專利名稱：以水槍輔助執行化學機械拋光處理程序的方法及其系統的制作方法
技術領域：
本發明是關于一種以化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)處理 一工件的方法與系統。因此，本發明涉及化學與材料科學的領域。
背景技術：
許多工業使用如化學機械拋光(CMP)裝置等研磨工具來對某些工件進行拋光。詳 細而言，電腦制造工業重度依賴CMP處理程序來拋光晶圓、陶瓷、硅、玻璃、石英、半導體以 及金屬。此種拋光處理程序通常是令以例如聚氨酯等耐用有機材質制造的拋光墊進行旋轉 并且研磨晶圓。該拋光墊搭配使用一化學漿料，該化學漿料包含有能夠破壞晶圓材質的化 學特性，并且具有能物理性侵蝕晶圓表面的多個研磨粒子。持續在旋轉的CMP拋光墊上添 加前述漿料，兼具化學與機械雙重力施加于晶圓上以令晶圓被拋光為所想要的型態。對于能達到拋光品質的一項極為重要的因素是研磨顆粒在拋光墊上的分布狀態。 拋光墊頂面通過纖維或是小孔洞來固定研磨顆粒，這些纖維或是小孔洞提供充足的摩擦力 來避免研磨顆粒因為拋光墊旋轉時產生的離心力而被拋離。因此，保持拋光墊頂面盡可能 具有彈性、保持纖維盡可能呈垂直狀態，并且盡可能確保有充足的開放孔洞來容納新添入 的研磨顆粒，是非常重要的。其中一個關于保持拋光墊表面的問題在于拋光時由工件、研磨漿和修整碟等處 產生的碎屑碎屑修整器的碎屑堆積。這些堆積的碎屑造成拋光墊頂面的「釉化」或是「硬 化」，使纖維糾結傾倒，并使得拋光墊表面越來越無法固定漿料上的研磨顆粒。此效應嚴重 減少拋光墊的整體拋光效能。此外，拋光墊上用來固定漿料的孔洞逐漸的堵塞住，且拋光墊 拋光表面的整體粗糙度被削弱且變的糾結。可使用一 CMP拋光墊修整器，通過「結合」或 是「切割」拋光墊表面來使拋光墊表面復原。此修復方法即為俗稱對CMP拋光墊進「修整 (dressing)」或是「修整(conditioning)」的方法。可使用許多類型的裝置與處理程序來 達到前述的修整目的。其中一種此類裝置即是具有諸如多個鉆石顆粒等超研磨結晶顆粒的 碟盤，前述超研磨結晶顆粒是附加在碟盤的一金屬基質表面上。

發明內容
因此，本發明提供自一種方法與系統，該方法與系統是在CMP拋光墊處理程序中， 自一 CMP拋光墊上移除污染物或是碎屑。在一方面，舉例而言，本發明提供一種在CMP處理 程序中自一 CMP拋光墊表面上移除碎屑的方法。此一方法可包含旋轉一具有一拋光表面 的CMP拋光墊，；以及將一 CMP拋光墊修整器壓向該CMP拋光墊的拋光表面，其中該CMP拋光 墊具有耦合于CMP拋光墊上的多個超研磨顆粒，且所述多個超研磨顆粒被定向朝向該CMP拋光墊。該方法可進一步包含噴灑一具有充足力量的液體噴射注(Jet)到該CMP拋光墊 的拋光表面上來驅除該CMP拋光墊的拋光表面上的碎屑。可使用各種液體來驅除拋光墊拋光表面上的碎屑。在一方面，舉例而言，該液體可 為水。應了解的是，亦可使用任何相容于該CMP處理程序的液體。此外，該一體可包含一物 質來增進驅除碎屑的處理程序。在一方面，舉例而言，該液體可包含研磨顆粒。此外，該液體噴射注可在CMP拋光墊相對CMP拋光墊修整器具有各種配置或是方 向的狀態下，來噴灑在該CMP拋光墊上。在一方面，舉例而言，該噴射的液體可噴灑在相鄰 于該CMP拋光墊修整器的CMP拋光墊的拋光面積的一區域上。