一種雙面透明顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種雙面透明顯示裝置，其包括一種雙面透明顯示裝置，其包括：一陣列基板，其上依次配置有第一黑色矩陣圖案，第一金屬層圖案，第一金屬絕緣層，半導體層，第二金屬層圖案，保護絕緣層，透明的有機絕緣膜，像素電極，所述第一黑色矩陣圖案覆蓋所述第一、二金屬圖案；一對置基板，在其面向該陣列基板一側上配置有第二黑色矩陣圖案，該第二黑色矩陣圖案覆蓋該第一、二金屬圖案；一顯示介質層，夾設于該陣列基板與該對置基板之間。本發明提供的雙面透明顯示裝置可從正反兩面觀看，且其兩面的對比度一致，顯示效果相同。
【專利說明】一種雙面透明顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示【技術領域】，尤其是涉及一種雙面透明顯示裝置。
【背景技術】
[0002]薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)是由陣列基板、彩色濾光片基板以及夾設于該兩基板之間的液晶共同形成的。無背光源的TFT-LCD相當于一液晶光閥板，在明亮的環境光照射下，通過驅動電路驅動該液晶光閥板使觀看者看到TFT-LCD后方的景象。
[0003]透過顯示屏使觀看者看到顯示屏后方景象的裝置稱為透明顯示器，較常見可應用于例如櫥窗等需于展示實體物品之前以呈現顯示畫面之用。透明顯示器所搭配的顯示面板可采用的顯示技術有很多種，所以得到廣泛的應用。通過材料及工藝的改進，透明顯示器的透過率逐漸提高。無背光的透明顯示器正成為行業內研究的重點。
[0004]圖1為現有技術中雙面透明顯示裝置的結構示意圖，如圖1所示TFT-1XD顯示面板一般包括彩色濾光片基板12、陣列基板11、以及夾設其間的液晶層13構成。在彩色濾光片基板12上會依次形成用于遮光的黑色矩陣層、色層、共通電極、支撐柱等(圖未示)，在陣列基板11上，會依次形成為柵極金屬層、柵極絕緣層、半導體層、源漏金屬層、源漏絕緣層、像素電極層等(圖未示)。
[0005]無背光透明顯示器一般為雙面顯示，即從顯示器兩側都可以看到畫面。彩色濾光片基板側由于存在遮光黑色矩陣，其反射系數較低，對于對比度影響較低。而在陣列基板側觀察時，由于柵極金屬和源漏金屬層的反光，會導致觀看則從陣列基板側觀看時，對比度相對于彩色濾光片基板側要低，眩光感嚴重。
[0006]針對雙面透明顯示器，由于陣列基板側的金屬反光，會導致觀看則從陣列基板側觀看時，對比度相對于彩色濾光片基板側要低，眩光感嚴重。

【發明內容】

[0007]有鑒于此，針對現有技術中的不足，本發明提供一種雙面透明顯示裝置，通過在顯示裝置的金屬層上下兩側同時配置黑色矩陣，以消除陣列金屬對于外界光線的反射，提高顯示對比度。
[0008]本發明一實施例提供一種雙面透明顯示裝置，其包括:
[0009]一陣列基板，其上依次配置有第一黑色矩陣圖案，第一金屬層圖案，第一金屬絕緣層，半導體層，第二金屬層圖案，保護絕緣層，透明的有機絕緣膜，像素電極，所述第一黑色矩陣圖案覆蓋所述第一、二金屬圖案；
[0010]一對置基板，在其面向該陣列基板一側上配置有第二黑色矩陣圖案，該第二黑色矩陣圖案覆蓋該第一、二金屬圖案；
[0011]一顯示介質層，夾設于該陣列基板與該對置基板之間。
[0012]本發明又一實施例還提供一種雙面透明顯示裝置，其包括:
[0013]一陣列基板，其上依次配置有第一黑色矩陣圖案，第一金屬層圖案，第一金屬絕緣層，半導體層，第二金屬層圖案，保護絕緣層，透明的有機絕緣膜，像素電極，第二黑色矩陣圖案；
[0014]—對置基板；
[0015]其中，所述第一、二黑色矩陣圖案重疊，且覆蓋所述第一、二金屬圖案；
[0016]一顯示介質層，夾設于該陣列基板與該對置基板之間。
[0017]本發明另一實施例還提供一種雙面透明顯示裝置，其包括:
[0018]—陣列基板，具有兩表面，在其一表面上設置第一黑色矩陣圖案；在其另一表面上依次配置有:第二黑色矩陣圖案，第一金屬層圖案，第一金屬絕緣層，半導體層，第二金屬層圖案，保護絕緣層，透明的有機絕緣膜，像素電極；
