一種篩選晶體管的方法及裝置與流程

文檔序號：11111906閱讀：955來源：國知局

本發明涉及晶體管測試技術領域，尤其涉及一種篩選晶體管的方法及裝置。

背景技術：

晶體管由于具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能，故被廣泛應用。晶體管在制作的過程中不可避免的會摻雜雜質，摻雜雜質的晶體管的性能較低，甚至是屬于不合格的晶體管，故在使用晶體管之前，需要通過相應的測試系統對晶體管進行測試，以篩選出合格的晶體管。

目前，用于詳細介紹晶體管規格、性能的數據手冊(Date sheet)上記載的規格參數中會包括有晶體管的額定耐壓值和額定漏電電流值。進行晶體管篩選時，通常使用Date sheet上記載的額定耐壓值和額定漏電電流值進行測試。若晶體管在額定漏電電流值時測試得到的耐壓大于Date sheet上記載的額定耐壓值并小于擊穿電壓，或者晶體管在額定耐壓值時測試得到的漏電電流值小于所述額定漏電電流值，則確定晶體管為合格的晶體管。然而，由于Date sheet上記載的額定耐壓值會小于晶體管實際的擊穿電壓，額定漏電電流值會小于晶體管實際的擊穿電流，故很難將發生軟擊穿的晶體管篩選出來。例如圖1所示為發生軟擊穿的晶體管的耐壓與漏電電流之間曲線示意圖，假如Date sheet上記載的額定耐壓值為800V，額定漏電電流值為Ice1，而晶體管實際的擊穿電壓為1000V，擊穿電流為Ice2，則按照上述篩選合格晶體管的方式，晶體管在額定漏電電流值Ice1時測試得到的耐壓值Vce1大于Date sheet上記載的額定耐壓值800V并小于擊穿電壓1000V，晶體管在額定耐壓值800V時測試得到的漏電電流值也小于額定漏電電流值Ice1，故會將該發生了軟擊穿的晶體管確定為合格的晶體管。所以，目前的晶體管篩選方法并不能篩選出發生軟擊穿的晶體管，篩選出的晶體管的合格率比較低。

技術實現要素：

本發明實施例提供一種篩選晶體管的方法及裝置，以篩選出合格率較高的晶體管。

第一方面，本發明實施例提供一種篩選晶體管的方法，該方法中，獲取晶體管在第一漏電電流值時測試得到的第一耐壓值，所述第一漏電電流值大于所述晶體管的額定漏電電流值；

根據所述第一耐壓值，篩選出發生軟擊穿的晶體管。

本發明實施例提供一種篩選晶體管的方法，該方法包括，確定大于晶體管的額定漏電電流值的第一漏電電流值，并獲取晶體管在第一漏電電流值時測試得到的第一耐壓值。根據第一耐壓值，篩選出發生軟擊穿的晶體管，進而提高晶體管的合格率。

較佳的，獲取晶體管在額定漏電電流值時測試得到的第二耐壓值；在所述第一耐壓值與所述第二耐壓值之間的差值，大于設定的耐壓閾值時，確定所述晶體管為發生軟擊穿的晶體管。

較佳的，確定第三耐壓值，所述第三耐壓值小于所述晶體管的擊穿電壓，并且所述第三耐壓值與所述第一耐壓值之間的差值小于設定的耐壓閾值；獲取所述晶體管在第三耐壓值時測試得到的第二漏電電流值；在所述第二漏電電流值大于所述額定漏電電流值時，確定所述晶體管為發生軟擊穿的晶體管。

其中，所述設定的耐壓閾值依據所述第一耐壓值確定。

進一步的，根據所述第一耐壓值，篩選出發生軟擊穿的晶體管之后，若所述設定的耐壓閾值數量為至少兩個，則分別根據所述至少兩個耐壓閾值中每一耐壓閾值，篩選出軟擊穿晶體管，得到至少兩類軟擊穿晶體管。

