專利名稱：陰影掩膜及其補償設計方法
技術領域：
本發明有關于掩膜的補償設計方法，且特別是有關于陰影掩膜的補償設計方法。
背景技術：
現今液晶顯示器的工藝多以微影蝕刻的方式于玻璃基板上成膜，以于玻璃基板上制作主動或被動元件。由于以微影蝕刻的方式成膜的成本相當高且耗時，因此，為加快生產速度及降低制作成本，業界發展出以濺鍍法搭配陰影掩膜的方式成膜，以直接于玻璃基板上制作出圖案化的薄膜。然而，使用陰影掩膜制作出的薄膜圖案具有解析度不高及線寬變異大的缺點，因此只適用于圖樣精細度要求低的保護層及鈍化層。當應用陰影掩膜成膜的方式于尺寸較小的玻璃基板(小于3.5代)上時，鍍膜誤差尚在可接受范圍。然而，當玻璃基板的尺寸越來越大時(大于3.5代)，鍍膜過程中因機構與溫度造成的玻璃變形量也隨之增加。大尺寸玻璃基板的變形會造成陰影掩膜遮蔽精度下降，以致于薄膜圖案解析度下降且線寬變異升高至超過可容忍值。因此，需要發展新的技術以使大尺寸的玻璃基板也可使用陰影掩膜成膜技術。

發明內容
本發明一實施例提供一種陰影掩膜的補償設計方法，包括:設置一第一陰影掩膜于一基板上，該第一陰影掩膜具有一第一實體圖案以及與該第一實體圖案互補的一第一開口圖案，該第一實體圖案遮蔽該基板的一第一預定鍍膜開口區，該第一預定鍍膜開口區具有在一軸上相對的一第一側與一第二側；以該第一陰影掩膜為遮罩進行一沉積工藝，以于該基板上形成一鍍膜，該 鍍膜具有一位于該第一實體圖案下方的第一開口，其中該第一開口具有在該軸上相對的一第三側與一第四側，該第一側與該第三側相鄰，該第二側與該第四側相鄰，其中該第三側相對于該第一側的距離差為一第一偏差，該第二側相對于該第四側的距離差為一第二偏差，該第一開口相對于該第一預定鍍膜開口區的一第一單側擴散距離為該第一偏差與該第二偏差之和的二分之一；以及依照該第一單側擴散距離設計一相似但不同于該第一陰影掩膜的第二陰影掩膜，該第二陰影掩膜具有一第二實體圖案以及與該第二實體圖案互補的一第二開口圖案，其中該第二開口圖案的大小不同于該第一開口圖案。本發明另一實施例提供一種陰影掩膜，包括:一實體圖案以及一與該實體圖案互補的開口圖案，其中該實體圖案包括呈陣列排列的多個圖案單元，所述圖案單元至少包括一第一圖案單兀與一第二圖案單兀，該第一圖案單兀具有一第一基本圖案以及一自該第一基本圖案的邊緣沿一軸朝向該開口圖案延伸的第一補償圖案，該第二圖案單元具有一第二基本圖案以及一自該第二基本圖案的邊緣沿該軸朝向該開口圖案延伸的第二補償圖案，其中該第一基本圖案與該第二基本圖案的形狀與大小皆相同，該第一補償圖案的延伸距離不等于該第二補償圖案的延伸距離。本發明的鍍膜可不受薄膜擴散特性的影響，進而具有較佳的圖案解析度與較低的線寬變異。


圖1至圖3繪示本發明多個實施例的陰影掩膜的第一開口圖案與實際成膜圖案的上視圖。圖4A至圖4D繪示本發明一實施例的陰影掩膜的補償設計方法的流程剖面圖。圖5A至圖分別繪示圖4A至圖4D的陰影掩膜與基板的上視圖。圖6A至圖6D繪示本發明另一實施例的陰影掩膜的補償設計方法的流程剖面圖。圖7A至圖7D分別繪示圖6A至圖6D的陰影掩膜與基板的上視圖。圖8A至圖8C繪示本發明一實施例的鍍膜工藝的示意圖，其中圖8A與圖8C為上視圖，圖8B為剖面圖。圖9繪示本發明另一實施例的陰影掩膜的上視圖。附圖標號:
