專利名稱：CVD SiC/SiO₂梯度抗氧化復合涂層及其制備方法
技術領域：
本發明涉及一種石墨、C/C復合材料及陶瓷基材料的梯度抗氧化復合涂層及制備方法，提供室溫至1700°c溫度范圍內長時間的抗氧化保護。
背景技術：
石墨、C/C復合材料及陶瓷基材料(如C/C-陶瓷復合材料、C/陶復合材料、碳化物陶瓷)具有優異的耐高溫、耐燒蝕、耐磨損等一系列的優點，尤其在惰性氣氛或真空條件下，在高溫下依然具有良好的強度、模量及其他力學性能，因此在航天航空領域具有廣闊的應用前景。但在氧化氣氛下，這些材料就會迅速被氧化，導致材料毀滅性破壞，大大制約了其應用。因此，對石墨、C/C復合材料及陶瓷基材料提供抗氧化保護是十分必要的。
目前，抗氧化涂層法是比較理想的抗氧化保護方法，它是利用涂層材料將基體材料與氧隔離開來，阻止基體材料與氧原子發生反應，從而達到有效抗氧化的要求。近年來，各種抗氧化涂層體系得到了大量的研究。其中，SiC是最常用的涂層材料，這是因為它在較高溫度下氧化時產生的SiO2可以填充涂層中的裂紋等缺陷，阻擋氧氣的滲入，從而為材料提供抗氧化保護。但是，在中低溫區域，SiC的氧化速率很慢，無法形成完整有效的SiO2阻氧膜。而在中低溫區域具有良好流動性和潤濕性的硼酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃等涂層，其在長時間高溫條件下會因揮發嚴重而導致涂層失效。因此，這些涂層的抗氧化溫度較窄，僅集中于中低溫段或者高溫段，不能提供從低溫到高溫寬溫度范圍內的長時間抗氧化保護。

發明內容
本發明所要解決的第一個技術問題是提供一種具有良好可控性和可設計性，并且具有成分梯度、低應力及優良的抗熱震性能，能夠在室溫至1700°c溫度范圍內長時間應用的CVD 31(/3102梯度抗氧化復合涂層。本所要解決的第二個技術問題是提供一種該CVD SiC/Si02梯度抗氧化復合涂層的制備方法。為了解決上述第一個技術問題，本發明提供的CVD SiC/Si02梯度抗氧化復合涂層，由采用化學氣相沉積方法制備的SiC涂層、SiO2涂層及SiC與SiO2共沉積涂層組成，或僅由采用化學氣相沉積方法制備的SiC與SiO2共沉積涂層組成。所述的SiC與SiO2共沉積涂層的成分有三種變化兩種梯度變化，一種成分基本穩定不變，即SiC成分由高到低，同時SiO2的成分由低到高的SiC-SiO2梯度涂層，或SiO2成分由高到低，同時SiC的成分由低到高的SiO2-SiC梯度涂層，或SiC、SiO2兩成分基本不變的SiC SiO2共沉積涂層。所述的梯度涂層由一種梯度構成，或由多個梯度構成多層復合梯度涂層，即由內至外涂層依次為 SiC/SiC-Si02/Si02 涂層，或依次 SiC/SiC-Si02/SiC Si02/SiC-Si02/SiO2 涂層，或依次為 SiC/SiC-Si02/Si02/Si02_SiC/SiC/SiC-Si02/Si(V"SiC/SiC-Si02/SiO2,或依次為 SiC/SiC-Si02/Si02-SiC/SiC-Si02/*"/Si02-SiC/SiC_Si02/Si02，或依次為SiC/SiC-Si02/SiC Si02/Si02-SiC/SiC SiO2/*"/SiC Si02/SiC_Si02/Si02，或依次為SiC-Si02/Si02_SiC/.../Si02-SiC/SiC-Si02/，或為 SiC SiO20為了解決上述第二個技術問題，本發明提供的制備CVD SiC/Si02梯度抗氧化復合涂層的方法，其制備步驟為(I)、SiC涂層的制備將經過表面處理的基體材料置于化學氣相沉積爐中，通入硅源氣、碳源氣及稀釋氣，沉積溫度為900-1300°C，沉積壓力為0. 1-lOkPa，沉積時間為I-IOh ；(2)、SiC-SiO2 涂層的制備保持步驟(I)中工藝參數及工藝條件，通入氧源氣，并逐漸增加氧源氣/碳源氣流量比，沉積時間為l-10h，沉積制備SiC-SiO2涂層； (3)、SiO2涂層的制備保持步驟(2)中最終的氧源氣/碳源氣流量比，其它工藝參數及工藝條件不變，沉積時間為l-10h，沉積制備SiO2涂層；(4)、SiO2-SiC 涂層的制備逐漸減小步驟(3)中氧源氣/碳源氣流量比，其它工藝參數及工藝條件不變，沉積時間為1-I0h，沉積制備SiO2-SiC涂層；(5)、SiC SiO2涂層的制備保持步驟(I)中工藝參數及工藝條件，通入氧源氣，并保持固定的氧源氣/碳源氣流量比，沉積時間為l-10h，沉積制備SiC SiO2涂層；(6)、基體材料依次經過步驟⑴、⑵、(3)，即制備出SiC/SiC-Si02/Si02梯度復合涂層;(7)、基體材料依次經過步驟(I)、(2)、(5)、(2)、(3)，即可制備出由多個梯度構成的 SiC/SiC-Si02/SiC Si02/SiC_Si02/Si02 復合涂層；(8)、基體材料依次重復步驟⑴、⑵、⑶、⑷、⑴、⑵、⑶、⑷…、⑴、⑵、
