專利名稱：一種用于光刻設備對準系統的對準標記結構的制作方法
技術領域：
本發明與集成電路或其他微型器件制造領域的光刻設備有關，特別涉及一 種對準系統的對準標記。
背景技術：
現有技術中的光刻設備，主要用于集成電路IC或其他微型器件的制造。通
過光刻設備，具有不同掩模圖案的多層掩模在精確對準情況下依次曝光成像在 涂覆有光刻膠的硅片上。目前的光刻設備大體上分為兩類， 一類是步進光刻設 備，掩模圖案一次曝光成像在硅片的一個曝光區域，隨后硅片相對于掩模移動， 將下一個曝光區域移動到掩模圖案和投影物鏡下方，再一次將掩模圖案曝光在
硅片的另一曝光區域，重復這一過程直到硅片上所有曝光區域都擁有相應掩模 圖案的像。另一類是步進掃描光刻設備，在上述過程中，掩模圖案不是一次曝 光成像，而是通過投影光場的掃描移動成像。在掩模圖案成像過程中，掩模與 硅片同時相對于投影系統和投影光束移動，完成硅片曝光。
光刻設備中關鍵的步驟是將掩模與硅片對準。第一層掩模圖案在硅片上曝 光后從設備中移走，在硅片進行相關的工藝處理后，進行第二層掩模圖案的曝 光，但為確保第二層掩模圖案和隨后掩模圖案的像相對于硅片上已曝光掩模圖
案像的精確定位，需要將掩模和硅片進行精確對準。由于光刻技術制造的IC器
件需要多次曝光在硅片中形成多層電路，為此，光刻設備中要求實現掩模和硅 片的精確對準。當特征尺寸要求更小時，對對準精度的要求將變得更加嚴格。
現有技術有兩種對準方案 一種是透過鏡頭的TTL對準技術，激光照明掩 模上的對準標記通過物鏡成像于硅片平面，移動硅片臺，使硅片臺上的參考標 記掃描對準標記所成的像，同時采樣所成像的光強，探測器輸出的最大光強位 置即表示正確的對準位置，該對準位置為用于監測硅片臺位置移動的激光干涉 儀的位置測量提供了零基準；另一種是OA離軸對準技術，通過離軸對準系統 測量位于硅片臺上的多個對準標記以及硅片臺上基準板的基準標記，實現硅片對準和硅片臺對準，硅片臺上參考標記與掩模對準標記對準，實現掩模對準， 由此可以得到掩模和硅片的位置關系，實現掩模和硅片對準。
目前，主流光刻設備大多所釆用的對準方式為光柵對準。光柵對準是指照 明光束照射在光柵型對準標記上發生衍射，衍射光攜帶有關于對準標記結構的 全部信息。多級次衍射光以不同角度從相位對準光柵上散開，通過空間濾波器
濾掉零級光后，釆集±1級衍射光，或者隨著CD要求的提高，同時采集多級衍 射光(包括高級)在參考面干涉成像，利用像與相應參考光柵在一定方向掃描， 經光電探測器探測和信號處理，確定對準中心位置。
一種現有技術的情況(參見中國發明專利，公開號CN1506768A，發明名 稱用于光刻系統的對準系統和方法)，荷蘭ASML一^司所采用的一種4f系統 結構的ATHENA離軸對準系統，該對準系統在光源部分釆用紅光、綠光雙光源 照射；并采用楔塊列陣或楔板組來實現對準標記多級衍射光的重疊和相干成像， 并在像面上將成像空間分開；紅光和綠光的對準信號通過一個偏振分束棱鏡來 分離；通過探測對準標記像透過參考光柵的透射光強，得到正弦輸出的對準信 號。
該對準系統通過探測對準標記的(包括高級次衍射光在內)多級次衍射光 以減小對準標記非對稱變形導致的對準位置誤差。具體釆用楔塊列陣或楔板組 來實現對準標記多級衍射光的正、負級次光斑對應重疊、相干成像，同時各級 衍射光光束通過楔塊列陣或楔板組的偏折使得對準標記用于x軸方向對準的光 柵各級光柵像在像面沿y軸方向排列成像；用于y軸方向對準的光柵各級光柵 像在像面沿x軸方向排列成像，避免了對準標記各級光柵像掃描對應參考光柵 時不同周期光柵像同時掃描一個參考光柵的情況，有效解決信號的串擾問題。 但是，使用楔塊列陣時，對折射正、負相同級次的兩楔塊的面型和楔角一致性 要求很高；而楔板組的加工制造、裝配和調整的要求也很高，具體實現起來工 程難度較大，代價昂貴。
