專利名稱：一種分時(shí)對(duì)準(zhǔn)裝置和對(duì)準(zhǔn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明與集成電路或其它微型器件制造領(lǐng)域的光刻裝置有關(guān)，特別涉及一 種對(duì)準(zhǔn)技術(shù)和光刻裝置。
背景技術(shù)：
在光刻封裝設(shè)備中，要將描繪在掩模版上的管腳或電路圖案通過(guò)投影曝光 裝置成像在涂有光刻膠等感光材料的曝光對(duì)象表面上，曝光對(duì)象通常就是前道 工藝加工后的帶有電路圖案的將要進(jìn)行封裝的硅片。通過(guò)曝光成像后的硅片經(jīng) 過(guò)顯影、后烘、電鍍、回球等工藝后將產(chǎn)生用于后道封裝的芯片凸點(diǎn)，芯片凸 點(diǎn)與金屬引線框結(jié)合后經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的封裝、測(cè)試將產(chǎn)生滿足用戶需求的合格產(chǎn)品。
用投影曝光裝置做曝光前，掩模與曝光對(duì)象的位置必須對(duì)準(zhǔn)。通常的對(duì)準(zhǔn) 方法是利用掩模與曝光對(duì)象上配置的位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，通過(guò)設(shè)備中特定的位置對(duì) 準(zhǔn)裝置和位置對(duì)準(zhǔn)方法，建立起掩模與曝光對(duì)象之間相對(duì)的位置關(guān)系。掩模和 曝光對(duì)象的對(duì)準(zhǔn)需要建立相應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)算法模型。
在專利CN 1794095A中，設(shè)備中的曝光裝置是針對(duì)寬波段進(jìn)行設(shè)計(jì)，即光 學(xué)投影系統(tǒng)的設(shè)計(jì)波長(zhǎng)不僅要考慮曝光光源波長(zhǎng)，而且也要考慮對(duì)準(zhǔn)光源波長(zhǎng)， 這樣設(shè)計(jì)主要是為了消除曝光對(duì)象標(biāo)記經(jīng)過(guò)光學(xué)投影系統(tǒng)成像時(shí)在對(duì)準(zhǔn)波段的 色差，但這種設(shè)計(jì)思想導(dǎo)致曝光裝置光學(xué)投影系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度大、制造成本高和 裝配復(fù)雜。同時(shí)在專利CN 1794095A中，由于曝光對(duì)象對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和掩才莫對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記同時(shí)成像到光電探測(cè)器靶面上，這樣為了減小對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記搜索時(shí)間以提高產(chǎn)率， 對(duì)曝光對(duì)象傳輸系統(tǒng)的上片精度提出了較高要求，最終導(dǎo)致增加設(shè)備成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用于投影曝光裝置中的位置對(duì)準(zhǔn)裝置以及使用 該位置對(duì)準(zhǔn)裝置的對(duì)準(zhǔn)方法，以實(shí)現(xiàn)投影曝光裝置中掩模版和曝光對(duì)象之間精
確的位置對(duì)準(zhǔn)。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種用于投影曝光裝置中的位置對(duì)準(zhǔn)裝置， 該投影曝光裝置包括光學(xué)投影系統(tǒng)、掩模版、承版臺(tái)、承版臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制單元、 曝光對(duì)象、承片臺(tái)、承片臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制單元和總控制裝置。該位置對(duì)準(zhǔn)裝置包括 分時(shí)對(duì)準(zhǔn)裝置、掩模標(biāo)記、曝光對(duì)象和曝光對(duì)象標(biāo)記，該分時(shí)對(duì)準(zhǔn)裝置設(shè)置于 掩模版上方，該掩模標(biāo)記設(shè)置于該掩模版上，該曝光對(duì)象設(shè)置于承片臺(tái)上，該 曝光對(duì)象標(biāo)記設(shè)置于該曝光對(duì)象上。
該光學(xué)投影系統(tǒng)的設(shè)計(jì)波段為350納米至450納米，不考慮光學(xué)投影系統(tǒng) 在對(duì)準(zhǔn)波段的色差。
該分時(shí)對(duì)準(zhǔn)裝置包括聚光鏡單元、反射鏡單元、掩模標(biāo)記成像單元、曝光 對(duì)象標(biāo)記成像單元、光電探測(cè)器和光電探測(cè)處理單元，該聚光鏡單元會(huì)聚照明 光纖出射光；該反射鏡單元偏折光路；該掩模標(biāo)記成像單元將該掩模標(biāo)記成像 到該光電探測(cè)器靶面上；該曝光對(duì)象標(biāo)記成^f象單元將該曝光對(duì)象標(biāo)記成《象到該 光電探測(cè)器耙面上；該光電探測(cè)處理單元對(duì)標(biāo)記在光電探測(cè)器耙面上的位置進(jìn) 行檢測(cè)。
該聚光鏡單元包括照明光纖、聚光鏡組、濾波片及兩個(gè)直角分束棱鏡。該 聚光鏡單元可以加入濾波片，該濾波片過(guò)濾對(duì)準(zhǔn)光源中射向該曝光對(duì)象的紫外 光。
該反射鏡單元包括平面反射鏡、兩個(gè)直角棱鏡和前組成像物鏡組。該2個(gè) 直角棱鏡可以分別由兩個(gè)平面反射鏡組成。
該聚光鏡單元和該反射鏡單元組成掩才莫標(biāo)記照明系統(tǒng)，該掩才莫標(biāo)記照明系 統(tǒng)均勻照明該掩模標(biāo)記。該掩模標(biāo)記照明系統(tǒng)，可以為臨界照明系統(tǒng)，也可以 為柯勒照明系統(tǒng)。
該聚光鏡單元、該反射鏡單元、該掩模版和該光學(xué)投影系統(tǒng)組成曝光對(duì)象 標(biāo)記照明系統(tǒng)，該曝光對(duì)象標(biāo)記照明系統(tǒng)均勻照明該曝光對(duì)象標(biāo)記。該曝光對(duì) 象標(biāo)記照明系統(tǒng)的光源波長(zhǎng)為520納米到650納米。該曝光對(duì)象標(biāo)記照明系統(tǒng)， 可以為臨界照明系統(tǒng)，也可以為柯勒照明系統(tǒng)。
