1.一種大尺寸拼接產品的曝光方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：將光罩劃分為六個區(qū)域，分別為PIXEL1區(qū)、M1區(qū)、T1區(qū)、T2區(qū)、M2區(qū)和PIXEL2區(qū)，并且每個區(qū)域之間均有一條遮光帶；
S2：在晶圓上選擇出功能部分和非功能部分，所述功能部分為兩組對稱的完整功能單元拼接曝光而成，晶圓中除了功能部分剩余區(qū)域為非功能部分，所述非功能部分由非完整功能單元拼接曝光而成，所述非完整功能單元和完整功能單元尺寸相同；
S3：所述完整功能單元分為左右對稱的M個區(qū)域，選取光罩中的六個區(qū)域依次拼接曝光形成完整功能單元；
S4：按照S3的操作，將功能部分中兩組對稱的完整功能單元全部拼接曝光；
S5：所述非完整功能單元分為左右對稱的N個區(qū)域，N為大于4的偶數(shù)，選取光罩中的四個區(qū)域依次拼接曝光在所述非完整功能單元中最上方和最下方的4個區(qū)域，選取光罩中等于光刻機曝光尺寸的相鄰區(qū)域依次拼接曝光在剩余的N-4個區(qū)域；
S6：按照S5的操作，將晶圓中非功能部分中非完整功能單元全部拼接曝光。
2.根據權利要求1所述的一種大尺寸拼接產品的曝光方法，其特征在于，所述光罩中的M1區(qū)、T1區(qū)、T2區(qū)和M2區(qū)均放置套刻對準標記。
3.根據權利要求1所述的一種大尺寸拼接產品的曝光方法，其特征在于，所述步驟S3中M＝20時，選取光罩中T1區(qū)和M1區(qū)分別依次曝光在完整功能單元的左側上方和下方，選取光罩中T2區(qū)和M2區(qū)分別依次曝光在完整功能單元的右側上方和下方，在完整功能單元中T1區(qū)和M1區(qū)的中間依次曝光8次光罩中的PIXEL1區(qū)，在完整功能單元中T2區(qū)和M2區(qū)的中間依次曝光8次光罩中的PIXEL2區(qū)，形成左右各10個區(qū)域的完整功能單元。
4.根據權利要求1所述的一種大尺寸拼接產品的曝光方法，其特征在于，所述晶圓中功能部分含有6個完整功能單元，按照兩排三列的方式拼接，并且兩排完整功能單元之間留有間隙。
5.根據權利要求1所述的一種大尺寸拼接產品的曝光方法，其特征在于，所述晶圓中功能部分含有6個完整功能單元，按照三排兩列的方式拼接，并且兩列完整功能單元之間留有間隙。
6.根據權利要求1所述的一種大尺寸拼接產品的曝光方法，其特征在于，所述步驟S5中N＝8，選取光罩中T1區(qū)和M1區(qū)分別依次曝光在非完整功能單元的左側上方和下方，選取光罩中T2區(qū)和M2區(qū)分別依次曝光在非完整功能單元的右側上方和下方，選取光罩中等于光刻機曝光尺寸的相鄰區(qū)域依次拼接曝光在中間4個區(qū)域；其中左側中間相同的兩個區(qū)域記為A1區(qū)，右側中間相同的兩個區(qū)域記為A2區(qū)。
7.根據權利要求6所述的一種大尺寸拼接產品的曝光方法，其特征在于，所述A1區(qū)的曝光模板為光罩中按照從上到下的順序等于光刻機曝光尺寸的相鄰區(qū)域。
8.根據權利要求6所述的一種大尺寸拼接產品的曝光方法，其特征在于，所述A2區(qū)的曝光模板為光罩中按照從下到上的順序等于光刻機曝光尺寸的相鄰區(qū)域。
9.根據權利要求6所述的一種大尺寸拼接產品的曝光方法，其特征在于，所述水平方向上的A1區(qū)和A2區(qū)中遮光帶的位置錯開。