另一種現有技術的情況(參見中國發明專利，公開號200710044152.1，發 明名稱 一種用于光刻設備的對準系統)，該對準系統采用具有粗細結合的三周 期相位光柵，只利用這三個周期的一級衍射光作為對準信號，可以實現大的捕 獲范圍的同時獲得高的對準精度，只使用各周期的一級衍射光，可以獲取較強的信號強度，提高系統信噪比，不需要借助楔板等調節裝置來分開多路高級次 衍射分量，簡化光路設計和調試難度，但在二維對準標記布局中，標記結構松 散，需要較大的照明光斑，這勢必引入更多雜散光，降低了信噪比，另一方面，
在這個發明中，二維對準標記的中間光柵的x軸向和y軸向光柵均采用了兩段 光柵，需要通過耦合器將兩段光耦合在一起，探測其光強，而兩段光柵相位難 以完全重合，這必然會引入相位誤差，導致精度降低，此外，光耦合的過程將 損失能量，不能充分利用光強。

發明內容
本發明的目的是提供一種用于光刻設備對準系統的排列緊湊且非耦合的對 準標記結構，采用以下技術方案
所述對準標記是二維對準標記，至少包含六組光柵x軸第一光柵、x軸第 二光柵和x軸第三光柵，用于x軸方向對準，所述x軸第一光柵、x軸第三光柵-和x軸第二光柵沿x軸方向依次排開，所述x軸第一光柵和所述x軸第二光柵 為大周期光柵，所述x軸第三光柵為小周期光柵，所述x軸第三光柵離所述x 軸第一光柵和所述x軸第二光柵其中之一的距離比到另一個的距離遠，y軸第一 光柵、y軸第二光柵和y軸第三光柵，用于y軸方向對準，所述y軸第一光柵、 y軸第三光柵和y軸第二光柵沿y軸方向依次排開，所述y軸第一光柵和所述y 軸第二光柵為大周期光柵，所述y軸第三光柵為小周期光柵，所述y軸第三光 柵離所述y軸第一光柵和所述y軸第二光柵其中之一的距離比到另一個的距離 遠，所述x軸的光柵和所述y軸的光柵相互垂直，所述x軸第三光柵和與其相 距遠的x軸大周期光柵之間的中點，與所述y軸第三光柵和與其相距遠的y軸 大周期光柵之間的中點重合。 '
進一步的，所述對準標記的x軸和y軸各自的第一光柵、第二光柵和第三 光柵的士l級衍射光通過空間濾波分別相干成像在位于像面的參考光柵上。
進一步的，所述參考光柵包括六組振幅型光4冊，分別對應于x軸第一光柵、 第二光柵和第三光柵的士l級光柵像和y軸第一光柵、第二光柵和第三光柵的土l 級光柵像，六組光4冊的排列方式與對準標記相同。
進一步的，所述對準標記的x軸和y軸各自的第一光柵、第二光柵和第三 光柵的像經過參考光柵調制后的透射光強變化，分別得到x軸和y軸各自的第一光柵對準信號、第二柵對準信號和第三光柵對準信號。
進一步的，才艮據所述x軸和y軸各自的第一光4冊對準信號和第二光4冊對準 信號的位相信息得到對準標記的粗略中心位置，才艮據所述x軸和y軸各自的第 三光信號的位相信息，并結合對準標記的粗略中心位置得到對準標記的精確中 心位置。
進一步的，所述對準標記的x軸和y軸各自的第一光柵像、第二光柵像和 第三光柵像在對準位置時分別與相應的參考光柵中心位置重合，即相位得到匹 配，用于更準確的粗捕獲對準和精對準，減小對準誤差。
本發明采用了 二維對準標記的不對稱排列，使得光柵排列緊湊，并且二維 對準標記的中間光4冊的x軸向和y軸向均采用一段光對冊，排列更加緊湊，減小 了照明光斑的尺寸，使得引入的雜散光變少，提高了信號的信噪比和最終的對 準精度，中間光柵的x軸向和y軸向均采用一段光柵，不需要考慮兩段光的耦 合問題，降低了技術難度，并避免了因耦合產生的誤差和光能量的損失，提高 了精度。


圖1是本發明光刻設備所用的對準系統與光刻設備之間的總體布局、工作
原理結構示意圖2是本發明實施方案所用對準系統結構示意圖3是本發明實施方案所用對準系統中頻譜面濾波孔分布示意圖4是本發明硅片對準標記第一實施方案二維標記的示意圖5是本發明硅片對準標記第一實施方案對應參考光柵的示意圖6是本發明對準系統第一實施方案二維對準標記劃線槽布局圖7是本發明對準標記第一實施方案經過對準系統掃描，信號增益處理后
