本實用新型屬于信息科學技術(shù)學科的微電子應用技術(shù)領域，特別是涉及一種有源OLED硅背板像素電路結(jié)構(gòu)的領域。

背景技術(shù)：

OLED(0rganic Light Emitting Diode，有機發(fā)光二極管)為電流驅(qū)動器件，要求背板電路能提供精確、穩(wěn)定的電流控制。早期的有源背板采用的是非晶硅(amorphous Silicon)TFT技術(shù)，但是由于非晶硅的遷移率較低及閾值電壓的不穩(wěn)定等原因并沒有獲得成功，之后采用LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低溫多晶硅)TFT技術(shù)替代。相比非晶硅而言，LTPS的遷移率要高得多，但是閾值電壓仍存在均勻性不一致問題，因而在像素電路的設計中要進行一定的電路補償，目前已有的有源OLED顯示器大部分采用的都是LTPS-TFT背板技術(shù)。

近來出現(xiàn)的一種有源OLED技術(shù)是采用單晶硅MOS基板技術(shù)，相比其他基板技術(shù)而言，單晶硅具有載流子遷移率高、閾值電壓穩(wěn)定等優(yōu)點，可以將像素矩陣及周邊驅(qū)動電路等都集成在顯示屏上，大大減小整個顯示系統(tǒng)的體積及成本，同時成熟的MOS集成電路工藝也為有源OLED微型顯示器件的基板制作提供了便利。在單晶硅MOS基板芯片的設計上，主要考慮的是如何精確控制流過OLED的電流，從而實現(xiàn)良好的灰度圖象顯示。同時芯片功耗也非常重要，因為硅基OLED微型顯示器件也就可以用于VR/AR/MR等近眼顯示型眼鏡，由普通手機電池供電，低功耗電路可延長電池的使用壽命。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有LTPSTFT背板的像素電路存在的缺陷，提供一種基于單晶硅MOS基板技術(shù)的有源OLED顯示芯片像素電路結(jié)構(gòu)，且存儲信號能量的電容器由PMOS晶體管充當，做到完全與常規(guī)PMOS半導體芯片生產(chǎn)工序相匹配。

本實用新型的技術(shù)方案是：

一種由3個PMOS晶體管構(gòu)成的有源OLED像素單元電路，主要由第1-PMOS晶體管、第2-PMOS晶體管和第3-PMOS晶體管組成；其中，第1-PMOS晶體管和第3-PMOS晶體管形成電學串聯(lián)，第2-PMOS晶體管與第3-PMOS晶體管形成電學并聯(lián)；第2-PMOS晶體管源極和第2-PMOS晶體管漏極連接到電源線形成MOS電容器結(jié)構(gòu)。

所述第1-PMOS晶體管源極連接到數(shù)據(jù)輸入線，所述第1-PMOS晶體管柵極連接到電壓掃描線。

所述第1-PMOS晶體管漏極與所述第2-PMOS晶體管柵極通過第1連線聯(lián)通。

所述第2-PMOS晶體管柵極與所述第3-PMOS晶體管柵極通過第2連線聯(lián)通。

所述第3-PMOS晶體管漏極連接到所述電源線，所述第3-PMOS晶體管源極連接到公共陽極。

本實用新型的有益效果是：

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型提供了一種由3個PMOS晶體管構(gòu)成的像素單元電路，且存儲信號能量的電容器由PMOS晶體管充當，這種由PMOS晶體管組成像素單元電路，做到完全與常規(guī)PMOS半導體芯片生產(chǎn)工序相匹配，這是因為PMOS電容器與PMOS晶體管均為同種類型，且在實際器件結(jié)構(gòu)中由PMOS晶體管構(gòu)建的PMOS電容器不設置相應的源極和漏極，通過減小電容器面積從而達到減小像素單元尺寸的效果。

附圖說明

圖1是有源OLED像素單元電路原理圖；

其中：1：數(shù)據(jù)輸入線，2：第1-PMOS晶體管源極，3：第1-PMOS晶體管，4：電壓掃描線，5：第1-PMOS晶體管柵極，6：第1-PMOS晶體管漏極，7：第2-PMOS晶體管源極，8：第2-PMOS晶體管，9：第2-PMOS晶體管漏極，10：第3-PMOS晶體管柵極，11：第3-PMOS晶體管，12：電源線，13：第3-PMOS晶體管漏極，14：第3-PMOS晶體管源極，15：公共陽極，16：第1連線，17：第2-PMOS晶體管柵極，18：第2連線。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖1對本實用新型技術(shù)作進一步具體的說明：

一種由3個PMOS晶體管構(gòu)成的像素單元電路，主要由第1-PMOS晶體管(3)、第2-PMOS晶體管(8)和第3-PMOS晶體管(11)組成；

其中，所述第1-PMOS晶體管(3)和所述第3-PMOS晶體管(11)形成電學串聯(lián)關系，所述第2-PMOS晶體管(8)與所述第3-PMOS晶體管(11)形成電學并聯(lián)，

且第2-PMOS晶體管源極(7)和第2-PMOS晶體管漏極(9)連接到電源線(12)形成MOS電容器結(jié)構(gòu)；

所述第1-PMOS晶體管源極(2)連接到所述數(shù)據(jù)輸入線(1)，所述第1-PMOS晶體管柵極(5)連接到所述電壓掃描線(4)；

所述第1-PMOS晶體管漏極(6)與所述第2-PMOS晶體管柵極(17)通過所述第1連線(16)聯(lián)通；

所述第2-PMOS晶體管柵極(17)與所述第3-PMOS晶體管柵極(10)通過所述第2連線(18)聯(lián)通；

所述第3-PMOS晶體管漏極(13)連接到所述電源線(12)，所述第3-PMOS晶體管源極(14)連接到所述公共陽極(15)。

應當明確的是，本實用新型不限于這里的實施例，本領域技術(shù)人員根據(jù)本實用新型的揭示，按本實用新型構(gòu)思所做出的顯而易見的改進和修飾都應該在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。