1.一種硅陣列結構的太赫茲波偏振分束器，其特征在于包括基底層(1)、中央矩形硅波導(2)、左一長矩形硅波導(3)、左二長矩形硅波導(4)、左三長矩形硅波導(5)、中一短矩形硅波導(6)、中二短矩形硅波導(7)、中三短矩形硅波導(8)、下一長矩形硅波導(9)、下二長矩形硅波導(10)、右一長矩形硅波導(11)、倒L形硅波導(12)、右二長矩形硅波導(13)、L形硅波導(14)、信號輸入端(15)、第一信號輸出端(16)、第二信號輸出端(17)；基底層(1)左側中央設有中央矩形硅波導(2)，中央矩形硅波導(2)上部與左一長矩形硅波導(3)、左二長矩形硅波導(4)、左三長矩形硅波導(5)、中一短矩形硅波導(6)、中二短矩形硅波導(7)、中三短矩形硅波導(8)相連，中央矩形硅波導(2)下部與下一長矩形硅波導(9)、下二長矩形硅波導(10)相連，右一長矩形硅波導(11)的右端與倒L形硅波導(12)的左端相連，右二長矩形硅波導(13)的右端與L形硅波導(14)的左端相連；中央矩形硅波導(2)的左端設有信號輸入端(15)，倒L形硅波導(12)的右端設有第一信號輸出端(16)，L形硅波導(14)的右端設有第二信號輸出端(17)，信號從信號輸入端(15)輸入，第一信號輸出端(16)輸出TE波，第二信號輸出端(17)輸出TM波，獲得偏振分束性能。
2.根據權利要求1所述的一種硅陣列結構的太赫茲波偏振分束器，其特征在于所述的基底層(1)的材料為二氧化硅，折射率為1.5，其長度為22～24μm，寬度為16～18μm，厚度為9～10μm。
3.根據權利要求1所述的一種硅陣列結構的太赫茲波偏振分束器，其特征在于所述的中央矩形硅波導(2)的長度為16～18μm，寬度為1～1.5μm，厚度為0.4～0.5μm。
4.根據權利要求1所述的一種硅陣列結構的太赫茲波偏振分束器，其特征在于所述的左一長矩形硅波導(3)的左側與基底層(1)左側邊緣的距離為2～2.5μm；左一長矩形硅波導(3)與左二長矩形硅波導(4)之間、左二長矩形硅波導(4)與左三長矩形硅波導(5)之間的距離相等均為1～1.5μm，左一長矩形硅波導(3)與左三長矩形硅波導(5)的尺寸參數相同，長度均為6～6.5μm，寬度均為1～1.5μm，厚度均為0.4～0.5μm，左二長矩形硅波導(4)的長度為7～7.5μm，寬度為1～1.5μm，厚度為0.4～0.5μm。
5.根據權利要求1所述的一種硅陣列結構的太赫茲波偏振分束器，其特征在于所述的中一短矩形硅波導(6)與左三長矩形硅波導(5)之間、中一短矩形硅波導(6)與中二短矩形硅波導(7)之間、中二短矩形硅波導(7)與中三短矩形硅波導(8)之間的距離相等均為2～2.5μm，中一短矩形硅波導(6)與中三短矩形硅波導(8)的尺寸參數相同，長度和寬度均為2～2.5μm，厚度均為0.4～0.5μm，中二短矩形硅波導(7)的長度為2.5～3μm，寬度為2～2.5μm，厚度為0.4～0.5μm。
6.根據權利要求1所述的一種硅陣列結構的太赫茲波偏振分束器，其特征在于所述的下一長矩形硅波導(9)的左側與基底層(1)左側邊緣的距離為3～3.5μm，下一長矩形硅波導(9)與下二長矩形硅波導(10)之間的距離為1～1.5μm，下一長矩形硅波導(9)與下二長矩形硅波導(10)的尺寸參數相同，長度均為7～7.5μm，寬度均為1～1.5μm，厚度均為0.4～0.5μm。
7.根據權利要求1所述的一種硅陣列結構的太赫茲波偏振分束器，其特征在于所述的右一長矩形硅波導(11)與右二長矩形硅波導(13)位于中央矩形硅波導(2)兩側，右一長矩形硅波導(11)與中央矩形硅波導(2)之間的距離為3～3.5μm，右二長矩形硅波導(13)與中央矩形硅波導(2)之間的距離為0.4～0.5μm，右一長矩形硅波導(11)與右二長矩形硅波導(13)的尺寸參數相同，長度均為11～13μm，寬度均為1～1.5μm，厚度為0.4～0.5μm。
8.根據權利要求1所述的一種硅陣列結構的太赫茲波偏振分束器，其特征在于所述的倒L形硅波導(12)的底端與右一長矩形硅波導(11)的右端相連，倒L形硅波導(12)的總長度為5.5～6μm，總寬度為4.5～5μm，寬度為1～1.5μm，厚度為0.4～0.5μm。
9.根據權利要求1所述的一種硅陣列結構的太赫茲波偏振分束器，其特征在于所述的L形硅波導(14)的頂端與右二長矩形硅波導(13)的右端相連，L形硅波導(14)的總長度為8～9μm，總寬度為4.5～5μm，寬度為1～1.5μm，厚度為0.4～0.5μm。