的對準信號示意圖8是本發明硅片對準標記第二實施方案二維標記的示意圖9是本發明硅片對準標記第二實施方案對應參考光柵的示意圖10是本發明對準系統第二實施方案二維對準標記劃線槽布局圖ll是本發明對準系統第二實施方案經過對準系統掃描，信號增益處理后的對準信號示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖對發明作進一步的描述。請參考圖1，圖1示出了本發明所用光刻設備的對準系統與光刻設備之間的總體布局、工作原理結構示意圖。光刻設備的構成包括用于提供曝光光束的 照明系統1,用于支承掩模版2的掩模支架和掩模臺3，掩模版2上有掩模圖案 和具有周期性結構的對準標記RM，用于將掩模版2上的掩模圖案投影到硅片6 的投影光學系統4，用于支承硅片6的硅片支架和硅片臺7，硅片臺7上有刻有 基準標記FM的基準板8，硅片6上有周期性光學結構的對準標記；用于掩模和 硅片對準的離軸對準系統5,用于掩模臺3和硅片臺7位置測量的反射鏡10、 16和激光干涉儀11、 15,以及由主控制系統12控制的掩模臺3和硅片臺7位 移的伺服系統13和驅動系統9、 14。其中，照明系統1包括一個光源、 一個使照明均勻化的透鏡系統、 一個反 射鏡、 一個聚光鏡(圖中均未示出)。作為一個光源單元，采用KrF準分子激光 器(波長248nm )、 ArF準分子激光器(波長193nm )、 F2激光器(波長157nm )、 Kr2激光器(波長146nm )、 Ar2激光器(波長126nm )、或者使用超高壓汞燈(g-線、i-線)等。照明系統1均勻照射的曝光光束IL照射在掩it版2上，掩模版2 上包含有掩模圖案和周期性結構的標記RM，用于掩模對準。掩模臺3可以經驅 動系統14在垂直于照明系統光軸(與投影物鏡的光軸AX軸重合)的X軸-Y 軸平面內移動，并且在預定的掃描方向(平行于X軸軸方向)以特定的掃描速 度移動。掩模臺3在移動平面內的位置通過位于掩模臺3上的反射鏡16由多普 勒雙頻激光干涉儀15精密測得。掩模臺3的位置信息由激光干涉儀15經伺服 系統13發送到主控制系統12，主控制系統12根據掩模臺3的位置信息通過驅 動系統14驅動掩模臺3。投影光學系統4 (投影物鏡)位于圖1所示的掩模臺3下方，其光軸AX 軸平行于Z軸方向。由于采用雙遠心結構并具有預定的縮小比例如1/5或1/4的 折射式或折反射式光學系統作為投影光學系統，所以當照明系統1發射的曝光 光束照射掩模版2上的掩模圖案時，電路掩模圖案經過投影光學系統在涂覆有 光刻膠的硅片6上成縮小的圖像。硅片臺7位于投影光學系統4的下方，硅片臺7上設置有一個硅片支架(圖 中未示出)，硅片6固定在支架上。硅片臺7經驅動系統9驅動可以在掃描方向 (X軸方向)和垂直于掃描方向(Y軸方向)上運動，使得可以將硅片6的不 同區域定位在曝光光場內，并進行步進掃描操作。硅片臺7在X軸-Y軸平面內 的位置通過一個位于硅片臺上的反射鏡10由多普勒雙頻激光干涉儀11精密測 得，硅片臺7的位置信息經伺服系統13發送到主控制系統12,主控制系統12 根據位置信息(或速度信息)通過驅動系統9控制硅片臺7的運動。硅片6上設有周期性結構的對準標記，硅片臺7上有包含基準標記FM的 基準板8，對準系統5分別通過硅片對準標記和基準標記FM實現硅片6對準和 硅片臺7對準。另外， 一個同軸對準單元(圖中未示出)將硅片臺上基準板8 的基準標記FM與掩模對準標記RM對準，實現掩模對準。對準系統5的對準 信息結合同軸對準單元的對準信息一起傳輸到主控制系統12，經數據處理后， 驅動系統9驅動硅片臺7移動實現掩模和硅片6的對準。圖2為本發明第一實施例的對準系統結構示意圖，該對準系統主要由光源 模塊、照明模塊、成像模塊、探測模塊、信號處理和定位模塊(圖中沒有示出) 等組成。