800 陰影掩膜；Al 第一實體圖案；A2 第二實體圖案；A8 實體圖案；A41 第一實體圖案；A811、A911 第一基本圖案；A812、A912 第一補償圖案；A42 第二實體圖案；A421、A621、A821 基本圖案、第二基本圖案；A421a 邊緣；A422、A622、A822 補償圖案、第二補償圖案；A61 第一圖案；A62 第二圖案；A63 第一邊緣圖案；A64 第三邊緣圖案；A65 第二邊緣圖案；A651 第二基本圖案；A652 第二補償圖案；A66 第四邊緣圖案；A661 第三基本圖案；A662 第三補償圖案；AX 軸；B1、B41、B61 第一側；B2、B42、B62 第二側；B3、B43、B63 第三側；B4、B44、B64 第四側；
B65 第五側；B66 第七側；B67 第六側；B68 第八側；C1、C41、C61 第一偏差；C2、C42、C62 第二偏差；C63 第三偏差；C64 第四偏差；D4、D61、D62、D63、D81、D82、D83、D94、D95 延伸距離；F、F1、F2、F4、F41、F6、F61、F8 鍍膜；F08 開口；F06UF0611 第一開口 ；F062、F0622 第二開口；F063、F0633 第三開口；G 單側擴散距離； M41、M61 第一陰影掩膜；M42、M62 第二陰影掩膜；0P8 開口圖案；0P41、0P61 第一開口圖案；0P42, 0P62 第二開口 圖案；R、R1、R2、R4 實際鍍膜區；S4、S6、S8 基板；S1、S41 預定鍍膜區；SH、SH4、SH6 鍍膜偏移距離；S061 第一預定鍍膜開口區；S062 第二預定鍍膜開口區；S063 第三預定鍍膜開口區；Ul 第一圖案單元；U2 第二圖案單元；U3 第三圖案單元；U4、U5 圖案單元；W1、W2、W41、W42、W61、W62 寬度。
具體實施例方式以下將詳細說明本發明實施例的制作與使用方式。然應注意的是，本發明提供許多可供應用的發明概念，其可以多種特定型式實施。文中所舉例討論的特定實施例僅為制造與使用本發明的特定方式，非用以限制本發明的范圍。此外，在不同實施例中可能使用重復的標號或標示。這些重復僅為了簡單清楚地敘述本發明，不代表所討論的不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。再者，當述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。在圖式中，實施例的形狀或是厚度可擴大，以簡化或是方便標示。再者，圖中未繪示或描述的元件，為所屬技術領域中具有通常知識者所知的形式。圖1至圖3繪示本發明多個實施例的利用陰影掩膜所制得的鍍膜與基板的預定鍍膜區的上視圖。值得注意的是，為使圖式較為簡單易懂，圖1至圖3省略繪示基板以及配置于其上的第一陰影掩膜，圖1只繪示出第一陰影掩膜的第一開口圖案、基板的預定鍍膜區、以及鍍膜，圖2與圖3只繪示基板的預定鍍膜區以及鍍膜。請參照圖1，可將第一陰影掩膜設置于一基板上，其中第一陰影掩膜具有一第一開口圖案0P1，基板具有預定鍍膜區SI (設計值)。第一開口圖案OPl暴露出部分的預定鍍膜區SI。詳細而言，在將第一陰影掩膜設置于基板上時，第一陰影掩膜與基板之間難免會存在對位偏差，因此，第一開口圖案OPl只能暴露出部分的預定鍍膜區SI。之后，以該第一陰影掩膜為沉積掩膜制得一鍍膜F，其是位于該基板的一實際鍍膜區R(實際值)中。申請人:將預定鍍膜區SI與實際鍍膜區R之間的差異稱為『偏差(bias)』。偏差包括位于預定鍍膜區SI左側的第一偏差Cl以及位于預定鍍膜區SI右側的第二偏差C2。詳細而言，預定鍍膜區SI具有在一軸AX上相對的一第一側BI與一第二側B2，且實際鍍膜區R具有在軸AX上相對的一第三側B3與一第四側B4，其中第一側BI與第三側B3相鄰，第二側B2與第四側B4相鄰。第一側BI相對于第三側B3的距離差為一第一偏差(bias)Cl，第四側B4相對于第二側B2的距離差為一第二偏差C2。值得注意的是，軸AX可為X軸、Y軸、或是其他適合的軸線。