可考慮CMP拋光墊與CMP拋光 墊修整器的各種相鄰配置方式，包括CMP拋光墊相鄰CMP拋光墊修整器的前邊緣(Leading Edge)，相鄰CMP拋光墊修整器的后邊緣(Trailing Edge)，相鄰CMP拋光墊修整器的側邊緣 (Side edge)。此外，在某些方面，該CMP修整器可具有一開口以供液體噴射注噴射穿過該 開口而噴灑接觸該CMP拋光墊。舉例而言，該CMP拋光墊修整器可為一環狀元件而在該環 狀元件上貫穿形成有一中心開口區域，該中心開放區域可供液體噴射注穿過。可使用各種方法提供該液體噴射注。在某些方面，該液體噴射注可為連續噴灑在 CMP拋光墊表面上。在另一方面，該液體噴射注可依據一脈沖圖形(Pulse Pattern)進行間 歇性噴灑。本發明亦提供執行CMP處理程序的系統。此一系統可包含一 CMP拋光墊，其耦合 到一支撐表面上，該支撐表面可運作轉動該CMP拋光墊，其中該CMP拋光墊具有一相對該支 撐表面的拋光表面；以及一 CMP拋光墊修整器，其上耦合有多個超研磨顆粒，且所述多個超 研磨顆粒被定向朝向該CMP拋光墊。該CMP拋光墊修整器是被定向垂直(Orthogonally) 于該支撐表面的狀態，且可運作于將所述多個超研磨顆粒壓迫進入該CMP拋光墊中。該系 統可進一步包含一液體噴射系統，該系統定位且可運作于噴灑一具有充足力量的液體到該 CMP拋光墊的拋光表面上以驅除該拋光表面上的碎屑。本發明另外提供一種在CMP處理程序之后移除一 CMP拋光墊表面上的碎屑的方 法。此一方法可包含使用一 CMP拋光墊修整器修整一 CMP拋光墊的一拋光表面，并且噴灑 一具有充足力量的液體噴射注到該CMP拋光墊的拋光表面上以驅除該CMP拋光墊的拋光表 面上的碎屑。在此先以較寬廣方式描述勾勒本發明各項特征，以使讀者能更了解之后本發明的 詳細描述。本發明其余特征將通過下列的本發明詳細說明與所附的申請專利范圍，或者通 過實施本發明來更為清楚地呈現。


圖1是本發明一實施例執行CMP處理程序的系統的剖視圖。圖2是本發明一實施例關于一 CMP拋光墊修整器的液體噴灑圖形示意圖。圖3是本發明一實施例關于一 CMP拋光墊修整器的液體噴灑圖形示意圖。圖4是本發明一實施例關于一 CMP拋光墊修整器的液體噴灑圖形示意圖。圖5是本發明一實施例關于一 CMP拋光墊修整器的液體噴灑圖形示意圖。圖6是本發明一實施例關于一 CMP拋光墊修整器的液體噴灑圖形示意圖。圖7是本發明一實施例關于一 CMP拋光墊修整器的液體噴灑圖形示意圖。
具體實施例方式定義在描述與請求本發明時，會根據下列提出的定義來使用下列專門用語。除非文章中特定指出其他涵義，說明書以及附加的申請專利范圍中所使用的冠詞 「一」及「該」是包含了多個的用法。因此，舉例而言，「一顆粒」包含了一個或更多這樣的顆 粒，「一噴射注」包含了一個或更多這樣的噴射注。文中所使用的「大致上」一詞是指一作用、特征、性質、狀態、結構、物品或結果之完 全或近乎完全的范圍或是程度。舉例而言，一物體「大致上」被包覆，其意指被完全地包覆， 或者被幾乎完全地包覆。其確切可與絕對完全相比所允許之偏差程度，系可在某些例子中 取決于說明書特定內文。然而，一般而言，接近完全時所得到的結果將如同在絕對且徹底完 全時得到的全部結果一般。當「大致上」被使用于描述完全或近乎完全地缺乏一作用、特征、 性質、狀態、結構、物品或結果時，該使用方式亦是如前述方式而同等地應用的。