專利名稱：一種刻蝕設備及其上部電極的制作方法
技術領域：
本發明涉及機械結構領域，具體涉及一種刻蝕設備及其上部電極。
背景技術：
干法刻蝕是通過等離子體與未被掩模層覆蓋的膜層材質反應來剝離、去除膜層材質的一種微加工方法。現有技術下的干法刻蝕設備采用的是如圖I所示的上部電極，電極孔分布非常規律，布滿整個上部電極。這種電極孔的分布方式沒有與所刻蝕膜層的材質相結合起來進行分布設置，并不適用與所述的刻蝕膜層材質，很容易造成刻蝕后的刻蝕率均一性過大，影響刻蝕的效果，其中整張玻璃基板的刻蝕率均一性=刻蝕率最大值-刻蝕率最小值/2 (刻蝕 率平均值)。

發明內容
本發明實施例提供了一種刻蝕設備及其上部電極，用以改善刻蝕后膜層的刻蝕率均一性。本發明實施例的主要技術方案是一種刻蝕設備的上部電極，所述上部電極上設有多個電極孔，所述上部電極至少由第一區域和第二區域組成，所述電極孔在所述第一區域的分布密度和所述電極孔在所述第二區域的分布密度不同。一種刻蝕設備，包括上述的上部電極。本發明實施例，根據所刻蝕膜層材質不同，改變上部電極上的電極孔的設置區域和電極孔間的間隔，從而實現了改善刻蝕均一性的目的。


圖I為本發明實施例提供的一種現有技術的上部電極結構示意圖；圖2為本發明實施例提供的一種采用現有技術的上部電極刻蝕后的刻蝕率分布示意圖；圖3為本發明實施例提供的一種本發明的上部電極結構示意圖；圖4為本發明實施例提供的一種本發明的上部電極結構示意圖；圖5為本發明實施例提供的一種本發明的上部電極結構示意圖；圖6為本發明實施例提供的一種本發明的上部電極結構示意圖；圖7為本發明實施例提供的一種本發明上部電極的電極孔分布示意圖。
具體實施例方式本發明實施例提供了一種刻蝕設備及其上部電極，用以改善刻蝕后膜層的刻蝕率均一性。
本發明實施例提供的一種刻蝕設備的上部電極，所述上部電極上設有多個電極孔，通過所述電極孔用以輸送刻蝕所需的氣體，所述上部電極至少由第一區域和第二區域組成，所述電極孔在所述第一區域的分布密度和所述電極孔在所述第二區域的分布密度不同。在實際工作中，需要根據刻蝕的不同的膜層材質決定第一區域和第二區域的分布區域和其上電極孔分布密度，在一些情況下，所述第一區域和所述第二區域的電極孔分布密度可以為零。可以通過反復試驗進行多次調整，目的是通過改變上部電極上的電極孔的設置區域和電極孔間的間隔，改變刻蝕過程中，所用刻蝕氣體的密度，進而減小率刻蝕均一性。所述多個電極孔在所述第一區域優選呈矩陣分布，便于加工生產。以下提供幾個本發明的具體實施例，對本發明的技術方案進行說明實施例一本實施例中選取的刻蝕膜層材質為，S i Nx (氮化硅)，使用的氣體是O2 (氧氣)，SF6 (六氟化硫)，申請人首先采用現有技術下的布滿電極孔且電極孔間距相等的上部 電極對SiNx進行刻蝕，得出的刻蝕率均一性為36%左右，如圖2所示，圖中淺色的部分處刻蝕率過大造成了刻蝕率均一性不佳的問題，根據圖2的刻蝕率分布圖，申請人將對應的上部電極采用本發明中圖3所示的上部電極，將刻蝕率過高的區域不設置電極孔，以降低這部分區域的刻蝕率，經過實驗后，得出的刻蝕率均一性大約為24%，刻蝕率均一性降低了一半左右，達到了改善刻蝕率均一性的目的。所述上部電極的形狀和大小可以根據需要設置，一般為長方形，所述第一區域和第二區域的形狀和大小也可根據需要進行設置，如圖3所示，可以為不規則圖形。為了實施方便一般設置為正方形或長方形，所述上部電極一般可米用尺寸為1007*1087. 5mm的長方形上部電極，以下提供幾種本發明上部電極采取尺寸為1007mm*1087. 5mm時的實施例如圖4所示，所述第一區域設置在所述上部電極中部，所述第二區域為電極孔分布密度為零的空白區域，設在所述第一區域的外圍。本圖4中為4個空白區域，設置在所述上部電極的四個邊角部位，所述空白區域的邊長可以為a=b=250mnT300mm。進一步地，在上述情況下，根據需要，所述上部電極的中部除了設置第一區域外，也可設有所述空白區域，本發明提供一種實施例，如圖5所示，在所述第一區域的中心部位設置了空白區域。