本發明涉及一種電子照相感光體、處理盒以及圖像形成裝置。

背景技術：

在現有的電子照相圖像形成裝置中，在電子照相感光體的表面形成調色劑圖像，并通過充電、形成靜電潛像、顯影和轉印的處理轉印到記錄介質上。

例如，在日本專利文獻特開2005-173566號公報公開了一種包括由可固化樹脂組成的表面層的電子照相感光體，該感光體具有1.5×10⁸至2.3×10⁸n/m²的通用硬度，和46％至65％的彈性變形率。所述感光體的通用硬度(hu)通過如下硬度試驗測定，即，在25℃溫度和50％濕度的環境下用最大載荷6mn將維氏四角錐體金剛石壓頭按壓在感光層上。

日本專利文獻特開2004-309708號公報公開了一種電子照相感光體，該感光體具有2.70％以上的壓入蠕變值(cit)和20以上且25以下的表面維氏硬度(hv)。所述電子感光體的壓入蠕變值(cit)通過如下方式測定，即，在25℃的溫度和50％的相對濕度的環境下用最大壓入載荷30mn對電子照相感光體的表面進行壓入。

日本專利文獻特開2005-338222號公報公開了一種包括表面層的電子照相感光體，該表面層為通過至少固化包括自由基聚合性官能團的氨基甲酸酯低聚物和具有電荷輸送結構的單官能自由基聚合性化合物而形成的交聯表面層，并且該表面層具有41％以上的彈性功率。

日本專利文獻特開2005-234282號公報公開了一種圖像形成裝置，其包括：有機感光體，其包括具有230至300n/mm²的通用硬度和5500至6500mpa的楊氏模量的表面層，以及顯像劑，其包括含有具有0.2至0.7μm的顆粒大小的無機外部添加劑的聚合調色劑。

技術實現要素：

因此，本發明的目的在于提供一種電子照相感光體，與包括導電基底以及設置在該導電基底上的包括粘結劑樹脂、電荷產生材料、空穴傳輸材料以及電子傳輸材料的單層型感光層的感光體相比，能夠使存在于感光體的表面上的異物更容易被去除，具有較高的帶電性，并且能夠形成具有較高密度的圖像，其中，該感光層包括鈦氧基酞菁顏料作為電荷產生材料或具有小于170n/mm²或大于200n/mm²的馬氏硬度hm。

根據本發明的第一方面，提供一種電子照相感光體，其包括導電基底以及所述導電基底上的單層型感光層。所述感光層包括粘合劑樹脂、選自羥基鎵酞菁顏料和氯化鎵酞菁顏料中的至少一種電荷產生材料、空穴傳輸材料以及電子傳輸材料。所述感光層具有170n/mm²以上且200n/mm²以下的馬氏硬度hm。

根據本發明的第二方面，所述感光層的馬氏硬度hm為175n/mm²以上且195n/mm²以下。

根據本發明的第三方面，所述感光層的馬氏硬度hm為180n/mm²以上且190n/mm²以下。

根據本發明的第四方面，所述感光層中的殘余溶劑的含量為所述感光層的總重量的0.04重量％以上且1.6重量％以下。

根據本發明的第五方面，所述感光層中的殘余溶劑的含量為所述感光層的總重量的0.5重量％以上且1.3重量％以下。

根據本發明的第六方面，所述感光層中的殘余溶劑的含量為所述感光層的總重量的0.8重量％以上且1.1重量％以下。

根據本發明的第七方面，所述電荷產生材料的含量為所述感光層的總重量的1.4重量％以上且2.6重量％以下，所述電子傳輸材料是選自由下述通式(et1)表示的電子傳輸材料和由下述通式(et2)表示的電子傳輸材料中的至少一種，并且所述空穴傳輸材料是選自由下述通式(ht1)表示的空穴傳輸材料和由下述通式(ht2)表示的空穴傳輸材料中的至少一種。

在通式(et1)中，r¹¹¹和r¹¹²各自獨立地表示鹵素原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；r¹¹³表示烷基、-l¹¹⁴-o-r¹¹⁵基、芳基或芳烷基；并且n1和n2各自獨立地表示0到3的整數，其中l¹¹⁴表示亞烷基且r¹¹⁵表示烷基。

在通式(et2)中，r²¹¹、r²¹²、r²¹³和r²¹⁴各自獨立地表示氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子或苯基。

在通式(ht1)中，ar^t1、ar^t2和ar^t3各自獨立地表示芳基或-c6h4-c(r^t4)＝c(r^t5)(r^t6)基，其中r^t4、r^t5和r^t6各自獨立地表示氫原子、烷基或芳基，并且r^t5和r^t6可以彼此粘合以形成烴環結構。

在通式(ht2)中，r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、具有1-20個碳原子的烷基、具有1-20個碳原子的烷氧基或具有6-30個碳原子的芳基；一對相鄰的取代基可以彼此粘合以形成烴環結構；并且n和m各自獨立地表示0、1或2。

根據本發明的第八方面，所述電荷產生材料的含量為所述感光層的總重量的1.5重量％以上且2.3重量％以下。

根據本發明的第九方面，提供一種處理盒，可拆卸地安裝到圖像形成裝置上，所述處理盒包括上述的電子照相感光體。

根據本發明的第十方面，提供一種圖像形成裝置，其包括：上述的電子照相感光體，充電單元，其對所述電子照相感光體的表面進行充電；靜電潛像形成單元，其在所述電子照相感光體的已充電表面形成靜電潛像；顯影單元，其使用含有調色劑的顯影劑對所述電子照相感光體的表面形成的靜電潛像進行顯影以形成調色劑圖像；以及轉印單元，其將所述調色劑圖像轉印到記錄介質的表面。

根據本發明的第一，第二和第三方面的電子照相感光體，與包括導電基底以及設置在該導電基底上的包括粘結劑樹脂、電荷產生材料、空穴傳輸材料以及電子傳輸材料的單層型感光層的感光體相比，能夠使存在于感光體的表面上的異物更容易被去除，具有較高的帶電性，并且能夠形成具有較高密度的圖像，其中，該感光層包括鈦氧基酞菁顏料作為電荷產生材料或具有小于170n/mm²或大于200n/mm²的馬氏硬度hm。

根據本發明的第四，第五和第六方面的電子照相感光體，與感光層中的殘余溶劑的含量相對于感光層的總重量小于0.04重量％或大于1.6重量％的情況相比，能夠使存在于感光體的表面上的異物更容易被去除，具有較高的帶電性，并且能夠形成具有較高密度的圖像。

根據本發明的第七和第八方面的電子照相感光體，與選自羥基鎵酞菁顏料和氯化鎵酞菁顏料中的至少一種電荷產生材料的含量相對于感光層的總重量小于1.4重量％或大于2.6重量％的情況相比，能夠使存在于感光體的表面上的異物更容易被去除，具有較高的帶電性，并且能夠形成具有較高密度的圖像。

根據本發明的第九方面的處理盒以及根據本發明的第十方面的圖像形成裝置，與具有包括導電基底以及設置在該導電基底上的包括粘結劑樹脂、電荷產生材料、空穴傳輸材料以及電子傳輸材料的單層型感光層的感光體的處理盒或圖像形成裝置相比，能夠使存在于感光體的表面上的異物更容易被去除，具有較高的帶電性，并且能夠形成具有較高密度的圖像，其中，該感光層包括鈦氧基酞菁顏料作為電荷產生材料或具有小于170n/mm²或大于200n/mm²的馬氏硬度hm。

附圖說明

將基于下列附圖詳細說明本發明的示例性實施例，其中：

圖1是根據示例性實施例的電子照相感光體的部分概略橫截面圖；

圖2是示出根據示例性實施例的圖像形成裝置的示意圖；以及

圖3是示出根據示例性實施例的另一種圖像形成裝置的示意圖。

具體實施方式

下面對本發明的示例性實施例作進一步詳細說明。

電子照相感光體

根據示例性實施例的電子照相感光體(下文簡稱為“感光體”)包括導電基底以及設置在導電基底上的單層型感光層。感光層包括粘合劑樹脂、選自羥基鎵酞菁顏料和氯化鎵酞菁顏料(下文稱為“特定酞菁顏料”)中的至少一種電荷產生材料、空穴傳輸材料以及電子傳輸材料。

感光層具有170n/mm²以上且200n/mm²以下的馬氏硬度hm。

馬氏硬度hm是硬度的衡量單位，它是使用維氏壓頭形成具有預定深度(在本示例性實施例中，0.5μm)的壓痕所需的載荷除以維氏壓頭的表面積的商。

以下，具有170n/mm²以上且200n/mm²以下的馬氏硬度hm的感光層被稱為“低硬度感光層”，而具有200n/mm²以上的馬氏硬度hm的感光層被稱為“高硬度感光層”。

具有單層型感光層的感光體，從生產成本等的角度來說，被認為作為電子照相感光體是可取的。另外，隨著日益增長的提高圖像重量的需求，期望進一步減少可能由，例如感光體的缺陷導致的圖像缺陷的發生。

在具有感光體的圖像形成裝置中，由裝置中產生的或進入裝置的異物(例如紙粉顆粒和磨損粉顆粒)可能在感光體(即本示例性實施例中的感光層)的表面形成傷痕。具體地說，異物有可能被埋入或刺入到感光層中，導致在感光體的表面形成傷痕。異物如果不去除的話有可能到達感光體的核心，即導電性支撐體。

當感光體具有所述傷痕(即異物)時，感光體的帶電電位可能會局部降低。因此，圖像形成過程中傷痕的存在對圖像造成了不利影響。例如，使用所述感光體形成圖像會增加圖像缺陷，例如黑斑和白斑的發生。

認為將異物從感光體的表面去除的容易度與感光層的硬度之間有相關性。例如，當感光層的硬度高時，感光體的表面對磨損有抵抗力并且可以相應地降低埋入或刺入到感光層中的異物被去除的可能性。當感光層的硬度低時，可能會發生相反的情況。