舉例而言， 一「大致上不包含」顆粒的組成物，是可完全缺乏顆粒，或是近乎完全缺乏顆粒而到達如同 其完全缺乏顆粒的程度。換言之，只要一「大致上不包含」原料或元素的復合物所受到的影 響是無法被量測的，該復合物實際上仍可包含這些原料或是元素。文中所使用的「大約」一詞是指給予一數值范圍之端點彈性，所給予的數值可高于 該端點少許或是低于該端點少許。文中所使用的多個物品、結構元件、組成元件以及/或材料，可以一般列表方式呈 現以利方便性。然而，該等列表應被解釋為該列表的各成員系被獨立的視為分離且獨特的 成員。因此，基于此列表的成員出現在同一群組中而沒有其他反面的指示，此列表中的各成 員均不應被解釋為與同列表中的任何其他成員相同。濃度、數量以及其他數值資料可以一范圍形式表達或呈現。應了解的是，此范圍形 式僅僅為了方便與簡潔而使用，因此該范圍形式應該被彈性地解釋為不僅包含了被清楚描 述以作范圍限制的數值，亦包含在該范圍中的所有獨立數值以及子范圍，猶如清楚地引述 各獨立數值以及子范圍一般。舉例而言，「大約1到大約5」的數值范圍應被解釋為不僅僅 包含所清楚描述的數值范圍，亦應進一步解釋為包含在該數值范圍中的獨立數值以及子范 圍。因此，此數值范圍內包含諸如2，3，以及4等獨立數值，包含諸如1-3，2-4以及3-5以及 1，2，3，4及5等子范圍。此相同的法則適用于僅引述單一數值作為下限或是上限的范圍。 此外，此解釋方式適用于任何幅度的范圍以及任何所述的特性。本發明如上所述，發生于一 CMP拋光墊的拋光表面上的釉化現象會至少一部分因為拋光 墊對晶圓的拋光過程中產生的污染物以及其他碎屑而惡化。通過液體噴射注來驅逐與移除 該CMP拋光墊的拋光表面上的污染物以及/或是碎屑，能夠減少該CMP拋光墊表面的釉化 現象，并且延長CMP拋光墊以及CMP拋光墊修整器的壽命。因此，本發明提供自CMP拋光墊移除污物以及/或是碎屑的系統與方法。在一方 面，舉例而言，本發明提供一在CMP處理程序中自一 CMP拋光墊表面上移除碎屑的方法。此 一方法可包含旋轉一具有一拋光表面的CMP拋光墊；將一 CMP拋光墊修整器壓向該CMP拋 光墊的拋光表面，其中該CMP拋光墊修整器具有耦合到該CMP拋光墊修整器上且定向朝向該CMP拋光墊的負數超研磨顆粒；以及對該CMP拋光墊的拋光表面噴灑一具有充足力量的 液體噴射注來驅除該CMP拋光墊的拋光表面上的碎屑。本發明亦考慮到無須在拋光處理程序進行的同時完成清理該CMP拋光墊修整器。 因此，在一方面本發明提供了在CMP處理程序之后自一拋光墊的表面上移除碎屑的方法， 其包含使用一CMP拋光墊修整器修整一CMP拋光墊的一拋光表面，并且噴灑一具有充足力 量的液體噴射注到該CMP拋光墊的拋光表面上以驅除該CMP拋光墊的拋光表面上的碎屑。本發明另外提供執行CMP處理程序的系統。在一方面，如圖1所示，此一系統可包 含一 CMP拋光墊12，其耦合到一支撐表面(圖中未示)，該支撐表面可旋轉該CMP拋光墊 12。該CMP拋光墊12具有一相對支撐表面的拋光表面14，該拋光表面14可用于拋光工件 或是晶圓。該系統另外包括一 CMP拋光墊修整器16，其具有耦合到該CMP拋光墊修整器16 且面對該CMP拋光墊12的表面上的超研磨顆粒(圖中未示)。該CMP拋光墊16修整器被 定向垂直(Orthogonally)于該支撐表面的狀態，且可運作而將所述多個超研磨顆粒壓迫 進入該CMP拋光墊中。一液體噴射系統18定位且可運作于噴灑一具有充足力量的液體20 到該CMP拋光墊12的拋光表面14上。