技術特征：

技術總結
修整光致抗蝕劑圖案的方法包含：(a)提供半導體襯底；(b)在所述半導體襯底上形成光致抗蝕劑圖案，其中所述光致抗蝕劑圖案由包含以下的光致抗蝕劑組合物形成：包含酸不穩定基團的第一聚合物；和光酸產生劑；(c)在所述光致抗蝕劑圖案上涂布圖案修整組合物，其中所述圖案修整組合物包含第二聚合物和溶劑系統，其中所述溶劑系統包含以所述溶劑系統計組合量為50重量％或更多的一種或多種單醚溶劑；(d)將所述經涂布半導體襯底加熱，由此引起所述光致抗蝕劑圖案的表面區域在待施加的沖洗劑中的溶解度變化；以及(e)使所述光致抗蝕劑圖案與沖洗劑接觸以去除所述光致抗蝕劑圖案的所述表面區域，進而形成經修整光致抗蝕劑圖案。所述方法尤其適用于制造半導體裝置。

技術研發人員：K·羅威爾;劉驄;徐成柏;I·考爾;樸鐘根
受保護的技術使用者：羅門哈斯電子材料有限責任公司
技術研發日：2017.02.27
技術公布日：2017.09.15