第二方面，本發明實施例提供一種篩選晶體管的裝置，該裝置包括獲取單元和處理單元，其中：

獲取單元，用于獲取晶體管在第一漏電電流值時測試得到的第一耐壓值，所述第一漏電電流值大于所述晶體管的額定漏電電流值；

處理單元，用于根據所述獲取單元獲取的第一耐壓值，篩選出發生軟擊穿的晶體管。

具體的，所述處理單于具體用于：

獲取晶體管在額定漏電電流值時測試得到的第二耐壓值；在所述第一耐壓值與所述第二耐壓值之間的差值，大于設定的耐壓閾值時，確定所述晶體管為發生軟擊穿的晶體管。

具體的，所述處理單于具體用于：

確定第三耐壓值，所述第三耐壓值小于所述晶體管的擊穿電壓，并且所述第三耐壓值與所述第一耐壓值之間的差值小于設定的耐壓閾值；獲取所述晶體管在第三耐壓值時測試得到的第二漏電電流值；在所述第二漏電電流值大于所述額定漏電電流值時，確定所述晶體管為發生軟擊穿的晶體管。

其中，所述設定的耐壓閾值依據所述第一耐壓值確定。

進一步的，根據所述第一耐壓值，篩選出發生軟擊穿的晶體管之后，所述處理單元還用于：

若所述設定的耐壓閾值數量為至少兩個，則分別根據所述至少兩個耐壓閾值中每一耐壓閾值，篩選出軟擊穿晶體管，得到至少兩類軟擊穿晶體管。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的一種發生軟擊穿的晶體管的耐壓與漏電電流之間曲線示意圖；

圖2為本發明實施例提供的一種篩選晶體管的方法流程圖；

圖3為本發明實施例提供的一種合格晶體管的耐壓與漏電電流之間曲線示意圖；

圖4為本發明實施例提供的一種根據第一耐壓值篩選晶體管的實施流程圖；

圖5為本發明實施例提供的另一種合格晶體管的耐壓與漏電電流之間曲線示意圖；

圖6為本發明實施例提供的另一種發生軟擊穿的晶體管的耐壓與漏電電流之間曲線示意圖；

圖7所示為本發明實施例提供的另一種根據第一耐壓值篩選晶體管的實施流程圖；

圖8所示為本發明實施例提供的篩選晶體管并對晶體管進行分類的實施流程圖；

圖9為本發明實施例提供的一種篩選晶體管的裝置結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，并不是全部的實施例。

本發明實施例提供一種篩選晶體管的方法，以篩選出合格率較高的晶體管。

由于晶體管在制作的過程中不可避免的會摻雜雜質，或者是在運輸過程中發生撞擊、擠壓等，都會造成晶體管發生不同程度的軟擊穿，但是應用目前篩選晶體管的方法并不能篩選出發生軟擊穿的晶體管，導致篩選出的晶體管的合格率較低。

需要說明的是，本發明實施例的說明書和權利要求書及附圖中涉及的術語“第一”、“第二”等是用于區別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序，例如本發明實施例中上述涉及的第一漏電電流值和第一耐壓值僅是用于方便描述，并不構成對電流值或電壓值的限定。

本發明實施例中提供的篩選晶體管的方法，通過獲取晶體管在大于晶體管額定漏電電流值的第一漏電電流值時測試得到的第一耐壓值，篩選出發生軟擊穿的晶體管，進而可以提高篩選晶體管的合格率。

本發明實施例以下對篩選出發生軟擊穿晶體管的具體實現過程進行舉例說明。

圖2為本發明實施例提供的一種篩選晶體管的方法，可以包括以下步驟：

S11、獲取晶體管在第一漏電電流值時測試得到的第一耐壓值。

具體的，由于當對晶體管施加大于額定漏電電流的漏電電流時，會發生擊穿，故本發明實施例中可通過大于額定漏電電流值的漏電電流值對應的耐壓值篩選晶體管。其中，所述額定漏電電流值可從Date sheet中獲取。

