1.一種用于EUV光刻的變形鏡，包括：
基底；
設置在所述基底上的第一電極層；
設置在所述第一電極層上的形變層，所述形變層包括PLZT膜；
設置在所述形變層上的第二電極層；
設置在所述第二電極層上的平滑層；
設置在所述平滑層上的EUV多層膜結構。
2.根據權利要求1所述的用于EUV光刻的變形鏡，其特征在于，所述基底上安裝有冷卻裝置。
3.根據權利要求1所述的用于EUV光刻的變形鏡，其特征在于，所述平滑層包括Si和/或Ni；所述平滑層的厚度為1μm-10μm。
4.根據權利要求1所述的用于EUV光刻的變形鏡，其特征在于，所述EUV多層膜包括Mo/Si多層膜。
5.根據權利要求4所述的用于EUV光刻的變形鏡，其特征在于，所述Mo/Si多層膜包括40-60個周期的Mo/Si膜，每個Mo/Si膜的周期厚度為6.9nm-7.1nm。
6.根據權利要求1所述的用于EUV光刻的變形鏡，其特征在于，所述EUV多層膜結構還包括保護層和/或防擴散層，所述保護層選自Ru、TiO2、RuO2中的一種或多種，所述防擴散層選自B4C和/或BN中的一種或多種。
7.根據權利要求1所述的用于EUV光刻的變形鏡，其特征在于，所述第一電極層和第二電極層分別包括金屬和/或金屬化合物，所述第一電極層和第二電極層的厚度分別為100nm-10μm。
8.根據權利要求1所述的用于EUV光刻的變形鏡，其特征在于，所述PLZT膜的極化方向垂直于EUV多層膜結構。
9.一種如權利要求1-8任一項的用于EUV光刻的變形鏡的制備方法，其特征在于，包括步驟：S1、在光學元件基底上沉積第一電極層；S2、在第一電極層上沉積形變層，所述形變層包括PLZT膜；S3、在形變層上沉積第二電極層；S4、在第二電極層上沉積平滑層；S5、在平滑層上沉積EUV多層膜結構。