申請人分析產生偏差的因素有以下兩種。第一種為在鍍膜工藝時，第一陰影掩膜與基板之間存在對位偏差，以致于實際鍍膜區R相對于預定鍍膜區SI向右側或左側偏移，在此，申請人將前述偏移的量稱為『鍍膜偏移距離』(shift)。第二種為在鍍膜時，薄膜擴散特性造成鍍膜的邊緣較預定鍍膜區SI (設計值)向外延伸，在此，申請人將前述向外延伸的量稱為『單側擴散距離』(gray zone)。圖2繪示當鍍膜時單純只受到(第一陰影掩膜與基板之間的)對位偏差的影響，而沒有受到其他因素影響時，第一陰影掩膜的第一開口圖案與實際鍍膜圖案的上視圖。由圖2可知，鍍膜Fl所在的實際鍍膜區Rl相對于預定鍍膜區SI向右側偏移一鍍膜偏移距離SH0此時，鍍膜Fl的尺寸(寬度Wl)與預定鍍膜區SI的尺寸(寬度W2)相同。圖3繪示當鍍膜時單純只受到薄膜擴散特性的影響，而沒有受到其他因素影響時，第一陰影掩膜的第一開口圖案與實際鍍膜圖案的上視圖。由圖3可知，鍍膜F2所在的實際鍍膜區R2相對于預定鍍膜區SI分別向左與向右延伸一單側擴散距離G。此時，鍍膜F2的寬度Wl大于預定鍍膜區SI的寬度W2。一般而言，鍍膜工藝會同時受到前述二種因素的影響，因此，如圖1所示，鍍膜F的偏差值會同時受到鍍膜偏移距離SH與單側擴散距離G兩種數值的影響。申請人:假設相鄰區域(如預定鍍膜區SI的第一側BI與第二側B2)的鍍膜偏移距離SH相等，以利用相鄰區域的偏差(如第一偏差Cl與第二偏差C2)計算分離出前述相鄰區域的鍍膜偏移距離SH與單側擴散距離G。申請人:得出的公式如下:
鍍膜偏移距離SH =(第二偏差C2-第一偏差Cl) /2 (公式I)單側擴散距離G =(第二偏差C2+第一偏差Cl) /2 (公式2)因此，可根據上式計算出鍍膜偏移距離SH與單側擴散距離G，并且據此設計一具有第二開口圖案的第二陰影掩膜，第二陰影掩膜具有一相同于第一陰影掩膜的基本圖案以及一自基本圖案的邊緣沿軸AX朝向第二開口圖案延伸的補償圖案，補償圖案的延伸距離D大抵等于單側擴散距離。換言之，可根據單側擴散距離G的大小，縮小陰影掩膜的開口圖案，以抵銷(或補償)薄膜擴散特性對鍍膜工藝的影響，此時，以具有補償設計的第二陰影掩膜制得的鍍膜相似于圖2所示的鍍膜F1。如此一來，本發明所制成的鍍膜可不受薄膜擴散特性的影響，而具有較佳的圖案解析度與較低的線寬變異。以下將詳細描述本發明多個實施例的實施方式。圖4A至圖4D繪示本發明一實施例的陰影掩膜的補償設計方法的流程剖面圖。圖5A至圖分別繪示圖4A至圖4D的陰影掩膜與基板的上視圖。請參照圖4A與圖5A，首先，提供一第一陰影掩膜M41，第一陰影掩膜M41具有一第一開口圖案0P41以及與第一開口圖案0P41互補的一第一實體圖案A41。接著，將第一陰影掩膜M41設置于一基板S4上，第一開口圖案0P41暴露出基板S4的一預定鍍膜區S41，預定鍍膜區S41具有在一軸AX上相對的一第一側B41與一第二側B42。