專利名稱：一種用于pecvd多點進氣多區可調裝置的制作方法
技術領域：
本發明屬于涉及微電子技術領域，特別涉及一種用于PECVD帶有可以提高大面積鍍膜均勻性的多點進氣多區可調裝置。
背景技術：
隨著經濟建設的快速發展，微電子技術得到了迅猛地發展，PECVD等離子體處理設備的開發和使用也日益廣泛。PECVD即為等離子體增強化學氣相沉積法，在化學氣相沉積時，為了使化學反應能在較低的溫度下進行，可以利用了等離子體的活性來促進反應，這種化學氣相沉積方法稱為等離子體增強化學氣相沉積法，實施該種加工方法的設備為PECVD設備。用于太陽能領域等薄膜沉積系統主要為大型平板式PECVD設備，一種典型的板式PECVD系統將多個太陽能電池片裝入載板中，將該載板傳輸至工藝腔內，預熱到設定溫度后，通入工藝氣體，設定功率離化工藝氣體產生等離子體，進而完成薄膜沉積。板式PECVD使用的基片通常較小，僅用于晶體太陽能硅片減反射工藝使用，板式PECVD在鍍膜過程中，一個反應周期內設備中僅有一 個裝有電池片的載板，在完成整個反應周期后，才能進行下一次鍍膜，設備產出率較低。另外，硅片表面織構化所生成的金字塔尖端的狀態就對等離子體放電產生影響，而目前硅片的電導率的不同也影響到等離子場的均勻性，導致等離子場的均勻性較不穩定，造成載板內的電池片沉積的SiN膜層厚度不一致。因此，如何提高PECVD設備鍍膜均勻性，就成為本領域技術人員亟需解決的問題。

發明內容
針對上述問題，本發明的目的在于提供一種用于PECVD多點進氣多區可調裝置。在相同的條件下，具有該多點進氣多區可調裝置的PECVD能夠一次處理多個電池片，該裝置可以提高SiN膜層厚度的均勻性，從而具有較高的產能，提高了 PECVD設備的生產效率。為了實現上述目的，本發明采用以下技術方案:一種用于PECVD多點進氣多區可調裝置，包括排氣區體、進水管、回水管、硅烷進氣口及氨氣進氣口，其中進水管、回水管、硅烷進氣口及氨氣進氣口均分布在排氣區體上。所述排氣區體底部設有底部氣孔噴頭，該底部氣孔噴頭通過管路與氨氣進氣口連接。所述底部氣孔噴頭上的氣孔呈“一”字排列。所述排氣區體端部設有端部氣孔噴頭，該端部氣孔噴頭通過管路與硅烷進氣口連接。所述端部氣孔噴頭上的氣孔呈“一”字排列。所述排氣區體包括第一排氣區、第二排氣區及第三排氣區。所述排氣區體內設有防護槽。所述防護槽為U形或V形。
所述防護槽采用不銹鋼或碳纖維材料。所述硅烷進氣口設在排氣區體的左側和右側。本發明具有以下優點:1.本發明是將多個被加工件分別在各工藝區域內加工，在同等的占地面積的條件下，該裝置能夠一次處理較多的被加工件，從而具有較高的產能，提高了 PECVD設備的生產效率。2.本發明的各工藝區域分別安裝有進氣裝置和排氣裝置，這樣，當各工藝區域的反應對于反應氣體的需求量不同時，可以分別調節進入不同工藝區域內的氣體量，便于調整各個工藝區域鍍膜的均勻性，提高了設備的加工精確性。3.本發明是各工藝區域中根據需要進行不同的工藝過程，避免了各個工藝區域中發生交叉污染，提高了設備的工藝可靠性。


圖1是本發明的結構示意圖；其中:1為第一排氣區，2為第二排氣區，3為第三排氣區，4為進水管，5為硅烷進氣口，6為氨氣進氣口，7為氨氣管路，8為回水管。
具體實施例方式下面結合附 圖對本發明作進一步描述。如圖1所示，本發明包括排氣區體、進水管4、回水管8、硅烷進氣口 5及氨氣進氣口 6，其中進水管4、回水管8、硅烷進氣口 5及氨氣進氣口 6均布置在排氣區體上。所述排氣區體底部設有底部氣孔噴頭，底部氣孔噴頭上的氣孔呈“一”字排列。該底部氣孔噴頭通過管路與氨氣進氣口 6連接。所述排氣區體端部設有端部氣孔噴頭，端部氣孔噴頭上的氣孔呈“一”字排列。該端部氣孔噴頭通過管路與硅烷進氣口 5連接，硅烷進氣口 5設置在排氣區體一側端，或者設置在排氣區體左側端和右側端，硅烷進氣口 5固定有螺栓。所述排氣區體包括第一排氣區1、第二排氣區2、第三排氣區3。排氣區體內固接有U形或V形防護槽。