[0019]一對置基板；
[0020]其中，所述第一、二黑色矩陣圖案重疊，且覆蓋所述第一、二金屬圖案；
[0021]一顯示介質層，夾設于該陣列基板與該對置基板之間。
[0022]本發明再一實施例還提供一種雙面透明顯示裝置，其包括:
[0023]—陣列基板，具有兩表面，在其一表面上設置第一黑色矩陣圖案；在其另一表面上依次配置有:第一金屬層圖案，第一金屬絕緣層，半導體層，第二金屬層圖案，保護絕緣層，透明的有機絕緣膜，像素電極；
[0024]一對置基板，在其面向該陣列基板一側上配置有第二黑色矩陣圖案；
[0025]其中，所述第一、二黑色矩陣圖案重疊，且覆蓋所述第一、二金屬圖案；
[0026]一顯示介質層，夾設于該陣列基板與該對置基板之間。
[0027]在上述實施例當中，該第一金屬層圖案包括:掃描線，存儲電極；
[0028]該第二金屬層圖案包括:數據線，第一公共電極線、第二公共電極線，薄膜晶體管的源極、漏極；
[0029]該第一公共電極線，具有均勻分布縫隙的非連續分布線；
[0030]該第二公共電極線，與該第一公共電極線交叉設置圍成像素區域；
[0031]該數據線，設置在該像素區域的垂直中線上，且穿過該第一公共電極線的該縫隙；
[0032]該掃描線，設置在該像素區域的水平中線上，且與該數據線彼此交叉設置；
[0033]該薄膜晶體管，設置于該數據線與該掃描線交叉區域；
[0034]該像素電極，且通過第一接觸孔與該薄膜晶體管電性連接；
[0035]該存儲電極，配置于該像素電極的的下方，且與該第一公共電極與該第二公共電極的投影重疊，且該存儲電極通過第二接觸孔與該像素電極電性連接。
[0036]在上述實施例當中，該存儲電極配置于該第一公共電極與該第二公共電極投影區域的左上角和右下角的第一區域，且該存儲電極在非該投影重疊部分配置第二凸塊區域，其上形成該第二接觸孔，用于與該像素電極之間的等電位連接。
[0037]在上述實施例當中，該存儲電極配置于該第一公共電極與該第二公共電極投影區域的左下角和右上角第一區域，且該存儲電極在非該投影重疊部分配置第二凸塊區域，其上形成該第二接觸孔，用于與該像素電極之間的等電位連接。
[0038]在上述實施例當中，在該像素電極的下方，該存儲電極的該第一區域與該第一公共電極與該第二公共電極投影區域部分重疊形成存儲電容。[0039]在上述實施例當中，在該像素電極的下方，該存儲電極的該第一區域與該第一公共電極與該第二公共電極投影區域完全重疊形成存儲電容。
[0040]在上述實施例當中，該第一、二公共電極線配置于該像素電極的下方，且與該像素電極部分重疊。
[0041]本發明與現有技術相比，其優點在于:本發明提供的雙面透明顯示裝置可從正反兩面觀看，且其兩面的對比度一致，顯示效果相同。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0042]圖1為現有技術中雙面透明顯示裝置的結構示意圖；
[0043]圖2為本發明第一實施例的雙面透明顯示裝置的結構示意圖；
[0044]圖3為本發明圖2所示的雙面透明顯示裝置的陣列像素結構示意圖；
[0045]圖4(a)為本發明圖3所示像素結構的黑色矩陣層圖案的平面示意圖；
[0046]圖4(b)為本發明圖3所示像素結構的黑色矩陣層圖案AA'方向的斷面圖；
[0047]圖5(a)為本發明圖2所示像素結構的第一金屬層圖案的平面圖；
[0048]圖5(b)為本發明圖2所示像素結構的第一金屬層圖案AA^方向的斷面圖；
[0049]圖6(a)為本發明 圖2所示像素結構的半導體層圖案的平面圖；
[0050]圖6(b)為本發明圖2所示像素結構的半導體層圖案AA^方向的斷面圖；
[0051]圖7(a)為本發明圖2所示像素結構的第二金屬層圖案的平面圖；
[0052]圖7(b)為本發明圖2所示像素結構的第二金屬層圖案AA'方向的斷面圖；
[0053]圖8(a)為本發明圖2所示像素結構的接觸孔圖案的平面圖；
[0054]圖8(b)為本發明圖2所示像素結構的接觸孔圖案AA^方向的斷面圖；