一般而言，將第一陰影掩膜M41設置于基板S4上的工藝都無可避免地會有對位偏差產生，因此，第一開口圖案0P41與預定鍍膜區S41之間會存在一鍍膜偏移距離。圖4A與圖5A繪示第一開口圖案0P41相對于預定鍍膜區S41向右側偏移一鍍膜偏移距離SH4。然后，請參照圖4B與圖5B，以第一陰影掩膜M41為遮罩進行一沉積工藝，以于基板S4上形成一鍍膜F4。詳細而言，鍍膜F4位于基板S4的一實際鍍膜區R4上，其中實際鍍膜區R4具有在軸AX上相對的一第三側B43與一第四側B44，且第一側B41與第三側B43相鄰，第二側B42與第四側B44相鄰。第一側B41相對于第三側B43的距離差為一第一偏差C41。第四側B44相對于第二側B42的距離差為一第二偏差C42。由前述公式2可知，本實施例的實際鍍膜區R4相對于預定鍍膜區S41的一單側擴散距離為第一偏差C41與第二偏差C42之和的二分之一。因此,此時可利用第一偏差C41與第二偏差C42計算 出單側擴散距離。實際上，如圖4B所示，前述薄膜擴散特性即為鍍膜F4會向第一開口圖案0P41所暴露出的基板區域的外側延伸一單側擴散距離G4，且可利用第一偏差C41與第二偏差C42計算得出單側擴散距離G4。之后，請參照圖4C與圖5C，可依照計算出的單側擴散距離設計一第二陰影掩膜M42。詳細而言，第二陰影掩膜M42可具有一第二開口圖案0P42以及與第二開口圖案0P42互補的一第二實體圖案A42，其中第二實體圖案A42具有一相同于第一實體圖案A41的基本圖案A421以及一自基本圖案A421的邊緣A421a沿軸AX朝向第二開口圖案0P42延伸的補償圖案A422，補償圖案A422的延伸距離D4大抵等于單側擴散距離。在一實施例中，第二開口圖案0P42的形狀不同于第一開口圖案0P41的形狀。舉例來說，第一開口圖案0P41的形狀可為長方形，第二開口圖案0P42的形狀可為正方形。然后，請參照圖4D與圖可以第二陰影掩膜M42作為遮罩進行一沉積工藝，以于基板S4上形成一鍍膜F41。為簡化圖式以方便說明，圖省略繪示第二陰影掩膜M42。鍍膜F41的寬度W41相仿于預定鍍膜區S41的寬度W42。在此，鍍膜F41只會受到對位偏差的影響而相對于預定鍍膜區S41向右側偏移一鍍膜偏移距離SH4。由前述可知，本實施例先利用第一陰影掩膜M41進行一次沉積工藝，以量測鍍膜F4的第一偏差C41與第二偏差C42，進而據此計算出單側擴散距離，然后，依據計算出的單側擴散距離設計一第二陰影掩膜M42，以抵銷(補償)薄膜擴散特性對鍍膜工藝的影響。因此，本實施例的鍍膜F41可不受薄膜擴散特性的影響，而具有較佳的圖案解析度與較低的線寬變異。圖6A至圖6D繪示本發明另一實施例的陰影掩膜的補償設計方法的流程剖面圖。圖7A至圖7D分別繪示圖6A至圖6D的陰影掩膜與基板的上視圖。請參照圖6A與圖7A，首先，提供一第一陰影掩膜M61，第一陰影掩膜M61具有一第一實體圖案Al以及與第一實體圖案Al互補的一第一開口圖案0P61。第一實體圖案Al包括一第一圖案A61。

接著，將第一陰影掩膜M61設置于一基板S6上,第一圖案A61遮蔽基板S6的一第一預定鍍膜開口區S061，第一預定鍍膜開口區S061具有在一軸AX上相對的一第一側B61與一第二側B62。在一實施例中，第一實體圖案Al可選擇性地更具有分別位于第一圖案A61兩側的一第一邊緣圖案A63與一第三邊緣圖案A64，且第一開口圖案0P61亦與第一邊緣圖案A63與第三邊緣圖案A64互補。第一邊緣圖案A63與第三邊緣圖案A64分別遮蔽基板S6的一第二預定鍍膜開口區S062與一第三預定鍍膜開口區S063。