 " _ 二聯苯、4，4’-聯苯基二乙醒、4，4’-聯苯二醇、4，4’-聯苯二異氰酸酯、1、4_ 二乙酸苯、二乙基聯苯-4，4’- 二羧酸酯、苯并[1，2_c ;3、4_c’ ；5，6_c " ]二氨基甲烷鹽酸緩沖液[1，2] 二硫基_1，4，7-三硫磷、α-六噻吩、并四苯、四硒基并四苯、四碲并四苯、聚(3-烷基噻吩)、聚(3-噻吩-β -乙硫酸)、聚(N-烷基吡咯)、聚(3-烷基吡咯)、聚(3，4-二烷基吡咯)、聚(2，2’-噻嗯基吡咯)、聚硫芴和喹吖啶酮。此外，可以使用縮合的多環的芳香族化合物、葉啉類的衍生物、苯基乙烯類共軛低聚物、噻吩類共軛低聚物等。源/漏電極15Α和15Β電連接至有機半導體層14。源/漏電極15Α和15Β均通過例如作為由鎢、鉭、鑰、鋁、鉻、銅、鈦、鎳、ITO (氧化銦錫)或任何這些金屬的合金所制成的金屬膜的單層膜所構成。可替代地，源/漏電極15Α和15Β均通過層壓膜而構成，該層壓膜包括由兩種以上的上面所列的金屬所制成金屬膜。源電極配線和漏電極配線(兩者均未示出)被設置在源/漏電極15Α和15Β的同一層中。例如，可以如下制造有機TFT I。 首先，在基底11的整個表面上通過例如真空成膜、涂布或鍍層(plating)形成要成為柵電極12和柵電極配線的金屬膜。作為真空成膜，可以使用真空沉積、閃蒸、濺射、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、脈沖激光沉積(PLD)、電弧放電等。作為涂布，可以使用旋轉涂布、狹縫涂布、條涂布、噴涂等。作為鍍層，可以使用電鍍、無電鍍等。接下來，在基底11上所形成的金屬膜上，形成例如抗蝕劑圖案化掩模、金屬圖案化掩模等。例如，在通過涂布形成光致抗蝕劑膜之后，該光致抗蝕劑膜通過光刻、激光光刻、電子束光刻、X射線光刻等圖案化，從而形成掩模。在使用金屬圖案化掩模時，采用例如激光燒蝕、掩模沉積或激光轉印。隨后，金屬膜利用該掩模通過干蝕刻或使用蝕刻劑溶液的濕蝕刻而圖案化。然后通過灰化或蝕刻去除掩模，從而形成柵電極12和柵電極配線。例如，作為干蝕刻，可以執行離子研磨或反應性離子蝕刻(RIE)。除上面所說明的方法外，柵電極12和柵電極配線還可以通過包括金(Au)納米粒子或銀(Ag)納米粒子的油墨的噴墨方法以及諸如絲網印刷、凹版印刷和凹版膠印的印刷方法而形成。在形成柵電極12和柵電極配線之后，形成柵絕緣層13以覆蓋它們。在通過在溶劑中溶解間苯二甲酸二烯丙酯樹脂而制備間苯二甲酸二烯丙酯樹脂溶液之后，形成柵絕緣層13，并且該間苯二甲酸二烯丙酯樹脂溶液在涂布或印刷到柵電極12和柵電極配線上時被固化(交聯)。由于間苯二甲酸二烯丙酯樹脂是感光材料，因此也可以通過圖案化而形成柵絕緣層13。作為溶解有間苯二甲酸二烯丙酯樹脂的溶劑，例如，可以單獨地或組合地使用諸如甲苯和二甲苯等芳烴，諸如丙酮、環戊酮以及2-丁酮的酮，諸如PGMEA (丙二醇單甲基醚乙酸酯)的烴。此外，可以使用乙醇、異丙醇和丁醇等醇。此外，可以添加表面活性劑、均化劑等至間苯二甲酸二烯丙酯樹脂溶液。間苯二甲酸二烯丙酯樹脂溶液的涂布或印刷通過例如流延涂布、旋轉涂布、噴涂、噴墨印刷、活版印刷、柔印印刷、絲網印刷、凹版印刷、凹版膠印和/或其他等而執行。根據所期望的膜厚度，間苯二甲酸二烯丙酯樹脂溶液的涂布或印刷的方法可以適當地從上述的方法中選擇。間苯二甲酸二烯丙酯樹脂通過例如熱、EB (電子束)或UV (紫外線)照射而固化。在包含有機過氧化物時，間苯二甲酸二烯丙酯樹脂允許作為熱固性樹脂處理。在包含自由基聚合引發劑時，間苯二甲酸二烯丙酯樹脂允許作為紫外光固化樹脂處理。例如，廣泛使用的氫過氧化物或二烷基過氧化物可以用作有機過氧化物。作為自由基聚合引發劑，可以適當地選擇和使用烷基苯酮類的聚合引發劑、酰基膦-氧化物類的聚合引發劑等。在這里，為了防止以高溫形成柵絕緣層13，優選地避免僅通過熱來固化。在間苯二甲酸二烯丙酯樹脂(溶液)包含光引發劑時，間苯二甲酸二烯丙酯樹脂允許在抑制諸如UV線的光的照度或減少照射時間的同時被固化。光引發劑的示例包括烷基苯酮類的光聚合引發劑(如2，2- 二甲氧基-1，2-聯苯乙烷-I-酮和I-羥基-環己基-苯基-酮)和酰基膦-氧化物類的光聚合引發劑(如2，4，6-三甲基苯甲酰-聯苯-膦氧化物，雙(2，4，6三甲基苯甲酰)_苯基膦氧化物以及1，2-辛二酮，1-[4-(苯硫醇)-，2-(0-苯甲酰肟)])。 然而，例如在膜的固化反應之后的部分未反應狀態下，或作為反應之后的殘留物，這樣的光引發劑可能殘留于柵絕緣層中，并且可能影響TFT特性，特別是開/關(0N/0FF)特性。在本實施方式中，高耐熱性的間苯二甲酸二烯丙酯樹脂用于柵絕緣層13。這使得在不包含光引發劑的情況下形成柵絕緣層13。是否添加光引發劑可以在確認例如對有機半導體層14等的效果(對特性的效果)之后決定。換言之，使得有機TFT I的TFT特性進一步地改