其中，本圖5中所述空白區域的邊長可以設置為c=250mnT300mm，d=400mm^600mmo如圖6所示，在一些情況下，所述第一區域設在所述上部電極的中心部位，其它區域全部為空白區域就可以達到很好的處理結果。在本圖6中，所述第一區域的邊長可以為e=f = 400mnT500mmo為了充分支持本發明方案，申請人還對以下膜層材質進行了實驗實施例二，選取的刻蝕膜層材質為PR膠(光刻膠)，使用氣體02，SF6，采用如圖4所述的上部電極,刻蝕率均一性降低約5%。實施例三，選取的刻蝕膜層材質為Mo (鑰)，使用氣體02，3 6，(12(氯氣)，采用如圖5所述的上部電極,刻蝕率均一性降低約15%。實施例四，選取的刻蝕膜層材質為Si (娃)，使用氣體C12, SF6,米用如圖6所述的上部電極，刻蝕率均一性降低約5%。
更佳地，為了便于實施，所述若干電極孔在所述第一區域呈矩陣分布。更佳地，為了便于設置，所述電極孔在可所述第一區域分布密度均勻，相鄰電極孔之間的距離相等。例如孔間距可為5mnT20mm。由于改變相鄰電極孔的間距有助于刻蝕率均一性的降低，所述電極孔可在所述第ニ區域分布密度不均，每相鄰兩行電極孔之間的行距不等、每相鄰兩列電極孔之間的列距不等。根據需要，如圖7所示，也可以采取所述第一區域設在所述上部電極的中部，所述第ニ區域設在所述第一區域的外圍，例如第一區域的孔間距固定，可為5mnT20mm，第二區域的孔間距逐漸擴大，可為10mnT40mm。所述電極孔可以為圓形孔或方形孔，也可以根據需要設置為其它形狀的電極孔，在選用所述圓形孔時，所述圓形孔的直徑可以為0. 3mnTlmm。本發明還提供ー種刻蝕設備，包括上述任一技術方案所述的上部電極，能夠明顯 改善膜層材質的刻蝕率均一性。顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求
1.一種刻蝕設備的上部電極，所述上部電極上設有多個電極孔，其特征在于，所述上部電極至少由第一區域和第二區域組成，所述電極孔在所述第一區域的分布密度和所述電極孔在所述第二區域的分布密度不同。
2.如權利要求I所述的ー種刻蝕設備的上部電極，其特征在于，所述多個電極孔在所述第一區域呈矩陣分布。
3.如權利要求I所述的ー種刻蝕設備的上部電極，其特征在于，所述電極孔在所述第一區域分布密度均勻，相鄰電極孔之間的距離相等。
4.如權利要求I所述的ー種刻蝕設備的上部電極，其特征在于，所述電極孔在所述第ニ區域分布密度不均，每相鄰兩行電極孔之間的行距不等、每相鄰兩列電極孔之間的列距不等。
5.如權利要求1-4任一所述的ー種刻蝕設備的上部電極,其特征在于,所述第一區域設在所述上部電極的中部，所述第二區域設在所述第一區域的外國。
6.如權利要求5所述的ー種刻蝕設備的上部電極，其特征在于，所述第二區域為電極孔分布密度為零的空白區域。
7.如權利要求5所述的ー種刻蝕設備的上部電極，其特征在于，所述上部電極的中部也設有所述空白區域。
8.如權利要求1-4任一所述的ー種刻蝕設備的上部電極，其特征在于，所述上部電極整體為長方形。
9.如權利要求1-4任一所述的ー種刻蝕設備的上部電極，其特征在于，所述電極孔為圓形孔或方形孔。
10.ー種刻蝕設備，其特征在于，包括所述權利要求1-9中任ー權利要求所述的上部電扱。
全文摘要
本發明公開了一種刻蝕設備及其上部電極，涉及機械結構領域，所述上部電極上設有多個電極孔，所述上部電極至少由第一區域和第二區域組成，所述電極孔在所述第一區域的分布密度和所述電極孔在所述第二區域的分布密度不同。本發明根據所刻蝕膜層材質的不同，改變上部電極上的電極孔的設置區域和電極孔間的間隔，從而實現了改善刻蝕率均一性的目的。
文檔編號H01J37/32GK102797012SQ20121026564
公開日2012年11月28日 申請日期2012年7月27日 優先權日2012年7月27日
發明者蔣冬華, 李炳天, 傅永義, 趙吾陽 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司