[0055]圖9(a)為本發明圖2所示像素結構的像素電極圖案的平面圖；
[0056]圖9(b)為本發明圖2所示像素結構的像素電極圖案AA'方向的斷面圖；
[0057]圖10為本發明第二實施例的雙面透明顯示裝置的結構示意圖；
[0058]圖11為本發明圖10所示的雙面透明顯示裝置的陣列像素結構示意圖；
[0059]圖12(a)為本發明圖10所示像素結構的上側黑色矩陣圖案的平面圖；
[0060]圖12(b)為本發明圖10所示像素結構的上側黑色矩陣圖案AA'方向的斷面圖；
[0061]圖13(a)為本發明圖10所示像素結構的接觸孔圖案的平面圖；
[0062]圖13(b)為本發明圖10所示像素結構的接觸孔圖案AA^方向的斷面圖；
[0063]圖14(a)為本發明圖10所示像素結構的像素電極圖案的平面圖；
[0064]圖14(b)為本發明圖10所示像素結構的像素電極圖案AA'方向的斷面圖；
[0065]圖15為本發明第三實施例的雙面透明顯示裝置的結構；
[0066]圖16(a)為本發明圖15所示的雙面透明顯示裝置的陣列像素結構的平面圖；
[0067]圖16(b)為本發明圖15所示的雙面透明顯示裝置的陣列像素結構的AA^方向的斷面圖；
[0068]圖17為本發明第四實施例的雙面透明顯示裝置的結構；
[0069]圖18(a)為基于圖17所示的雙面透明顯示裝置的陣列像素結構的平面圖；
[0070]圖18(b)為基于圖17所示的雙面透明顯示裝置的陣列像素結構的AA'方向的斷面圖；【具體實施方式】
[0071]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0072]實施例一:
[0073]圖2為本發明第一實施例的雙面透明顯示裝置的結構示意圖。如圖2所示，一種雙面透明顯示裝置，其包括:一陣列基板21，其上依次配置有第一黑色矩陣圖案24，TFT陣列器件25 ;—對置基板22，在其面向該陣列基板21 —側上配置有第二黑色矩陣圖案26，該第二黑色矩陣圖案26覆蓋該TFT陣列器件25 ;—顯示介質層23，如液晶，夾設于該陣列基板21與該對置基板22之間。
[0074]其中該TFT陣列器件25具體為依次在該陣列基板上設置第一金屬層圖案，第一金屬絕緣層，半導體層，第二金屬層圖案，保護絕緣層，透明的有機絕緣膜，像素電極，所述第一黑色矩陣圖案覆蓋所述第一、二金屬圖案。
[0075]圖3為本發明圖2所示的雙面透明顯示裝置的陣列像素結構示意圖。如圖3所示，該第一金屬層圖案包括:掃描線32，存儲電極33 ;該第二金屬層圖案包括:數據線35，第一公共電極線36、第二公共電極線，薄膜晶體管的源極、漏極37 ;該第一公共電極線36，具有均勻分布縫隙的非連續分布線；該第二公共電極線，與該第一公共電極線36交叉設置圍成像素區域；該數據線35，設置在該像素區域的垂直中線上，且穿過該第一公共電極線的該縫隙；該掃描線32，設置在該像素區域的水平中線上，且與該數據線35彼此交叉設置；該薄膜晶體管，設置于該數據線與該掃描線32交叉區域；該像素電極39，且通過第一接觸孔與該薄膜晶體管電性連接；該存儲電極33，配置于該像素電極39的的下方，且與該第一公共電極36與該第二公共電極的投影重疊，且該存儲電極33通過第二接觸孔與該像素電極39電性連接。
[0076]作為一實施例，該存儲電極配置于該第一公共電極與該第二公共電極投影區域的左上角和右下角的第一區域，且該存儲電極在非該投影重疊部分配置第二凸塊區域，其上形成該第二接觸孔，用于與該像素電極之間的等電位連接。
[0077]作為另一實施例，該存儲電極配置于該第一公共電極與該第二公共電極投影區域的左下角和右上角第一區域，且該存儲電極在非該投影重疊部分配置第二凸塊區域，其上形成該第二接觸孔，用于與該像素電極之間的等電位連接。
[0078]在上述實施例中，在該像素電極的下方，該存儲電極的該第一區域與該第一公共電極與該第二公共電極投影區域的投影區域部分重疊形成存儲電容。