因此，可以降低感光層的硬度以增加將感光體的表面存在的異物去除的容易度并減少可能由異物導致的圖像缺陷的發生。

但是，使用包括低硬度感光層的感光體形成圖像會帶來第二個問題；難以保持高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力，即感光體本來要求的功能。

因此，根據本示例性實施例的感光體具有感光層，該感光層包括粘合劑樹脂、空穴傳輸材料、電子傳輸材料以及作為電荷產生材料的特定的酞菁顏料。此外，將感光層的馬氏硬度hm控制在上述范圍以內。

將感光層的馬氏硬度hm控制在上述范圍以內意味著，如上所述，降低感光層的硬度。也就是說，在根據本示例性實施例的感光體中，將感光層的馬氏硬度hm降至170n/mm²，使得可以容易地磨損感光體(即感光層)的表面。這樣，增加了埋入或刺入到感光體的表面中的異物由于感光層的磨損而被去除的可能性。

但是，將感光層的馬氏硬度hm降至170n/mm²會在圖像形成的過程中帶來第二個問題；難以保持高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力，即感光體本來要求的功能。為解決此問題，根據本示例性實施例的感光體具有感光層，該感光層包括作為電荷產生材料的特定的酞菁顏料。這樣，甚至當感光層的硬度被降低至170n/mm²時也可以保持感光體本來要求的功能。

原因尚不清楚，但認為在單層型感光層中，特定的酞菁顏料不僅表現出優異的電荷產生能力，還在某種程度上有助于限制感光層的硬度降低時可能發生的感光體本來要求的功能的劣化。

因此，根據本示例性實施例的感光體，其中單層型感光層包括特定的酞菁顏料并且感光層的硬度被降低至170n/mm²，能夠使存在于感光體的表面上的異物更容易被去除，具有較高的帶電性，并且能夠形成具有較高密度的圖像。

根據本示例性實施例的感光體中包括的馬氏硬度hm在上述范圍以內的感光層的示例是具有足夠高殘余溶劑含量的感光層。所述感光層的具體示例是殘余溶劑的含量為感光層的總重量的0.04重量％以上且1.6重量％以下(優選地，0.05重量％以上且1.6重量％以下)的感光層。

這里使用的術語“殘余溶劑含量”指在通過涂布形成感光層的過程中留在干燥涂膜(即感光層)上的溶劑的重量的比例。

在根據本示例性實施例的感光體中，使適當量的溶劑留在感光層上。這樣，增加了形成馬氏硬度hm在上述范圍以內的感光層的可能性。

認為控制殘余溶劑含量在上述范圍以內將感光層內包括的樹脂彼此附著的程度降至適當的水平，從而降低了感光層的硬度。

因此，增加了埋入或刺入到感光體的表面中的異物由于感光層的磨損而被去除的可能性。由于上述相同的理由，可以保持高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力，即感光體本來要求的功能。

下面描述一種用于控制感光層中的殘余溶劑含量在上述范圍以內的方法。

可以使用熱萃取氣相色譜質譜聯用儀通過以下方式測量感光層中的殘余溶劑含量。

從干燥涂膜(即感光層)中提取重量為2mg以上且3mg以下的樣品。對樣品進行稱重，接著送入由前沿實驗室公司(frontierlaboratoriesltd.)制造的熱萃取裝置“py2020d”中，并加熱至400℃。通過溫度為320℃的界面將樣品的揮發性物質送入由日本島津制作所(shimadzucorporation)制造的氣相色譜質譜聯用儀“gcms-qp2010”中，并測定揮發性物質的重量。具體地說，從樣品中揮發的物質的重量的1/51(分流比：50:1)通過作為載氣的氦氣以153.8cm/s的線速度(柱溫為50℃，載氣流速：1.50ml/min，壓力：50kpa)被送入由前沿實驗室公司制造的柱“capillarycolumnua-5”(內徑：0.25μm，長度：30m)中。

將柱在50℃下保持3分鐘后，以8℃/min的速率將其加熱至400℃并在400℃下保持10分鐘以使揮發性物質從柱中解吸。接著，將揮發性物質在320℃界面溫度下送入質譜儀中，并測定與溶劑相對應的峰面積。為測定溶劑的重量，采用使用已知重量的相同類型的溶劑繪制的校準曲線。通過溶劑的計算重量除以樣品的重量計算殘余溶劑含量。注意，以上測量方法僅僅是示例，并且可以根據感光層中包括的樹脂發生分解或變化的溫度或者使用的溶劑的沸點適當地改變測量條件。

下面根據本示例性實施例參照附圖對電子照相感光體作進一步詳細說明。

圖1是根據本示例性實施例的電子照相感光體10的部分概略橫截面圖。

例如，圖1所示的電子照相感光體10包括導電基底3。底涂層1和單層型感光層2依次設置在導電基底3上。

底涂層1是任選的。換句話說，單層型感光層2可以直接設置在導電基底3上或者通過置于單層型感光層2和導電基底3之間的底涂層1設置在導電基底3上方。

下面對構成根據本示例性實施例的電子照相感光體的各層分別作進一步詳細說明。在以下描述中，省略參考號。

導電基底

導電基底的示例包括金屬板材、金屬轂以及金屬帶，其中含有諸如鋁、銅、鋅、鉻、鎳、鉬、釩、銦、金或鉑的金屬，或者諸如不銹鋼的合金。導電基底的其他示例包括紙張、樹脂膜以及帶，其上通過涂布、氣相沉積或層壓沉積有諸如導電聚合物或氧化銦的化合物、諸如鋁、鈀或金的金屬或者合金。這里使用的術語“導電”指體積電阻率小于10¹³ωcm。

在電子照相感光體作為激光打印機的部件的情況下，可以將導電基底的表面粗糙化至0.04μm以上且0.5μm以下的中心線粗糙度ra以降低當使用激光束照射感光體時形成干涉條紋的可能性。進行粗糙化以防止形成干涉條紋在使用發射非相干光的光源的情況下可以省略，但可以延長感光體的使用壽命，因為它降低了由于導電基底的表面不規則而導致缺陷的可能性。

例如，為粗糙化導電基底的表面，可以采用以下方法：濕式珩磨，其中向導電基底噴涂通過將磨料懸浮在水中制備的液體；無心研磨，其中通過使導電基底與旋轉砂輪壓力接觸來對其進行持續的研磨；以及陽極氧化。

或者，為進行粗糙化，代替直接粗糙化導電基底的表面，可以在導電基底的表面形成由含有分散在其中的導電或半導電粉末顆粒的樹脂組成的層。在該方法中，導電基底的表面可能由于層中分散的顆粒的存在而變得粗糙。

為通過陽極氧化粗糙化導電基底的表面，通過使用由諸如鋁的金屬制成的導電基底作為陽極在電解質溶液中進行陽極氧化以在導電基底的表面形成氧化膜。電解質溶液的示例包括硫酸溶液和草酸溶液。但是，最初，由陽極氧化形成的多孔陽極氧化膜有化學活性，并且易受污染。另外，多孔陽極氧化膜的電阻率根據環境變化很大。因此，可以進行多孔陽極氧化膜的密封處理，其中氧化膜中形成的微孔被由于加壓蒸汽或沸水(可含有諸如鎳的金屬的鹽)的水合作用導致的體積膨脹所封閉，以將氧化膜變成比氧化膜更穩定的水合氧化膜。

例如，陽極氧化膜的厚度可以是0.3μm以上且15μm以下。當陽極氧化膜的厚度在上述范圍以內時，可以提高氧化膜的注入阻礙特性。另外，可以限制由于重復使用導致的殘余電勢的增加。

導電基底可以通過酸性處理液進行處理或者實施勃母石處理。

例如，可以通過以下方式進行使用酸性處理液對導電基底的處理。制備含有磷酸、鉻酸和氫氟酸的酸性處理液。例如，酸性處理液中磷酸、鉻酸和氫氟酸的含量如下：磷酸：10重量％以上且11重量％以下；鉻酸：3重量％以上且5重量％以下；以及氫氟酸：0.5重量％以上且2重量％以下。這些酸的總濃度可以是13.5重量％以上且18重量％以下。例如，處理溫度為42℃以上且48℃以下。涂膜的厚度可以是0.3μm以上且15μm以下。

例如，在勃母石處理中，將導電基底浸入溫度為90℃以上且100℃以下的純水中5至60分鐘或者使其與溫度為90℃以上且120℃以下的蒸汽接觸5至60分鐘。涂膜的厚度可以是0.1μm以上且5μm以下。產生的導電基底可以通過具有低涂膜溶解度的電解質溶液，例如己二酸、硼酸、硼酸鹽、磷酸鹽、鄰苯二甲酸鹽、馬來酸鹽、苯甲酸鹽、酒石酸鹽或檸檬酸鹽，可選地實施陽極氧化。

底涂層

例如，底涂層含有無機顆粒和粘合劑樹脂。

例如，無機顆粒可以具有10²ωcm以上且10¹¹ωcm以下的粉末電阻率(即體積電阻率)。

例如，在具有以上電阻率的所述無機顆粒中，優選諸如氧化錫顆粒、氧化鈦顆粒、氧化鋅顆粒和氧化鋯顆粒的金屬氧化物顆粒，特別優選氧化鋅顆粒。

例如，無機顆粒的bet比表面積可以是10m²/g以上。

例如，無機顆粒的體積平均粒徑可以是50nm以上且2,000nm以下，優選為60nm以上且1,000nm以下。

例如，無機顆粒的含量優選為粘合劑樹脂的數量的10重量％以上且80重量％以下，更優選為40重量％以上且80重量％以下。

無機顆粒可以可選地實施表面處理。可以使用兩種或兩種以上已實施過不同的表面處理或在混合物中具有不同直徑的無機顆粒。

表面處理中使用的試劑的示例包括硅烷偶聯劑、鈦酸酯偶聯劑、鋁酸鹽偶聯劑和表面活性劑。具體地說，優選硅烷偶聯劑，更優選包括氨基的硅烷偶聯劑。

包括氨基的硅烷偶聯劑的示例包括但不限于3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷和n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷。