該掩模標(biāo)記成像單元包括機(jī)械快門、成像物鏡組、衰減片和分束器件。該 分束器件可以是直角分束棱鏡，也可以是平面分束片。
該反射鏡單元和該掩模標(biāo)記成像單元組成掩模標(biāo)記成像系統(tǒng)，該掩模標(biāo)記 成像系統(tǒng)將掩模標(biāo)記成像在該光電探測(cè)器靶面上。
該曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元包括機(jī)械快門、成像物鏡組和反射裝置。該反射 裝置可以是外反射直角棱鏡，也可以是平面反射鏡。
該光學(xué)投影系統(tǒng)、該掩模版、該反射鏡單元和該曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元組 成曝光對(duì)象標(biāo)記成4象系統(tǒng)，該曝光對(duì)象標(biāo)記成4象系統(tǒng)將曝光對(duì)象標(biāo)記成4象在光
電探測(cè)器靶面上；同時(shí)該曝光對(duì)象標(biāo)記成像系統(tǒng)可對(duì)光學(xué)投影系統(tǒng)在對(duì)準(zhǔn)波段 的色差進(jìn)行校正和補(bǔ)償。
該光電^:測(cè)器的傳感器可以為CCD (電荷耦合器件)，也可以為CMOS (互 補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體)。
該光電探測(cè)處理單元采集并處理該光電探測(cè)器靶面上的標(biāo)記圖像。
該掩模標(biāo)記照明系統(tǒng)、該曝光對(duì)象標(biāo)記照明系統(tǒng)、該掩模標(biāo)記成像系統(tǒng)和 該曝光對(duì)象標(biāo)記成像系統(tǒng)使用同一該反射鏡單元。
該掩模標(biāo)記成像單元中可以加入衰減片，該衰減片使該掩模標(biāo)記成像系統(tǒng) 和該曝光對(duì)象標(biāo)記成像系統(tǒng)能量利用率相同。
本發(fā)明還提供一種使用該位置對(duì)準(zhǔn)裝置的對(duì)準(zhǔn)方法，包括如下步驟 (1)移動(dòng)該承版臺(tái)使該掩模標(biāo)記移動(dòng)到該位置對(duì)準(zhǔn)裝置視場(chǎng)范圍內(nèi)，使該 掩模標(biāo)記在該光電探測(cè)器靶面上進(jìn)行成像，并由該光電探測(cè)處理單元計(jì)算掩模 標(biāo)記位置信息，同時(shí)記錄該承版臺(tái)位置信息；
(2 )移動(dòng)該承片臺(tái)使該曝光對(duì)象標(biāo)記移動(dòng)到該位置對(duì)準(zhǔn)裝置視場(chǎng)范圍內(nèi)， 使該曝光對(duì)象標(biāo)記在該光電探測(cè)器耙面上進(jìn)行成像，并由該光電探測(cè)處理單元 計(jì)算曝光對(duì)象標(biāo)記位置信息，同時(shí)記錄該承片臺(tái)位置信息；
(3)通過(guò)該掩模標(biāo)記位置信息、該承版臺(tái)位置信息、該曝光對(duì)象標(biāo)記位置 信息及該承片臺(tái)位置信息，計(jì)算曝光對(duì)象相對(duì)掩模版的平移量和旋轉(zhuǎn)量，調(diào)整 曝光對(duì)象的位置使曝光對(duì)象和掩模版精確對(duì)準(zhǔn)。
該方法可以僅使用1套該位置對(duì)準(zhǔn)裝置，也可以使用2套以上該位置對(duì)準(zhǔn) 裝置，該2套以上位置對(duì)準(zhǔn)裝置可以以光學(xué)投影系統(tǒng)的光軸為軸心對(duì)稱分布。
當(dāng)該掩模標(biāo)記移動(dòng)到該位置對(duì)準(zhǔn)裝置視場(chǎng)范圍內(nèi)時(shí)，開(kāi)啟該掩模標(biāo)記成像 單元中的機(jī)械快門，關(guān)閉該曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元中的機(jī)械快門，使光電#:測(cè)
器耙面上只有該掩模標(biāo)記成像。當(dāng)該曝光對(duì)象標(biāo)記移動(dòng)到該位置對(duì)準(zhǔn)裝置視場(chǎng) 范圍內(nèi)，開(kāi)啟該曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元中的機(jī)械快門，關(guān)閉該掩模標(biāo)記成像單 元中的機(jī)械快門，使光電探測(cè)器靶面上只有該曝光對(duì)象標(biāo)記成像。
該方法使用的掩模標(biāo)記的數(shù)量，可以是兩個(gè)，也可以是兩個(gè)以上。 該方法使用的曝光對(duì)象標(biāo)記的數(shù)量，可以是兩個(gè)，也可以兩個(gè)以上。 本發(fā)明在光學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上同時(shí)優(yōu)化掩模標(biāo)記成像光學(xué)系統(tǒng)和曝光對(duì)象標(biāo)記 成像光學(xué)系統(tǒng)，使掩模標(biāo)記和曝光對(duì)象標(biāo)記通過(guò)光學(xué)結(jié)構(gòu)上的不同光學(xué)通道進(jìn) 行成像，在時(shí)間上通過(guò)先后控制掩模標(biāo)記成像光學(xué)系統(tǒng)和曝光對(duì)象標(biāo)記成像光 學(xué)系統(tǒng)光路中的機(jī)械快門開(kāi)啟和關(guān)閉，從而避免在先技術(shù)中掩才莫標(biāo)記和曝光對(duì) 象標(biāo)記同時(shí)成像在光電探測(cè)器靶面的情況。將曝光裝置中的光學(xué)投影系統(tǒng)設(shè)計(jì) 為窄波段方式，即只考慮光學(xué)投影系統(tǒng)在曝光波長(zhǎng)處的成像質(zhì)量，而曝光對(duì)象 標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)時(shí)通過(guò)光學(xué)投影系統(tǒng)產(chǎn)生的色差將在對(duì)準(zhǔn)裝置中進(jìn)行補(bǔ)償，這樣可降