[0079]在上述實施例當中，在該像素電極的下方，該存儲電極的該第一區域與該第一公共電極與該第二公共電極的投影區域完全重疊形成存儲電容。
[0080]在上述實施例當中，該第一、二公共電極線配置于該像素電極的下方，且與該像素電極部分重疊。
[0081]基于圖3所示的陣列像素結構，其相應的陣列基板的制作方法如下:
[0082]步驟a，在玻璃基板上，涂覆黑色矩陣材料，黑色矩陣材料為黑色有機材料。黑色矩陣的膜厚為0.0l微米至2微米，通過曝光，顯影、固化等工藝后形成如圖4所示的黑色矩陣圖案。
[0083]步驟b，在黑色矩陣上，通過化學氣相沉積法，形成無機絕緣層。無機絕緣層的材料可以選SiNx、Si02或者A1203等，優選SiNx材料。然后，在無機絕緣層的上方濺射形成第一金屬層，第一金屬層可以為T1、Al、Cu、Mo等金屬或者合金,第一金屬層的厚度為1000-5000A。通過光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝,形成如圖5所示的掃描線、存儲電極等圖案。
[0084]步驟C，在第一金屬層的上方，通過化學氣相沉積法，形成半導體層。半導體材料可以為非晶硅，多晶硅或者氧化物半導體等，膜厚為500A至3000A。半導體層的圖案如圖6所示，位于像素的中心。
[0085]步驟d，在半導體層的上方，濺射形成第二金屬層。第二金屬層可以為T1、Al、Cu、Mo等金屬或者合金，源漏金屬層的厚度為1000-5000A。通過光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝，形成如圖7所示的數據線、公共電極線、TFT漏極等圖案。
[0086]步驟e，在第二金屬層上，通過化學氣相沉積法，形成無機絕緣層。無機絕緣層的材料可以選SiNx、Si02或者A1203等，優選SiNx材料。無機絕緣層的厚度為IOOOA —4000A。在無機絕緣層的上方，涂覆有機絕緣層，有機絕緣層的厚度在lum-3um。在有機絕緣層的上方，通過光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝，形成如圖8所示的接觸孔圖案，包括TFT漏極上方的接觸孔，以及存儲電極上方的接觸孔。
[0087]步驟f，在有機絕緣膜和接觸孔的上方，濺射形成透明導電薄膜，優選ITO薄膜，厚度為300A至1000A。通過光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝，形成如圖9所示的像素電極圖案。
[0088]實施例二:
[0089]圖10為本發明第二實施例的雙面透明顯示裝置的結構示意圖，圖10所示，本發明提供一種雙面透明顯示裝置，其包括:一陣列基板101，其上依次配置有第一黑色矩陣圖案104，TFT陣列器件105，第二黑色矩陣圖案106 ;—對置基板102，如彩色濾光片基板；其中，所述第一、二黑色矩陣104，106圖案重疊，且覆蓋所述TFT陣列器件105 ;—顯示介質層103，如液晶，夾設于該陣列基板101與該對置基板102之間。
[0090]參見圖10、11，其中，該TFT陣列器件105具體為第一金屬層圖案，第一金屬絕緣層，半導體層114，第二金屬層圖案，保護絕緣層，透明的有機絕緣膜，像素電極。
[0091]圖11為本發明圖10所示的雙面透明顯示裝置的陣列像素結構示意圖。如圖11所示，該第一金屬層圖案包括:掃描線112，存儲電極113 ;該第二金屬層圖案包括:數據線115，第一公共電極線116、第二公共電極線，薄膜晶體管的源極、漏極117 ;該第一公共電極線116，具有均勻分布縫隙的非連續分布線；該第二公共電極線，與該第一公共電極線116交叉設置圍成像素區域；該數據線115，設置在該像素區域的垂直中線上，且穿過該第一公共電極線的該縫隙；該掃描線112，設置在該像素區域的水平中線上，且與該數據線115彼此交叉設置；該薄膜晶體管，設置于該數據線與該掃描線112交叉區域；該像素電極110，且通過第一接觸孔與該薄膜晶體管電性連接；該存儲電極113，配置于該像素電極110的的下方，且與該第一公共電極116與該第二公共電極交叉區域的投影重疊，且該存儲電極113通過第二接觸孔與該像素電極110電性連接。