兩種或兩種以上的硅烷偶聯劑可以混合使用。例如，包括氨基的硅烷偶聯劑可以與另一種硅烷偶聯劑組合使用。另一種硅烷偶聯劑的示例包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基硅烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。

可以通過任何已知的方法進行使用表面處理劑的無機顆粒的表面處理。可以采用干法和濕法。

例如，使用的表面處理劑的數量可以是無機顆粒的數量的0.5重量％以上且10重量％以下。

除無機顆粒以外，底涂層還可以包括電子接受化合物(即接受體化合物)以提高電學性能和載體阻擋性能的長期穩定性。

電子接受化合物的示例包括下列電子傳輸物質：諸如氯醌和溴醌的醌；四氰基對醌二甲烷；諸如2,4,7-三硝基芴酮和2,4,5,7-四硝基-9-芴酮的芴酮；諸如2-(4-聯苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑、2,5-雙(4-萘基)-1,3,4-惡二唑和2,5-雙(4-二乙氨基苯基)-1,3,4-惡二唑的惡二唑；氧雜蒽酮；噻吩；以及諸如3,3',5,5'-四-叔丁基聯苯醌的聯苯醌。

具體地說，可以使用具有蒽醌結構的化合物作為電子接受化合物。具有蒽醌結構的化合物的示例包括羥基蒽醌、氨基蒽醌和氨基羥基蒽醌。其具體示例包括蒽醌、茜素、醌茜、蒽絳酚和羥基茜草素。

底涂層中包括的電子接受化合物可以與無機顆粒一起分散到底涂層中或者沉積在無機顆粒的表面。

例如，為將電子接受化合物沉積在無機顆粒的表面，可以采用干法和濕法。

例如，在干法中，在使用能夠產生大剪切力的混合器等攪拌無機顆粒的同時，向無機顆粒滴加或者與干燥空氣或氮氣一起噴涂電子接受化合物或通過在有機溶液溶解電子接受化合物制備的溶液以將電子接受化合物沉積在無機顆粒的表面。電子接受化合物的添加或噴涂在等于或低于使用的溶劑的沸點的溫度下進行。在添加或噴涂電子接受化合物之后，可以可選地在100℃以上烘干產生的無機顆粒。無機顆粒烘干的溫度和無機顆粒烘干的時間不受限；無機顆粒可以在獲得預期電子照相性能的適當溫度和時間條件下烘干。

例如，在濕法中，在使用攪拌器、超聲波、砂磨機、磨碎機、球磨機等將無機顆粒分散到溶劑中的同時，在產生的分散液中添加電子接受化合物。在將分散液攪拌或分散之后，去除溶劑使得電子接受化合物沉積在無機顆粒的表面。例如，溶劑的去除可以通過過濾或蒸餾進行。在溶劑去除之后，可以可選地在100℃以上烘干產生的無機顆粒。無機顆粒烘干的溫度和無機顆粒烘干的時間不受限；無機顆粒可以在獲得預期電子照相性能的適當溫度和時間條件下烘干。在濕法中，可以在添加電子接受化合物之前去除無機顆粒中含有的水分。例如，無機顆粒中含有的水分的去除可以通過在溶劑中攪拌的同時加熱無機顆粒或者將水分與溶劑一起煮沸來完成。

電子接受化合物的沉積可以在使用表面處理劑的無機顆粒的表面處理之前或之后進行。或者，電子接受化合物的沉積與使用表面處理劑的表面處理可以同時進行。

例如，電子接受化合物的含量為無機顆粒的數量的0.01重量％以上且20重量％以下，優選為0.01重量％以上且10重量％以下。

底涂層中包括的粘合劑樹脂的示例包括下列已知的材料：諸如縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、有機硅樹脂、有機硅-醇酸樹脂、脲醛樹脂、酚醛樹脂、苯酚-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹脂、醇酸樹脂和環氧樹脂的高分子化合物；鋯螯合物；鈦螯合物；鋁螯合物；鈦醇鹽；有機鈦化合物以及硅烷偶聯劑。

底涂層中包括的粘合劑樹脂的其他示例包括具有電荷傳輸基團的電荷傳輸樹脂以及諸如聚苯胺的導電樹脂。

在以上粘合劑樹脂中，可以使用不溶于用于在底涂層上形成一層的涂布液中含有的溶劑的樹脂作為底涂層中包括的粘合劑樹脂。具體地說，可以使用通過使選自由熱固性樹脂(例如脲醛樹脂、酚樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂和環氧樹脂)、聚酰胺樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇樹脂和聚乙烯醇縮醛樹脂組成的組中的至少一種樹脂與固化劑反應而產生的樹脂。

在以上粘合劑樹脂中的兩種或兩種以上組合使用的情況下，可以適當地設定粘合劑樹脂之間的混合比。

底涂層可以包括各種添加劑以提高電學性能、環境穩定性和圖像重量。

添加劑的示例包括下列已知材料：諸如聚縮顏料和偶氮顏料的電子傳輸顏料、鋯螯合物、鈦螯合物、鋁螯合物、鈦醇鹽、有機鈦化合物以及硅烷偶聯劑。如上所述可以在無機顆粒的表面處理中使用的硅烷偶聯劑也可以作為添加劑添加到底涂層中。

可以作為添加劑使用的硅烷偶聯劑的示例包括乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基硅烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷以及3-氯丙基三甲氧基硅烷。

鋯螯合物的示例包括丁醇鋯、乙酰乙酸乙酯鋯、三乙醇胺鋯、乙酰丙酮丁醇鋯、乙酰乙酸乙酯丁醇鋯、醋酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、膦酸鋯、辛酸鋯、環烷酸鋯、月桂酸鋯、硬脂酸鋯、異硬脂酸鋯、甲基丙烯酸丁醇鋯、硬脂酸丁醇鋯和異硬脂酸丁醇鋯。

鈦螯合物的示例包括鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、鈦酸丁酯二聚體、四-(2-乙基己基)鈦酸、乙酰丙酮鈦、聚乙酰丙酮鈦、亞辛基乙醇酸鈦、乳酸銨鹽鈦、乳酸鈦、乳酸乙酯鈦、三乙醇胺鈦以及多羥基硬脂酸鈦。

鋁螯合物的示例包括異丙醇鋁、單丁氧基二異丙酸鋁、丁酸鋁、二乙基乙酰乙酸二異丙醇鋁以及鋁三(乙酰乙酸乙酯)。

以上添加劑可以單獨使用。或者，以上化合物中的兩種或兩種以上可以混合或者以縮聚物的形式使用。

底涂層可以具有35以上的維氏硬度。

為減少莫爾條紋的形成，可以將底涂層的表面粗糙度(即十點平均粗糙度)控制在作為曝光光使用的激光束的波長λ的1/(4n)至1/2，其中n是底涂層上將形成的層的折射率。

可以向底涂層添加樹脂顆粒等以調整底涂層的表面粗糙度。樹脂顆粒的示例包括有機硅樹脂顆粒以及交聯聚甲基丙烯酸甲酯樹脂顆粒。可以研磨底涂層的表面以調整底涂層的表面粗糙度。為研磨底涂層的表面，可以進行拋光、噴砂、濕式珩磨、研磨等。

形成底涂層的方法不受限，可以采用已知的方法。例如，使用通過將上述成分與溶劑混合而制備的底涂層形成涂布液形成涂布膜，并且將涂布膜干燥，必要時加熱。

用于制備底涂層形成涂布液的溶劑的示例包括已知的有機溶劑，例如醇溶劑、芳香烴溶劑、鹵代烴類溶劑、酮溶劑、酮醇溶劑、醚類溶劑以及酯溶劑。

其具體示例包括下列常見有機溶劑：甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、芐醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮、環己酮、醋酸甲酯、乙酸乙酯、醋酸正丁酯、二氧六環、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯以及甲苯。

例如，為在制備底涂層形成涂布液的過程中分散無機顆粒，可以使用已知的設備，例如滾磨機、球磨機、振動球磨機、磨碎機、砂磨機、膠體磨以及油漆搖動器。

例如，為使用底涂層形成涂布液涂布導電基底，可以采用常用的方法，例如刮刀涂布、線棒涂布、噴涂、浸漬涂布、珠涂布、氣刀涂布以及簾式涂布。

例如，底涂層的厚度優選地設置為15μm以上，更優選地設置為20μm以上且50μm以下。

中間層

盡管附圖中未示出，可以可選地在底涂層和感光層之間設置中間層。

例如，中間層包括樹脂。中間層中包括的樹脂的示例包括下列高分子化合物：縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、有機硅樹脂、有機硅-醇酸樹脂、酚醛樹脂以及三聚氰胺樹脂。

中間層可以包括有機金屬化合物。可以包括在中間層中的有機金屬化合物的示例包括含有諸如鋯原子、鈦原子、鋁原子、錳原子或硅原子的金屬原子的有機金屬化合物。

可以包括在中間層中的以上化合物可以單獨使用。或者，以上化合物中的兩種或兩種以上可以混合或者以縮聚物的形式使用。

具體地說，中間層可以包括含有鋯原子或硅原子的有機金屬化合物。

形成中間層的方法不受限，可以采用已知的方法。例如，使用通過將上述成分與溶劑混合而制備的中間層形成涂布液形成涂布膜，并且將涂布膜干燥，必要時加熱。

為形成中間層，可以采用常用的涂布方法，例如浸漬涂布、上推涂布(pushcoating)、線棒涂布、噴涂、刮刀涂布、氣刀涂布以及簾式涂布。

例如，中間層的厚度可以設置為0.1μm以上且3μm以下。可以使用中間層作為底涂層。

單層型感光層

根據本示例性實施例的單層型感光層的馬氏硬度hm被設置為170n/mm²以上且200n/mm²以下，優選地設置為175n/mm²以上且195n/mm²以下，更優選地設置為180n/mm²以上且190n/mm²以下以增加將感光體的表面存在的異物去除的容易度并保持高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力。