光源模塊主要包括提供兩個波長的光源、快門、光隔離器和RF調制器 (圖中沒有示出)。照明模塊包括傳輸光纖和照明光學系統。成#^莫塊主要包括 大數值孔徑的物鏡(211)、分束器214、雙向分束器218、空間濾波器(219、 224)和透鏡系統(211、 220、 225)。探測模塊包括參考光柵(221、 226)、傳 輸光纖(216、 222、 227)、 CCD相機217和光電探測器(223、 228)。信號處理 和定位模塊主要包括光電信號轉換和放大、模數轉換和數字信號處理電路等。對準系統原理為光源模塊輸出的光束201 (包含兩種可選波長，也可同時 應用)進入光束合束器202，經由單膜保偏光纖203傳輸到起偏器204、透鏡205、 照明孔徑光闌206和透鏡207,然后經平板209上的反射棱鏡208垂直入射到消 色差的X/4波片210進入大數值孔徑的物鏡211 ( 4F透鏡的前組)，光束經大數 值孔徑的物鏡211會聚照射到硅片標記212上并發生衍射，標記212各級次衍 射光沿原路返回并經平板209進入分束器214,分束器214將一小部分衍射光經 過鍍膜反射面213反射到CCD光路經過透鏡215、傳輸光纖216,成像于CCD217 上用于觀測標記成像情況，另一部分衍射光沿光路透射過去由分光棱鏡218兩種波長光束分開，分別進入不同的光路，經過相應的空間濾波器(219、 224) 選擇需要的衍射光級次(本發明需要的分別是各光柵的士l級衍射光，并通過透 鏡系統(220、 225， 4F透鏡的后組)將相應衍射級次光干涉像成在參考光柵(221、 226)上，標記衍射級次干涉像經由參考光柵(221、 226)掃描得到的信號經傳 輸光纖(222、 227)輸送到光電探測器(223、 228)進行信號探測。圖3為本發明所用空間濾波器(219、 224)的結構示意圖，分為垂直和水 平兩個方向排列，分別用于兩個方向的對準標記士l級書f射光濾波，由于對準標 記中用于對準范圍捕獲的兩個大周期光柵的周期相差很小，其±1級衍射光束在 4F系統頻鐠面(空間濾波器所在位置)上距離很近，所以也可以讓兩個大周期 光柵的士l級衍射光束在同一濾波孔內通過。該對準系統的主要特征是，通過在像面探測對準標記的第一光柵、第二光 柵和第三光柵的± 1級衍射光相干成像后經參考光柵調制的光強變化，由透射光 信號的相位信息獲得對準標記的中心位置。其中由對準標記的第一光柵和第二 光柵的對準信號獲得對準標記的粗略位置信息，由對準標記的第三光柵的對準 信號得到對準標記的精確位置信息。圖4是圖1中硅片二維對準標記的結構示意圖，是可以實現兩個方向同時 進行掃描對準的標記，標記共由六組光4冊組成。對準標記是占空比為1:1的相位 光4冊結構。用于x軸方向對準的對準標記包含三組不同周期的光柵第一光柵401、第 二光柵402和第三光柵403，其中第一光柵401的光柵周期為Pl，第二光柵402 的光柵周期為P2,第三光柵403的光柵周期為P3，所述x軸方向的第一光柵401 和第三光柵403為大周期光柵，所述x軸方向的第二光柵402為小周期光柵， 所述x軸方向的第一光柵401、第三光柵403和第二光柵402沿對準方向依次排 開，用于x軸方向對準的對準標記光柵位于x軸方向的劃線槽中，所述x軸方 向的第三光柵403處于靠近所述x軸方向的第二光柵402的位置，兩者的位置 關系需保證信號無串擾。對用于兩組大周期光柵第一光柵401和第二光柵402，選擇不同的光柵周 期可以提高對準標記的捕獲范圍，捕獲范圍表示為PlxP2/[2(Pl-P2)]。光柵周期 Pl、 P2相差不大， 一般取P2氣l士r。/。)Pl，其中r取值在5到15之間。例如，第一光柵401周期為13um,第二光柵402周期為12um，則捕獲范圍為78um。