技術特征：

1.一種基于vo2的偏振調制器，其特征在于：包括金屬基底層、設置于金屬基底層頂端的si介質層以及周期設置于si介質層頂端的超表面單元，超表面單元為由vo2與金屬復合形成的手性結構；

2.根據權利要求1所述的基于vo2的偏振調制器，其特征在于：第一中間金屬框架和第二中間金屬框架的左右兩側均經連接金屬條與側部金屬條連接；

3.根據權利要求2所述的基于vo2的偏振調制器，其特征在于：超表面單元的基本周期p＝300um。

4.根據權利要求3所述的基于vo2的偏振調制器，其特征在于：側部金屬條的寬度a＝18μm；第一中間金屬框架和第二中間金屬框架均為正方形框架結構，且第一中間金屬框架和第二中間金屬框架的內邊長b＝70μm；vo2嵌入金屬層的厚度c＝2μm；側部金屬條距離超單元邊界的距離d＝30μm；連接金屬條的寬度與vo2的厚度相同，且連接金屬條的寬度e＝10μm；中間結構距離超表面單元邊界的距離f＝35μm；金屬凸起的長度g＝20μm。

5.如上述權利要求4所述的基于vo2的偏振調制器的偏振特性分析方法，其特征在于：包括以下步驟：

6.如上述權利要求4所述的基于vo2的偏振調制器的調制方法，其特征在于：包括以下步驟：在特定入射條件下入射至超表面單元，通過調控vo2的相變程度，改變其電導率，進而改變反射電場x分量和y分量的振幅比和相位差，從而調控偏振調制器的偏振狀態。

7.根據權利要求6所述的基于vo2的偏振調制器的調制方法，其特征在于：特定入射條件為：選用入射頻率為0.192thz，垂直入射的y方向偏振的線偏振光。

8.根據權利要求7所述的基于vo2的偏振調制器的調制方法，其特征在于：當vo2處于絕緣狀態，電導率為200s/m時，入射y方向線偏振波與調制輸出的x方向線偏振波之間的相位差為106.4°，y方向線偏振波與x方向線偏振波的轉換率為41.65％，偏振狀態為圓偏振；

技術總結
本發明公開了基于VO<subgt;2</subgt;的偏振調制器、偏振特性分析方法及調制方法，屬于光學器件領域，包括金屬基底層、Si介質層以及周期設置于Si介質層頂端的超表面單元，超表面單元為由VO<subgt;2</subgt;與金屬復合形成的手性結構；超表面單元包括由第一中間金屬框架和第二中間金屬框架組成的中間結構以及設置于中間結構兩側的側部金屬條，第一中間金屬框架和第二中間金屬框架的相背側的中間位置均鑲嵌有VO<subgt;2</subgt;，第一中間金屬框架和第二中間金屬框架的相對側的中間位置均連接有金屬凸起。采用上述基于VO<subgt;2</subgt;的偏振調制器、偏振特性分析方法及調制方法，實現了通過調整二氧化釩的電導率，使超表面能夠調節入射光的偏振狀態，實現動態可調諧的功能。

技術研發人員：李杰,周玲,羅莉,鄒雨欣,霍佳慧,楊旭,林展逸,趙哲,邊菁菁,楊嘉琪
受保護的技術使用者：成都信息工程大學
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24