可以通過以下方法測量感光層的馬氏硬度hm。

將具有待測量感光層的感光體在23℃和30％rh的環境下放在由菲舍爾分析儀器(fischerinstruments)制造的測量設備“picodentorhm500”上。將維氏壓頭壓在感光體(即感光層)的表面上，并不斷增加用壓頭加壓感光體的表面的載荷量。將壓頭被壓下0.5μm的測試載荷的量除以壓頭的表面積，并將該商數視為感光層的馬氏硬度hm。

在下列五個位置進行馬氏硬度hm的測量：在軸向方向上距離感光體各端40mm和80mm的位置以及在軸向方向上感光體的中心。在這五個位置測量的馬氏硬度hm的平均值被視為感光層的“馬氏硬度hm”。

待測量的感光層可以是通過切割感光體制備的感光層。

下面描述用于控制感光層的馬氏硬度hm在上述范圍以內的方法。

單層型感光層的厚度優選設置為15μm以上且40μm以下，更優選設置為18μm以上且30μm以下，進一步優選設置為20μm以上且25μm以下。

根據本示例性實施例的單層型感光層包括粘合劑樹脂、作為電荷產生材料的特定酞菁顏料、空穴傳輸材料、電子傳輸材料，以及，根據需要，其他添加劑。下面詳細描述單層型感光層的各成分。

粘合劑樹脂

粘合劑樹脂的示例包括但不限于聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚芳酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來酸酐共聚物、有機硅樹脂、有機硅-醇酸樹脂、苯酚甲醛樹脂、苯乙烯醇酸樹脂、聚-n-乙烯基咔唑以及聚硅烷。以上粘合劑樹脂可以單獨使用或者兩種或兩種以上混合使用。

在以上粘合劑樹脂中，為容易地將感光層的馬氏硬度hm控制在上述范圍以內，可以使用聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂以及聚對苯二甲酸乙二酯樹脂。特別地，可以使用粘度平均分子量為30,000以上且80,000以下的聚碳酸酯樹脂、粘度平均分子量為30,000以上且60,000以下的聚苯乙烯樹脂以及粘度平均分子量為30,000以上且60,000以下的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂。

粘合劑樹脂的含量可以是感光層的總固體含量的35重量％以上且60重量％以下，理想為20重量％以上且35重量％以下。

可以通過以下一點式測量方法測量粘合劑樹脂的粘度平均分子量。

使待測量感光層暴露于感光體的表面。使用感光層的一塊作為測量樣品。

接著，提取測量樣品中含有的粘合劑樹脂。將一份(1g)提取的粘合劑樹脂溶解到100cm³的二氯甲烷，并在25℃下使用烏氏粘度計測量所產生溶液的比粘度ηsp。極限粘度[η](cm³/g)基于以下關系表達式進行計算：

ηsp/c＝[η]+0.45[η]²c，其中c表示濃度(g/cm³)。

粘度平均分子量mv利用由h.schnell給出的以下關系表達式進行計算：

[η]＝1.23×10^-4mv^0.83

電荷產生材料

使用選自羥基鎵酞菁顏料和氯化鎵酞菁顏料中的至少一種顏料作為電荷產生材料以限制當感光層的硬度降低時可能發生的感光體本來要求的功能的劣化。

以上顏料可以單獨作為電荷產生材料使用。或者，根據需要，可以組合使用兩種或兩種以上的以上顏料。

特別地，例如，羥基鎵酞菁顏料可以是在涵蓋600nm以上且900nm以下的范圍的光譜吸收光譜內具有810nm以上且839nm以下的最大峰值波長的羥基鎵酞菁顏料，因為所述羥基鎵酞菁顏料能夠以更高的程度分散。也就是說，當所述羥基鎵酞菁顏料作為電子照相感光體的材料使用時，有可能獲得優良的可分散性、足夠高的靈敏度、足夠高的帶電性以及足夠高的暗衰減特性。

具有810nm以上且839nm以下的最大峰值波長的羥基鎵酞菁顏料可以具有在特定范圍以內的平均粒徑以及在特定范圍以內的bet比表面積。具體地說，所述羥基鎵酞菁顏料的平均粒徑優選為0.20μm以下，更優選為0.01μm以上且0.15μm以下，而所述羥基鎵酞菁顏料的bet比表面積優選為45m²/g以上，更優選為50m²/g以上，特別優選為55m²/g以上且120m²/g以下。羥基鎵酞菁顏料的平均粒徑是利用由堀場公司(horiba,ltd.)制造的激光衍射/散射粒徑分布分析儀“la-700”測量的羥基鎵酞菁顏料的體積平均粒徑(即d50平均粒徑)。羥基鎵酞菁顏料的bet比表面積利用由日本島津公司(shimadzucorporation)制造的bet比表面積分析儀“flowsorbii2300”通過氮氣沖洗法進行測量。

如果羥基鎵酞菁顏料的平均粒徑大于0.20μm或者羥基鎵酞菁顏料的bet比表面積小于45m²/g，顏料顆粒的尺寸有可能過大或者顏料顆粒有可能形成聚集體。這樣，增加了諸如分散性、靈敏度、帶電性以及暗衰減特性的性能劣化的發生率，由此可能會增加圖像重量的缺陷。

羥基鎵酞菁顏料的最大粒徑(即最大初級粒徑)優選為1.2μm以下，更優選為1.0μm以下，進一步優選為0.3μm以下。如果羥基鎵酞菁顏料的最大粒徑超過以上范圍，可能會增加黑斑的發生。

羥基鎵酞菁顏料可以具有0.2μm以下的平均粒徑，1.2μm以下的最大粒徑以及45m²/g以上的比表面積以降低由于感光體暴露于熒光燈等而可能發生的密度不一致。

羥基鎵酞菁顏料可以是在由cukα輻射測量的x射線衍射光譜中至少在7.3°、16.0°、24.9°和28.0°的布拉格角(2θ±0.2°)具有衍射峰的v型羥基鎵酞菁顏料。

盡管氯化鎵酞菁顏料的類型不受限，但氯化鎵酞菁顏料在7.4°、16.6°、25.5°和28.3°的布拉格角(2θ±0.2°)可以具有衍射峰。所述氯化鎵酞菁顏料作為具有優良靈敏度的電子照相感光體的材料。

氯化鎵酞菁顏料在光譜吸收光譜中的適宜的最大峰值波長、平均粒徑、最大粒徑和比表面積與羥基鎵酞菁顏料相同。

電荷產生材料的含量不受限，但優選為感光層的總固體含量的1.4重量％以上且2.6重量％以下，更優選為1.5重量％以上且2.3重量％以下以保持高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力，即感光體本來要求的功能。

空穴傳輸材料

空穴傳輸材料的示例包括但不限于諸如2,5-雙(對二乙氨基苯基)-1,3,4-惡二唑的惡二唑衍生物；諸如1,3,5-三苯基-吡唑啉和1-[吡啶基-(2)]-3-(對二乙氨基苯乙烯基)-5-(對二乙氨基苯乙烯基)吡唑啉的吡唑啉衍生物；諸如三苯胺、n,n'-雙(3,4-二甲苯基)聯苯-4-胺、三(對甲基苯基)胺基-4-胺和二芐苯胺的芳香族叔胺；諸如n,n'-雙(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基聯苯胺的芳香族叔二胺；諸如3-(4'-二甲氨基苯基)-5,6-雙-(4'-甲氧基苯基)-1,2,4-三嗪的1,2,4-三嗪衍生物；諸如4-二乙氨基苯甲醛-1,1-二苯基腙的腙衍生物；諸如2-苯基-4-苯乙烯基-喹唑啉的喹唑啉衍生物；諸如6-羥基-2,3-雙(對甲氧基苯基)苯并呋喃的苯并呋喃衍生物；諸如對(2,2-二苯基乙烯基)-n,n-二苯基苯胺的α-二苯乙烯衍生物；烯胺衍生物；諸如n-乙基咔唑的咔唑衍生物；聚-n-乙烯咔唑及其衍生物；以及具有主鏈或側鏈的聚合物，該主鏈或側鏈為由以上化合物構成的基團。以上空穴傳輸材料可以單獨使用或者兩種或兩種以上組合使用。

在以上空穴傳輸材料中，從電荷遷移率的角度來說，可以使用芳香族叔胺。特別地，可以使用由以下通式(ht1)表示的三芳基胺類空穴傳輸材料以及由以下通式(ht2)表示的丁二烯類空穴傳輸材料。三芳基胺類空穴傳輸材料可以是由以下通式(ht1a)表示的聯苯胺類空穴傳輸材料。

下面描述三芳基胺類空穴傳輸材料(ht1)。

三芳基胺類空穴傳輸材料(ht1)是由以下通式(ht1)表示的空穴傳輸材料。

在通式(ht1)中，ar^t1、ar^t2和ar^t3各自獨立地表示芳基或-c6h4-c(r^t4)＝c(r^t5)(r^t6)基團，其中r^t4、r^t5和r^t6各自獨立地表示氫原子、烷基或芳基；并且r^t5和r^t6可以彼此粘合以形成烴環結構。

以上通式(ht1)中由ar^t1、ar^t2和ar^t3表示的芳基的示例為具有6-15個碳原子，優選為6-9個碳原子，更優選為6-8個碳原子的芳基。

所述芳基的具體示例包括苯基、萘基以及芴基。

特別地，在以上芳基中，可以使用苯基。

以上通式(ht1)中由r^t4、r^t5和r^t6表示的烷基的示例與下面描述的在通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的烷基的示例相同。以上通式(ht1)中由r^t4、r^t5和r^t6表示的烷基的優選范圍與通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的烷基的優選范圍相同。

通式(ht1)中由r^t4、r^t5和r^t6表示的芳基的示例與由ar^t1、ar^t2和ar^t3表示的芳基的以上示例相同。通式(ht1)中由r^t4、r^t5和r^t6表示的芳基的優選范圍與由ar^t1、ar^t2和ar^t3表示的芳基的優選范圍相同。