所述防護槽采用不銹鋼或碳纖維材料。各段多點進氣區分別通過獨立的接點接入。各工藝區域分別安裝有進氣裝置和排氣裝置，這樣，當各工藝區域的反應對于反應氣體的需求量不同時，可以分別調節進入不同工藝區域內的氣體量，便于調整各個工藝區域鍍膜的均勻性，提高了設備的加工精確性。上述各工藝區域的進氣裝置分別由各自的氣源進氣，當任一氣源停止供氣時，不會影響其他氣源的工作，也就不會影響其他工藝區域的工作，從而進一步提高了各工藝區域內的進氣可控性。多個氣源均設置于反應腔體的外部，通過進氣裝置將反應氣體輸入工藝區域內，各氣源可以輸出不同的工藝氣體，也可以輸出同樣的工藝氣體，也可以輸出不同流量的相同的工藝氣體。各工藝區域的進氣裝置也不局限于由不同的氣源供應，也可以多個工藝區域由同一氣源供氣，在氣源與各進氣裝置之間安裝有至少一個質量流量計，以便分別控制輸入到各個不同工藝區域內的氣體流量等。各工藝區域共用一個氣源，也可以其中幾個工藝區域用一個氣源，另外幾個工藝區域使用另外的氣源。在上述各工藝區域中根據需要進行不同的工藝過程中，避免了各個工藝區域中發生交叉污染，提高了設備的工藝可靠性。具有所述多點進氣多區可調裝置的PECVD反應腔室可以為方形的箱式結構，且反應腔室的各處的壁厚可以相同。該反應腔室也不局限于方形，也可以為其他形式的箱式結構，例如柱狀等。多個被加工件可以分別在各工藝區域內加工，在同等的占地面積的條件下，該設備能夠一次處理較多的被加工件，從而`具有較高的產能，提高了 PECVD設備的生產效率。
權利要求
1.一種用于PECVD多點進氣多區可調裝置，其特征在于:包括排氣區體、進水管(4)、回水管(8)、硅烷進氣口(5)及氨氣進氣口(6)，其中進水管(4)、回水管(8)、硅烷進氣口(5)及氨氣進氣口(6)均布置在排氣區體上。
2.按權利要求1所述的用于PECVD多點進氣多區可調裝置，其特征在于:所述排氣區體底部設有底部氣孔噴頭，該底部氣孔噴頭通過管路與氨氣進氣口(6)連接。
3.按權利要求2所述的用于PECVD多點進氣多區可調裝置，其特征在于:所述底部氣孔噴頭上的氣孔呈“一”字排列。
4.按權利要求1所述的用于PECVD多點進氣多區可調裝置，其特征在于:所述排氣區體端部設有端部氣孔噴頭，該端部氣孔噴頭通過管路與硅烷進氣口(5)連接。
5.按權利要求4所述的用于PECVD多點進氣多區可調裝置，其特征在于:所述端部氣孔噴頭上的氣孔呈“一”字排列。
6.按權利要求1所述的用于PECVD多點進氣多區可調裝置，其特征在于:所述排氣區體包括第一排氣區(I)、第二排氣區(2)及第三排氣區(3)。
7.按權利要求1所述的用于PECVD多點進氣多區可調裝置，其特征在于:所述排氣區體內設有防護槽。
8.按權利要求7所述的用于PECVD多點進氣多區可調裝置，其特征在于:所述防護槽為U形或V形。
9.按權利要求7所述的用于PECVD多點進氣多區可調裝置，其特征在于:所述防護槽采用不銹鋼或碳纖維材料。
10.按權利要求1所 述的用于PECVD多點進氣多區可調裝置，其特征在于:所述硅烷進氣口(5)設在排氣區體的左側和右側。
全文摘要
本發明屬于涉及微電子技術領域，特別涉及一種用于PECVD帶有可以提高大面積鍍膜均勻性的多點進氣多區可調裝置。包括排氣區體、進水管、回水管、硅烷進氣口及氨氣進氣口，其中進水管、回水管、硅烷進氣口及氨氣進氣口均布置在排氣區體上。具有該多點進氣多區可調裝置的PECVD能夠一次處理多個電池片，該裝置可以提高SiN膜層厚度的均勻性，從而具有較高的產能，提高了PECVD設備的生產效率。
文檔編號C23C16/50GK103103500SQ20111035840
公開日2013年5月15日 申請日期2011年11月11日 優先權日2011年11月11日
發明者趙科新, 趙崇凌, 李士軍, 張健, 張冬, 洪克超, 徐寶利, 鐘福強, 陸濤, 許新, 王剛, 劉興, 郭玉飛, 王學敏, 李松 申請人:中國科學院沈陽科學儀器研制中心有限公司