專利名稱：Ito銀漿激光刻蝕方法
技術領域：
本發明涉及一種激光刻蝕電子產品的方法，特別是涉及ITO銀漿激光刻蝕方法。
背景技術：
用于刻蝕顯示觸摸屏ITO薄膜、玻璃基底或PET基底的銀漿激光刻蝕設備多采用二維振鏡頭和F- θ透鏡組組合，二維振鏡頭安裝在機架、升降機構或二維運動平臺上， F-θ透鏡組安裝在二維振鏡頭下部，被刻蝕的ITO薄膜或銀漿薄膜放置在F-θ透鏡下方的工作臺上，二維振鏡頭的振動電機偏轉使激光光束運動，再經F- θ透鏡組聚焦的焦點軌跡為激光刻蝕的軌跡，也就是所要刻蝕的圖形。對于單獨的ITO薄膜或單獨的銀漿薄膜，只要單獨地對ITO薄膜或單獨地對銀漿薄膜進行刻蝕就可以完成加工。專利號為200710077447. 9的一種ITO薄膜激光蝕刻設備及蝕刻方法，包括機架、 工控機、顯示系統、激光發生器、切割頭、吸附盤、X軸運動系統、Y軸運動系統和Z軸運動系統，所述工控機、激光發生器、顯示系統和Z軸運動系統都安裝在機架上，所述切割頭安裝在Z軸運動系統上，所述吸附盤固定在X軸運動系統上，位于Y軸運動系統的上方，所述X 軸運動系統安裝在Y軸運動系統上，并交叉呈十字狀，Y軸運動系統固定安裝在機架上。該蝕刻方法包括預設激光蝕刻圖形；將被蝕刻產品放置在激光蝕刻設備的工作臺上，并進行定位；根據所述預設的激光蝕刻圖形控制激光蝕刻設備對被蝕刻產品進行蝕刻。專利號為201110128579.6的用于刻蝕電子產品上銀漿的裝置及其方法，高頻率短脈沖激光器的輸出端布置有光間，光間的輸出端設置有擴束鏡，擴束鏡的輸出端依次布置有1/2波片和格蘭棱鏡，格蘭棱鏡的輸出端布置有45度全反射鏡，45度全反射鏡的輸出端依次布置有振鏡和掃描場鏡，掃描場鏡正對于四軸吸附平臺，四軸吸附平臺上安裝有同軸吹吸氣集塵系統，四軸吸附平臺對角位置分別安裝有CCD對位觀察系統。采用高頻率紅外脈沖激光器作為激光源，通過對角線CCD抓靶加工材料的靶標位置，確定加工圖形與平臺上的樣品位置一一對應，對不同觸摸屏產品中不可視區域銀漿或者銅薄膜或鉬鋁鉬層進行蝕刻，使不可視區域的薄膜材料在高頻率短脈沖紅外激光器作用下氣化而達到蝕除目的。所述的高頻率短脈沖激光器波長1000 1100歷、脈寬100ps 50ns、頻率IOkHz 200kHz。專利號為200710077447. 9的一種ITO薄膜激光蝕刻設備及蝕刻方法，提供了 ITO 薄膜的刻蝕方法；專利號為201110U8579. 6的用于刻蝕電子產品上銀漿的裝置及其方法， 提供了銀漿刻蝕的方法。然而，現在很多電子產品的基底上，特別的顯示觸摸屏的基底上，既有ITO薄膜， 同時又有銀漿，ITO薄膜和銀漿都要進行刻蝕，專利號為200710077447. 9的一種ITO薄膜激光蝕刻設備及蝕刻方法和專利號為201110U8579. 6的用于刻蝕電子產品上銀漿的裝置及其方法無法完成ITO薄膜和銀漿的同時加工。而目前采用先在一種設備上加工銀漿或ITO薄膜，再在另一種設備上加工ITO薄膜或銀漿，這種不但費時費力，設備投資大，而且要兩次定位加工，圖形定位困難，成品率低。

發明內容
本發明的目的是提供一種ITO銀漿激光刻蝕方法，此ITO銀漿激光刻蝕方法能一次完成ITO薄膜和銀漿的刻蝕，生產率高，成品率高，設備投資小。為了達到上述目的，本發明的ITO銀漿激光刻蝕方法，其特征在于
①、將ITO銀漿工件正面朝上放置在激光刻蝕機的工作平臺上并定位；
②、調整激光刻蝕機的工作平臺或激光刻蝕機激光頭高度，使激光刻蝕機的激光焦點落在ITO銀漿工件正面平面上；
③、將要刻蝕的ITO圖形和銀漿圖形分別輸入或導入激光刻蝕軟件，并作為兩個圖層；
④、分別對ITO圖形圖層和銀漿圖形圖層設置激光參數和運動參數，ITO圖形圖層的激光功率2W 6W，激光脈沖頻率為30kHz l IOkHz，激光刻蝕線速度為500mm/iTl500mm/S，刻蝕重復次數為1次；銀漿圖形圖層的激光功率2W飛W，激光脈沖頻率為40HZ SOHz，激光刻蝕線速度為500mm/iTl500mm/S，刻蝕重復次數為2次、次；