通式(ht1)中由ar^t1、ar^t2、ar^t3、r^t4、r^t5和r^t6表示的取代基可以進一步具有取代子基團。取代子基團的示例包括鹵素原子、具有1-5個碳原子的烷基、具有1-5個碳原子的烷氧基以及具有6-10個碳原子的芳基。取代基的取代子基團的另一個示例是由具有1-3個碳原子的烷基取代的氨基。

可以僅單獨使用一種三芳基胺類空穴傳輸材料(ht1)。或者，可以組合使用兩種或兩種以上的三芳基胺類空穴傳輸材料(ht1)。

在由通式(ht1)表示的三芳基胺類空穴傳輸材料中，從電荷遷移率的角度來說，可以使用具有-c6h4-c(r^t4)＝c(r^t5)(r^t6)基團的三芳基胺類空穴傳輸材料。特別地，可以使用由以下公式(ht1-4)表示的三芳基胺類空穴傳輸材料，該三芳基胺類空穴傳輸材料為三芳基胺類空穴傳輸材料(ht1)的一種具體示例。

下面描述聯苯胺類空穴傳輸材料(ht1a)。

聯苯胺類空穴傳輸材料(ht1a)是由以下通式(ht1a)表示的空穴傳輸材料。

在通式(ht1a)中，r^c21、r^c22和r^c23各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、具有1-10個碳原子的烷基、具有1-10個碳原子的烷氧基或者具有6-10個碳原子的芳基。

通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的鹵素原子的示例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。在以上鹵素原子中，優選氟原子和氯原子，更優選氯原子。

通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的烷基的示例包括具有1-10個碳原子，優選1-6個碳原子，更優選1-4個碳原子的直鏈烷基或支鏈烷基。

直鏈烷基的具體示例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基以及正癸基。

支鏈烷基的具體示例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基以及叔癸基。

特別地，在以上烷基中，可以使用諸如甲基、乙基和異丙基的低級烷基。

通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的烷氧基的示例包括具有1-10個碳原子，優選1-6個碳原子，更優選1-4個碳原子的直鏈烷氧基或支鏈烷氧基。

直鏈烷氧基的具體示例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基以及正癸氧基。

支鏈烷氧基的具體示例包括異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、異己氧基、仲己氧基、叔己氧基、異庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、異辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、異壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、異癸氧基、仲癸氧基以及叔癸氧基。

特別地，在以上烷氧基中，可以使用甲氧基。

通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的芳基的示例包括具有6-10個碳原子，優選6-9個碳原子，更優選6-8個碳原子的芳基。

芳基的具體示例包括苯基以及萘基。

特別地，在以上芳基中，可以使用苯基。

通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的取代基可以進一步具有取代子基。取代子基的示例包括以上作為示例描述的原子和基團，例如鹵素原子、烷基、烷氧基以及芳基。

可以僅單獨使用一種聯苯胺類空穴傳輸材料(ht1a)。或者，可以組合使用兩種或兩種以上的聯苯胺類空穴傳輸材料(ht1a)。

三芳基胺類空穴傳輸材料(ht1)和聯苯胺類空穴傳輸材料(ht1a)的具體示例包括但不限于下列由公式(ht1-1)至(ht1-7)表示的化合物。

下面描述丁二烯類空穴傳輸材料(ht2)。

丁二烯類空穴傳輸材料(ht2)是由以下通式(ht2)表示的空穴傳輸材料。

在通式(ht2)中，r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、具有1-20個碳原子的烷基、具有1-20個碳原子的烷氧基或者具有6-30個碳原子的芳基；一對相鄰的取代基可以彼此粘合以形成烴環結構；并且n和m各自獨立地表示0、1或2。

通式(ht2)中由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示的鹵素原子的示例包括氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。在以上鹵素原子中，優選氟原子和氯原子，更優選氯原子。

通式(ht2)中由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示的烷基的示例包括具有1-20個碳原子，優選1-6個碳原子，更優選1-4個碳原子的直鏈烷基或支鏈烷基。

直鏈烷基的具體示例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基以及正二十烷基。

支鏈烷基的具體示例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基、叔癸基、異十一烷基、仲十一烷基、叔十一烷基、新十一烷基、異十二烷基、仲十二烷基、叔十二烷基、新十二烷基、異十三烷基、仲十三烷基、叔十三烷基、新十三烷基、異十四烷基、仲十四烷基、叔十四烷基、新十四烷基、1-異丁基-4-乙基辛基、異十五烷基、仲十五烷基、叔十五烷基、新十五烷基、異十六烷基、仲十六烷基、叔十六烷基、新十六烷基、1-甲基十五烷基、異十七烷基、仲十七烷基、叔十七烷基、新十七烷基、異十八烷基、仲十八烷基、叔十八烷基、新十八烷基、異十九烷基、仲十九烷基、叔十九烷基、新十九烷基、1-甲基辛基、異二十烷基、仲二十烷基、叔二十烷基以及新二十烷基。

特別地，在以上烷基中，可以使用諸如甲基、乙基和異丙基的低級烷基。

通式(ht2)中由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示的烷氧基的示例包括具有1-20個碳原子，優選1-6個碳原子，更優選1-4個碳原子的直鏈烷氧基或支鏈烷氧基。

直鏈烷氧基的具體示例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基、正十三烷氧基、正十四烷氧基、正十五烷氧基、正十六烷氧基、正十七烷氧基、正十八烷氧基、正十九烷氧基以及正二十烷氧基。

支鏈烷氧基的具體示例包括異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、異己氧基、仲己氧基、叔己氧基、異庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、異辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、異壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、異癸氧基、仲癸氧基、叔癸氧基、異十一烷氧基、仲十一烷氧基、叔十一烷氧基、新十一烷氧基、異十二烷氧基、仲十二烷氧基、叔十二烷氧基、新十二烷氧基、異十三烷氧基、仲十三氧基、叔十三烷氧基、新十三烷氧基、異十四烷氧基、仲十四氧基、叔十四烷氧基、新十四烷氧基、1-異丁基-4-乙基辛氧基、異十五烷氧基、仲十五氧基、叔十五烷氧基、新十五烷氧基、異十六烷氧基、仲十六氧基、叔十六烷氧基、新十六烷氧基、1-甲基十五烷氧基、異十七烷氧基、仲十七氧基、叔十七烷氧基、新十七烷氧基、異十八烷氧基、仲十八氧基、叔十八烷氧基、新十八烷氧基、異十九烷氧基、仲十九烷氧基、叔十九烷氧基、新十九烷氧基、1-甲基辛氧基、異二十烷氧基、仲二十烷氧基、叔二十烷氧基以及新二十烷氧基。

特別地，在以上烷氧基中，可以使用甲氧基。

通式(ht2)中由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示的芳基的示例包括具有6-30個碳原子，優選6-20個碳原子，更優選6-16個碳原子的芳基。

所述芳基的具體示例包括苯基、萘基、菲基以及聯苯基。

特別地，在以上芳基中，可以使用苯基和萘基。

通式(ht2)中由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示的取代基可以進一步具有取代子基。取代子基的示例包括以上作為示例描述的原子和基團，例如鹵素原子、烷基、烷氧基以及芳基。

例如，在通式(ht2)中，選自r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16的一對相鄰的取代基，即，r^c11和r^c12對、r^c13和r^c14對或r^c15和r^c16對，可彼此粘合以形成烴環結構的基團的示例包括單鍵、2,2'-亞甲基、2,2'-乙烯基以及2,2'-亞乙烯基。特別地，可以使用單鍵和2,2'-亞甲基。

烴環結構的具體示例包括環烷結構、環烯結構以及環烷多烯結構。

特別地，在通式(ht2)中，n和m可以是1。

優選地，在通式(ht2)中，r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示氫原子、具有1-20個碳原子的烷基或者具有1-20個碳原子的烷氧基，并且m和n表示1或2以形成具有高空穴可傳輸性的感光層，即，空穴傳輸層。更優選地，r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示氫原子，并且m和n表示1。

換句話說，更優選地，丁二烯類空穴傳輸材料(ht2)是由以下結構式(ht2a)表示的空穴傳輸材料，即，例示化合物(ht2-3)。

丁二烯類空穴傳輸材料(ht2)的具體示例包括但不限于由公式(ht2-1)至(ht2-24)表示的下列化合物。

用于描述以上例示化合物的縮寫詞代表如下含義。附加在取代基前面的編號各自指取代基連接到苯環上的位置。

·ch3：甲基

·och3：甲氧基

可以僅單獨使用一種丁二烯類空穴傳輸材料(ht2)。或者，可以組合使用兩種或兩種以上的丁二烯類空穴傳輸材料(ht2)。

例如，空穴傳輸材料的含量可以是粘合劑樹脂的數量的10重量％以上且98重量％以下，理想為60重量％以上且95重量％以下，更理想為70重量％以上且90重量％以下。

電子傳輸材料

電子傳輸材料的示例包括但不限于諸如氯醌和溴醌的醌；四氰基對醌二甲烷類化合物；諸如2,4,7-三硝基芴酮、9-二氰基亞甲基-9-芴酮-4-辛基羧酸鹽和2,4,5,7-四硝基-9-芴酮的芴酮；諸如2-(4-聯苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑、2,5-雙(4-萘基)-1,3,4-惡二唑和2,5-雙(4-二乙氨基苯基)-1,3,4-惡二唑的惡二唑；氧雜蒽酮；噻吩；諸如3,3'-雙-叔戊基-聯萘醌的聯萘醌；諸如3,3'-雙-叔丁基-5,5'-二甲基聯苯醌和3,3',5,5'-四-叔丁基-4,4’-聯苯醌的聯苯醌；以及具有主鏈或側鏈的聚合物，該主鏈或側鏈為由以上化合物構成的基團。以上空穴傳輸材料可以單獨使用或者兩種或兩種以上組合使用。

