專利名稱：一種類金剛石鍍膜玻璃及其制備方法
技術領域：
本發明涉及鍍膜玻璃技術領域，尤其涉及一種類金剛石鍍膜玻璃及其制備方法。

背景技術：
目前，鍍膜玻璃由于其優良的性能已經在各個領域得到了廣泛的應用，然而，其在運輸和儲藏的過程中，基片膜層容易劃傷、磨損，并且，其銀層容易氧化，另外，鍍膜玻璃在進行各種冷加工和熱處理，如切片、磨邊，夾層等處理后，物理化學性能容易發生改變，針對此問題，目前國內大部分玻璃深加工企業使用PE有機貼膜保護基片膜層，它可以起到一定的保護效果。然而，使用基片時，需人工揭膜，該保護膜不能重復利用且不易降解，批量使用會造成大量的固體廢物，而這對環境造成了嚴重的負面影響。
因此，找到一種合適的環保材料替代PE有機保護膜對于本領域而言已經勢在必行。


發明內容
本發明的目的在于提供一種類金剛石鍍膜玻璃及其制備方法，以克服現有PE有機保護膜需人工揭膜，不易降解而造成大量的固體廢物的缺陷。
為實現上述目的，本發明提出一種類金剛石鍍膜玻璃，包括玻璃基片；功能膜層，鍍制于玻璃基片表面；以及類金剛石膜層，鍍制于功能膜層表面。
其中，該功能膜層為可鋼化低輻射膜層、不可鋼化的低輻射膜層或陽光控制膜層。
其中，較佳地，該功能薄膜最外層的物質為Si3N4、Ti3N4、TiO2、SnO2、SiO2、ZnO或SnZnO3。
其中，該功能膜層最外層的厚度較佳為10～120nm。
其中，該類金剛石膜層的材料較佳為C或CN4。
其中，該類金剛石膜層的厚度較佳為5～40nm，更佳為10～30nm，最佳為15～20nm。
而且，為實現上述目的，本發明提出一種類金剛石鍍膜玻璃的制備方法，包括以下步驟 步驟1提供一玻璃基片； 步驟2在玻璃基片表面沉積功能膜層； 步驟3在該功能膜層表面沉積一類金剛石膜層。
其中，該步驟2及步驟3中的沉積方式為磁控濺射沉積。
較佳地，該磁控濺射沉積在真空級數為10-610-3mbar級的工作氣氛下，在氬氣氣體氣氛中，在氬氣流量為1200sccm的條件下以及在8KW的濺射功率下進行。
其中，該功能膜層為可鋼化低輻射膜層、不可鋼化的低輻射膜層或陽光控制膜層。
較佳地，該功能薄膜最外層的物質為Si3N4、Ti3N4、TiO2、SnO2、SiO2、ZnO或SnZnO3。
其中，該功能膜層最外層的沉積厚度為10～120nm。
其中，該類金剛石膜層的材料較佳為C或CN4。
其中，該類金剛石膜層的沉積的厚度較佳為5～40nm。
其中，于步驟2中，沉積該功能膜層或者該功能薄膜的最外層所使用的靶材較佳為Si，SiAl，Ti，Zn，Sn，ZnAl，ZnSn，該功能膜層的內層可以包括TiO2層、NiCr層、Ag層、Cu層、SiO2層、ZnO層、SnZnO3層等常規的膜層材料。
其中，于步驟3中，沉積該類金剛石膜層的靶材較佳為石墨。
本發明所提供的類金剛石鍍膜玻璃及其制備方法，由于類金剛石薄膜具有高硬度且抗氧化性強，該膜層可避免PE有機貼膜的一系列問題，該薄膜對基片膜層起到很好的保護效果，在運輸和儲藏的過程中，可以防止基片膜層劃傷、延緩銀層氧化速度。并且，本發明采用磁控濺射方式制備，鍍制膜層具有硬度高、膜面外觀均勻等優點，并且與功能膜層之間附著力好，同時，鍍制該膜層的基片仍可進行各種冷加工和熱處理，如切片、磨邊，夾層、合中空玻璃等。另外，該薄膜可通過鋼化、半鋼化或彎鋼化等熱處理方式去除，去除后基片恢復原有膜層結構及性能。



圖1為本發明類金剛石鍍膜玻璃的簡單結構示意圖； 圖2為本發明實施例1的類金剛石鍍膜玻璃的結構示意圖； 圖3為本發明實施例2的類金剛石鍍膜玻璃的結構示意圖； 圖4為本發明實施例3的類金剛石鍍膜玻璃的結構示意圖； 圖5為本發明實施例4的類金剛石鍍膜玻璃的結構示意圖； 圖6為本發明類金剛石鍍膜玻璃制備方法的流程示意圖。