在某些實施例中，該液體可以充足力量發配到該CMP 拋光墊上的來驅除或是松動該拋光表面14上的碎屑。在一方面，該液體噴射系統可包含一 噴嘴22，該噴嘴22能噴灑液體到該CMP拋光墊上。在一方面，該液體噴射系統可耦合到該 CMP處理程序設備的CMP拋光墊修整器組件上。此一結構能夠允許當CMP拋光墊修整器移 動時，同時令該液體噴射系統在CMP拋光墊上移動。在另一方面，該液體噴射系統可以獨立 方式(incbpendent of)耦合到該CMP拋光墊修整器上。此一架結構能夠使液體噴射注在 該CMP拋光墊修整器上的定位有更大的彈性，但是會需要一獨立系統來移動與維持該液體 噴射系統的定位。此外，可以一朝向該CMP拋光墊修整器的角度來將液體噴灑到該CMP拋光墊上， 如圖1所示，或是以一遠離該CMP拋光墊的角度來將液體噴灑到該CMP拋光墊上(圖中未 示)。此外，在某些方面可將該液體以垂直(Orthogonally)方式噴灑到該CMP拋光墊的拋 光表面上。該用來驅除CMP拋光墊的拋光表面上的污染物或是碎屑的液體可為任何能夠執 行此相容于CMP處理程序的功能的液體。在一方面，舉例而言，該液體可為水。在此例子 中，水可大致上為純水，或是水可包各種不同的添加物來輔助清潔程序或是輔助CMP處理 程序。此添加物可包含鹽、緩沖物(Buffer)、金屬螯化物(Metal Chelators)等等。在某些 方面，可在水中添加研磨顆粒來輔助驅除該CMP拋光墊材質上的污染物或是碎屑。可使用其他液體，包括油、液態化學組成物以及液態聚合物等等。應注意的是，亦 可在這些液體中添加研磨料來輔助去除上述碎屑。應注意的是，可預先選擇任何用來驅除 CMP拋光墊上的碎屑的液體的溫度，藉此增進清潔處理程序。舉例而言，在某些方面可加熱 液體來改進清潔處理程序。此外，酸或性是堿性溶液、去垢劑(Detergents)等可用來輔助 該清潔處理程序。另外可以任何有用的液壓在該CMP拋光墊的拋光表面上噴灑液體，且該液壓是小 于會對該CMP拋光墊產生傷害的程度。因此，該液體可直接通過一液體管來噴灑，例如飲用 水管，或是液體在噴灑前可受到加壓。該液體可以在相對于該CMP拋光墊修整器的任何位置被噴灑到該CMP拋光墊修整器上。舉例而言，在某些方面該液體可被噴灑到該CMP拋光墊拋光表面的一區域上，該被噴 灑的區域是相鄰正受到CMP拋光墊修整器所修整的區域。此可允許在該CMP拋光墊的區域 被用于拋光一晶圓之前，先行移除該區域上的碎屑，藉此減少晶圓污染或是釉化的風險。該 液體噴射注可被定為在相對于CMP拋光墊修整器的各種相鄰區域上。包括相鄰該CMP拋光 墊修整器的前邊緣、相鄰其后邊緣、以及相鄰其側邊緣。如圖1所示，一 CMP拋光墊16沿著 箭頭方向移動，該前邊緣如元件符號24所示，而該后邊緣如元件符號26所示。液體噴射注的方向與配置亦會影響到如何自拋光表面松動與移除碎屑的方式。在 一方面，如圖2所示，該液體可以一橢圓圖形32而施加于相鄰CMP拋光墊修整器30的一 處。應注意的是，對于圖2以及以后的圖式，液體圖形式相鄰于CMP拋光墊修整器并沿著前 邊緣。此圖式顯示方式是為了增進便利性，不應被視為成限制。所示的橢圓圖形可為任何圓 形或是半圓形的形狀，且可依據輸送一體的噴嘴結構而改變。在一相似方面，如圖3所示， 該液體圖形34可為一橢圓環形。在某些例子中，可有效去除位于介于空氣與液體之間的邊 緣的碎屑，在該邊緣處液體首先接觸該CMP拋光墊的拋光表面。