特別地，在以上電子傳輸材料中，可以使用由以下通式(et1)表示的芴酮類電子傳輸材料和由以下通式(et2)表示的聯苯醌類電子傳輸材料。

下面描述由通式(et1)表示的芴酮類電子傳輸材料。

在以上通式(et1)中，r¹¹¹和r¹¹²各自獨立地表示鹵素原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；r¹¹³表示烷基、-l¹¹⁴-o-r¹¹⁵基、芳基或芳烷基，其中l¹¹⁴是亞烷基且r¹¹⁵是烷基；并且n1和n2各自獨立地表示0到3的整數。

通式(et1)中由r¹¹¹和r¹¹²表示的鹵素原子的示例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。

通式(et1)中由r¹¹¹和r¹¹²表示的烷基的示例包括具有1-4個碳原子，優選1-3個碳原子的直鏈烷基或支鏈烷基。所述烷基的具體示例包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基以及叔丁基。

通式(et1)中由r¹¹¹和r¹¹²表示的烷氧基的示例包括具有1-4個碳原子，優選1-3個碳原子的烷氧基。所述烷氧基的具體示例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基以及丁氧基。

通式(et1)中由r¹¹¹和r¹¹²表示的芳基的示例包括苯基和甲苯基。

通式(et1)中由r¹¹¹和r¹¹²表示的芳烷基的示例包括芐基、苯乙基以及苯丙基。

特別地，通式(et1)中由r¹¹¹和r¹¹²表示的上述基團中，可以使用苯基。

通式(et1)中由r¹¹³表示的烷基的示例包括具有1-15個碳原子，優選5-10個碳原子的直鏈烷基以及具有3-15個碳原子，優選5-10個碳原子的支鏈烷基。

具有1-15個碳原子的直鏈烷基的示例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基以及正十五烷基。

具有3-15個碳原子的支鏈烷基的示例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基、叔癸基、異十一烷基、仲十一烷基、叔十一烷基、異十二烷基、仲十二烷基、叔十二烷基、異十三烷基、仲十三烷基、叔十三烷基、異十四烷基、仲十四烷基、叔十四烷基、異十五烷基、仲十五烷基以及叔十五烷基。

在通式(et1)中由r¹¹³表示的-l¹¹⁴-o-r¹¹⁵基團中，l¹¹⁴表示亞烷基，且r¹¹⁵表示烷基。

由l¹¹⁴表示的亞烷基的示例包括具有1-12個碳原子的直鏈亞烷基和支鏈亞烷基，例如亞甲基、亞乙基、正亞丙基、異亞丙基、正亞丁基、異亞丁基、仲亞丁基、叔亞丁基、正亞戊基、異亞戊基、新亞戊基以及叔亞戊基。

由r¹¹⁵表示的烷基的示例與由r¹¹¹和r¹¹²表示的烷基的上述示例相同。

通式(et1)中由r¹¹³表示的芳基的示例包括苯基、甲基苯基以及二甲苯基。

在通式(et1)中由r¹¹³表示芳基的情況下，從可溶性的角度來說，芳基可以包括烷基取代基。可以作為取代基包括在芳基中的烷基的示例與由r¹¹¹和r¹¹²表示的烷基的上述示例相同。包括烷基取代基的芳基的具體示例包括甲基苯基、二甲苯基以及乙基苯基。

通式(et1)中由r¹¹³表示的芳烷基的示例為-r¹¹⁶-ar基團，其中r¹¹⁶表示亞烷基，且ar表示芳基。

由r¹¹⁶表示的亞烷基的示例包括具有1-12個碳原子的直鏈亞烷基和支鏈亞烷基，例如亞甲基、亞乙基、正亞丙基、異亞丙基、正亞丁基、異亞丁基、仲亞丁基、叔亞丁基、正亞戊基、異亞戊基、新亞戊基以及叔亞戊基。

且ar表示的芳基的示例包括苯基、甲基苯基、乙基苯基以及二甲苯基。

通式(et1)中由r¹¹³表示的芳烷基的具體示例包括芐基、甲基芐基、二甲基芐基、苯乙基、甲基苯乙基、乙基苯乙基、苯丙基以及苯丁基。

特別地，例如，在由通式(et1)表示的芴酮類電子傳輸材料中，優選r¹¹³表示芳烷基或者具有5-10個碳原子的支鏈烷基以提高靈敏度。更優選地，r¹¹¹和r¹¹²各自獨立地表示鹵素原子或烷基，且r¹¹³表示芳烷基或者具有5-10個碳原子的支鏈烷基。出于同樣的目的，-co(＝o)-r¹¹³基團進一步優選地連接到2-或4-位置上，具體優選地連接到4-位置上。

可以僅單獨使用由通式(et1)表示的一種芴酮類電子傳輸材料。或者，可以組合使用由通式(et1)表示的兩種或兩種以上的芴酮類電子傳輸材料。

由通式(et1)表示的芴酮類電子傳輸材料的示例包括但不限于下列例示化合物。以下，例示化合物被編號為“例示化合物(et1-[編號])”，例如“例示化合物(et1-2)”。

用于描述以上例示化合物的縮寫詞代表如下含義。

附加在取代基前面的符號“[編號]-”指取代基連接到芴環上的位置。例如，符號“1-cl”指連接到芴環的1-位置上的氯(cl)原子。符號“4-co(＝o)-r¹¹³”指連接到芴環的4-位置上的-co(＝o)-r¹¹³基團。

附加在取代基前面的符號“1-至-3-”表示取代基連接到芴環的1-至3-位置中的所有位置上。附加在取代基前面的符號“5-到-8-”表示取代基連接到芴環的5-到8-位置中的所有位置上。

符號“ph”指苯基。

下面描述由通式(et2)表示的聯苯醌類電子傳輸材料。

在通式(et2)中，r²¹¹、r²¹²、r²¹³和r²¹⁴各自獨立地表示氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子或苯基，

通式(et2)中由r²¹¹至r²¹⁴表示的烷基的示例包括具有1-6個碳原子的直鏈烷基和支鏈烷基。其具體示例包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、戊基以及己基。

由r²¹¹至r²¹⁴表示的烷基可以包括取代基。可以包括在烷基中的取代基的示例包括環烷基以及氟取代烷基。

通式(et2)中由r²¹¹至r²¹⁴表示的烷氧基的示例包括具有1-6個碳原子的烷氧基。其具體示例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基以及丁氧基。

通式(et2)中由r²¹¹至r²¹⁴表示的鹵素原子的示例包括氯原子、碘原子、溴原子以及氟原子。

通式(et2)中由r²¹¹至r²¹⁴表示的苯基可以包括取代基。可以包括在苯基中的取代基的示例包括具有例如1-6個碳原子的烷基、具有例如1-6個碳原子的烷氧基以及聯苯基。

可以僅單獨使用由通式(et2)表示的一種聯苯醌類電子傳輸材料。或者，可以組合使用由通式(et2)表示的兩種或兩種以上的聯苯醌類電子傳輸材料。

由通式(et2)表示的聯苯醌類電子傳輸材料的示例包括但不限于下列例示化合物。以下，例示化合物被編號為“例示化合物(et2-[編號])”，例如“例示化合物(et2-2)”。

例如，電子傳輸材料的含量可以是粘合劑樹脂的數量的4重量％以上且70重量％以下，理想為8重量％以上且50重量％以下，更理想為10重量％以上且30重量％以下。

空穴傳輸材料和電子傳輸材料之間的重量比

空穴傳輸材料和電子傳輸材料之間的重量比，也就是說，[空穴傳輸材料]/[電子傳輸材料]理想為50/50以上且90/10以下，更理想為60/40以上且80/20以下。

其他添加劑

單層型感光層可以包括其他已知的添加劑，例如抗氧化劑、光穩定劑和熱穩定劑。在單層型感光層作為表面層(即保護層)的情況下，感光層可以包括氟樹脂顆粒、硅油等。

單層型感光層的形成

單層型感光層使用通過混合上述感光層成分(例如電荷產生材料、空穴傳輸材料、電子傳輸材料和粘合劑樹脂)與溶劑以及，根據需要，諸如分散助劑的添加劑制備的感光層形成涂布液來形成。例如，具體地說，將感光層形成涂布液涂敷到導電性支撐體或底涂層上，并將沉積在導電性支撐體或底涂層上的涂布液(即涂布膜)干燥以形成感光層。感光層形成涂布液可以通過同時混合上述感光層成分與溶劑或者通過將各溶液混合在一起來制備，該各溶液通過將至少一種感光層成分與溶劑混合來制備。

根據本示例性實施例的感光層具有170n/mm²以上且200n/mm²以下的馬氏硬度hm。可以通過將沉積在導電性支撐體或底涂層上的涂布液(即涂布膜)被干燥的溫度設置為低于正常干燥溫度來將感光層的馬氏硬度hm控制在以上范圍內。

例如，干燥溫度優選設置為100℃以上且140℃以下，更優選設置為120℃以上且138℃以下，進一步優選設置為125℃以上且135℃以下。

進行干燥的時間也可以跟干燥溫度一樣進行控制。例如，干燥時間優選設置為15分鐘以上且40分鐘以下，更優選設置為20分鐘以上且35分鐘以下，進一步優選設置為22分鐘以上且25分鐘以下。

在處于以上范圍內的干燥溫度下(優選地，在以上范圍內的干燥時間以及以上范圍內的干燥溫度下)將沉積在導電性支撐體或底涂層上的感光層形成涂布液干燥從而使感光層中的殘余溶劑含量增至充分的水平。具體地說，容易將殘余溶劑含量控制到感光層的總重量的0.04重量％以上且1.6重量％以下(優選地，0.5重量％以上且1.3重量％以下；更優選地，0.8重量％以上且1.1重量％以下)。

認為這樣降低了感光層中包括的樹脂彼此粘附的程度，從而降低了感光體(在本示例性實施例中，感光層)的表面的硬度，并且增加了感光體的表面的磨損。其結果，可以容易地增加了將感光體的表面存在的異物去除的容易度。