其中，附圖標記 100玻璃基片 200功能膜層 300類金剛石膜層 0玻璃基片 1功能膜層 2Si3N4層 3、6、9、12類金剛石膜層 4功能膜層5SiO2層 7功能膜層8TiO2層 10功能膜層 11SnZnO3層
具體實施例方式 本發明闡述了一種鍍膜玻璃的保護方法，即在鍍膜玻璃的外表面鍍制一層類金剛石薄膜，類金剛石(diamond-like carbon，簡稱DLC)薄膜的碳原子鍵主要以sp2和sp3兩種雜化方式存在，石墨是無定形碳中含sp3鍵的亞穩態結構，它的光學透過率、硬度、折射率與金剛石十分接近，其化學惰性和抗腐蝕能力用于基片的最外層，可以起到防潮和防化學試劑腐蝕的作用。此外，該薄膜具有較低的成膜溫度、原子光滑表面以及較大的硬度，因此，類金剛石薄膜易于均勻而大面積濺射沉積，鍍制成膜后具有較高的穩定性，可滿足工業化生產。鍍膜玻璃的外表面鍍制一層類金剛石薄膜后，在耐磨性、防劃傷、延緩氧化時間等方面保護原有膜層結構。并且該膜層可通過厚度的調節，控制顏色值變化，使玻璃整體外觀顏色不受影響。膜層鍍制后，在運輸過程中可省去玻璃之間的保護措施，如珍珠棉、瓦楞紙等。
基于上述，本發明提供了一種類金剛石鍍膜玻璃，圖1為本發明類金剛石鍍膜玻璃的簡單結構示意圖，如圖1所示，包括玻璃基片100；功能膜層200，鍍制于玻璃基片表面；以及類金剛石膜層300，鍍制于功能膜層表面。
其中，該功能膜層200為可鋼化低輻射膜層、不可鋼化的低輻射膜層或陽光控制膜層。
較佳地，該功能薄膜最外層的物質為Si3N4、Ti3N4、TiO2、SnO2、SiO2、ZnO或SnZnO3。并且，最佳為最外層物質為Si3N4，因為其鋼化后，類金剛石層即可以去除，其表面沒有任何的顏色差異，也沒有膜層之間的相互侵入，并且Si3N4層與C層之間的附著力較強。
較佳地，該功能膜層最外層的厚度為10～120nm。
其中，該類金剛石膜層300鍍制于鍍膜玻璃的最外層，該膜層材料為C或CN4，且更優選為C。
其中，該類金剛石膜層300優選厚度為5-40nm，更優選厚度為10-30nm，最優選厚度為15-20nm。
其中，該CN4膜層優選厚度為5-40nm，更優選厚度為10-30nm，最優選厚度為15-20nm。
本發明在鍍膜玻璃的外表面鍍制一層類金剛石薄膜，在耐磨性、防劃傷、延緩氧化時間等方面保護原有膜層結構，其可以通過鍍類金剛石層以及未鍍金剛石層的鍍膜玻璃經鹽霧、研磨、室外暴露等方式所測試的數據進行比較說明。
下表中可以顯示鍍石墨層通過Abraser研磨機研磨前后的透過值變化，其中 1為未鍍制類金剛石膜層普通可鋼化低輻射鍍膜玻璃； 2為鍍制類金剛石膜層的可鋼化低輻射鍍膜玻璃。
表1 研磨前后數值比較 從表1中我們可以看出，無論是50轉還是200轉，鍍制類金剛石膜層都遠遠低于未鍍類金剛石膜層的可鋼化低輻射鍍膜玻璃。
表2為鍍制不同厚度μ的類金剛石膜層，比較其耐磨性，其中 1μ＝35nm 2μ＝20nm 3μ＝15nm 4μ＝6nm 表2 不同厚度的耐磨性能比較 從表2中，我們可以看出，并不是膜層越厚，其耐磨性就越好。樣片1中，類金剛石膜層厚度為35nm時，其耐磨性在200轉的時候就表現的相對較差，當類金剛石膜層厚度為15～20nm時，其效果反而可以達到比較好的效果。因此類金剛石膜層要想達到最佳效果，并且綜合考慮材料利用率，厚度最優選為15～20nm。
下表是鹽霧試驗記錄，進一步驗證類金剛石膜層在抗氧化能力方面的效果。
表3 不同厚度的類金剛石膜氧化時間 從表3中也可以看出，具有類金剛石膜層的基片，其抗氧化能力明顯增強。另外，對于具有類金剛石膜層的玻璃基片而言，并不是類金剛石膜層越厚，其抗氧化性能效果最好，而厚度為15nm～20nm的類金剛石薄膜，在抗氧化性能方面達到了最佳的效果。