低曝光裝置中光學(xué)投影系統(tǒng)的設(shè)計(jì)難度、制造成本和系統(tǒng)復(fù)雜度；掩模標(biāo)記和 曝光對(duì)象標(biāo)記通過(guò)不同光學(xué)通道進(jìn)行成像，降低了在先技術(shù)對(duì)準(zhǔn)成像光學(xué)系統(tǒng) 設(shè)計(jì)難度大等問(wèn)題；同時(shí)本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)裝置和對(duì)準(zhǔn)方法，避免了在先技術(shù)中掩 模標(biāo)記和曝光對(duì)象標(biāo)記同時(shí)出現(xiàn)在光電探測(cè)器靶面上的情形，從而增大了曝光 對(duì)象標(biāo)記在光電探測(cè)器靶面上的有效成像視場(chǎng)范圍，降低了曝光對(duì)象傳輸系統(tǒng) 的上片精度，節(jié)省了設(shè)備設(shè)計(jì)與制造成本。


圖1為供制造集成電路或印刷電路板的投影曝光裝置示意說(shuō)明圖； 圖2為本發(fā)明位置對(duì)準(zhǔn)裝置結(jié)構(gòu)組成說(shuō)明圖； 圖3為掩模標(biāo)記成像系統(tǒng)結(jié)構(gòu)說(shuō)明圖； 圖4為曝光對(duì)象標(biāo)記成^^系統(tǒng)結(jié)構(gòu)說(shuō)明圖5為掩^f莫標(biāo)記和曝光對(duì)象標(biāo)記在光電^:測(cè)器靶面上的對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)位置分布
說(shuō)明圖6為掩模版、掩模版上的電路圖案和掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位置關(guān)系說(shuō)明圖； 圖7為承片臺(tái)、曝光對(duì)象和曝光場(chǎng)位置關(guān)系說(shuō)明圖； 圖8為掩模版位置對(duì)準(zhǔn)流程示意圖9為曝光對(duì)象位置對(duì)準(zhǔn)流程示意圖；附圖中1、光學(xué)投影系統(tǒng)；2、掩模版；3、描繪曝光電路圖案；4、掩模 標(biāo)記；5、承版臺(tái)；6、曝光對(duì)象；7、承片臺(tái)；8、曝光對(duì)象標(biāo)記；9、曝光場(chǎng)； 10、位置對(duì)準(zhǔn)裝置；20、聚光鏡單元；21、照明光纖；22、聚光鏡組；23、濾 波片；24、直角分束棱鏡；25、直角分束棱鏡；30、反射鏡單元；31、平面反 射鏡；32、直角棱鏡；33、直角棱鏡；34、前組成像物鏡組；40、掩模標(biāo)記成 像單元；41、機(jī)械快門；42、成像物鏡組；43、衰減片；44、直角分束棱鏡； 50、曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元；51、機(jī)械快門；52、成像物鏡組；53、外反射直 角棱鏡；60、光電探測(cè)器；61、光電探測(cè)處理單元；70、整機(jī)總控單元；80、 承版臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制單元；90、承片臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制單元。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的說(shuō)明。 圖1示出了供制造集成電路或印刷電路板的投影曝光裝置示意說(shuō)明圖，投 影曝光裝置由光學(xué)投影系統(tǒng)1、掩模版2、承版臺(tái)5、承版臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制單元80、 曝光對(duì)象6、承片臺(tái)7、承片臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制單元90、位置對(duì)準(zhǔn)裝置10、光電探測(cè) 處理單元61和整機(jī)總控單元70組成。描繪曝光電路圖案3和掩模標(biāo)記4的掩模版2置于承版臺(tái)5上，通過(guò)承版 臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制裝置80移動(dòng)于Z'、 r、 Z'方向。曝光對(duì)象標(biāo)記8位于曝光對(duì)象6上， 施加光刻膠的曝光對(duì)象6又置于承片臺(tái)7上，通過(guò)承片臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制裝置90控制 承片臺(tái)7可移動(dòng)于義、r、 Z方向。光學(xué)投影系統(tǒng)l通過(guò)曝光光源的紫外波段光 350nm-450nm，可將掩模版2上的電路圖案做投影并轉(zhuǎn)移到曝光對(duì)象6上，光學(xué) 投影系統(tǒng)1的放大倍率決定掩模版2上的電路圖案投影到曝光對(duì)象6上后的電 路圖案大小。掩模版2上方是位置對(duì)準(zhǔn)裝置10,可對(duì)位于其視場(chǎng)內(nèi)的掩模標(biāo)記4和曝光 對(duì)象標(biāo)記8進(jìn)行清晰成像，位置對(duì)準(zhǔn)裝置10中的光電探測(cè)器60用于接收掩模 標(biāo)記4和曝光對(duì)象標(biāo)記8的像。光電探測(cè)處理單元61用于處理掩才莫標(biāo)記4和曝 光對(duì)象標(biāo)記8在光電^:測(cè)器60耙面上的位置凄t據(jù)。整機(jī)總控單元70可通過(guò)控制總線實(shí)現(xiàn)對(duì)光電探測(cè)處理單元61、承版臺(tái)運(yùn)動(dòng) 控制單元80及承片臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制單元90等的控制，使整個(gè)位置對(duì)準(zhǔn)裝置按照一 定時(shí)序統(tǒng)一有序的運(yùn)行。圖2示出了本發(fā)明位置對(duì)準(zhǔn)裝置結(jié)構(gòu)組成說(shuō)明圖，該位置對(duì)準(zhǔn)裝置10包括 聚光鏡單元20、反射鏡單元30、掩模標(biāo)記成像單元40、曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元 50及光電探測(cè)器60組成。聚光鏡單元20由照明光纖21、聚光鏡組22、濾波片 23、直角分束棱鏡24和直角分束棱鏡25組成，其作用是對(duì)照明光纖21的出射 光進(jìn)行會(huì)聚。反射鏡單元30由平面反射鏡31、直角棱鏡32、直角棱鏡33及前 組成像物鏡組34組成，其作用是實(shí)現(xiàn)光路偏折，滿足空間結(jié)構(gòu)尺寸要求。