(3)，即制備出由多個梯度構成的 SiC/SiC-Si02/Si02/Si02-SiC/SiC/SiC-Si02/Si02/-/SiC/SiC-Si02/Si02 復合涂層；(9)、基體材料依次重復步驟(1)、⑵、⑷、⑵、…、⑷、(2)、(3)，即制備出由多個梯度構成的 SiC/SiC-Si02/Si02SiC/SiC-Si02/*"/Si02-SiC/SiC_Si02/Si02 復合涂層；(10)、基體材料依次重復步驟(I)、(2)、(5)、(4)、(5)、…、(5)、(2)、(3)，即制備出由多個梯度構成的 SiC/SiC_Si02/SiC Si02/Si02-SiC/SiC SiO2/"*/SiC SiO2/SiC-Si02/Si02 復合涂層。SiC SiO2共沉積涂層是硅源氣、碳源氣、氧源氣氣體基本不變的共沉積涂層。所述的硅源氣為SiCl4' HSiCl3' H2SiCl2' H3SiCl' SiH4' CH3SiCl3' (CH3)2SiCl2,Si (OC2H5)4中的一種或兩種組成，所述的碳源氣為CH4、C2H6, C2H4, C3H8, C3H6, C4H10及H2氣態或蒸汽壓較高的烷烴、烯烴和炔烴組成，所述的氧源氣由o2、co2、h2o、n2o在高溫下具有強氧化性的氣態物質，所述的稀釋氣由H2、Ar、N2組成，H2也作為還原氣體或催化氣體。采用上述技術方案的CVD SiC/Si02梯度抗氧化復合涂層及其制備方法，與現有技術相比，本發明具有以下優點(I)采用CVD制備的復合涂層，不僅結構致密，而且具有良好的可控性和可設計性。通過改變輸入氣體的流量比可以控制涂層的成分，從而得到所需的復合涂層。(2)復合涂層的每個子涂層之間存在成分梯度，具有逐漸過渡的特點，涂層之間結合緊密，相容性好，應力小，涂層的缺陷少，抗熱震性能較好。(3)涂層由SiC、SiO2兩相復合而成，其中SiC與基體材料具有良好的相容性，而SiO2可解決SiC在中低溫范圍內抗氧化性能差的問題。所制備的復合涂層抗氧化性能優異，能在室溫至1700°c溫度范圍內長時間應用。


圖I為本發明實施例I的樣品的表面掃描電鏡圖片。圖2為本發明實施例I的樣品在1000°C靜態空氣中的等溫氧化曲線。 圖3為本發明實施例I的樣品在1500°C靜態空氣中的等溫氧化曲線。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明。實施例I :SiC/SiC Si02/Si02復合涂層的制備將石墨基體用600號SiC砂紙打磨后，依次用蒸餾水、無水乙醇超聲清洗干凈，然后在烘箱內于100°C下干燥12h后備用。(I) SiC涂層的制備將經過表面處理的石墨基體置于化學氣相沉積爐中，米用CH3SiCl3-H2-Ar體系制備，其中CH3SiCl3(MTS)為Si源，水浴保持恒溫30 35°C，以H2為載氣鼓泡輸送到CVD爐中。沉積溫度為1100°C，沉積壓力為700Pa，沉積時間為lh。(2) SiC SiO2涂層的制備保持步驟(I)中工藝參數及工藝條件，通入二氧化碳氣體，保持C02/H2流量比為0. 47，沉積時間為10h，沉積制備SiC SiO2涂層。(3) SiO2涂層的制備將步驟(2)中C02/H2流量比改為I. 28，其它工藝參數及工藝條件不變，沉積時間為10h，沉積制備SiO2涂層。基體材料依次經過步驟(I)、(2)、(3)，即可制備出具有優良抗氧化性能的SiC/SiC Si02/Si02梯度涂層。將沒有涂層的石墨樣品與制備好的SiC/SiC Si02/Si02涂層樣品放入開放式剛玉管氧化爐里中于1000°c及1500°C溫度下進行氧化實驗。在1000°C及1500°C下，石墨樣品經過Ih氧化后，其失重率就分別達到了 39. 85%和74. 06% ;而制備的SiC/SiC SiO2/SiO2涂層樣品經過108h氧化后，其在1000°C下增重0. 0077%,在1500°C下僅失重0. 13%。在中溫區與高溫區材料的抗氧化性能都有了明顯提高。此外，涂層經歷從1000°C及1500°C到室溫反復熱震15次，未出現脫落現象，說明涂層具有優異的抗熱震性能。