第二預定鍍膜開口區S062與第三預定鍍膜開口區S063分別具有在軸AX上的一第五側B65與一第七側B66。一般而言，將第一陰影掩膜M61設置于基板S6上的工藝都無可避免地會有對位偏差產生，因此，第一圖案A61與第一預定鍍膜開口區S061之間會存在一鍍膜偏移距離。圖6A與圖7A繪不第一圖案A61相對于第一預定鍍膜開口區S061向右側偏移一鍍膜偏移距離SH6。同理，第一邊緣圖案A63與第三邊緣圖案A64分別相對于第二預定鍍膜開口區S062與第三預定鍍膜開口區S063向右側偏移一鍍膜偏移距離SH6。然后，請參照圖6B與圖7B，以第一陰影掩膜M61為遮罩進行一沉積工藝，以于基板S6上形成一鍍膜F6，鍍膜F6具有一位于第一圖案A61下方的第一開口 F061，其中第一開口 F061具有在軸AX上相對的一第三側B63與一第四側B64，且第一側B61與第三側B63相鄰，第二側B62與第四側B64相鄰。詳細而言，第三側B63相對于第一側B61的距離差為一第一偏差C61，第二側B62相對于第四側B64的距離差為一第二偏差C62。由公式2可知，第一開口 F061相對于第一預定鍍膜開口區S061的一第一單側擴散距離為第一偏差C61與第二偏差C62之和的二分之一。因此，可利用第一偏差C61與第二偏差C62計算出第一單側擴散距離。另外，由公式I可知，第一開口 F061相對于第一預定鍍膜開口區S061的一鍍膜偏移距離SH6為第一偏差C61與第二偏差C62之差的二分之一。因此,可利用第一偏差C61與第二偏差C62計算出鍍膜偏移距離SH6。在一實施例中，鍍膜F6可選擇性地具有分別位于第一邊緣圖案A63與第三邊緣圖案A64下方的一第二開口 F062與一第三開口 F063。第二開口 F062具有在軸AX上鄰近第五側B65的一第六側B67，第三開口 F063具有在軸AX上鄰近第七側B66的一第八側B68。詳細而言，第五側B65相對于第六側B67的距離差為一第三偏差C63，第八側B68相對于第七側B66的距離差為一第四偏差C64。第二開口 F062相對于第二預定鍍膜開口區S062的一第二單側擴散距離可由下示的公式3得到。第二單側擴散距離=第三偏差C3+鍍膜偏移距離SH6(公式3)第三開口 F063相對于第三預定鍍膜開口區S063的一第三單側擴散距離可由下示的公式4得到。第三單側擴散距離=第四偏差C4-鍍膜偏移距離SH6(公式4)接著，請參照圖6C與圖7C，可依照第一單側擴散距離設計一第二陰影掩膜M62，第二陰影掩膜M62具有一第二實體圖案A2以及與第二實體圖案A2互補的一第二開口圖案0P62。第二開口圖案0P62的大小不同于第一開口圖案0P61。在一實施例中，第二開口圖案0P62相對于第一開口圖案0P61內縮第一單側擴散距離。第二實體圖案A2包括一第二圖案A62。詳細而言,第二圖案A62具有一相同于第一圖案A61的第一基本圖案A621以及一自第一基本圖案A621的邊緣沿軸AX朝向第二開口圖案0P62延伸的第一補償圖案A622，第一補償圖案A622的延伸距離D61大抵等于第一單側擴散距離。在一實施例中，第二實體圖案A2可選擇性地更具有一第二邊緣圖案A65以及一第四邊緣圖案A66，且第二開口圖案0P62亦與第二邊緣圖案A65以及第四邊緣圖案A66互補。