上述 聚光鏡單元20和反射鏡單元30構(gòu)成掩模標(biāo)記照明系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)掩模標(biāo)記的均 勻照明；聚光鏡單元20、反射鏡單元30、掩模版2及光學(xué)投影系統(tǒng)1構(gòu)成曝光 對(duì)象標(biāo)記照明系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)曝光對(duì)象標(biāo)記均勻照明。上述掩模標(biāo)記照明系統(tǒng)和曝 光對(duì)象照明系統(tǒng)在結(jié)構(gòu)形式上，可以是臨界照明系統(tǒng)，也可以是柯勒照明系統(tǒng)。掩模標(biāo)記成像單元40由機(jī)械快門41、成像物鏡組42、衰減片43和直角分 束棱鏡44組成，其作用是掩模標(biāo)記4經(jīng)掩模標(biāo)記照明系統(tǒng)均勻照明后，掩模標(biāo) 記4照明光束經(jīng)反射鏡單元30和掩模標(biāo)記成像單元40后清晰成像在光電探測(cè) 器60上。曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元50由機(jī)械快門51、成像物鏡組52和外泉射直 角棱鏡53組成，其作用是曝光對(duì)象標(biāo)記4經(jīng)曝光對(duì)象標(biāo)記照明系統(tǒng)均勾照明后， 曝光對(duì)象標(biāo)記8的照明光束經(jīng)光學(xué)投影系統(tǒng)1、掩模版2、反射鏡單元IO、直角 分束棱鏡25、直角分束棱鏡24和曝光對(duì)象標(biāo)記成^f象單元50后清晰成4象在光電 4笨測(cè)器60上。由于曝光對(duì)象標(biāo)記8相對(duì)掩模標(biāo)記4被照明時(shí)，從照明光纖21的出射光需 多經(jīng)過(guò)掩模版2和光學(xué)投影系統(tǒng)1,因此掩模標(biāo)記照明系統(tǒng)的能量利用率高于曝 光對(duì)象標(biāo)記照明系統(tǒng)的能量利用率，為了防止光電探測(cè)器60由于能量過(guò)大飽和 溢出，影響對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位置探測(cè)精度，本發(fā)明在掩模標(biāo)記成像單元40中加入衰減 片43,用于調(diào)整掩模標(biāo)記照明系統(tǒng)與曝光對(duì)象標(biāo)記照明系統(tǒng)的光能利用率，使 掩模標(biāo)記4和曝光對(duì)象標(biāo)記8都能在光電〗笨測(cè)器60上成清晰像。在標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中，為了防止掩;f莫標(biāo)記4和曝光對(duì)象標(biāo)記8同時(shí)在光電探 測(cè)器60上成像，相互影響成像對(duì)比度，本發(fā)明在掩模標(biāo)記成像單元40和曝光 對(duì)象標(biāo)記單元50分別加入了枳4成快門41 、 51。當(dāng)進(jìn)4亍掩才莫標(biāo)記4對(duì)準(zhǔn)時(shí)則關(guān)閉
曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元50中的機(jī)械快門51,打開(kāi)掩才莫標(biāo)記成像單元40中的機(jī) 械快門41,使掩模標(biāo)記4在光電探測(cè)器60上成清晰像。當(dāng)進(jìn)行曝光對(duì)象標(biāo)記8 對(duì)準(zhǔn)時(shí)則關(guān)閉掩才莫標(biāo)記成像單元40中的枳4成快門41,打開(kāi)曝光對(duì)象標(biāo)記成《象單 元50中的機(jī)械快門51 ，使曝光對(duì)象標(biāo)記8在光電探測(cè)器60上成清晰像。圖3示出了掩模標(biāo)記成像系統(tǒng)結(jié)構(gòu)說(shuō)明圖，掩模標(biāo)記成像系統(tǒng)由反射鏡單 元30、直角分束棱鏡25、掩模標(biāo)記成像單元40和光電探測(cè)器60組成，當(dāng)掩模 標(biāo)記4被掩模標(biāo)記照明系統(tǒng)均勻照明后，掩模標(biāo)記4上的照明光束經(jīng)反射鏡單 元30、直角分束棱鏡25和掩模標(biāo)記成像單元40后清晰成像在光電探測(cè)器60上。圖4示出了曝光對(duì)象標(biāo)記成像系統(tǒng)結(jié)構(gòu)說(shuō)明圖，由光學(xué)投影系統(tǒng)1 、掩模版 2、反射鏡單元30、直角分束棱鏡25、直角分束棱鏡24、曝光對(duì)象標(biāo)記成像單 元50、直角分束棱鏡44和光電探測(cè)器60組成，當(dāng)曝光對(duì)象標(biāo)記8被曝光對(duì)象 標(biāo)記照明系統(tǒng)均勻照明后，曝光對(duì)象標(biāo)記8上的照明光束經(jīng)光學(xué)投影系統(tǒng)1、掩 模版2、反射鏡單元30、直角分束棱鏡25、直角分束棱鏡24、曝光對(duì)象標(biāo)記成 像單元50和直角分束棱鏡44后清晰成像在光電探測(cè)器60上。本發(fā)明結(jié)構(gòu)中光學(xué)投影系統(tǒng)1的設(shè)計(jì)波段為350nm到450nm，只對(duì)掩才莫版 2上的曝光電路圖案3清晰成像；而曝光對(duì)象標(biāo)記8通過(guò)光學(xué)投影系統(tǒng)1成像時(shí) 所產(chǎn)生的色差由反射鏡單元30、直角分束棱鏡25、直角分束棱鏡24、曝光對(duì)象 標(biāo)記成像單元50和直角分束棱鏡44組成的曝光對(duì)象標(biāo)記成像系統(tǒng)進(jìn)行補(bǔ)償， 使曝光對(duì)象標(biāo)記8能在光電探測(cè)器60上清晰成像。圖5示出了為掩模標(biāo)記和曝光對(duì)象標(biāo)記在光電探測(cè)器靶面上的對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)位 置分布說(shuō)明圖，a是專利CN 1794095A中掩才莫標(biāo)記4和曝光對(duì)象標(biāo)記8同時(shí)成 像在光電探測(cè)器60上的目標(biāo)位置分布示意圖，由于掩模標(biāo)記4先進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)， 因此掩模標(biāo)記4對(duì)準(zhǔn)后，掩模標(biāo)記處于光電探測(cè)器60上的右下角目標(biāo)位置；由 于光電探測(cè)器60的靶面尺寸一定，因此曝光對(duì)象標(biāo)記8在探測(cè)器靶面上的有效 成像區(qū)域?qū)p小，否則對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中若曝光對(duì)象標(biāo)記8與掩模標(biāo)記4重疊或曝光 對(duì)象標(biāo)記8位于光電探測(cè)器60靶面外，將影響曝光對(duì)象標(biāo)記8的對(duì)準(zhǔn)時(shí)間以致 最終影響產(chǎn)品生產(chǎn)效率。對(duì)于解決專利CN 1794095A上述問(wèn)題的方法是提高曝 光對(duì)象傳輸系統(tǒng)的上片精度，但這樣將增加曝光對(duì)象傳輸系統(tǒng)的成本及設(shè)計(jì)復(fù) 雜性。b和c是本專利采用分時(shí)對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)后，掩模標(biāo)記4和曝光對(duì)象標(biāo)記8分別