在此例子中，使用一環形圖 形增加了碎屑由水過渡到空氣的過渡經歷，藉此增加移除碎屑的效果。在移除碎屑的程序 期間通過以脈沖(Pulsing)方式施加該液體噴射注亦可產生上述的類似效果。水的脈沖可 輔助自該CMP拋光墊的表面上移除污染物和碎屑。此外，可對該CMP拋光墊和/或是液體 導入音波震動或是超音波震動來輔助碎屑的移除。此外，當液體系以橢圓環形的方式注入 時，其將會定位于修整器周圍以全面360度圍繞的方式運作。在一方面，可加入一吸力裝置到該系統中來增進自該CMP拋光墊的表面上移除或 是松動污染物或是碎屑的效果。此吸力裝置可定位在以該CMP拋光墊修整器修整該CMP拋 光墊之前，或是定位在修整后。圖2以及圖3描繪了液體的圖形，該圖形的長度大致等同于CMP拋光墊修整器的 直徑，應了解的是，本發明范疇涵蓋具任何尺寸或是配置的液體圖形。如圖4所示，舉例而 言，可使用一液體圖形36來移除拋光表面(圖中未示)上碎屑，其中該液體圖形36的長度 大致小于該CMP拋光墊修整器30的直徑。為了涵蓋該CMP拋光墊上更多的面積區域，該液 體圖形36可選擇性地依據一相鄰該CMP拋光墊修整器的圖形而前后移動。如圖5所示，可在相鄰該CMP拋光墊修整器30處噴灑一線性液體圖形38來移除 污染物與碎屑。藉由將一液體圖形定向于一相對該CMP拋光墊的半徑40的角度上，如圖6 所示，該液體可有效地朝該CMP拋光墊的一邊緣的方向上驅除以及輸送碎屑。本發明亦考慮在該CMP拋光墊修整器的圓周范圍內將液體噴射注噴灑到該拋光 表面上。在一方面，如圖7所示，可將該液體噴射注74噴灑穿過一 CMP拋光墊修整器70的 開口 72。就本身而言，該CMP拋光墊修整器70的形狀可為一環狀元件，在該環狀元件上形 成有一開口以在CMP拋光墊的圓周范圍內傳輸該液體。當該液體噴射注被定位于該CMP拋光墊修整器的前邊緣的前方時，該液體可用于 預先處理該CMP拋光墊并且對任何碎屑提供一初步松動效果。此效果可為液體對該碎屑的 沖擊的物理力量、可為對該CMP拋光墊的軟化效果、可為對該CMP拋光墊的潤滑效果以及/ 或是角度，或該效果可為前述各種效果或是其他因素的組合。或者，當該液體噴射注噴嘴被 定位于該CMP拋光墊修整器的后邊緣之后，且接著施加于該CMP拋光墊的液體可進一步松 動或是移動該已經先被修整器松動或是移除的碎屑，該液體可甚至被施加一充足力量來完全移除這些在CMP拋光墊上的碎屑。在另一方面，該液體可施加在該CMP拋光墊修整器的 前邊緣之前或是施加在其后邊緣之后。如前所述，在本發明的又一方面，可進一步使用一連接到該液體噴射注的吸力或 是真空裝置(圖中未示)以便能搜集液體或是松動該CMP拋光墊上碎屑。在某些方面，該 真空裝置可物理性地接觸該CMP拋光墊，且在其他方面，該真空裝置可懸于該CMP拋光墊上 方一段距離處，該距離足以供真空裝置通過真空吸力來有效地搜集材料。該真空裝置可根 據需求而具有多個不同的結構以提供所要的吸力效果。此外，該真空裝置可根據需求而定 位在相對應CMP拋光墊修整器以及液體噴射注噴嘴的各個位置上，但最常被設置在該修整 器以及液體噴射注噴嘴之后以便能搜集被液體與修整器所松動的碎屑。在又一實施例之中，該液體在施加在該CMP拋光墊之前，可先被加熱到預設溫度。 在一例子中，該液體可以是以水蒸汽方式施加到該CMP拋光墊上的水。