1.一種模式優化裝置,其特征在于,包括:
模式調控單元,用于濾除激光系統中的高階模;
第一匹配光纖,用于將模式調控單元與激光系統前項模場匹配;以及
第二匹配光纖,用于將模式調控單元與激光系統后項模場匹配。
2.根據權利要求1所述的模式優化裝置,其特征在于:所述模式調控單元包括八角形纖芯、圍繞在八角形纖芯外的低折射率摻氟包層,低折射率摻氟包層外包圍有高折射率摻鍺包層,高折射率摻鍺包層外包圍有純石英外包層,純石英外包層外包圍有涂覆層。
3.根據權利要求2所述的模式優化裝置,其特征在于:所述高折射率摻鍺包層的折射率與八角形纖芯折射率相同或更高;所述低折射率摻氟包層與純石英外包層的折射率相同或更低。
4.根據權利要求3所述的模式優化裝置,其特征在于:所述純石英外包層的直徑為d0≥125μm,折射率為n0;所述八角形纖芯等效直徑d1為10~30μm,折射率為n1,滿足2×10-4≤n1-n0≤2×10-3;低折射率摻氟包層寬t為1~12μm,折射率為n2,滿足n0≥n2;高折射率摻鍺包層的寬d2為2~8μm,折射率為n3,滿足n3≥n1。
5.根據權利要求1所述的模式優化裝置,其特征在于:所述模式調控單元包括纖芯,纖芯外圍繞有由六個變徑孔構成的第一包層,第一包層外包圍有由十二個均勻小孔構成的第二包層,兩包層中孔的孔周期相同且每一包層中的孔都排布呈正六邊形;所述纖芯、第一包層和第二包層之間填充有純石英基質材料,純石英基質材料外包圍有涂覆層。
6.根據權利要求5所述的模式優化裝置,其特征在于:純石英外包層的直徑為d0≥400μm,折射率為n0;第一包層和第二包層中的小孔由摻雜的石英材料構成且折射率都為nstick;第一包層孔周期為Λ,第二包層的孔周期與第一包層相等,也為Λ,且n0-nstick>0.003;第一包層中相鄰三個孔的直徑為d3,滿足關系d3/Λ≥0.6;第一包層中另外相鄰三個孔直徑為d4,滿足關系d4/Λ<0.6;第二包層中孔的直徑為d5,滿足關系d5/Λ≤0.5,且滿足d3>d4≥d5;纖芯直徑dcore≥為25μm,折射率為ncore=n0≥nstick。
7.根據權利要求1~6任一項所述的模式優化裝置,其特征在于:還包括水冷板,水冷板設有水冷通道,所述模式調控單元安裝于該水冷板上;所述水冷板包括進水口和出水口,進水口進入的冷卻液從水冷板的水冷通道流往出水口,流經水冷板時為模式優化裝置降溫。
8.根據權利要求7所述的模式優化裝置,其特征在于:所述進水口位于所述出水口的下方,且出水口流出的冷卻液經冷卻處理后再度回流至進水口。
9.根據權利要求8所述的模式優化裝置,其特征在于:還包括散熱片,所述模式調控單元安裝于所述散熱片上,所述散熱片四周裝有風扇。