在光電探測(cè)器60靶面上的目標(biāo)位置分布說(shuō)明圖。由于掩模標(biāo)記4和曝光對(duì)象標(biāo) 記8先后在不同時(shí)刻進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)，因此掩模標(biāo)記4在進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)時(shí)，曝光 對(duì)象標(biāo)記成像單元50中的機(jī)械快門51處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)曝光對(duì)象標(biāo)記8不 能成像在光電探測(cè)器60靶面上，這樣將增大掩模標(biāo)記4在光電探測(cè)器60靶面 上的有效成像范圍，可降低掩模傳輸系統(tǒng)的上版精度；同理曝光對(duì)象標(biāo)記.8在 進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)時(shí)，掩才莫標(biāo)記成像單元40中的機(jī)械快門41處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí) 掩才莫標(biāo)記4不能成像在光電探測(cè)器60靶面上，這樣也將增大曝光對(duì)象標(biāo)記8在 光電探測(cè)器60靶面上的有效成像范圍，可降低曝光對(duì)象傳輸系統(tǒng)的上片精度， 節(jié)省設(shè)備成本。
圖6示出了掩模版、掩模版上的電路圖案和掩模標(biāo)記位置關(guān)系說(shuō)明圖，電 路圖案3和掩模標(biāo)記4位于掩模版2上，掩模標(biāo)記4用于掩模版2的位置對(duì)準(zhǔn)， 掩模對(duì)準(zhǔn)時(shí)掩模標(biāo)記4的數(shù)量為2個(gè)或2個(gè)以上，其分布相對(duì)電路圖案3的中 心對(duì)稱。掩模版2位置對(duì)準(zhǔn)后，電路圖案3的中心與光學(xué)投影系統(tǒng)1的光軸基 本重合。
圖7示出了承片臺(tái)、曝光對(duì)象和曝光場(chǎng)位置關(guān)系說(shuō)明圖，曝光對(duì)象6位于 承片臺(tái)7上方，承片臺(tái)7用于支撐曝光對(duì)象6，并通過(guò)真空實(shí)現(xiàn)對(duì)曝光對(duì)象6的 吸附與釋放；曝光場(chǎng)9是曝光對(duì)象6上的最小曝光單元，曝光對(duì)象6由多個(gè)曝 光場(chǎng)9組成。
掩模版2與曝光對(duì)象6位置對(duì)準(zhǔn)后，在曝光過(guò)程中掩模版2上的電路圖案3 與曝光對(duì)象6上的曝光場(chǎng)9滿足一定的位置關(guān)系，從而實(shí)現(xiàn)電路圖案3與曝光 場(chǎng)9之間精確的位置套刻。下面結(jié)合附圖，具體描述本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)方法 (1 )進(jìn)行掩模位置對(duì)準(zhǔn)。圖8示出了掩模版位置對(duì)準(zhǔn)流程示意圖。開(kāi)啟掩模標(biāo)記成像單元40中的機(jī) 械快門41,同時(shí)關(guān)閉曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元50中的機(jī)械快門51 。移動(dòng)承版臺(tái)5 使掩模標(biāo)記4處于位置對(duì)準(zhǔn)裝置10的視場(chǎng)范圍內(nèi)，利用光電探測(cè)處理單元61 判斷掩模標(biāo)記4是否處于光電探測(cè)器60靶面上；若掩模標(biāo)記4處于光電探測(cè)器 60的耙面上，則由光電探測(cè)處理單元61根據(jù)相關(guān)算法模型計(jì)算出當(dāng)前掩模標(biāo)記 4在光電探測(cè)器60靶面上的位置信息，同時(shí)記錄當(dāng)前承版臺(tái)5的位置信息；若 掩模標(biāo)記4不在光電探測(cè)器60的靶面上，則按照事先規(guī)劃好的掩模標(biāo)記搜索路 徑及步進(jìn)尺寸，移動(dòng)承版臺(tái)5到下一個(gè)搜索位置，并由光電探測(cè)處理單元61判 斷掩模標(biāo)記4是否處于光電探測(cè)器60的靶面上；若掩模標(biāo)記4位于光電探測(cè)器 60的把面上，則由光電探測(cè)處理單元61根據(jù)相關(guān)算法模型計(jì)算當(dāng)前掩模標(biāo)記4 在光電探測(cè)器60靶面上的位置信息，同時(shí)記錄當(dāng)前承版臺(tái)5的位置信息；若掩 模標(biāo)記4不在光電探測(cè)器60的耙面上，則步進(jìn)承版臺(tái)5到下一個(gè)搜索目標(biāo)位置， 直到搜索到掩模標(biāo)記4為止；若搜索過(guò)程中承版臺(tái)5的移動(dòng)距離超出了事先設(shè) 定的搜索范圍，則終止掩模標(biāo)記4的搜索，并利用掩模版?zhèn)鬏斚到y(tǒng)卸載掩模版2 然后重新上載。同理，移動(dòng)承版臺(tái)5使下一個(gè)掩才莫標(biāo)記4處于位置對(duì)準(zhǔn)裝置10的視場(chǎng)范圍 內(nèi)，并利用光電探測(cè)處理單元61計(jì)算掩模標(biāo)記4在光電探測(cè)器60耙面上的位 置信息；記錄掩模標(biāo)記4的對(duì)準(zhǔn)位置，同時(shí)記錄當(dāng)前承版臺(tái)5的位置信息。