本發明實施例以下為描述方便，將選取的大于額定漏電電流值的漏電電流值，稱為第一漏電電流值，將對晶體管施加第一漏電電流值測試得到的耐壓值稱為第一耐壓值。

本發明實施例中對于第一漏電電流值的具體取值并不作限定，例如，可以選取額定漏電電流值的整數倍的漏電電流值作為第一漏電電流值。

其中，所述第一耐壓值，可通過測試系統中對晶體管施加第一漏電電流值測試得到。

S12、根據第一耐壓值，篩選出發生軟擊穿的晶體管。

圖3所示為合格晶體管的耐壓與漏電電流之間曲線示意圖。圖3中晶體管的額定漏電電流值為Ice1，晶體管的擊穿電壓為1000V。當施加給合格晶體管的電壓值接近擊穿電壓時，晶體管的漏電電流值變化很小，并且不會超過額定漏電電流Ice1。當施加給合格晶體管的電壓值達到擊穿電壓并繼續增加時，該晶體管的漏電電流值會急劇增加，且晶體管的耐壓值在額定漏電電流對應的耐壓值與擊穿電壓之間的電壓變化范圍較小。而通過圖1可知，發生軟擊穿的晶體管，在額定漏電電流對應的耐壓值(第二耐壓值)與擊穿電壓之間的電壓變化范圍，相對圖3正常的晶體管的電壓變化范圍相對較大。故本發明實施例中，可通過大于額定漏電電流值的第一漏電電流值對應的第一耐壓值，進行晶體管篩選。若第一耐壓值與第二耐壓值之間的變化范圍較小，則該晶體管為合格的晶體管，若第一耐壓值與第二耐壓值之間的變化范圍較大，則該晶體管為發生軟擊穿的晶體管。

圖4所示為本發明實施例提供的一種根據第一耐壓值篩選晶體管的一種實施流程圖，如圖4所示，包括：

S21、獲取晶體管在額定漏電電流值時測試得到的第二耐壓值。

本發明實施例中可通過測試系統測試得到晶體管在額定漏電電流值時對應的耐壓值。本發明實施例中為描述方便，將晶體管在額定漏電電流值時對應的耐壓值，稱為第二耐壓值。

S22、獲取晶體管在第一漏電電流值時測試得到的第一耐壓值。

S23、確定第一耐壓值與第二耐壓值之間的差值，并判斷所述差值是否大于設定的耐壓閾值。

本發明實施例中，所述耐壓閾值可根據所篩選出的晶體管合格率的高低進行設定，例如，若要求篩選出的晶體管合格率較高，則可將所述耐壓閾值設置的相對較小，若要求篩選出的晶體管合格率較低，則可將所述耐壓閾值設置的相對較大。

本發明實施例中并不限定所述耐壓閾值的具體設定方式，一種可能的實施方式中，本發明實施例中可依據所述第一耐壓值確定，例如可設置所述耐壓值為所述第一耐壓值的設定百分比。例如可設定所述第一耐壓值的2％為耐壓閾值，例如圖5中第一耐壓值為1000V，耐壓閾值可設置為20V。

若第一耐壓值與第二耐壓值之間的差值，大于設定的耐壓閾值，則執行S24、確定該晶體管為發生軟擊穿的晶體管。若第一耐壓值與第二耐壓值之間的差值，小于或等于設定的耐壓閾值，則執行S25、確定該晶體管為正常的晶體管。

本發明實施例以下結合實際應用對上述篩選軟擊穿晶體管的實施過程進行說明。

假設Date sheet上記載的晶體管的額定耐壓值為800V，額定漏電電流值為Ice2，Ice2的取值為250uA，Ice2對應的第二耐壓值為Vce2。第一漏電電流值為Ice1，Ice1的取值為1mA，Ice1對應的第一耐壓值為Vce1，設定的耐壓閾值為20V。在圖5所示的合格晶體管的耐壓與漏電電流之間曲線示意圖中，Vce2的取值為985V，Vce1的取值為1000V，差值小于20V。在圖6所示的發生軟擊穿晶體管的耐壓與漏電電流之間曲線示意圖中，Vce2的取值為850V，Vce1的取值為980V，差值大于20V。

圖7所示為本發明實施例提供的另一種根據第一耐壓值篩選晶體管的實施流程圖，如圖7所示，包括：

S31、獲取晶體管在第一漏電電流值時測試得到的第一耐壓值。

S32、將第一耐壓值與設定的耐壓閾值作差，得到第三耐壓值，并獲取晶體管在第三耐壓值時測試得到的第二漏電電流值。

本發明實施例中，所述耐壓閾值可根據所篩選出的晶體管合格率的高低進行設定，例如，若要求篩選出的晶體管合格率較高，則可將所述耐壓閾值設置的相對較大，若要求篩選出的晶體管合格率較低，則可將所述耐壓閾值設置的相對較小。