上述三個表格，可以得出，類金剛石膜層厚度最優選15-20nm。
另外，本發明提供了該類金剛石鍍膜玻璃的制備方法，圖6為本發明類金剛石鍍膜玻璃制備方法的流程示意圖，如圖6所示，該方法包括以下步驟 步驟1提供玻璃基片； 步驟2在玻璃基片表面沉積功能膜層； 步驟3在該功能膜層表面沉積一類金剛石膜層。
其中，該步驟2及步驟3中，對于沉積工藝和沉積工藝的工藝參數沒有具體的限制，其中，能夠沉積各膜層的多種已知的沉積方法都可以選用，例如，化學氣相沉積及陰極電弧蒸鍍方式沉積等，在本發明中實施例以磁控濺射方法沉積所有膜層。同時，對于可形成本發明的包括磁控濺射在內的多種已知的沉積方法，本領域技術人員是完全有能力根據目標膜層的組成和厚度選擇合適的沉積工藝參數。其中工藝參數包括例如磁控濺射中可能涉及到的濺射氣氛、濺射真空度、靶材材質、濺射功率以及濺射時間等。因此，在本說明書中給出的有關沉積工藝及其參數的選擇均為示例性的，并不構成對本發明的限制。
并且，本發明所優選的磁控濺射沉積方式，該磁控濺射沉積在真空級數為10-6～10-3mbar級的工作氣氛下，在氬氣氣體氣氛中，在氬氣流量為1200sccm的條件下以及在8KW的濺射功率下進行。
其中，步驟2中，該膜層可為可鋼化的低輻射鍍膜玻璃膜層、不可鋼化的低輻射鍍膜玻璃膜層或陽光控制鍍膜玻璃膜層。
其中，該功能膜層為單層時，其膜層物質較佳為Si3N4、Ti3N4、TiO2、SnO2、SiO2、ZnO或SnZnO3；該功能膜層為多層時，其內層可以包括TiO2層、NiCr層、Ag層、Cu層、SiO2層、ZnO層、SnZnO3層等常規的膜層材料，其最外層的物質較佳為Si3N4、Ti3N4、TiO2、SnO2、SiO2、ZnO或SnZnO3，最佳為Si3N4。并且，于步驟2的磁控濺射沉積過程中，沉積該功能膜層或者該功能薄膜最外層所使用的靶材為Si，SiAl，Ti，Zn，Sn，ZnAl，ZnSn，并且，該功能膜層最外層的沉積厚度較佳為10～120nm。
其中，該類金剛石膜層的材料為C或CN4，于步驟3中，磁控濺射沉積該類金剛石膜層的靶材為純度為99.99％的石墨靶材，濺射得到C或CN4膜層，作為鍍膜玻璃的最外層，具有防劃傷、疏油、防水等特點，在后續加工中，膜層結構可得到很好的保護。并且，沉積該類金剛石膜層的沉積的厚度較佳為5～40nm，更佳為10-30nm，最佳為15-20nm。
本發明所提供的類金剛石保護膜層，可以通過650度以上的熱處理去除，更優選為670度以上，最優選為690度以上。經過熱處理后，類金剛石膜層可以揮發去除，基片恢復原有膜層結構及性能。該特點可用于可鋼化低輻射鍍膜玻璃及可鋼化陽光控制鍍膜玻璃膜層的保護。
另外，該膜層也可以應用在不可熱處理的低輻射鍍膜玻璃玻璃中，提高磨蹭結構的耐磨性，防止劃傷，延緩銀層氧化時間。
本發明的由類金剛石層做最外層保護的鍍膜玻璃，其基片可以是任何鍍膜玻璃玻璃，例如單銀、雙銀以及三銀玻璃，可鋼化或不可鋼化的低輻射鍍膜玻璃，也可以是陽光控制型鍍膜玻璃，換句話講，該基片可以直接為上述各種鍍膜玻璃，并在該鍍膜玻璃表面直接鍍制類金剛石薄膜，以制備該類金剛石鍍膜玻璃。即，類金剛石薄膜的制備方法，包括步驟 1、提供玻璃基片。該基片可以為低輻射鍍膜玻璃、陽光控制鍍膜玻璃以及相關的各種鍍膜玻璃； 2、在該基片上，沉積一層類金剛石薄膜。
其中，本發明的一個優選方式是鍍膜玻璃玻璃的最外層為Si3N4，Ti3N4，TiO2，SnO2，SiO2，ZnO等物質，一個最優選方式是其原鍍膜玻璃玻璃的最外層是Si3N4。因為其鋼化后，類金剛石層即可以去除，其表面沒有任何的顏色差異，也沒有膜層之間的相互侵入，并且Si3N4層與C層之間的附著力較強。