在某些實施例中該 水蒸汽的力量可足以驅除該CMP拋光墊上的碎屑。在其他實施例中(尤其當使用該真空裝 置時)，液體的力量(包括以水蒸汽形式提供)可小于能夠驅除該CMP拋光墊上碎屑的力 量。在此例子中，該碎屑可以在該CMP拋光墊之中被松動或是軟化，然后才以一異于液體所 施加的物理力量來驅除該碎屑，該物理力量可為真空裝置的吸力、修整器接觸的物理力量、 或是CMP拋光墊旋轉所產的離心力。在某些實施例之中，該CMP拋光墊的旋轉速度可增加 超過用于拋光時的旋轉速度以便增加離心力。當然，應了解的是，上述內容僅供說明本發明原理的應用。在不違背本發明范疇及 精神的前提下，本發明所屬技術領域具有通常知識者可做出多種修改及不同的配置，且依 附在后的申請專利范圍則意圖涵蓋這些修改與不同的配置。因此，雖然本發明中目前被視 為是最實用且較佳之實施例的細節已被如上內容所揭露，對于本發明所屬技術領域具有通 常知識者而言，可依據本文中所提出的概念與原則來作多種改變，其包含而不受限于尺寸、 材料、外形、形態、功能、操作方法、組裝及使用上的改變。
權利要求
一種以水槍輔助執行化學機械拋光處理程序的方法，其是在CMP處理程序中自一CMP拋光墊的表面上移除碎屑，其特征在于該方法包含以下步驟旋轉一CMP拋光墊，其中該拋光墊具有一拋光表面；將一CMP拋光墊修整器壓向該CMP拋光墊的拋光表面，其中該CMP拋光墊具有耦合于CMP拋光墊上的多個超研磨顆粒，且所述多個超研磨顆粒被定向朝向該CMP拋光墊；以及噴灑一具有充足力量的液體噴射注到該CMP拋光墊的拋光表面上來驅除該CMP拋光墊的拋光表面上的碎屑。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的液體為水。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的液體包含研磨顆粒。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的液體噴射注是噴灑到該CMP拋 光墊上相鄰該CMP拋光墊修整器的拋光表面的一區域。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于其中所述的液體噴射注是噴灑到相鄰該 CMP拋光墊修整器前邊緣的該CMP拋光墊的拋光表面區域上
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于其中所述的液體噴射注是噴灑相鄰該CMP 拋光墊修整器后邊緣的到該CMP拋光墊拋光表面區域上。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的液體噴射注是噴灑通過該CMP 拋光墊修整器中的一開口而接觸該CMP拋光墊修整器圓周區域內的拋光表面的一區域。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于其中所述的CMP拋光墊修整器是一環形元 件，且該液體噴射注是通過該環狀元件的一中心開口部位而噴灑在該拋光表面上。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中噴灑液體噴射注到該拋光表面的步驟 進一步包含依據一脈沖圖形來噴灑該液體噴射注。