[0092]作為一實施例，該存儲電極配置于該第一公共電極與該第二公共電極投影區域的左上角和右下角的第一區域，且該存儲電極在非該投影重疊部分配置第二凸塊區域，其上形成該第二接觸孔，用于與該像素電極之間的等電位連接。
[0093]作為另一實施例，該存儲電極配置于該第一公共電極與該第二公共電極投影區域的左下角和右上角第一區域，且該存儲電極在非該投影重疊部分配置第二凸塊區域，其上形成該第二接觸孔，用于與該像素電極之間的等電位連接。
[0094]在上述實施例中，在該像素電極的下方，該存儲電極的該第一區域與該第一公共電極與該第二公共電極投影區域部分重疊形成存儲電容。
[0095]在上述實施例當中，在該像素電極的下方，該存儲電極的該第一區域與該第一公共電極與該第二公共電極投影區域完全重疊形成存儲電容。
[0096]在上述實施例當中，該第一、二公共電極線配置于該像素電極的下方，且與該像素電極部分重疊。
[0097]基于圖11所示的像素陣列結構，相應的陣列基板的制作方法，在第二金屬層的圖案的制作步驟前與實施例一類似:
[0098]步驟a，在玻璃基板上，涂覆黑色矩陣材料，黑色矩陣材料為黑色有機材料。黑色矩陣的膜厚為0.01微米至2微米，通過曝光，顯影、固化等工藝后形成黑色矩陣圖案。
[0099]步驟b，在黑色矩陣上，通過化學氣相沉積法，形成無機絕緣層。無機絕緣層的材料可以選SiNx、Si02或者A1203等，優選SiNx材料。然后，在無機絕緣層的上方濺射形成第一金屬層，第一金屬層可以為T1、Al、Cu、Mo等金屬或者合金,第一金屬層的厚度為1000-5000A。通過光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝，形成掃描線、存儲電極等圖案。
[0100]步驟C，在第一金屬層的上方，通過化學氣相沉積法，形成半導體層。半導體材料可以為非晶硅，多晶硅或者氧化物半導體等，膜f力至3000A。半導體層的圖案位于像素的中心。
[0101]步驟d，在半導體層的上方，濺射形成第二金屬層。第二金屬層可以為T1、Al、Cu、Mo等金屬或者合金，源漏金屬層的厚度為1000-5000A。通過光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝，形成數據線、公共電極線、TFT漏極等圖案。
[0102]基于圖11所示的像素結構，從第二金屬層的圖案之后對應的制作方法如下:
[0103]步驟e，在第二金屬層上，通過化學氣相沉積法，形成無機絕緣層。無機絕緣層的材料可以選SiNx、Si02或者A1203等，優選SiNx材料。在無機絕緣層的上方涂覆黑色矩陣材料，黑色矩陣材料為黑色有機材料。黑色矩陣的膜厚為0.01微米至2微米，通過曝光，顯影、固化等工藝后形成如圖12所示上側黑色矩陣圖案。
[0104]步驟f，在上側黑色矩陣層的上方，通過化學氣相沉積法，形成無機絕緣層。無機絕緣層的材料可以選SiNx、Si02或者A1203等，優選SiNx材料。在無機絕緣層的上方，通過光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝，形成如圖13所示的接觸孔圖案，包括TFT漏極上方的接觸孔，以及存儲電極上方的接觸孔。
[0105]步驟g，在無機絕緣膜和接觸孔的上方，濺射形成透明導電薄膜，優選ITO薄膜，厚度為300,4至1000A。通過光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝，形成如圖14所示的像素電極圖案。