第 三光柵403的周期P3〈P1，且P3〈P2，用于精對準。例如，第三光柵403的周期 可以為2|xm。三組光4冊之間的周期取值要相互匹配，即要求在濾波面上的濾波 孔只能夠讓各自光柵的士l級衍射光透過，其他級次衍射光由于在濾波孔外而被 擋住。同樣，用于y軸方向對準的對準標記包括第一光4冊405、第二光4冊404和第 三光柵406，所述y軸方向的第三光柵406處于靠近所述y軸方向的第二光4冊 404的位置，兩者的位置關系需保證信號無串擾，三組光柵周期與x軸方向對準 標記的三組光4冊周期相同。二維對準標記在劃線槽(ScribeLane)中的位置如圖 6所示。用于x軸方向對準和用于y軸方向對準的光對冊相互垂直，所述的用于x軸 方向對準的對準標記，和所述用于y軸方向對準的對準標記交點應為x軸方向 和y軸方向的第一光柵與第三光柵的中點，根據所述x軸方向和y軸方向的第 一光柵對準信號和第二光柵對準信號的位相信息得到對準標記的粗略中心位 置，根據第三光柵對準信號的位相信息，并結合對準標記的粗略中心位置得到 對準標記的精確中心位置。該對準系統對準標記三組光柵周期可以根據各自衍射光束在頻率面上的位 置，進行合適的周期匹配，以便于進行空間濾波，能夠產生具有較強工藝適應 性、高靈敏度和高信噪比的對準信號，對準系統重復性精度可以達到3-5nm，完 全滿足線寬90nm以及90nm以下的對準要求。如圖5所示，參考光柵包括六組振幅型光柵光柵501、光柵502、光柵503、 光柵504、光柵505和光4冊506,分別對應于x軸方向對準標記的第一光柵401、 第二光柵的402和第三光柵403， y軸方向對準標記的第一光柵404、第二光柵 405和第三光柵406的衍射士l級光柵像。六組振幅型光柵后分別設置有傳輸光 纖束，包括光纖507、 508、 509、 510、 511和512,將參考光柵的各組光柵的透 射光傳輸到相應的光電探測器陣列，為使得標記排列緊湊，并使其探測光纖有 足夠的空間擺放，要求光纖511和512分別與光纖507、 509相切，從而確定各 標記光柵間的位置關系，在二維對準標記掃描過程中，得到對準標記x軸和y 軸方向的對準信號，經過增益處理后如圖7所示，包括第一光柵對準信號P1、第二光柵對準信號P2和第三光柵對準信號P3。圖6給出了二維對準標記結構在硅片劃線槽內的布設情況，在硅片上曝光 場之間相互垂直的劃線槽內，布設有二維對準標記，光4冊P1、 P2、 P3用于x軸 方向對準，位于x軸方向的劃線槽內。光4冊P4、 P5、 P6用于y軸方向對準，位 于y軸方向的劃線槽內。為防止來自IC產品結構的信號串擾，對準標記光柵應 該位于劃線槽的中間區域，并且寬度小于劃線槽寬度，例如為72拜或36拜， 劃線槽寬度則為82pm左右。圖7為理想三周期對準信號。圖8-11為是采用上述對準系統的光刻設備的另一個實施例，圖8是本發明 硅片對準標記第二實施方案二維標記的示意圖，所述x軸第三光柵403處于靠 近所述x軸第一光柵401的位置，所述y軸第三光柵406處于靠近所述y軸第 一光柵404的位置，圖9是本發明硅片對準標記第二實施方案對應參考光柵的 示意圖，圖IO是本發明對準系統第二實施方案二維對準標記劃線槽布局圖，圖 11是本發明對準系統第二實施方案經過對準系統掃描，信號增益處理后的對準 信號示意圖，原理皆和第一實施方案相同。本發明所述的這種二維對準標記占用空間小，這使得照明光斑相應減小， 光源利用率提高，并且二維對準標記的中間光柵的x軸向和y軸向均采用一段 光柵，不需要考慮兩段光的耦合問題，降低了技術難度，并避免了因耦合產生 的誤差和光能量的損失，提高了精度。雖然本發明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發明。本發明所屬 技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作各種的 更動與潤飾。因此，本發明的保護范圍當視權利要求書所界定者為準。