10.一種以水槍輔助執行CMP處理程序的系統，其特征在于其包含一 CMP拋光墊，其耦合到一支撐表面上，該支撐表面可運作轉動該CMP拋光墊，其中該 CMP拋光墊具有一相對該支撐表面的拋光表面；一 CMP拋光墊修整器，其上耦合有多個超研磨顆粒，且所述多個超研磨顆粒被定向朝 向該CMP拋光墊，該CMP拋光墊修整器是被定向垂直于該支撐表面的狀態，且可運作而將所 述多個超研磨顆粒壓迫進入該CMP拋光墊中；以及一液體噴射系統，該系統定位且可運作于噴灑一具有充足力量的液體到該CMP拋光墊 的拋光表面上以驅除該拋光表面上的碎屑。
11.根據權利要求10所述的系統，其特征在于其中所述的液體噴射系統是被定位且可 運作于噴灑液體到相鄰該CMP拋光墊修整器的該拋光表面一區域上。
12.根據權利要求10所述的系統，其特征在于其中所述的液體噴射系統是被定位且可 運作于噴灑液體到一相鄰該CMP拋光墊修整器前邊緣的該拋光表面上一區域上。
13.根據權利要求10所述的系統，其特征在于其中所述的液體噴射系統是被定位且可 運作于噴灑液體到一相鄰該CMP拋光墊修整器后邊緣的該拋光表面上一區域上。
14.根據權利要求10所述的系統，其特征在于其中所述的液體噴射系統是被定位且可 運作于噴灑液體通過該CMP拋光墊修整器的一開口部位后到該拋光表面的一區域上。
15.根據權利要求14所述的系統，其特征在于其中所述的CMP拋光墊修整器是一環狀 元件，且該液體噴射系統是被定位且可運作于噴灑液體通過該環狀元件的中心開口部位后到該拋光表面的一區域上。
16.根據權利要求10所述的系統，其特征在于其中所述的液體噴射系統可運作于依據 相鄰于該CMP拋光墊修整器的前邊緣處的線性圖形而噴灑液體。
17.根據權利要求10所述的系統，其特征在于其中所述的液體噴射系統可運作于依據 相鄰于該CMP拋光墊修整器的后邊緣處的線性圖形而噴灑液體。
18.根據權利要求17所述的系統，其特征在于其中所述的線性圖形是被定向于相對該 CMP拋光墊的半徑的角度上以使得該依據線性圖形的液體可有效地朝該CMP拋光墊的一邊 緣的方向上驅除以及輸送碎屑.
19.根據權利要求10所述的系統，其特征在于其進一步包含一吸力系統，該吸力系統 被定向且可運作于去除該CMP拋光墊的拋光表面上已被松動的碎屑。
20.—種以水槍輔助執行CMP處理程序的方法，其是在CMP處理程序之后自一 CMP拋光 墊表面上移除碎屑，其特征在于該方法包含以下步驟使用一 CMP拋光墊修整器修整一 CMP拋光墊的一拋光表面；以及噴灑一具有充足力量的液體噴射注到該CMP拋光墊的拋光表面上以驅除該CMP拋光墊 的拋光表面上的碎屑。
全文摘要
本發明是有關于一種以水槍輔助執行化學機械拋光處理程序的方法及其系統，是在CMP處理程序期間自一CMP拋光墊的拋光表面上移除污染物以及/或是碎屑的方法與系統。在一方面，一在CMP處理程序期間自一CMP拋光墊的拋光表面上移除碎屑的方法可包含旋轉一具有拋光表面的CMP拋光墊；以及將一CMP拋光墊修整器壓向該CMP拋光墊的拋光表面，其中該CMP拋光墊修整器包含有多個耦合于其上的多個超研磨顆粒該多個超研磨顆粒并且被定向朝向該CMP拋光墊。該方法可進一步包含以一充足力量噴灑一液體噴射注到該CMP拋光墊的拋光表面上來驅除該CMP拋光墊的拋光表面上的碎屑。
文檔編號B24B53/017GK101885163SQ20101018028
公開日2010年11月17日 申請日期2010年5月13日 優先權日2009年5月14日
發明者宋健民 申請人:宋健民