在根據本示例性實施例的感光體中，向感光層中添加作為電荷產生材料的特定酞菁顏料以在即使當感光層的馬氏硬度hm被降至170n/mm²時也保持本來要求的功能(即高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力)。

可以通過在感光層形成涂布液的制備過程中進行用于提高電荷產生材料的可分散性的操作來容易地提高上述電荷產生材料的電荷產生能力。用于提高電荷產生材料的可分散性的操作的示例為電荷產生材料被預混合的方法。在該方法中，在感光層形成涂布液的制備過程中，通過將電荷產生材料分散到溶劑中來制備溶液(以下，該溶液被稱為“電荷產生材料分散液”)，并將電荷產生材料分散液添加到感光層形成涂布液中。為將電荷產生材料分散到溶劑中，可以使用分散設備。

分散設備的示例包括諸如球磨機、振動球磨機、磨碎機、砂磨機和臥式砂磨機的介質分散機；以及諸如攪拌器、超聲波分散器、滾磨機、高壓均質器(例如碰撞型和滲透型)、超聲波均質器和納米分散機(nanomizer)的無介質分散機。特別地，在以上分散設備中，可以使用超聲波均質器、納米分散機(nanomizer)和超聲波分散器以提高電荷產生材料的可分散性。

為進一步提高電荷產生材料的可分散性，可以在電荷產生材料分散液的制備過程中使用分散助劑，例如胺化合物。另外，在將電荷產生材料分散液添加到感光層形成涂布液中之后，電荷產生材料可以與感光層形成涂布液中包括的其他感光層成分(例如空穴傳輸材料、電子傳輸材料和粘合劑樹脂)一起分散。例如，為使電荷產生材料可與其他感光層成分一起分散，可以使用上述分散設備。特別地，可以使用納米分散機(nanomizer)以進一步提高電荷產生材料的可分散性。

進行上述操作提高了電荷產生材料在感光層形成涂布液中的可分散性。因此，當使用感光層形成涂布液形成感光層時，電荷產生材料在感光層基本均勻地分散。這樣，容易地提高了電荷產生材料的可分散性。由此，即使當感光層的硬度降低，也可以容易地制造具有高帶電性且能夠形成高密度圖像的感光體。

溶劑的示例包括下列常用有機溶劑：諸如苯、甲苯、二甲苯和氯苯的芳香烴；諸如丙酮和2-丁酮的酮；諸如二氯甲烷、氯仿和氯化乙烯的鹵化脂肪族烴；以及諸如四氫呋喃和乙醚的環醚和直鏈醚。以上溶劑可以單獨使用或者兩種或兩種以上混合使用。

例如，為將通過上述操作制備的感光層形成涂布液涂敷到導電基底、底涂層等上，可以采用浸漬涂布、上推涂布、線棒涂布、噴涂、刮刀涂布、氣刀涂布以及簾式涂布。

圖像形成裝置以及處理盒

根據示例性實施例的圖像形成裝置包括電子照相感光體；充電單元，其對電子照相感光體的表面進行充電；靜電潛像形成單元，其在電子照相感光體的已充電表面形成靜電潛像；顯影單元，其使用含有調色劑的顯影劑對電子照相感光體的表面形成的靜電潛像進行顯影以形成調色劑圖像；以及轉印單元，其將調色劑圖像轉印到記錄介質的表面。電子照相感光體是根據上述示例性實施例的電子照相感光體。

根據本示例性實施例的圖像形成裝置可以作為下列已知圖像形成裝置中的任意一種實現：具有將轉印到記錄介質表面的調色劑圖像定影的定影單元的圖像形成裝置；直接將電子照相感光體的表面形成的調色劑圖像轉印到記錄介質的表面的直接轉印式圖像形成裝置；將電子照相感光體的表面形成的調色劑圖像轉印到中間轉印體的表面(此過程被稱為“一次轉印”)并進一步將轉印到中間轉印體的表面的調色劑圖像轉印到記錄介質的表面(此過程被稱為“二次轉印”)的中間轉印式圖像形成裝置；具有對調色劑圖像轉印之后尚未被充電的電子照相感光體的表面進行清潔的清潔單元的圖像形成裝置；具有對調色劑圖像轉印之后尚未被充電的電子照相感光體的表面照射電荷消除光以消除電荷的電荷消除單元的圖像形成裝置；以及具有對電子照相感光體進行加熱以降低電子照相感光體的相對溫度的電子照相感光體加熱元件的圖像形成裝置。

例如，在中間轉印式圖像形成裝置中，轉印單元包括：中間轉印體，其上轉印有調色劑圖像；一次轉印單元，其將電子照相感光體的表面形成的調色劑圖像轉印到中間轉印體的表面(一次轉印)；以及二次轉印單元，其將轉印到中間轉印體的表面的調色劑圖像轉印到記錄介質的表面(二次轉印)。

根據本示例性實施例的圖像形成裝置可以是干式顯影圖像形成裝置或使用液體顯影劑顯影圖像的濕式顯影圖像形成裝置。

例如，在根據本示例性實施例的圖像形成裝置中，具有電子照相感光體的部分可以具有墨盒結構，也就是說，可以是處理盒，其可拆卸地安裝到圖像形成裝置上。例如，處理盒可以具有根據上述示例性實施例的電子照相感光體。例如，處理盒可以進一步具有至少一個選自由充電單元、靜電潛像形成單元、顯影單元和轉印單元組成的組中的部件。

下面描述根據本示例性實施例的圖像形成裝置的示例。但是，根據本示例性實施例的圖像形成裝置不限于此。以下，僅描述附圖中示出的部件，省略其他部件的描述。

圖2示意性地示出根據本示例性實施例的圖像形成裝置的示例。

如圖2所示，根據本示例性實施例的圖像形成裝置100具有處理盒300，該處理盒300包括電子照相感光體7、曝光裝置9(靜電潛像形成單元的示例)、轉印裝置40(即一次轉印裝置)以及中間轉印體50。在圖像形成裝置100中，設置曝光裝置9使得電子照相感光體7暴露于由曝光裝置9通過在處理盒300中形成的縫隙發射的光；轉印裝置40設置成面對電子照相感光體7且中間轉印體50處于轉印裝置40與電子照相感光體7之間；并且中間轉印體50設置成使得中間轉印體50的一部分與電子照相感光體7相接觸。盡管附圖中未示出，圖像形成裝置100還具有將轉印到中間轉印體50上的調色劑圖像轉印到記錄介質，例如紙張上的二次轉印裝置。在圖像形成裝置100中，中間轉印體50、轉印裝置40(即一次轉印裝置)以及二次轉印裝置(未示出)相當于轉印單元的示例。

圖2所示的處理盒300包括電子照相感光體7、充電裝置8(充電單元的示例)、顯影裝置11(顯影單元的示例)以及清潔裝置13(清潔單元的示例)，它們一體地支撐在外殼中。清潔裝置13包括清潔刮刀131(清潔元件的示例)，其設置成與電子照相感光體7的表面相接觸。例如，清潔元件的形式不限于清潔刮刀131，還可以是導電纖維元件或絕緣纖維元件。導電纖維元件或絕緣纖維元件可以單獨使用或者與清潔刮刀131組合使用。

圖2所示的圖像形成裝置包括：輥狀纖維元件132，通過其向電子照相感光體7的表面供應潤滑劑14；以及平面刷狀纖維元件133，其輔助清潔。但是，圖2所示的圖像形成裝置僅僅是示例，并且清潔元件132和133是可選的，根據需要可有可無。

下面分別描述根據本示例性實施例的圖像形成裝置的部件。

充電裝置

例如，充電裝置8可以是接觸型充電器，包括導電或半導電充電輥、充電刷、充電薄膜、充電橡膠刮刀、充電管等。也可以使用已知的充電器，例如非接觸型輥充電器以及利用電暈放電的格柵電暈管(scorotron)和電暈管(corotron)。

曝光裝置

例如，曝光裝置9可以是光學裝置，通過該光學裝置可以使電子照相感光體7的表面以預定圖像圖案暴露于由半導體激光器、led、液晶光閘等發射的光。光源的波長設置為在電子照相感光體的光譜靈敏度范圍以內。盡管常見半導體激光器在780nm附近，即在近紅外區域，有震蕩波長，但可以作為光源使用的半導體激光器不限于所述半導體激光器；也可以使用具有大約600-700nm的震蕩波長的半導體激光器以及具有400nm以上且450nm以下的震蕩波長的藍色半導體激光器。為形成彩色圖像，可以使用能夠輸出多波束的面發射激光器作為光源。

顯影裝置

例如，顯影裝置11可以是使用顯影劑以接觸或非接觸方式進行顯影的常見顯影裝置。顯影裝置11的類型不受限，并且可以根據目的進行選擇。顯影裝置的示例包括已知的顯影裝置，其能夠使用刷子、輥等使單組分或雙組分顯影劑沉積在電子照相感光體7上。特別地，可以使用具有其上沉積有顯影劑的顯影輥的顯影裝置。

顯影裝置11中包含的顯影劑可以是僅含調色劑的單組份顯影劑或者是含有調色劑和載體的雙組份顯影劑。顯影劑可以是磁性的或非磁性的。可以使用已知的顯影劑作為包含在顯影裝置11中的顯影劑。

清潔裝置

例如，清潔裝置13可以是具有清潔刮刀131的清潔刮刀型清潔裝置。

清潔裝置13的類型不限于清潔刮刀型清潔裝置，也可以使用毛刷清潔型清潔裝置以及同時進行清潔和顯影的清潔裝置。

轉印裝置

例如，轉印裝置40可以是下列已知轉印充電器中的任意一種：接觸型轉印充電器，其包括帶、輥、薄膜、橡膠刮刀等；以及轉印充電器，例如利用電暈放電的格柵電暈管和電暈管。

中間轉印體

例如，中間轉印體50可以是帶形中間轉印體，也就是說含有聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、橡膠等并且呈半導電的中間轉印帶。中間轉印體不限于帶形中間轉印體，也可以是鼓形中間轉印體。

