技術總結
本發明提供了一種用于EUV光刻的變形鏡，包括：基底；所述基底上設置的第一電極層；設置在所述第一電極層上的形變層，所述形變層包括PLZT膜；設置在所述形變層上的第二電極層；設置在所述第二電極層上的平滑層；設置在所述平滑層上的EUV多層膜結構。本發明還提供了一種用于EUV光刻的變形鏡的制備方法。本發明提供的用于EUV光刻的變形鏡結構無電磁噪音干擾，非接觸，形變量大，可采用連續變化光場進行控制，易制作。

技術研發人員：王麗萍;謝耀;周烽;張海濤;金春水
受保護的技術使用者：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
文檔號碼：201611174460
技術研發日：2016.12.19
技術公布日：2017.05.10