相對于第一陰影掩膜M61的第一開口圖案0P61，第二陰影掩膜M62的第二開口圖案0P62的與第二圖案A62相 鄰的部分內縮第一單側擴散距離，第二開口圖案0P62的與第二邊緣圖案A65相鄰的部分內縮第二單側擴散距離，第二開口圖案0P62的與第四邊緣圖案A66相鄰的部分內縮第三單側擴散距離。詳細而言，第二邊緣圖案A65具有一相同于第一邊緣圖案A63的第二基本圖案A651以及一自第二基本圖案A651的邊緣沿軸AX朝向第二開口圖案0P62延伸的第二補償圖案A652，第二補償圖案A652的延伸距離D62大抵等于第二單側擴散距離。第四邊緣圖案A66具有一相同于第三邊緣圖案A64的第三基本圖案A661以及一自第三基本圖案A661的邊緣沿軸AX朝向第二開口圖案0P62延伸的第三補償圖案A662，第三補償圖案A662的延伸距離D63大抵等于第三單側擴散距離。在一實施例中，第二開口圖案0P62的形狀可不同于第一開口圖案0P61的形狀。然后，請參照圖6D與圖7D，可以第二陰影掩膜M62作為為遮罩進行一沉積工藝，以于基板S6上形成一鍍膜F61。為簡化圖式以方便說明，圖7D省略繪示第二陰影掩膜M62。鍍膜F61具有分別對應第二圖案A62、第二邊緣圖案A65、與第四邊緣圖案A66的一第一開口 F0611、一第二開口 F0622與一第三開口 F0633，其中第一開口 F0611的寬度W61相仿于第一預定鍍膜開口區S061的寬度W62。在此，鍍膜F61的第一開口 F0611、第二開口 F0622與第三開口 F0633只會受到對位偏差的影響而分別相對于第一預定鍍膜開口區S061、第二預定鍍膜開口區S062、第三預定鍍膜開口區S063向右側偏移一鍍膜偏移距離SH6。圖8A至圖8C繪示本發明一實施例的鍍膜工藝的示意圖，其中圖8A與圖8C為上視圖，圖8B為剖面圖。請參照圖8A，本實施例的陰影掩膜800包括一實體圖案A8以及一與實體圖案AS互補的開口圖案OP8。實體圖案AS包括呈陣列排列的多個圖案單元，這些圖案單元可包括一第一圖案單元Ul與一第二圖案單元U2。詳細而言,第一圖案單兀Ul具有一第一基本圖案A811以及一自第一基本圖案A811的邊緣沿一軸AX朝向開口圖案OP延伸的第一補償圖案A812。第一補償圖案A812例
如具有一平直邊緣。第二圖案單元U2具有一第二基本圖案A821以及一自第二基本圖案A821的邊緣沿軸AX朝向開口圖案0P8延伸的第二補償圖案A822。第一基本圖案A811與第二基本圖案A821的形狀與大小皆相同，且第一補償圖案A812的延伸距離D81不等于第二補償圖案A822的延伸距離D82。在一實施例中，第一補償圖案A812的延伸距離D81大于第二補償圖案A822的延伸距離D82。在一實施例中，前述圖案單元可更包括一第三圖案單元U3，第三圖案單元U3具有一第三基本圖案A831以及一自第三基本圖案A831的邊緣沿軸朝向開口圖案0P8延伸的第三補償圖案A832。詳細而言，第一基本圖案A811、第二基本圖案A821與第三基本圖案A831的形狀與大小皆相同，第三基本圖案A831與第二基本圖案A821相連，第一補償圖案A812的延伸距離D81、第二補償圖案A822的延伸距離D82、與第三補償圖案A832的延伸距離D83皆不相等。