下面以磁控濺射方式為例說明制備類金剛石薄膜的方法。
首先，提供玻璃基片，并可選的對玻璃基片進行拋光和清洗，拋光和清洗的具體方式是為本領域技術人員所熟知的，這里不作具體說明。
其次，將玻璃基片裝入磁控濺射室，準備磁控濺射室，磁控濺射室的本底真空度優選為10-6-10-5mbar級的工作氣氛。
然后，在玻璃基片上濺射所需要的功能膜層，包括可鋼化與不可鋼化的低輻射膜層與陽光控制膜層，其中該膜層最外層物質的靶材優選為Si，SiAl，Ti，Zn，Sn，ZnAl，ZnSn，更優選為Si。
最后，在該功能膜層上鍍制類金剛石薄膜，沉積該膜層所使用的靶材優選為石墨，其純度為99.99％。
對于該類金剛石薄膜，可滿足如下加工要求，在經過如下的加工處理后，其各項性能保持不變 1)濺射沉積類金剛石膜層后的基片可以滿足機械或人工切割，粗磨或精磨等加工，其玻璃光學性能基本不變，并且表面無任何劃傷膜層侵蝕等缺陷，其保護效果不受影響。
2)濺射沉積類金剛石膜層后的基片可以滿足膜面朝向輥道行走，其玻璃光學性能基本不變，并且表面無任何劃傷、輥道印等痕跡，仍具備膜面保護性能。
3)濺射沉積類金剛石膜層后的基片可以滿足鋼化、半鋼化及彎鋼化等熱加工，此時類金剛石薄膜經過熱處理后自行揮發，基片原有膜層結構不變，原來的物理化學性能保持不變，可進行各種后續加工，如夾層，中空等。
在本發明的一個實施方式中，類金剛石薄膜可在普通鍍膜玻璃上使用，并在切片、磨邊等工藝后膜層狀況良好，光學性能和熱學性能基本保持不變。
在本發明中，鍍膜玻璃的光學性能均為美國Hunter Lab公司生產的ColorQuest XE光學儀器測定，顏色參數為按國際慣例對色度空間的定義。對于本發明中類金剛石膜層厚度的測定使用的儀器為中科院半導體所臺階測試儀。
下面將通過具體的實施例來說明本發明的膜面保護玻璃，需要說明的是，雖然在實施例中的膜層厚度和光學參數為一數值范圍，但是本領域技術人員能夠理解，該范圍僅僅是由于膜層不可避免的不均勻性和誤差而產生的。
實施例1 本發明采用常規真空磁控濺射設備制備，在通入工藝氣體后的真空級數保證為10-3mbar級的工作氣氛的條件下，使用新鮮的(生產日期不超過兩個月)建筑級浮法原片鍍制。
如圖2，在玻璃基片0上鍍制多層功能膜層1，該功能膜層的內層可以包括TiO2層、NiCr層、Ag層、Cu層、SiO2層、ZnO層、SnZnO3層等常規的膜層材料，并在外層2鍍制Si3N4，形成Si3N4層，其濺射厚度可為10-120nm。
類金剛石膜層3在Si3N4層的外面，使用石墨靶材，在氬氣氣體氣氛中，在氬氣流量為1200sccm的條件下，在8KW的濺射功率下，濺射厚度為15-20nm的氧化物層C。
鍍制類金剛石薄膜后，基片的耐磨性及抗氧化性能明顯提高。
表4 沉積C層顏色值的變化 表5 沉積C層研磨前后透過變化
表6 鍍C層前后鹽霧氧化時間 表7 鋼化前后顏色值比較 實施例2 本發明采用常規真空磁控濺射設備制備，在通入工藝氣體后的真空級數保證為10-3mbar級的工作氣氛的條件下，使用新鮮的(生產日期不超過兩個月)建筑級浮法原片鍍制。
如圖3，在玻璃基片0上，鍍制一層或者多層功能膜層4，包括SnO2層、SiO2層、TiO2層，在外層5鍍制SiO2層，其濺射厚度可為20-110nm。
最外層保護膜層，即類金剛石膜層6在SiO2層的外面，使用石墨靶材，在氬氣氣體氣氛中，在氬氣流量為1200sccm的條件下，在8KW的濺射功率下，濺射厚度為15-20nm的氧化物層C。鍍制類金剛石薄膜后，基片的耐磨性及抗氧化性能明顯提高。
表8 沉積C層前后顏色值的變化 表9 沉積C層研磨前后透過變化
