專利名稱：在聚碳酸酯/聚甲基丙烯酸甲酯復合板上的減反射膜及制備方法
技術領域：
本發明涉及一種在聚碳酸酯/聚甲基丙烯酸甲酯(以下簡稱MR58PC/PMMA)復合板上的減 反射(AR)膜及制備方法，它屬于真空鍍膜的技術領域。
背景技術：
現有手機視窗等平板顯示器的AR減反射屏大都是在玻璃或PMMA表面上來鍍減反射膜 層的。由于玻璃存在著易碎和碎后對人體產生傷害等問題，所以手機視窗和手機照相機保 護屏上使用具有AR減反射膜的MR58PC/PMMA復合板材有著很大的優勢。盡管MR58PC/PMMA 復合板材存在著放氣嚴重的問題，在該復合板材上真空AR減反射膜的制備方法還存在著 種種難點，因此，如何解決MR58PC/PMMA復合板材材料放氣以及有機物污染的影響，尋求 一種簡單有效的在MR58PC/PMMA復合板材上面制備AR減反射膜的方法，就是業界研究和 改進的方向。
發明內容
本發明的目的在于提供一種工藝簡單，加工成本低，鍍膜質量好的MR58PC/PMMA復合
板材
本發明的目的是這樣實現的
本發明的MR58PC/P固A復合板3上的減反射膜，其中，減反射膜由二層組成，從靠基 材開始依次是第一層氟化鎂l,第二層三氧化二鋁2。
在MR58PC/P薩A復合板上的減反射膜， 一層厚度為80-120nm的氟化鎂薄膜；第二層 厚度為35-45nm的三氧化二鋁薄膜。
本發明的在MR58PC/P畫A復合板上的減反射膜的制備方法，步驟如下
1) 將MR58PC/P麗A復合板材進行真空除濕狀態下烘烤，真空度為1 X 10—2 Torr-l X 10—3 Torr， 溫度60-70度，連續持續時間1-3小時；
2) 將烘烤后的MR58PC/PMMA復合板材裝入電子槍真空鍍膜機內，進行高真空抽氣，同時 工作溫度為-120'C至-165'C的深冷低溫機輔助抽氣，將殘留在片材表面的水分和材料出氣 徹底清除；
3) 當真空度低于3Xl(Ttorr時，無陰極離子源打開，對材料表面進行清潔處理和表面活 化，時間為60s-120s之間；
4) 打開加熱器加熱，使真空室內溫度保持在60-80。C;
5) 關閉離子源后繼續抽高真空，當到達低于3X10—5torr時，先打開坩堝電子槍中的氟化 鎂坩堝加熱至蒸發溫度，蒸發出來的氟化鎂沉積在基材表面，當氟化鎂的沉積厚度達到設定值時；坩堝電子槍中的三氧化二鋁坩堝加熱，三氧化二鋁的沉積厚度達到設定值時關閉 電子槍，每一層沉積的同時應該打開離子源進行輔助；
6)在離子源對材料進行表面活化清洗時應該使用氧氣，流量范圍是15-30sccm;在 鍍膜時進行離子輔助時氧氣流量為10-20sccm;電子槍蒸發過程中通氧氣，流量為 10-15sccm。
7)如有需要,可以在完成上述鍍膜后，基片架可以在真空狀態下自動翻轉，重復上述 3)-6)的鍍膜工藝，完成雙面鍍減反膜。
本發明通過鍍膜前對MR58PC/PMMA板材的處理和合理的氣體流量以及低于-120'C深 冷低溫機的使用，成功地解決了板材放氣以及材料表面的氧化物對膜層的影響。實施發明 的在MR58PC/PMMA復合板材AR減反射膜的制備方法，不僅可以在手機視窗上使用，還可 以在數碼相機鏡頭保護屏和各類便攜式信息產品的液晶顯示器保護屏上使用；其有益效果 在于，通過本發明提供的工藝對MR58PC/P醒A復合板材進行AR減反射鍍膜，可以得到單 面反射率在1.5 %以下的良好減反射效果，既可以單面鍍減反膜，也可以雙面鍍減反膜，使 液晶顯示器的圖像更清晰，尤其在室外場所效果更好。
圖1:本發明在MR58PC/PMMA復合板上的單面減反射膜示意圖。 圖2:本發明在MR58PC/PMMA復合板上的雙面減反射膜示意圖。
具體實施例方式
下面結合實例對本發明進行進一步的說明 實例l