由于用以沉積薄膜的基板(尤其是大尺寸基板)在工藝中每個部位的變形量不同，因此，在基板的不同部位上，鍍膜的單側擴散距離并不相同。因此，相對于不同位置的鍍膜(或鍍膜開口)的陰影掩膜的圖案單元U1、U2、U3會具有延伸距離不相等的補償圖案，以補償因基板各個部位的變形量不同所造成的不同單側擴散距離。請參照圖SB，可將陰影掩膜800用于一沉積工藝中，以于一基板S8上形成一鍍膜F8。圖SC是繪示鍍膜F8的上視圖。請參照圖SB與圖SC，鍍膜F8具有呈陣列排列的多個開口 F08，開口 F08的形狀與大小皆相同，圖案單元仍、似、仍川4、邪分別位于開口 F08上，且第一基本圖案A811的面積大抵等于其下方開口 F08的面積。在另一實施例中，如圖9所示，圖案單元U91具有第一基本圖案A911以及第一補償圖案A912，第一補償圖案A912可具有一彎曲邊緣，且第一補償圖案A912可具有多個彼此不同的延伸距離D94、D95。綜上所述，本發明是先利用第一陰影掩膜進行一次沉積工藝，以量測鍍膜的第一偏差與第二偏差，進而據此計算出單側擴散距離，然后，依據計算出的單側擴散距離設計一第二陰影掩膜，以抵銷(補償)薄膜擴散特性對鍍膜工藝的影響。如此一來，本發明的鍍膜可不受薄膜擴散特性的影響，進而具有較佳的圖案解析度與較低的線寬變異。本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發明的范圍，任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明的保護范圍當以權利要求所界定的為準。
權利要求
1.一種陰影掩膜的補償設計方法，其特征在于，所述的方法包括: 設置一第一陰影掩膜于一基板上，該第一陰影掩膜具有一第一實體圖案以及與該第一實體圖案互補的一第一開口圖案，該第一實體圖案遮蔽該基板的一第一預定鍍膜開口區，該第一預定鍍膜開口區具有在一軸上相對的一第一側與一第二側； 以該第一陰影掩膜為遮罩進行一沉積工藝，以于該基板上形成一鍍膜，該鍍膜具有一位于該第一實體圖案下方的第一開口，其中該第一開口具有在該軸上相對的一第三側與一第四側，該第一側與該第三側相鄰，該第二側與該第四側相鄰， 其中該第三側相對于該第一側的距離差為一第一偏差，該第二側相對于該第四側的距離差為一第二偏差，該第一開口相對于該第一預定鍍膜開口區的一第一單側擴散距離為該第一偏差與該第二偏差之和的二分之一；以及 依照該第一單側擴散距離設計一相似但不同于該第一陰影掩膜的第二陰影掩膜，該第二陰影掩膜具有一第二實體圖案以及與該第二實體圖案互補的一第二開口圖案，其中該第二開口圖案的大小不同于該第一開口圖案。
2.如權利要求1所述的陰影掩膜的補償設計方法，其特征在于，該第二開口圖案相對于該第一開口圖案內縮該第一單側擴散距離。
3.如權利要求1所述的陰影掩膜的補償設計方法，其特征在于，該第二開口圖案的形狀不同于該第一開口圖案的形狀。
4.如權利要求1所述的陰影掩膜的補償設計方法，其特征在于，該第一開口相對于該第一預定鍍膜開口區的一第一鍍膜偏移距離為該第一偏差與該第二偏差之差的二分之一，其中該第一陰影掩膜的該第一實體圖案更包含位于一側的一第一邊緣圖案，該第一邊緣圖案遮蔽該基板的一第二預定鍍膜開口區，該第二預定鍍膜開口區具有在該軸上鄰近第一預定鍍膜開口區的一第五側， 該鍍膜更具有位于該第一邊緣圖案 下方的一第二開口，其中該第二開口具有在該軸上鄰近該第五側的一第六側， 其中該第五側相對于該第六側的距離差為一第三偏差，該第二開口相對于該第二預定鍍膜開口區的一第二單側擴散距離為該第三偏差與該第一鍍膜偏移距離的和， 該第二陰影掩膜的該第二實體圖案更包括一第三邊緣圖案，該第二開口圖案與該第二實體圖案相鄰的部分相對于該第一開口圖案內縮該第一單側擴散距離，該第二開口圖案與該第二邊緣圖案相鄰的部分相對于該第一開口圖案內縮該第二單側擴散距離。