由上述掩模標(biāo)記4對(duì)準(zhǔn)時(shí)在光電探測(cè)器60靶面上的位置信息以及對(duì)應(yīng)的承 版臺(tái)5的位置信息，根據(jù)掩模版對(duì)準(zhǔn)算法模型計(jì)算當(dāng)前掩模版2的平移量和旋 轉(zhuǎn)量；通過(guò)承版臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制單元80控制承版臺(tái)5運(yùn)動(dòng)，調(diào)整上述掩模版2的平 移量和旋轉(zhuǎn)量，從而實(shí)現(xiàn)掩模版2的位置對(duì)準(zhǔn)。上述掩模版2的對(duì)準(zhǔn)方法利用2個(gè)掩模標(biāo)記4實(shí)現(xiàn)掩模版2對(duì)準(zhǔn)只是實(shí)施 例之一，實(shí)際上根據(jù)掩模版2對(duì)準(zhǔn)精度需要，也可以對(duì)多個(gè)掩模標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)， 甚至為了提高掩模版2的位置對(duì)準(zhǔn)效率，可以在掩模版2上方以光學(xué)投影系統(tǒng)1 的光軸為軸心，布局2套甚至多套位置對(duì)準(zhǔn)裝10以實(shí)現(xiàn)掩^t版2的位置對(duì)準(zhǔn)。 (2)進(jìn)行曝光對(duì)象位置對(duì)準(zhǔn)。圖9示出了曝光對(duì)象位置對(duì)準(zhǔn)流程示意圖。開(kāi)啟曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元50 中的機(jī)械快門51,同時(shí)關(guān)閉掩模標(biāo)記成像單元40中的機(jī)械快門41。移動(dòng)承片 臺(tái)7使曝光對(duì)象標(biāo)記8處于位置對(duì)準(zhǔn)裝置10的視場(chǎng)范圍內(nèi)，利用光電探測(cè)處理 單元61判斷曝光對(duì)象標(biāo)記8是否處于光電探測(cè)器60靶面上；若曝光對(duì)象標(biāo)記8 在光電探測(cè)器60的靶面上，則由光電探測(cè)處理單元根據(jù)相關(guān)算法模型計(jì)算當(dāng)前 曝光對(duì)象標(biāo)記8在光電^:測(cè)器60靶面上的位置信息，同時(shí)記錄當(dāng)前承片臺(tái)7的 位置信息；若曝光對(duì)象標(biāo)記8不在光電探測(cè)器60的靶面上，則按照事先規(guī)劃好 的曝光對(duì)象標(biāo)記搜索路徑及步進(jìn)尺寸，移動(dòng)承片臺(tái)7到下一個(gè)搜索位置，并判
斷曝光對(duì)象標(biāo)記8是否位于光電探測(cè)器60的耙面上；若曝光對(duì)象標(biāo)記8位于光 電探測(cè)器60的耙面上，則由光電探測(cè)處理單元61根據(jù)相關(guān)算法模型計(jì)算當(dāng)前 曝光對(duì)象標(biāo)記8在光電探測(cè)器60靶面上的位置信息，同時(shí)記錄當(dāng)前承片臺(tái)7的 位置信息；若曝光對(duì)象標(biāo)記8不在光電探測(cè)器60的耙面上，則步進(jìn)承片臺(tái)7到 下一個(gè)搜索目標(biāo)位置，直到搜索到曝光對(duì)象標(biāo)記8為止；若搜索過(guò)程中承片臺(tái)7 的移動(dòng)距離超出了事先設(shè)定的搜索范圍，則終止曝光對(duì)象標(biāo)記8的搜索，并利 用曝光對(duì)象傳輸系統(tǒng)卸載曝光對(duì)象6然后重新上載。同理，移動(dòng)承片臺(tái)7使下一個(gè)曝光對(duì)象標(biāo)記8處于位置對(duì)準(zhǔn)裝置10的視場(chǎng) 范圍內(nèi)，并利用光電4罙測(cè)處理單元61計(jì)算曝光對(duì)象標(biāo)記8在光電探測(cè)器60靶 面上的位置信息；記錄曝光對(duì)象標(biāo)記8的對(duì)準(zhǔn)位置，同時(shí)記錄當(dāng)前 lc片臺(tái)7的 位置信息。由上述曝光對(duì)象標(biāo)記8對(duì)準(zhǔn)時(shí)在光電纟果測(cè)器40靶面上的位置信息以及對(duì)應(yīng) 的承片臺(tái)7的位置信息，根據(jù)曝光對(duì)象對(duì)準(zhǔn)算法模型計(jì)算當(dāng)前曝光對(duì)象6的平 移量和旋轉(zhuǎn)量；通過(guò)承片臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制單元90控制承片臺(tái)7運(yùn)動(dòng)，調(diào)整上述曝光 對(duì)象6的平移量和旋轉(zhuǎn)量，從而實(shí)現(xiàn)曝光對(duì)象6的位置對(duì)準(zhǔn)。上述曝光對(duì)象6的對(duì)準(zhǔn)方法利用2個(gè)曝光對(duì)象標(biāo)記8實(shí)現(xiàn)曝光對(duì)象6的對(duì) 準(zhǔn)只是實(shí)施例之一，實(shí)際上根據(jù)曝光對(duì)象6的對(duì)準(zhǔn)精度需要，也可以對(duì)多個(gè)曝 光對(duì)象標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，甚至為了提高曝光對(duì)象6的位置對(duì)準(zhǔn)效率，可以在掩模 版2上方以光學(xué)投影系統(tǒng)1的光軸為軸心，布局2套甚至多套位置對(duì)準(zhǔn)裝10以 實(shí)現(xiàn)曝光對(duì)象6的位置對(duì)準(zhǔn)。(3)進(jìn)行掩;f莫和曝光對(duì)象位置對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)掩模版2的位置對(duì)準(zhǔn)流程及相關(guān)坐標(biāo)系轉(zhuǎn)換關(guān)系，可以計(jì)算出掩模版2 位置對(duì)準(zhǔn)后，掩模版上的電路圖案3在承片臺(tái)零位坐標(biāo)系中的平移量和旋轉(zhuǎn)量； 同理，根據(jù)曝光對(duì)象6的位置對(duì)準(zhǔn)流程及相關(guān)坐標(biāo)系轉(zhuǎn)換關(guān)系，可以計(jì)算出曝 光對(duì)象6位置對(duì)準(zhǔn)后，曝光對(duì)象6在承片臺(tái)零位坐標(biāo)系中的平移量和旋轉(zhuǎn)量； 根據(jù)上述掩模版上的電路圖案3以及曝光對(duì)象6在承片臺(tái)零位坐標(biāo)系中的位置 關(guān)系，可以實(shí)現(xiàn)曝光對(duì)象6上的曝光場(chǎng)9與掩模版2上的電路圖案3在曝光過(guò) 程中精確的位置對(duì)準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種用于投影曝光裝置中的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述位置對(duì)準(zhǔn)裝置包括分時(shí)對(duì)準(zhǔn)裝置；掩模標(biāo)記；曝光對(duì)象；和曝光對(duì)象標(biāo)記；所述分時(shí)對(duì)準(zhǔn)裝置設(shè)置于掩模版上方；所述掩模標(biāo)記設(shè)置于所述掩模版上；所述曝光對(duì)象設(shè)置于承片臺(tái)上；所述曝光對(duì)象標(biāo)記設(shè)置于所述曝光對(duì)象上。