盡
口 ο在這樣形成柵絕緣層13之后，如下形成有機半導體層14。首先，有機半導體層14的材料在溶液中溶解(分散)，并且在涂布到柵絕緣層13上之后加熱(焙燒)。然后柵絕緣層13圖案化成島狀的形狀。可以以類似于形成柵電極12的方式執行該圖案化。接下來，在有機半導體層14上形成金屬膜，然后圖案化以形成源/漏電極15A和15B、源電極配線以及漏電極配線。金屬膜的形成和圖案化的方法類似于柵電極12和柵電極配線的那些。通過上述處理而完成了有機TFT I。在本實施方式中，如上所述柵絕緣層13包含間苯二甲酸二烯丙酯樹脂，因此，柵絕緣層13表現出耐熱性、低吸濕性以及固化膜表面的潤濕性方面的優異特性。因此，改善了有機TFT I的TFT特性。(應用例I)圖2示出了具有有機TFT I和TFT 2中的任何一個作為驅動裝置的顯示器的電路構造。例如，顯示器90是液晶顯示器、有機EL顯示器或由電泳類型所代表的電子紙。在顯示器90中，在驅動面板91上的顯示區域110中形成以矩陣設置的多個像素10和驅動像素10的各種驅動電路。例如，在驅動面板91上，作為用于圖像顯示的驅動器的信號線驅動電路120和掃描線驅動電路130、以及像素驅動電路150被設置為驅動電路。未示出的密封面板被粘附至驅動面板91。該密封面板密封了像素10和驅動電路。圖3是像素驅動電路150的等效電路示意圖。像素驅動電路150是有源驅動器電路，其中，晶體管Trl和晶體管Tr2分別被設置為有機TFT I和TFT 2中的任何一個。電容器Cs設置在晶體管Trl和晶體管Tr2之間。像素10在第一電源線(Vcc)和第二電源線(GND)之間串聯連接至晶體管Trl。在像素驅動電路150中，多個信號線120A沿列方向配置，多個掃描線130A沿行方向配置。每個信號線120A連接至信號線驅動電路120，并且圖像信號通過信號線120A從信號線驅動電路120提供至晶體管Tr2的源電極。每個掃描線130A連接至掃描線驅動電路130，并且掃描信號通過掃描線130A從掃描線驅動電路130順序地提供到晶體管Tr2的柵電極。在該顯示器中，晶體管Trl和晶體管Tr2均使用上述實施方式的有機TFT I和TFT 2中的任何一個而構成。因此，通過晶體管Trl和Tr2的優秀的TFT特性而允許高質量顯示。例如，顯示器90可以引入到根據以下將說明的應用例2到應用例7的任何電子單元。(應用例2)圖4A和圖4B各自示出了電子書的外觀。例如，該電子書包括顯示部210、非顯示部220以及操作部230。操作部230可以如圖4A所示形成在與顯示部210的表面(前表面)相同的表面上，或如圖4B所不形成在與顯不部210的表面(頂表面)不同的表面上。(應用例3)圖5示出了電視接收器的外觀。該電視接收器例如具有包括前面板310和濾光玻 璃320的圖像顯示屏幕部300。(應用例4)圖6A和圖6B各自示出了數碼照相機的外觀。該數碼照相機例如包括閃光燈發光部410、顯示部420、菜單開關430以及快門按鈕440。(應用例5)圖7示出了筆記本電腦的外觀。該筆記本電腦例如包括主體部510、被設置為輸入字符等的鍵盤520以及顯示圖像的顯示部530。(應用例6)圖8示出了視頻攝像機的外觀。該視頻攝像機例如包括主體部610、設置在主體部610部的前面上的拍攝目標圖像的鏡頭620、拍攝開始/停止開關630以及顯示部640。(應用例7)圖9A到圖9G各自示出了便攜式電話的外觀。該便攜式電話例如是這樣的單元，其中上殼體710和下殼體720通過接合部(鉸接部)730相連接，并且包括顯示器740、副顯示器750、圖片燈760和照相機770。[實施例]此外，將說明本技術的具體實施例。