圖3示意性地示出根據本示例性實施例的圖像形成裝置的另一個示例。

圖3所示的圖像形成裝置120是具有四個處理盒300的串聯式多色圖像形成裝置。在圖像形成裝置120中，四個處理盒300彼此并列地設置在中間轉印體50上，并且一個電子照相感光體用于一種顏色。除圖像形成裝置120為串聯式以外，圖像形成裝置120與圖像形成裝置100的結構相同。

示例

參照以下示例對上述示例性實施例作進一步詳細說明。但是，以上示例性實施例不限于以下示例。以下，除非另有規定，所有的“份”和“％”均以重量為基準。

示例1

感光體(1)的制造

制備含有1.5份電荷產生材料，即重量比cg1:cg2為3:7的羥基鎵酞菁顏料(cg1)和氯化鎵酞菁顏料(cg2)、作為分散助劑的0.2份胺以及作為溶劑的13份四氫呋喃的溶液。羥基鎵酞菁顏料(cg1)是在由cukα輻射測量的x射線衍射光譜中至少在7.3°、16.0°、24.9°和28.0°的布拉格角(2θ±0.2°)具有衍射峰的v型羥基鎵酞菁顏料。氯化鎵酞菁顏料(cg2)是在由cukα輻射測量的x射線衍射光譜中至少在7.4°、16.6°、25.5°和28.3°的布拉格角(2θ±0.2°)可以具有衍射峰的氯化鎵酞菁顏料。使用磁力攪拌器將溶液攪拌20小時，接著使用超聲波均質器進一步攪拌4小時直到電荷產生材料基本均勻地分散為止。由此，制備分散液(1)。

制備含有4份電子傳輸材料(et1a)、12份空穴傳輸材料(ht1a)、22份空穴傳輸材料(ht2a)、作為粘合劑樹脂的60份雙酚-z聚碳酸酯(粘度平均分子量：45,000)以及作為溶劑的77份四氫呋喃和10份甲苯的溶液。使用通用球磨機攪拌溶液直到粘合劑溶解到溶液中為止。由此，制備分散液(2)。

將分散液(1)和(2)彼此混合，并使用通用球磨機攪拌產生的混合物直到兩種分散液基本均勻地彼此混合為止。由此，制備涂布液。

使用納米分散機(nanomizer)處理涂布液六次，使得電荷產生材料基本均勻地分散。由此，制備感光層形成涂布液。

單層型感光體(1)通過按照以下方式使用感光層形成涂布液形成感光層來制備。

通過浸漬涂布法將感光層形成涂布液沉積在導電性支撐體上，該導電性支撐體是外徑為30mm、長度為245mm且厚度為0.75mm的鋁基底(即鋁切割管)。具體地說，在以13l/min的流速循環涂布液的同時，在27.5℃和20％rh的環境下將鋁基底浸漬到涂布液中以在鋁基底上形成涂布膜。鋁基底進入涂布液的速度被設置為1,500mm/min。

將鋁基底上形成的涂布膜干燥，并使其在以下干燥條件(即干燥固化條件)下固化：干燥溫度：135℃；濕度：1％rh；干燥時間：24分鐘。

由此，在鋁基底上形成厚度為22μm的感光層。單層型感光體(1)通過上述方式制造。

示例2至7以及比較示例1至8

感光體(2)至(7)以及(c1)至(c8)的制備方式與示例1中的感光體(1)相同，只是在形成感光層形成涂布液的過程中，根據表1和表2更改電荷產生材料、電子傳輸材料和空穴傳輸材料的類型和含量，以及干燥沉積的涂布液的溫度。注意，在比較示例8中，僅使用1.5份氧鈦酞菁顏料(cg3)作為電荷產生材料。

評價

馬氏硬度hm

通過上述方法測量示例和比較示例中制備的各個感光體中包括的感光層的馬氏硬度hm。表1和表2對結果進行了概括。

殘余溶劑的含量

從在示例和比較示例中制備的各個感光體中包括的感光層上切割重量為2mg的樣品。使用該樣品通過上述方法確定感光層中的殘余溶劑含量(即感光層中殘余的四氫呋喃和甲苯的含量)。表1和表2對結果進行了概括。

去除異物的容易度

在示例和比較示例中制備的感光體分別安裝到由兄弟工業株式會社(brotherindustries,ltd.)制造的圖像形成裝置“hl-2240d”上。在30℃和85％rh的環境下，使用各個圖像形成裝置將實心白色圖像打印到三張a4紙上。分別觀察打印到三張紙上的實心白色圖像是否發生圖像缺陷(即黑斑)，并使用光學顯微鏡在與圖像缺陷(即黑斑)的位置相對應的位置對感光體的表面進行觀察。在觀察感光體的表面的過程中，統計埋入感光體，即感光層的表面的異物的數量(下文稱為“埋入異物的數量”)。基于埋入異物的數量根據下列標準對各個感光體中存在的異物的去除容易度進行評價。表1和表2對結果進行了概括。

注意，在下列評價標準中，“埋入異物的數量”不僅指埋入感光體的表面的異物的數量，還指刺入感光體的表面的異物的數量。

評價標準

g1：埋入異物的數量≤2

g2：2＜埋入異物的數量≤4

g3：4＜埋入異物的數量≤6

g4：6＜埋入異物的數量

圖像密度

示例和比較示例中制備的感光體分別安裝到以上圖像形成裝置上。在30℃和85％rh的環境下，使用各個圖像形成裝置將密度為100％的實心白色圖像打印到三張a4紙上。使用由愛色麗公司(x-rite,inc.)制造的密度計“x-rite967”測量打印到三張紙上的實心白色圖像的密度。表1和表2對結果進行了概括。

評價標準

g1：cin1.4≤實心白色圖像的密度

g2：cin1.3≤實心白色圖像的密度＜cin1.4

g3：實心白色圖像的密度＜cin1.3

帶電性

示例和比較示例中制備的感光體分別安裝到由兄弟工業株式會社制造的圖像形成裝置“hl-2240d”(非接觸充電型)上。對圖像形成裝置進行改進，使得可以測量感光體的電勢。具體地說，將圖像形成裝置的顯影裝置替換成由特瑞克公司(trek,inc.)制造并設置成面對感光體的表面電勢測量探頭“型號555p-1”。探頭連接到由特瑞克公司制造的表面靜電計“trek334”上。

接著，在高溫、高濕(28℃，85％rh)環境下對充電裝置施加+600v的電壓以對感光體進行充電。測量感光體的表面電勢。在感光體的整個表面進行表面電勢的測量。以下，感光體的測量表面電勢被稱為“感光體表面電勢vh”。基于感光體表面電勢vh根據下列標準評價各個感光體的帶電性。表1和表2對結果進行了概括。

評價標準

g1：560v≤感光體表面電勢vh≤640v

g2：550v≤感光體表面電勢vh＜560v，或者640v＜感光體表面電勢vh≤650v

g3：感光體表面電勢vh＜550v，或者650v＜感光體表面電勢vh

以上結果證實在示例中制備的感光體使得感光體的表面存在的異物與在比較示例中制備的感光體相比更容易去除。此外，在示例中，保持高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力，即感光體本來要求的功能。

在示例1至5中制備的感光體，其具有含1.5重量％以上且2.3重量％以下作為電荷產生材料的特定酞菁顏料的感光層，與在示例7中制備的特定酞菁顏料的含量小于1.5重量％或者在示例6中制備的特定酞菁顏料的含量大于2.3重量％的感光體相比，具有更高的帶電性并且能夠形成密度更高的圖像。

在比較示例8中獲得的結果證實，在感光層含有氧鈦酞菁顏料，也就是說，除特定酞菁顏料以外的作為電荷產生材料的酞菁顏料的情況下，即使當感光層的馬氏硬度hm為170n/mm²以上且200n/mm²以下時，感光體也未能同時保持高帶電性以及形成高密度圖像的能力。

在比較示例2至5與比較示例7中獲得的結果證實，在感光層的馬氏硬度hm降至170n/mm²以下的情況下，即使當感光層含有一定量的作為電荷產生材料的特定酞菁顏料，感光體也未能同時保持高帶電性以及形成高密度圖像的能力。

以上結果證實，在以上示例中制備的感光體使得感光體的表面存在的異物容易去除并且保持了高帶電性以及形成高密度圖像的能力，該感光體具有馬氏硬度為170n/mm²以上且200n/mm²以下并且包含作為電荷產生材料的特定酞菁顏料的感光層。

下面詳細描述以上表1和表2中使用的縮寫詞。

電荷產生材料

·cg1：由以下結構式表示的電荷產生材料(即羥基鎵酞菁顏料)

·cg2：由以下結構式表示的電荷產生材料(即氯化鎵酞菁顏料)

·cg3：氧鈦酞菁顏料

電子傳輸材料

·et1a：由以下結構式表示的電子傳輸材料(即例示化合物et1-2)

·et2a：由以下結構式表示的電子傳輸材料(即3,3'-二叔丁基-5,5'-二甲基聯苯醌，例示化合物et2-3)

空穴傳輸材料

·ht1a：由以下結構式表示的空穴傳輸材料(即例示化合物ht1-4)

·ht2a：由以下結構式表示的空穴傳輸材料(即例示化合物ht2-3)

為了進行圖示和說明，以上對本發明的示例性實施例進行了描述。其目的并不在于全面詳盡地描述本發明或將本發明限定于所公開的具體形式。很顯然，對本技術領域的技術人員而言，可以做出許多修改以及變形。本實施例的選擇和描述，其目的在于以最佳方式解釋本發明的原理及其實際應用，從而使得本技術領域的其他熟練技術人員能夠理解本發明的各種實施例，并做出適合特定用途的各種變形。本發明的范圍由與本說明書一起提交的權利要求書及其等同物限定。