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述投影曝光裝置 包括光學(xué)投影系統(tǒng)；所述掩模版；承版臺(tái)；承版臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制單元；所述曝光對(duì)象；承片臺(tái)；承片臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制單元；和 總控制裝置。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述光學(xué)投影系統(tǒng) 的設(shè)計(jì)波段為350納米至450納米，不考慮光學(xué)投影系統(tǒng)在對(duì)準(zhǔn)波段的色差。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述的分時(shí)對(duì)準(zhǔn)裝 置包括聚光鏡單元； 反射鏡單元； 掩模標(biāo)記成像單元； 曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元； 光電探測(cè)器；和 光電纟笨測(cè)處理單元；所述聚光鏡單元會(huì)聚照明光纖出射光；所述反射鏡單元偏折光路；所述掩 模標(biāo)記成像單元將所述掩模標(biāo)記成像到所述光電探測(cè)器靶面上；所述曝光對(duì)象 標(biāo)記成像單元將所述曝光對(duì)象標(biāo)記成像到所述光電探測(cè)器靶面上；所述光電探 測(cè)處理單元對(duì)標(biāo)記在光電探測(cè)器耙面上的位置進(jìn)行檢測(cè)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述聚光鏡單元包 括照明光纖、聚光鏡組、濾波片及兩個(gè)直角分束棱鏡。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述聚光鏡單元可 以加入濾波片，所述濾波片過(guò)濾對(duì)準(zhǔn)光源中射向所述曝光對(duì)象的紫外光。
7、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述反射鏡單元包 括平面反射鏡、兩個(gè)直角棱鏡和前組成像物鏡組。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述兩個(gè)直角棱鏡 可以分別由兩個(gè)平面反射4竟組成。
9、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述聚光鏡單元和 所述反射鏡單元組成掩模標(biāo)記照明系統(tǒng)，所述掩模標(biāo)記照明系統(tǒng)均勻照明所述 掩模標(biāo)記。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述掩模標(biāo)記照 明系統(tǒng)，可以為臨界照明系統(tǒng)，也可以為柯勒照明系統(tǒng)。
11、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述聚光鏡單元、 所述反射鏡單元、所述掩模版和所述光學(xué)投影系統(tǒng)組成曝光對(duì)象標(biāo)記照明系統(tǒng)， 所述曝光對(duì)象標(biāo)記照明系統(tǒng)均勻照明所述曝光對(duì)象標(biāo)記。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述曝光對(duì)象標(biāo) 記照明系統(tǒng)的光源波長(zhǎng)為520納米到650納米。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述曝光對(duì)象標(biāo) 記照明系統(tǒng)，可以為臨界照明系統(tǒng)，也可以為柯勒照明系統(tǒng)。
14、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述掩模標(biāo)記成 像單元包括機(jī)械快門、成像物鏡組、衰減片和分束器件。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述分束器件可 以是直角分束棱鏡，也可以是平面分束片。
16、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述反射鏡單元 和所述掩模標(biāo)記成像單元組成掩模標(biāo)記成像系統(tǒng)，所述掩模標(biāo)記成像系統(tǒng)將掩 模標(biāo)記成像在所述光電探測(cè)器靶面上。
17、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述曝光對(duì)象標(biāo) 記成像單元包括機(jī)械快門、成像物鏡組和反射裝置。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述反射裝置可 以是外反射直角棱鏡，也可以是平面反射鏡。
19、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述光學(xué)投影系 統(tǒng)、所述掩模版、所述反射鏡單元和所述曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元組成曝光對(duì)象 標(biāo)記成像系統(tǒng)，所述曝光對(duì)象標(biāo)記成像系統(tǒng)將曝光對(duì)象標(biāo)記成像在光電探測(cè)器 革巴面上。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述曝光對(duì)象標(biāo) 記成像系統(tǒng)可對(duì)光學(xué)投影系統(tǒng)在對(duì)準(zhǔn)波段的色差進(jìn)行校正和補(bǔ)償。