將MR58PC/P醒A復合板材進行真空除濕烘烤，真空度l(T2Torr，條件是70度2小時。 烘烤后將板材裝入設備規定的基片架上，撕去表面的保護膜，并進行靜電除塵。接下來將 工件裝入真空室內，先進行高真空抽氣，抽氣的同時將除水汽的低于-12(TC度深冷低溫機 打開，這樣可以將片材上面的水分徹底清除。同時打開加熱器加熱，使真空室內溫度保持 在7(TC度。當真空度到達5X10—5torr時，無陰極離子源打開，對材料表面進行清潔處理 和表面活化，氧氣流量為10sccm,時間設定為30s。然后關閉離子源后繼續抽高真空，當 到達2X10—5torr時，打開電子槍加熱坩堝內的氟化鎂(MgF2)，在基材表面沉積一層厚度 為80nm的氟化鎂薄膜;第二層為三氧化二鋁(A1203)薄膜，厚度為35nm每一層沉積的同 時應該打開離子源進行輔助，離子源通入氧氣8sccm,電子槍通入氧氣5sccm。鍍膜結束后 將真空室放氣，取出產品，經測定在MR58PC/P醒A復合板材單面鍍膜后，其透過率可以達 到93%以上(單面反射率小于1.5%)。結果表明鍍膜前的預烘烤，合理的氣體流量以及 低于-12(TC度深冷低溫機的使用對MR58PC/P醒A復合材料的減反射鍍膜工藝是非常有效 的。
實例2 '
4將MR58PC/P麗A復合板材進行真空除濕烘烤，條件是真空度8X10—3Torr，溫度60°C 度1小時。烘烤后將板材裝入設備規定的基片架上，撕去表面的保護膜，并進行靜電除塵。 接下來將工件裝入真空室內，先進行高真空抽氣，抽氣的同時將除水汽的低于-135i:度深 冷低溫機打開，這樣可以將片材上面的水分徹底清除。同時打開加熱器加熱，使真空室內 溫度保持在60度。當真空度到達5X10—5torr時，無陰極離子源打開，對材料表面進行清 潔處理和表面活化，氧氣流量為15sccm,時間設定為60s。然后關閉離子源后繼續抽高真 空，當到達2X10—5torr時，打開電子槍加熱坩堝內的氟化鎂(MgF2)，在基材表面沉積一 層厚度為llOnm的氟化鎂薄膜;第二層為三氧化二鋁(A1203)薄膜，厚度為38rnn每一層 沉積的同時應該打開離子源進行輔助，離子源通入氧氣14sccm，電子槍通入氧氣8sccm。 鍍膜結束后將真空室放氣，取出產品，經測定在MR58PC/PMMA復合板材單面鍍膜后，其透 過率可以達到93%以上(單面反射率小于1.5%)。。結果表明鍍膜前的預烘烤，合理的氣 體流量以及低于-135。C度深冷低溫機的使用對MR58PC/PMMA復合材料的減反射鍍膜工藝是 非常有效的。
實例3
將MR58PC/PMMA復合板材進行真空除濕烘烤，條件是真空度1X10—3Torr, 65度1. 5 小時。烘烤后將板材裝入設備規定的基片架上，撕去表面的保護膜，并進行靜電除塵。接 下來將工件裝入真空室內，先進行高真空抽氣，抽氣的同時將除水汽的低于-13(TC度深冷 低溫機打開，這樣可以將片材上面的水分徹底清除。同時打開加熱器加熱，使真空室內溫 度保持在7(TC度。當真空度到達1.5X10—5torr時，無陰極離子源打開，對材料表面進行 清潔處理和表面活化，氧氣流量為30sccm,時間設定為120s。然后關閉離子源后繼續抽 高真空，當到達2X10—5torr時，打開電子槍加熱坩堝內的氟化鎂(MgF2)，在基材表面沉 積一層厚度為100nm的氟化鎂薄膜;第二層為三氧化二鋁(A1203)薄膜，厚度為42nm，每 一層沉積的同時應該打開離子源進行輔助，離子源通入氧氣15sccm,電子槍通入氧氣 10sccm。在鍍完一面之后，在真空狀態下自動反轉到另外一面，同樣的參數重復上述鍍膜 過程。鍍膜結束后將真空室放氣，取出產品，經測定在MR58PC/PMMA復合板材雙面鍍膜后， 其透過率可以達到95%以上(單面反射率小于1.5%)。。結果表明鍍膜前的預烘烤，合理 的氣體流量以及低于-13(TC度深冷低溫機的使用對MR58PC/PMMA復合材料的減反射鍍膜工 藝是非常有效的。
實例4
將MR58PC/PMMA復合板材進行真空除濕烘烤，條件是真空度6X10—3Torr， 65。C度2 小時。烘烤后將板材裝入設備規定的基片架上，撕去表面的保護膜，并進行靜電除塵。接 下來將工件裝入真空室內，先進行高真空抽氣，抽氣的同時將除水汽的低于-165'C度深冷 低溫機打開，這樣可以將片材上面的水分徹底清除。同時打開加熱器加熱，使真空室內溫 度保持在75。C度。當真空度到達5X10—5torr時，無陰極離子源打開，對材料表面進行清 潔處理和表面活化，氧氣流量為25sccm，時間設定為120s。然后關閉離子源后繼續抽高真 空，當到達3X10—5torr時，打開電子槍加熱坩堝內的氟化鎂(MgF2)，在基材表面沉積一