表10 鍍C層前后鹽霧氧化時間 表11 鋼化前后顏色值比較 實施例3 本發明采用常規真空磁控濺射設備制備，在通入工藝氣體后的真空級數保證為10-3mbar級的工作氣氛的條件下，使用新鮮的(生產日期不超過兩個月)建筑級浮法原片鍍制。
如圖4，在玻璃基片0上，鍍制一層或者多層功能膜層7，包括Cr層、SnZnO3層，其玻璃功能膜層的外層8是TiO2層，其濺射厚度可為10-100nm。
最外層保護膜層，即類金剛石膜層9在TiO2層的外面，使用石墨靶材，在氬氣氣體氣氛中，在氬氣流量為1200sccm的條件下，在8KW的濺射功率下，濺射厚度為15-20nm的氧化物層C。
鍍制類金剛石薄膜后，基片的耐磨性及抗氧化性能明顯提高。
表12 沉積C層前后顏色值的變化 表13 沉積C層研磨前后透過變化
表14 鍍C層前后鹽霧氧化時間 實施例4 本發明采用常規真空磁控濺射設備制備，在通入工藝氣體后的真空級數保證為10-3mbar級的工作氣氛的條件下，使用新鮮的(生產日期不超過兩個月)建筑級浮法原片鍍制。
如圖5，在玻璃基片0上，鍍制一層或者多層功能膜層10，包括SnZnO3層、NiCr層、Ag層，其玻璃功能膜層外層鍍制SnZnO3，形成SnZnO3層11，其濺射厚度可為10-120nm。
最外層保護膜層，即類金剛石膜層12在SnZnO3層的外面，使用石墨靶材，在氬氣氣體氣氛中，在氬氣流量為1200sccm的條件下，在8KW的濺射功率下，濺射厚度為15-20nm的氧化物層C。
鍍制類金剛石薄膜后，基片的耐磨性及抗氧化性能明顯提高。
表15 沉積C層前后顏色值的變化 表16 沉積C層研磨前后透過變化
表17 鍍C層前后鹽霧氧化時間 表18 鋼化前后顏色值比較 本發明的效果 本發明所提供的類金剛石鍍膜玻璃及其制備方法，該類金剛石薄膜鍍制在基片最外層，由于類金剛石薄膜具有高硬度且抗氧化性強，該薄膜對于低輻射鍍膜玻璃以及陽光控制型鍍膜玻璃等基片膜層起到很好的保護效果，具體表現在該類金剛石薄膜可提高基片的耐磨性，延緩氧化時間，在運輸和儲藏的過程中，可以防止基片膜層劃傷、延緩銀層氧化速度。并且，鍍制該膜層的基片仍可進行各種冷加工和熱處理，如切片、磨邊，夾層、合中空玻璃等，不影響基片原有的物化性能。另外，該薄膜可通過鋼化、半鋼化或彎鋼化等熱處理方式揮發去除，去除后基片恢復原有膜層結構及性能。與常規的PE有機貼膜保護方式比較，該膜層具有良好的環保性，在鍍膜玻璃行業中有著廣泛的應用前景。
當然，本發明還可有其他多種實施例，在不背離本發明精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本發明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發明所附的權利要求的保護范圍。
權利要求
1、一種類金剛石鍍膜玻璃，其特征在于，包括
玻璃基片；
功能膜層，鍍制于玻璃基片表面；以及
類金剛石膜層，鍍制于功能膜層表面。
2、根據權利要求1所述的類金剛石鍍膜玻璃，其特征在于，該功能膜層為可鋼化低輻射膜層、不可鋼化的低輻射膜層或陽光控制膜層。
3、根據權利要求1或2所述的類金剛石鍍膜玻璃，其特征在于，該功能膜層或者該功能薄膜最外層的物質為Si3N4、Ti3N4、TiO2、SnO2、SiO2、ZnO或SnZnO3。
4、根據權利要求3所述的類金剛石鍍膜玻璃，其特征在于，該功能膜層最外層的厚度為10～120nm。
5、根據權利要求1所述的類金剛石鍍膜玻璃，其特征在于，該類金剛石膜層的材料為C或CN4。
6、根據權利要求5所述的類金剛石鍍膜玻璃，其特征在于，該類金剛石膜層的厚度為5～40nm。
7、根據權利要求6所述的類金剛石鍍膜玻璃，其特征在于，該類金剛石膜層的厚度為10～30nm。