⑤、啟動激光刻蝕機，對ITO銀漿工件的ITO圖形圖層和銀漿圖形圖層進行刻蝕。所述的ITO銀漿激光刻蝕方法，其特征在于激光刻蝕機的激光波長為1064nm、 F- θ透鏡組的焦距在15(T300mm之間、激光器的額定輸出功率為5W 20W。所述的ITO銀漿激光刻蝕方法，其特征在于激光刻蝕機的工作平臺為一吸附平臺，吸附平臺的內部為空腔，上面表設置多個與空腔連通的小孔，吸附平臺的側面或下部開有與空腔相連通的通孔，其中，至少有一個通孔與真空裝置或抽風裝置連接，真空裝置或抽風裝置工作時把ITO銀漿工件吸附于吸附平臺，使工作平臺平展于吸附平臺，保證刻蝕質量。因為本發明的ITO銀漿激光刻蝕方法是在同一臺激光刻蝕機上一次定位完成ITO 圖形和銀漿圖形的刻蝕，所以生產率高，設備投資小，一次定位也避免了 ITO圖形和銀漿圖形兩次定位產生的誤差，成品率高。本發明的ITO銀漿激光刻蝕方法能一次完成ITO薄膜和銀漿的刻蝕，生產率高，成品率高，設備投資小。


圖1是本發明的流程示意圖。
具體實施例方式參見圖1，本發明ITO銀漿激光刻蝕方法的實施例采用下面步驟對某生產手機顯示觸摸屏進行加工，手機顯示觸摸屏的ITO薄膜刻蝕后的軌跡作為手機顯示傳導線路， 刻蝕后的銀漿線路作為與顯示傳導線路的連接線路和焊接點。激光刻蝕機的激光波長為 1064nm、F-e透鏡組的焦距在185mm、激光器的額定輸出功率為10W。①、將手機顯示觸摸屏正面朝上放置在激光刻蝕機的工作平臺上并定位；
②、調整激光刻蝕機的工作平臺或激光刻蝕機激光頭高度，使激光刻蝕機的激光焦點落在手機顯示觸摸屏正面平面上；
③、將要刻蝕的ITO圖形和銀漿圖形分別導入激光刻蝕軟件，并作為兩個圖層；
④、分別對ITO圖形圖層和銀漿圖形圖層設置激光參數和運動參數，ITO圖形圖層的激光功率4W，激光脈沖頻率為70kHz，激光刻蝕線速度為1000mm/S，刻蝕重復次數為1次；銀漿圖形圖層的激光功率4W，激光脈沖頻率為60HZ，激光刻蝕線速度為1000mm/S，刻蝕重復次數為2次；
⑤、啟動激光刻蝕機，對手機顯示觸摸屏的ITO圖形圖層和銀漿圖形圖層進行刻蝕。采用本發明ITO銀漿激光刻蝕方法生產的手機顯示觸摸屏成品率在95%以上，生產率高。而此前此生產廠家采用的ITO圖形圖層用激光刻蝕，銀漿采用印刷，不但生產率低，成品率也只有80%左右，生產工序復雜，生產成本高。本發明的ITO銀漿激光刻蝕方法能一次完成ITO薄膜和銀漿的刻蝕，生產率高，成品率高，設備投資小，它的推廣應用，對提高ITO銀漿的刻蝕生產率、提高刻蝕質量和降低生產成本有著積極的意義，特別適合既有ITO膜，又有銀漿的電子產品的刻蝕加工。
權利要求
1.ITO銀漿激光刻蝕方法，其特征在于①、將ITO銀漿工件正面朝上放置在激光刻蝕機的工作平臺上并定位；②、調整激光刻蝕機的工作平臺或激光刻蝕機激光頭高度，使激光刻蝕機的激光焦點落在ITO銀漿工件正面平面上；③、將要刻蝕的ITO圖形和銀漿圖形分別輸入或導入激光刻蝕軟件，并作為兩個圖層；④、分別對ITO圖形圖層和銀漿圖形圖層設置激光參數和運動參數，ITO圖形圖層的激光功率2W 6W，激光脈沖頻率為30kHz l IOkHz，激光刻蝕線速度為500mm/iTl500mm/S，刻蝕重復次數為1次；銀漿圖形圖層的激光功率2W飛W，激光脈沖頻率為40HZ SOHz，激光刻蝕線速度為500mm/iTl500mm/S，刻蝕重復次數為2次、次；⑤、啟動激光刻蝕機，對ITO銀漿工件的ITO圖形圖層和銀漿圖形圖層進行刻蝕。
2.根據權利要求1所述的ITO銀漿激光刻蝕方法，其特征在于激光刻蝕機的激光波長為1064nm、F-e透鏡組的焦距在15(T300mm之間、激光器的額定輸出功率為5W 20W。
3.根據權利要求1所述的ITO銀漿激光刻蝕方法，其特征在于激光刻蝕機的工作平臺為一吸附平臺，吸附平臺的內部為空腔，上面表設置多個與空腔連通的小孔，吸附平臺的側面或下部開有與空腔相連通的通孔，其中，至少有一個通孔與真空裝置或抽風裝置連接。
全文摘要
本發明提供一種ITO銀漿激光刻蝕方法，其特征在于①、將ITO銀漿工件正面朝上放置在激光刻蝕機的工作平臺上并定位；②、調整激光刻蝕機的工作平臺或激光刻蝕機激光頭高度，使激光刻蝕機的激光焦點落在ITO銀漿工件正面平面上；③、將要刻蝕的ITO圖形和銀漿圖形分別輸入或導入激光刻蝕軟件，并作為兩個圖層；④、分別對ITO圖形圖層和銀漿圖形圖層設置激光參數和運動參數；⑤、啟動激光刻蝕機，對ITO銀漿工件的ITO圖形圖層和銀漿圖形圖層進行刻蝕。本發明的ITO銀漿激光刻蝕方法能一次完成ITO薄膜和銀漿的刻蝕，生產率高，成品率高，設備投資小。
文檔編號B23K26/40GK102528296SQ20121000267
公開日2012年7月4日 申請日期2012年1月6日 優先權日2012年1月6日
發明者曹紅兵, 袁聰, 賴旭員, 辛天才, 鄒金國, 陳剛 申請人:武漢吉事達激光技術有限公司