5.如權利要求4所述的陰影掩膜的補償設計方法，其特征在于，該第一陰影掩膜的該第一實體圖案更包含位于另一側的一第三邊緣圖案，該第三邊緣圖案遮蔽該基板的一第三預定鍍膜開口區，該第三預定鍍膜開口區具有在該軸上鄰近第一預定鍍膜開口區的一第七偵U， 該鍍膜更具有位于該第三邊緣圖案下方的一第三開口，其中該第三開口具有在該軸上鄰近該第七側的一第八側， 其中該第八側相對于該第七側的距離差為一第四偏差，該第三開口相對于該第三預定鍍膜開口區的一第三單側擴散距離為該第四偏差與該第一鍍膜偏移距離的差， 該第二陰影掩膜的該第二實體圖案更包括一第四邊緣圖案，該第二開口圖案與該第四邊緣圖案相鄰的部分相對于該第一開口圖案內縮該第三單側擴散距離。
6.一種陰影掩膜，其特征在于，所述的陰影掩膜包括:一實體圖案以及一與該實體圖案互補的開口圖案，其中該實體圖案包括呈陣列排列的多個圖案單元，所述圖案單元至少包括一第一圖案單元與一第二圖案單元，該第一圖案單元具有一第一基本圖案以及一自該第一基本圖案的邊緣沿一軸朝向該開口圖案延伸的第一補償圖案，該第二圖案單元具有一第二基本圖案以及一自該第二基本圖案的邊緣沿該軸朝向該開口圖案延伸的第二補償圖案，其中該第一基本圖案與該第二基本圖案的形狀與大小皆相同，該第一補償圖案的延伸距離不等于該第二補償圖案的延伸距離。
7.如權利要求6所述的陰影掩膜，其特征在于，所述圖案單元更包括一第三圖案單元，該第三圖案單元具有一第三基本圖案以及一自該第三基本圖案的邊緣沿該軸朝向該開口圖案延伸的第三補償圖案，該第一基本圖案、該第二基本圖案與該第三基本圖案的形狀與大小皆相同，該第三基本圖案與該第二基本圖案相連，該第一補償圖案的延伸距離、該第二補償圖案的延伸距離、與該第三補償圖案的延伸距離皆不相等。
8.如權利要求6所述的陰影掩膜，其特征在于，該陰影掩膜用于一沉積工藝中，以于一基板上形成一鍍膜，該鍍膜具有呈陣列排列的多個開口，所述開口的形狀與大小皆相同，所述圖案單元分別位于所述開口上，且該第一基本圖案的面積大抵等于該開口的面積。
9.如權利要求6所述的陰影掩膜，其特征在于，該第一補償圖案具有一平直邊緣。
10.如權利要求6所述的陰影掩膜，其特征在于，該第一補償圖案具有一彎曲邊緣。
11.如權利要求10所述的陰影掩膜，其二者在于，該第一補償圖案具有多個彼此不同的延伸距離。 ·
全文摘要
本發明提供一種陰影掩膜及其補償設計方法，該方法包括提供一第一陰影掩膜具有一第一開口圖案以及一第一實體圖案；將第一陰影掩膜設置于一基板上，基板的一預定鍍膜區具有一第一側與一第二側；以第一陰影掩膜為遮罩進行一沉積工藝，以于基板的一實際鍍膜區上形成一鍍膜，實際鍍膜區具有一第三側與一第四側，第一側與第三側的距離差為一第一偏差，第二側與第四側的距離差為一第二偏差，實際鍍膜區相對于預定鍍膜區的一單側擴散距離為第一偏差與第二偏差之和的二分之一；以及依照單側擴散距離設計一第二陰影掩膜。本發明的鍍膜可不受薄膜擴散特性的影響，進而具有較佳的圖案解析度與較低的線寬變異。
文檔編號C23C14/04GK103225059SQ20121002107
公開日2013年7月31日 申請日期2012年1月30日 優先權日2012年1月30日
發明者朱啟寶, 姜義堂, 陳思孝, 楊冠懿, 陳冠州, 李宜憓, 溫晉達 申請人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司