8、根據權利要求7所述的類金剛石鍍膜玻璃，其特征在于，該類金剛石膜層的厚度為15～20nm。
9、一種類金剛石鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，包括以下步驟
步驟1提供一玻璃基片；
步驟2在玻璃基片表面沉積功能膜層；
步驟3在該功能膜層表面沉積一類金剛石膜層。
10、根據權利要求9所述的類金剛石鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，該步驟2及步驟3中的沉積方式為磁控濺射沉積。
11、根據權利要求10所述的類金剛石鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，該磁控濺射沉積在真空級數為10-6～10-3mbar級的工作氣氛下，在氬氣氣體氣氛中，在氬氣流量為1200sccm的條件下以及在8KW的濺射功率下進行。
12、根據權利要求9所述的類金剛石鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，該功能膜層為可鋼化低輻射膜層、不可鋼化的低輻射膜層或陽光控制膜層。
13、根據權利要求9至12中任意一項所述的類金剛石鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，該功能膜層或者該功能薄膜最外層的物質為Si3N4、Ti3N4、TiO2、SnO2、SiO2、ZnO或SnZnO3。
14、根據權利要求13所述的類金剛石鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，該功能膜層最外層的沉積厚度為10～120nm。
15、根據權利要求9所述的類金剛石鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，該類金剛石膜層的材料為C或CN4。
16、根據權利要求15所述的類金剛石鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，該類金剛石膜層的沉積的厚度為5～40nm。
17、根據權利要求13所述的類金剛石鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，于步驟2中，沉積該功能膜層或者該功能薄膜最外層所使用的靶材為Si，SiAl，Ti，Zn，Sn，ZnAl，ZnSn。
18、根據權利要求15所述的類金剛石鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，于步驟3中，沉積該類金剛石膜層的靶材為石墨。
全文摘要
本發明公開了一種類金剛石鍍膜玻璃及其制備方法，該類金剛石鍍膜玻璃包括玻璃基片；功能膜層，鍍制于玻璃基片表面；以及類金剛石膜層，鍍制于功能膜層表面，該功能膜層為可鋼化低輻射膜層、不可鋼化的低輻射膜層或陽光控制膜層，其中，該功能薄膜最外層的物質為Si3N4、Ti3N4、TiO2、SnO2、SiO2、ZnO或SnZnO3。通過本發明鍍制出的類金剛石薄膜具有較高的穩定性、耐磨性以及耐氧化性，在玻璃運輸、儲藏的過程中起到防止劃傷、延緩氧化的作用，并且，該類金剛石膜層與功能膜層之間附著力好，并且其不與其它膜層相互侵蝕、反應，經過熱處理工藝可揮發。
文檔編號C23C14/35GK101602273SQ200910089738
公開日2009年12月16日 申請日期2009年7月22日 優先權日2009年7月22日
發明者爍 王, 徐伯永, 宇 宋, 彬 李, 陳可明, 鵬 李 申請人:天津南玻節能玻璃有限公司, 天津南玻工程玻璃有限公司