[0106]如圖14a，14b所示，該像素電極結構具體為:提供一陣列基板，其上依次形成第一黑色矩陣111、掃描線112、存儲電極113、半導體層114、數據線115、公共電極線116、TFT漏極117、接觸孔118、上側黑色矩陣119、像素電極110。掃描線112與存儲電極113為同層金屬，稱為第一層金屬；數據線115、公共電極線116和TFT漏極117為同層金屬，稱為第二層金屬。第一層金屬的圖案和第二層金屬的圖案都位于第一黑色矩陣119和第二黑色矩陣111之間。像素的四周由共同電極線116包圍形成，掃描線112與數據線115在像素區中間交叉通過，TFT器件位于像素的中心，像素電極110通過接觸孔118連接到第一金屬層的存儲電極113與共同電極線116形成存儲電容。
[0107]實施例三:
[0108]圖15為本發明第三實施例的雙面透明顯示裝置的結構。如圖15所示，本發明提供一種雙面透明顯示裝置，其包括:一陣列基板151，具有兩表面，在其一表面上設置第一黑色矩陣圖案154 ;在其另一表面上依次配置有:第二黑色矩陣圖案156，第一金屬層圖案154，TFT陣列器件155 ;—對置基板152，如彩色濾光片基板；其中，所述第一、二黑色矩陣圖案154，156重疊，且覆蓋所述TFT陣列器件155 ;—顯示介質層153，如液晶，夾設于該陣列基板151與該對置基板152之間。
[0109]其中，TFT陣列器件155具體為第一金屬絕緣層，半導體層，第二金屬層圖案，保護絕緣層，透明的有機絕緣膜，像素電極。
[0110]圖16(a)為本發明圖15所示的雙面透明顯示裝置的陣列像素結構的平面圖；圖16(b)為本發明圖15所示的雙面透明顯示裝置的陣列像素結構的AA'方向的斷面圖。如圖16(a)，16(b)所示，提供一陣列基板，其上依次為玻璃側黑色矩陣161、掃描線162、存儲電極163、半導體層164、數據線165、公共電極線166、TFT漏極167、膜面側黑色矩陣168、接觸孔169、像素電極160。掃描線162與存儲電極163為同層金屬,稱為第一層金屬；數據線165、公共電極線166和TFT漏極167為同層金屬，稱為第二層金屬。像素的四周由共同電極線166包圍形成，掃描線162與數據線165在像素區中間交叉通過，TFT器件位于像素的中心，像素電極160通過接觸孔169連接到第一金屬層的存儲電極163與共同電極線166形成存儲電容。
[0111]該實施例中的陣列基板上的所述TFT陣列器件、像素結構、像素陣列及其制作方法與上述實施例類似，在此不再贅述。
[0112]實施例四:
[0113]圖17為本發明第三實施例的雙面透明顯示裝置的結構。如圖17所示，提供一種雙面透明顯示裝置，其包括:一陣列基板171，具有兩表面，在其一表面上設置第一黑色矩陣圖案174 ;在其另一表面上依次配置有:TFT陣列器件175 ;—對置基板172，如彩色濾光片基板，在其面向該陣列基板一側上配置有第二黑色矩陣圖案176 ;其中，所述第一、二黑色矩陣圖案重疊174，176，且覆蓋所述TFT陣列器件175 ;—顯示介質層173，如液晶，夾設于該陣列基板與該對置基板之間。
[0114]其中，所述TFT陣列器件175具體為第一金屬層圖案，第一金屬絕緣層，半導體層，第二金屬層圖案，保護絕緣層，透明的有機絕緣膜，像素電極。
[0115]圖18(a)為基于圖17所示的雙面透明顯示裝置的陣列像素結構的平面圖；圖18(b)為基于圖17所示的雙面透明顯示裝置的陣列像素結構的AA'方向的斷面圖。如圖18(a)，18(b)所示，提供一陣列基板，其上依次為玻璃側黑色矩陣181、掃描線182、存儲電極183、半導體層184、數據線185、公共電極線186、TFT漏極187、接觸孔188、像素電極189。掃描線182與存儲電極183為同層金屬，稱為第一層金屬；數據線185、公共電極線186和TFT漏極187為同層金屬，稱為第二層金屬。像素的四周由共同電極線186包圍形成，掃描線182與數據線185在像素區中間交叉通過，TFT器件位于像素的中心，像素電極189通過接觸孔188連接到第一金屬層的存儲電極183與共同電極線186形成存儲電容。
[0116]該實施例中的陣列基板上的的所述TFT陣列器件、像素結構、像素陣列及其制作方法與上述實施例類似，在此不再贅述。