5層厚度為90咖的氟化鎂薄膜;第二層為三氧化二鋁(A1203)薄膜，厚度為45nm;每一層 沉積的同時應該打開離子源進行輔助，離子源通入氧氣18sccm，電子槍通入氧氣13sccm。 在鍍完一面之后，在真空狀態下自動反轉到另外一面，同樣的參數重復上述鍍膜過程。鍍 膜結束后將真空室放氣，取出產品，經測定在MR58PC/PMMA復合板材雙面鍍膜后，其透過 率可以達到95%以上(單面反射率小于1.5%)。結果表明鍍膜前的預烘烤，合理的氣體 流量以及低于-12(TC度深冷低溫機的使用對MR58PC/PMMA復合材料的減反射鍍膜工藝是非 常有效的。
本發明提出的在聚碳酸酯/聚甲基丙烯酸甲酯復合板上的減反射膜及制備方法，已通 過現場較佳實施例子進行了描述，相關技術人員明顯能在不脫離本發明內容、精神和范圍 內對本文所述的結構和制備方法進行改動或適當變更與組合，來實現本發明技術。特別需 要指出的是，所有相類似的替換和改動對本領域技術人員來說是顯而易見的，他們都被視 為包括在本發明精神、范圍和內容中。
權利要求
1. 在聚碳酸酯/聚甲基丙烯酸甲酯復合板上的減反射膜，其特征是，減反射膜由二層組成，從靠基材開始依次是氟化鎂/三氧化二鋁。
2.如權利要求1所述的在聚碳酸酯/聚甲基丙烯酸甲酯復合板上的減反射膜，其特征是一層厚度為80-120nm的MgF2薄膜；第二層厚度為35-45nm的三氧化二鋁薄 膜。
3. 權利要求1的在MR58PC/PMMA復合板上的減反射膜的制備方法，其特征是步驟 如下1 )將MR58PC/P薩A復合板材進行真空除濕狀態下烘烤，真空度為1X10—2 Torr-l X10—3 Torr，溫度60-70°C，連續持續時間1_3小時；2) 將烘烤后的MR58PC/PMMA復合板材裝入電子槍真空鍍膜機內，進行高真空抽 氣，同時工作溫度為-120'C至-165'C的深冷低溫機輔助抽氣，將殘留在片材表面 的水分和材料出氣徹底清除；3) 當真空度低于3X10—5torr時，無陰極離子源打開，對材料表面進行清潔處 理和表面活化，時間為60s-120s之間；4) 打開加熱器加熱，使真空室內溫度保持在60-80°C;5) 關閉離子源后繼續抽高真空，當到達低于3X10—5torr時，先打開坩堝電子 槍中的氟化鎂坩堝加熱至蒸發溫度，蒸發出來的氟化鎂沉積在基材表面，當氟化 鎂的沉積厚度達到設定值時，坩堝電子槍中的三氧化二鋁坩堝加熱,三氧化二鋁 的沉積厚度達到設定值時關閉電子槍，每一層沉積的同時應該打開離子源進行輔 助；6) 在離子源對材料進行表面活化清洗時應該使用氧氣，流量范圍是15-30sccm; 在鍍膜時進行離子輔助時氧氣流量為10-20sccm;電子槍蒸發過程中通氧氣，流 量為10-15sccm。
4. 如權利要求3的方法，其特征是在完成步驟6)鍍膜后，基片架在真空狀態下 自動翻轉，重復步驟3)-6)的鍍膜工藝，完成雙面鍍減反膜。
全文摘要
本發明涉及一種在聚碳酸酯/聚甲基丙烯酸甲酯復合板上的減反射膜及制備方法，減反射膜由二層組成，從靠基材開始依次是第一層氟化鎂，第二層三氧化二鋁。將MR58PC/PMMA復合板材在真空除濕狀態下烘烤，將烘烤后的MR58PC/PMMA復合板材裝入電子槍真空鍍膜機內，根據要求的條件依次對基材表面鍍膜；通過鍍膜前對MR58PC/PMMA復合材料的處理和合理的氣體流量以及低于-120℃度深冷低溫機的使用，成功地解決了板材放氣以及材料表面的氧化物對膜層的影響。本發明得到單面反射率在1.5％以下的良好減反射效果，既可以單面鍍減反膜，也可以雙面鍍減反膜，使液晶顯示器，照相機和攝像機的圖像更清晰，本發明還可以使用在數碼相機鏡頭保護屏和各類便攜式信息產品的液晶顯示器保護屏上。
文檔編號C23C14/08GK101508191SQ20091006830
公開日2009年8月19日 申請日期2009年3月30日 優先權日2009年3月30日
發明者勵 沈, 石富銀, 遲曉暉 申請人:天津美泰真空技術有限公司