本發明實施例中并不限定所述耐壓閾值的具體設定方式，一種可能的實施方式中，本發明實施例中可依據所述第一耐壓值確定，例如可設置所述耐壓值為所述第一耐壓值的設定百分比。例如可設定所述第一耐壓值的5％為耐壓閾值，例如圖6中第一耐壓值為980V，耐壓閾值可設置為49V。

本發明實施例中為描述方便，將第一耐壓值與設定的耐壓閾值作差得到的耐壓值，稱為第三耐壓值。當得到第三耐壓值時，再獲取晶體管在第三耐壓值時測試得到的第二漏電電流值。由于，對于合格的晶體管，當耐壓值小于擊穿電壓時，其漏電電流值是在一個很低的水平范圍內，并且小于晶體管的額定電流值，所以可以執行S33、判斷第二漏電電流值是否大于額定漏電電流值，若大于，則執行S34、確定晶體管為發生軟擊穿的晶體管。若小于或等于，則執行S35、確定晶體管為未發生軟擊穿的晶體管。

本發明實施例以下結合實際應用對上述篩選軟擊穿晶體管的實施過程進行說明。

假設Date sheet上記載的晶體管的額定耐壓值為800V，額定漏電電流值為Ice2，Ice2的取值為250uA。第一漏電電流值為Ice1的取值為1mA，Ice1對應的第一耐壓值為Vce1，設定的耐壓閾值為49V。在圖5所示的合格晶體管的耐壓與漏電電流之間曲線示意圖中，Vce2的取值為985V，Vce1的取值為1000V。在圖6所示的發生軟擊穿晶體管的耐壓與漏電電流之間曲線示意圖中，Vce2的取值為850V，Vce1的取值為980V。圖5中，Vce1與耐壓閾值的差值為951V，在951V時測試得到的晶體管的漏電電流值明顯小于250mA，圖6中，Vce1與耐壓閾值的差值為931V，在931V時測試得到的晶體管的漏電電流值明顯大于250mA。

進一步的，在上述實施例中根據第一耐壓值，篩選出發生軟擊穿的晶體管之后，還包括以下步驟，如圖8所示：

S13、若所述設定的耐壓閾值數量為至少兩個，則分別根據所述至少兩個耐壓閾值中每一耐壓閾值，篩選出軟擊穿晶體管，得到至少兩類軟擊穿晶體管。

具體的，在上述實施例中，由于發生軟擊穿的晶體管并不代表不能再使用，所以可以根據耐壓閾值的設定，篩選出不同種類的晶體管。

例如，若耐壓閾值分別取值為20V和50V，則可將第一耐壓值與第二耐壓值的差值大于20V小于50V的歸為A類晶體管，將第一耐壓值與第二耐壓值的差值大于50V的歸為B類晶體管。其中，A類晶體管合格率高于B類晶體管。

同樣的，根據與第一耐壓作差的耐壓閾值的取值不同，也可將晶體管進行歸類，例如，若耐壓閾值分別取值為50V和100V，則可將第三耐壓值與第一耐壓值之間的差值小于50V的晶體管劃分為C類晶體管，將第三耐壓值與第一耐壓值之間的差值小于100V的晶體管劃分為D類晶體管。其中，C類晶體管合格率低于D類晶體管。

本發明實施例中，通過設定多個耐壓閾值，可篩選出不同種類的晶體管，進而合理利用晶體管。

基于上述實施例提供的篩選晶體管的方法，本發明實施例提供一種篩選晶體管的裝置，圖9所示為本發明實施例提供的篩選晶體管的裝置結構示意圖，如圖9所示，該裝置包括獲取單元91和處理單元92，其中：

獲取單元91，用于獲取晶體管在第一漏電電流值時測試得到的第一耐壓值，所述第一漏電電流值大于所述晶體管的額定漏電電流值；

處理單元92，用于根據所述獲取單元91獲取的第一耐壓值，篩選出發生軟擊穿的晶體管。

具體的，所述處理單于92具體用于：

其中，所述設定的耐壓閾值依據所述第一耐壓值確定。

進一步的，根據所述第一耐壓值，篩選出發生軟擊穿的晶體管之后，所述處理單元92還用于：