(實驗例I)首先，通過在環戊酮中溶解間苯二甲酸二烯丙酯樹脂而制備間苯二甲酸二烯丙酯樹脂溶液。其中不包括光引發劑。將該間苯二甲酸二烯丙酯樹脂溶液涂布到具有200nm的厚度(在層壓方向上的厚度)的柵電極上。然后，將間苯二甲酸二烯丙酯樹脂溶液通過曝光單元以6000mW的照射強度而固化，從而形成具有600nm的厚度的柵絕緣層。然后，在柵絕緣層上形成有機半導體層。隨后，源/漏電極形成為與有機半導體層相接觸，從而制造出有機 TFT。(實驗例2)有機TFT以類似于實驗例I的方式制造，但是添加了 5%的1，10-癸二醇二丙烯酸酯(間苯二甲酸二烯丙酯樹脂95%)以形成柵絕緣層。(實驗例3)有機TFT以類似于實驗例I的方式制造，但是添加了 25%的壬二醇二甲基丙烯酸酯(間苯二甲酸二烯丙酯樹脂75%)以形成柵絕緣層。(實驗例4)
有機TFT以類似于實驗例I的方式制造，但是由鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂構成柵絕緣層。作為涂布到柵電極上的鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂溶液，如在實驗例I中那樣，使用了在環戊酮中溶解鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂所形成的溶液。(實驗例5)有機TFT以類似于實驗例I的方式制造，但是由PVP類樹脂形成柵絕緣層。在PGMEA中溶解PVP類樹脂所形成的溶液被用作涂布到柵電極上的PVP類樹脂溶液，并且將NIKALAC (注冊商標)100LM作為添加劑添加到溶液中。(實驗例6)有機TFT以類似于實驗例I的方式制造，但是由1，10-癸二醇二丙烯酸酯構成柵
絕緣層。(實驗例7)有機TFT以類似于實驗例I的方式制造，但是由壬二醇二甲基丙烯酸酯構成柵絕緣層。首先，在表I中顯示了以上述方式所制造的實驗例I到實驗例7的耐熱性評價的結果。在耐熱性評價中，實驗例I到實驗例7中的每一個的固化膜在150° C下烘烤30分鐘。然后，視覺地檢查其表面狀態。在有機TFT的制造工藝中，150° C的耐熱性是標準的。應注意，在表I中，“A”表示有機半導體材料可應用且無任何問題的狀態；“B”表示雖然表面發生變化但是有機半導體材料可應用的狀態；“C”表示有機半導體材料由于表面發生變化而不可應用的狀態。[表 I]
權利要求
1.一種晶體管，包括 控制電極； 有源層，面向所述控制電極； 第一電極和第二電極，電連接至所述有源層；以及 絕緣層，設置在所述控制電極和所述有源層之間，所述絕緣層包含間苯二甲酸二烯丙酯樹脂。
2.根據權利要求I所述的晶體管，其中，所述有源層由有機半導體材料制成。
3.根據權利要求I所述的晶體管，其中，所述絕緣層由間苯二甲酸二烯丙酯樹脂制成。
4.根據權利要求I所述的晶體管，其中，所述絕緣層包含50%以上比例的間苯二甲酸二烯丙酯樹脂。
5.根據權利要求4所述的晶體管，其中，所述絕緣層包含間苯二甲酸二烯丙酯樹脂，并且包含丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯中的一種或兩種。
6.根據權利要求I所述的晶體管，其中，所述有源層被圖案化為形成島狀。
7.—種顯示器，包括多個像素以及被配置為驅動所述多個像素中的每一個的晶體管，所述晶體管包括 控制電極； 有源層，面向所述控制電極； 第一電極和第二電極，電連接至所述有源層；以及 絕緣層，設置在所述控制電極和所述有源層之間，所述絕緣層包含間苯二甲酸二烯丙酯樹脂。
8.—種制造晶體管的方法，所述方法包括 形成控制電極； 形成面向所述控制電極的有源層； 形成電連接至所述有源層的第一電極和第二電極；以及 在所述控制電極和所述有源層之間形成絕緣層，所述絕緣層包含間苯二甲酸二烯丙酯樹脂。
全文摘要
本發明涉及晶體管及其制造方法以及顯示器，其中該晶體管包括控制電極；面向控制電極的有源層；電連接至有源層的第一電極和第二電極；設置在控制電極和有源層之間的絕緣層，該絕緣層包含間苯二甲酸二烯丙酯樹脂。
文檔編號G09G3/20GK102969448SQ20121030190
公開日2013年3月13日 申請日期2012年8月22日 優先權日2011年8月29日
發明者石井由威, 福田敏生 申請人:索尼公司