[0117]以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種雙面透明顯示裝置，其包括: 一陣列基板，其上依次配置有第一黑色矩陣圖案，第一金屬層圖案，第一金屬絕緣層，半導體層，第二金屬層圖案，保護絕緣層，透明的有機絕緣膜，像素電極，所述第一黑色矩陣圖案覆蓋所述第一、二金屬層圖案； 一對置基板，在其面向該陣列基板一側上配置有第二黑色矩陣圖案，該第二黑色矩陣圖案覆蓋該第一、二金屬層圖案； 一顯示介質層，夾設于該陣列基板與該對置基板之間。
2.一種雙面透明顯示裝置，其包括: 一陣列基板，其上依次配置有第一黑色矩陣圖案，第一金屬層圖案，第一金屬絕緣層，半導體層，第二金屬層圖案，保護絕緣層，透明的有機絕緣膜，像素電極，第二黑色矩陣圖案; 一對置基板； 其中，所述第一、二黑色矩陣圖案重疊，且覆蓋所述第一、二金屬圖案； 一顯示介質層，夾設于該陣列基板與該對置基板之間。
3.一種雙面透明顯示裝置，其包括: 一陣列基板，具有兩表面，在其一表面上設置第一黑色矩陣圖案；在其另一表面上依次配置有:第二黑色矩陣圖案，第一金屬層圖案，第一金屬絕緣層，半導體層，第二金屬層圖案，保護絕緣層，透明的有機絕緣膜，像素電極； 一對置基板； 其中，所述第一、二黑色矩陣圖案重疊，且覆蓋所述第一、二金屬圖案； 一顯示介質層，夾設于該陣列基板與該對置基板之間。
4.一種雙面透明顯示裝置，其包括: 一陣列基板，具有兩表面，在其一表面上設置第一黑色矩陣圖案；在其另一表面上依次配置有:第一金屬層圖案，第一金屬絕緣層，半導體層，第二金屬層圖案，保護絕緣層，透明的有機絕緣膜，像素電極； 一對置基板，在其面向該陣列基板一側上配置有第二黑色矩陣圖案； 其中，所述第一、二黑色矩陣圖案重疊，且覆蓋所述第一、二金屬圖案； 一顯示介質層，夾設于該陣列基板與該對置基板之間。
5.如權利要求1-4中任一項所述的雙面透明顯示裝置，其特征在于: 該第一金屬層圖案包括:掃描線，存儲電極； 該第二金屬層圖案包括:數據線，第一公共電極線、第二公共電極線，薄膜晶體管的源極、漏極； 該第一公共電極線，具有均勻分布縫隙的非連續分布線； 該第二公共電極線，與該第一公共電極線交叉設置圍成像素區域； 該數據線，設置在該像素區域的垂直方向上，且穿過該第一公共電極線的該縫隙； 該掃描線，設置在該像素區域的水平方向上，且與該數據線彼此交叉設置； 該薄膜晶體管，設置于該數據線與該掃描線交叉區域； 該像素電極，且通過第一接觸孔與該薄膜晶體管電性連接； 該存儲電極，配置于該像素電極的下方，且與該第一公共電極與該第二公共電極的投影重疊，且該存儲電極通過第二接觸孔與該像素電極電性連接。
6.如權利要求5所述的雙面透明顯示裝置，其特征在于:該存儲電極配置于該第一公共電極與該第二公共電極投影區域的左上角和右下角的第一區域，且該存儲電極在非該投影重疊部分配置第二凸塊區域，其上形成該第二接觸孔，用于與該像素電極之間的等電位連接。
7.如權利要求5所述的雙面透明顯示裝置，其特征在于:該存儲電極配置于該第一公共電極與該第二公共電極投影區域的左下角和右上角第一區域，且該存儲電極在非該投影重疊部分配置第二凸塊區域，其上形成該第二接觸孔，用于與該像素電極之間的等電位連接。
8.如權利要求6或7所述的雙面透明顯示裝置，其特征在于:在該像素電極的下方，該存儲電極的該第一區域與該第一公共電極與該第二公共電極投影區域部分重疊形成存儲電容。
9.如權利要求6或7所述的雙面透明顯示裝置，其特征在于:在該像素電極的下方，該存儲電極的該第一區域與該第一公共電極與該第二公共電極投影區域完全重疊形成存儲電容。
10.如權利要求6或7所述的雙面透明顯示裝置，其特征在于:該第一、二公共電極線配置于該像素電極的 下方，且與該像素電極部分重疊。
【文檔編號】G02F1/1335GK104020604SQ201410274652
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年6月18日 優先權日:2014年6月18日
【發明者】馬群剛, 王海宏 申請人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司