21、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述光電探測(cè)器 的傳感器可以為CCD (電荷耦合器件)，也可以為CMOS (互補(bǔ)型金屬氧化物半 導(dǎo)體)。
22、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述光電探測(cè)處 理單元采集并處理所述光電探測(cè)器靶面上的標(biāo)記圖像。
23、 根據(jù)權(quán)利要求9、 11、 16或19所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所 述掩模標(biāo)記照明系統(tǒng)、所述曝光對(duì)象標(biāo)記照明系統(tǒng)、所述掩模標(biāo)記成像系統(tǒng)和 所述曝光對(duì)象標(biāo)記成像系統(tǒng)使用同一所述反射鏡單元。
24、 根據(jù)權(quán)利要求14或16所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述掩模 標(biāo)記成像單元中可以加入衰減片，所述衰減片使所述掩模標(biāo)記成像系統(tǒng)和所述 曝光對(duì)象標(biāo)記成#~系統(tǒng)能量利用率相同。
25、 一種使用權(quán)利要求1所述的位置對(duì)準(zhǔn)裝置的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于 包括如下步驟(1 )移動(dòng)所述承版臺(tái)使所述掩模標(biāo)記移動(dòng)到所述位置對(duì)準(zhǔn)裝置視場(chǎng)范圍 內(nèi)，使所述掩模標(biāo)記在所述光電探測(cè)器靶面上進(jìn)行成像，并由所述光電探測(cè)處 理單元計(jì)算掩模標(biāo)記位置信息，同時(shí)記錄所述承版臺(tái)位置信息； (2) 移動(dòng)所述承片臺(tái)使所述曝光對(duì)象標(biāo)記移動(dòng)到所述位置對(duì)準(zhǔn)裝置視場(chǎng)范 圍內(nèi)，使所述曝光對(duì)象標(biāo)記在所述光電探測(cè)器靶面上進(jìn)行成像，并由所述光電 探測(cè)處理單元計(jì)算曝光對(duì)象標(biāo)記位置信息，同時(shí)記錄所述承片臺(tái)位置信息；(3) 通過(guò)所述掩模標(biāo)記位置信息、所述承版臺(tái)位置信息、所述曝光對(duì)象標(biāo) 記位置信息及所述承片臺(tái)位置信息，計(jì)算曝光對(duì)象相對(duì)掩模版的平移量和旋轉(zhuǎn) 量，調(diào)整曝光對(duì)象的位置使曝光對(duì)象和掩模版精確對(duì)準(zhǔn)。
26、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于可以僅使用l套所述 位置對(duì)準(zhǔn)裝置。
27、 根據(jù)權(quán)利要求25所迷的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于可以使用2套以上所 述位置對(duì)準(zhǔn)裝置，所述2套以上位置對(duì)準(zhǔn)裝置可以以光學(xué)才更影系統(tǒng)的光軸為軸 心對(duì)稱分布。
28、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于當(dāng)所述掩模標(biāo)記移動(dòng) 到所述位置對(duì)準(zhǔn)裝置視場(chǎng)范圍內(nèi)時(shí)，開(kāi)啟所述掩模標(biāo)記成像單元中的機(jī)械快門， 關(guān)閉所述曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元中的機(jī)械快門，使光電探測(cè)器靶面上只有所述 掩模標(biāo)記成像。
29、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于當(dāng)所述曝光對(duì)象標(biāo)記 移動(dòng)到所述位置對(duì)準(zhǔn)裝置視場(chǎng)范圍內(nèi)，開(kāi)啟所述曝光對(duì)象標(biāo)記成像單元中的機(jī) 械快門，關(guān)閉所述掩模標(biāo)記成像單元中的機(jī)械快門，使光電探測(cè)器靶面上只有 所述曝光對(duì)象標(biāo)記成^^。
30、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于使用的掩模標(biāo)記的數(shù) 量，可以是兩個(gè)，也可以是兩個(gè)以上。
31、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于使用的曝光對(duì)象標(biāo)記 的凄t量，可以是兩個(gè)，也可以兩個(gè)以上。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種分時(shí)對(duì)準(zhǔn)裝置及使用該裝置的對(duì)準(zhǔn)方法，在光學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上同時(shí)優(yōu)化掩模標(biāo)記成像光學(xué)系統(tǒng)和曝光對(duì)象標(biāo)記成像光學(xué)系統(tǒng)，使掩模標(biāo)記和曝光對(duì)象標(biāo)記通過(guò)光學(xué)結(jié)構(gòu)上的不同光學(xué)通道進(jìn)行成像，在時(shí)間上通過(guò)先后控制掩模標(biāo)記成像光學(xué)系統(tǒng)和曝光對(duì)象標(biāo)記成像光學(xué)系統(tǒng)光路中的機(jī)械快門開(kāi)啟和關(guān)閉，從而避免在原先技術(shù)中掩模標(biāo)記和曝光對(duì)象標(biāo)記同時(shí)成像在光電探測(cè)器靶面的情況。降低曝光裝置中光學(xué)投影系統(tǒng)的設(shè)計(jì)難度、制造成本和系統(tǒng)復(fù)雜度。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101158816SQ20071004790
公開(kāi)日2008年4月9日 申請(qǐng)日期2007年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月7日
發(fā)明者呂曉薇, 兵 徐, 王鵬程 申請(qǐng)人:上海微電子裝備有限公司