權利要求
1.一種用于光刻設備對準系統的對準標記結構，其特征在于包括所述對準標記是二維對準標記，至少包含六組光柵x軸第一光柵、x軸第二光柵和x軸第三光柵，用于x軸方向對準，所述x軸第一光柵、x軸第三光柵和x軸第二光柵沿x軸方向依次排開，所述x軸第一光柵和所述x軸第二光柵為大周期光柵，所述x軸第三光柵為小周期光柵，所述x軸第三光柵離所述x軸第一光柵和所述x軸第二光柵其中之一的距離比到另一個的距離遠。y軸第一光柵、y軸第二光柵和y軸第三光柵，用于y軸方向對準，所述y軸第一光柵、y軸第三光柵和y軸第二光柵沿y軸方向依次排開，所述y軸第一光柵和所述y軸第二光柵為大周期光柵，所述y軸第三光柵為小周期光柵，所述y軸第三光柵離所述y軸第一光柵和所述y軸第二光柵其中之一的距離比到另一個的距離遠。所述x軸的光柵和所述y軸的光柵相互垂直，所述x軸第三光柵和與其相距遠的x軸大周期光柵之間的中點，與所述y軸第三光柵和與其相距遠的y軸大周期光柵之間的中點重合。
2、 如權利要求1所述的用于光刻設備的對準系統的對準標記，其特征在于， 所述對準標記的x軸和y軸各自的第一光柵、第二光柵和第三光柵的士l級衍射 光通過空間濾波分別相干成像在位于像面的參考光柵上。
3、 如權利要求1所述的用于光刻設備的對準系統的對準標記，其特征在于， 所述參考光柵包括六組振幅型光柵，分別對應于x軸第一光柵、第二光柵和第 三光柵的士l級光柵像和y軸第一光柵、第二光柵和第三光柵的士l級光柵像，六 組光4冊的排列方式與對準標記相同。
4、 如權利要求1所述的用于光刻設備對準系統的對準標記，其特征在于， 所述對準標記的x軸和y軸各自的第一光柵、第二光柵和第三光柵的像經過參 考光柵調制后的透射光強變化，分別得到x軸和y軸各自的第一光柵對準信號、 第二光柵對準信號和第三光柵對準信號。
5、 如權利要求1所述的用于光刻設備的對準系統，其特征在于根據所述 x軸和y軸各自的第一光柵對準信號和第二光柵對準信號的位相信息得到對準標記的粗略中心位置，才艮據所述x軸和y軸各自的第三光4冊對準信號的位相信息， 并結合對準標記的粗略中心位置得到對準標記的精確中心位置。
6、 如權利要求1所述對準系統的對準標記，其特征在于，所述對準標記的 x軸和y軸各自的第一光柵像、第二光柵像和第三光柵像在對準位置時分別與相 應的參考光柵中心位置重合，即相位得到匹配，用于更準確的粗捕獲對準和精 對準，減小對準誤差。
7、 如;f又利要求1所述對準系統的對準標記，其特4正在于，所述六組光4冊后 分別設置有傳輸光纖束。
8、 如權利要求7所述對準系統的對準標記，其特征在于，離所述x軸的光 柵和所述y軸的光柵的交點距離最近的四個光柵對應的光纖相切。
全文摘要
一種用于光刻設備對準系統的對準標記結構，所述對準標記是二維對準標記，至少包含六組光柵用于x軸方向對準的x軸第一光柵、第二光柵和第三光柵，以及用于y軸方向對準的y軸第一光柵、第二光柵和第三光柵，所述x軸和y軸各自的第一光柵、第三光柵和第二光柵均沿對準方向依次排開，用于x軸方向對準和用于y軸方向對準的光柵相互垂直，根據所述x軸方向和y軸方向的第一光柵對準信號和第二光柵對準信號的位相信息得到對準標記的粗略中心位置，根據第三光信號的位相信息，并結合對準標記的粗略中心位置得到對準標記的精確中心位置，本發明降低了技術難度，避免了因耦合產生的誤差和光能量的損失，提高了精度。
文檔編號G03F7/20GK101303534SQ20081004023
公開日2008年11月12日 申請日期2008年7月4日 優先權日2008年7月4日
發明者宋海軍, 李欣欣, 李運鋒, 韋學志 申請人:上海微電子裝備有限公司