實施例2 SiC/SiC-Si02/Si02 復合涂層的制備將基體材料用600號SiC砂紙打磨后，依次用蒸餾水、無水乙醇超聲清洗干凈，然后在烘箱內于100°C下干燥12h后備用。(I) SiC涂層的制備將經過表面處理的基體材料置于化學氣相沉積爐中，采用CH3SiCl3-H2-Ar體系制備，其中CH3SiCl3(MTS)為Si源，水浴保持恒溫34. 5°C，以H2為載氣鼓泡輸送到CVD爐中。沉積溫度為900°C，沉積壓力為IOkPa,沉積時間為10h。(2) SiC-SiO2 涂層的制備保持步驟(I)中工藝參數及工藝條件，通入二氧化碳氣體，并逐漸將C02/H2流量比從0. 32增加到I. 28，沉積時間為10h，沉積制備SiC-SiO2涂層。 (3) SiO2涂層的制備保持步驟(2)中最終的C02/H2流量比I. 28，其它工藝參數及工藝條件不變，沉積時間為10h，沉積制備SiO2涂層。基體材料依次經過步驟(I)、(2)、(3)，即可制備出具有優良抗氧化性能的SiC/SiC-Si02/Si02 梯度涂層。實施例3 SiC/SiC-Si02/SiC Si02/SiC_Si02/Si02 復合涂層的制備將基體材料用600號SiC砂紙打磨后，依次用蒸餾水、無水乙醇超聲清洗干凈，然后在烘箱內于100°C下干燥12h后備用。(I) SiC涂層的制備將經過表面處理的基體材料置于化學氣相沉積爐中，米用CH3SiCl3-H2Ar體系制備，其中CH3SiCl3(MTS)為Si源，水浴保持恒溫30. 5°C，以H2為載氣鼓泡輸送到CVD爐中。沉積溫度為1300°C，沉積壓力為700Pa，沉積時間為4h。(2) SiC-SiO2 涂層的制備保持步驟(I)中工藝參數及工藝條件，通入二氧化碳氣體，并逐漸將C02/H2流量比從I. 28變為0. 32，沉積時間為4h，沉積制備SiC-SiO2涂層。(3) SiC SiO2涂層的制備保持步驟⑴中工藝參數及工藝條件，通入二氧化碳氣體，保持C02/H2流量比為0. 47，沉積時間為4h，沉積制備SiC SiO2涂層。(4) SiO2涂層的制備保持步驟(2)中最終的C02/H2流量比改為I. 28，其它工藝參數及工藝條件不變，沉積時間為4h，沉積制備SiO2涂層。基體材料依次經過步驟(I)、(2)、(3)、(2)、(4)，即可制備出由多個梯度構成、具有良好抗氧化性能的SiC/SiC_Si02/SiC Si02/SiC-Si02/Si02復合涂層。實施例4 SiC/SiC-Si02/Si02/Si02-SiC/SiC/SiC-Si02/Si02/... /SiC/SiC_Si02/Si02 復合涂層的制備將基體材料用600號SiC砂紙打磨后，依次用蒸餾水、無水乙醇超聲清洗干凈，然后在烘箱內于100°C下干燥12h后備用。(I) SiC涂層的制備將經過表面處理的基體材料置于化學氣相沉積爐中，采用CH3SiCl3-H2Ar體系制備，其中CH3SiCl3 (MTS)為Si源，水浴保持恒溫30°C，以H2為載氣鼓泡輸送到CVD爐中。沉積溫度為1150°C，沉積壓力為700Pa，沉積時間為4h。(2) SiC-SiO2 涂層的制備保持步驟(I)中工藝參數及工藝條件，通入二氧化碳氣體，并逐漸將C02/H2流量比從0. 32增加至IJ I. 28，沉積時間為4h，沉積制備SiC-SiO2涂層。(3) SiO2涂層的制備保持步驟(2)中最終的C02/H2流量比0. 32，其它工藝參數及工藝條件不變，沉積時間為10h，沉積制備SiO2涂層。(4) SiO2-SiC 涂層的制備逐漸將步驟(3)中C02/H2流量比從I. 28減少到0. 32，其它工藝參數及工藝條件 不變，沉積時間為4h，沉積制備SiO2-SiC涂層。基體材料依次重復步驟(I)、(2)、(3)、(4)、(I)、(2)、(3)、…、(I)、(2)、(3)，即可制備出由多個梯度構成、具有良好抗氧化性能的SiC/SiC-Si02/Si02/Si02_SiC/SiC/SiC-Si02/Si02/... /SiC/SiC-Si02/Si02 復合涂層。實施例5 SiC/SiC-Si02/Si02-SiC/SiC-Si02/—/Si02-SiC/SiC-Si02/Si02 復合涂層的制備將基體材料用600號SiC砂紙打磨后，依次用蒸餾水、無水乙醇超聲清洗干凈，然后在烘箱內于100°C下干燥12h后備用。(I) SiC涂層的制備將經過表面處理的基體材料置于化學氣相沉積爐中，采用CH3SiCl3-H2Ar體系制備，其中CH3SiCl3(MTS)為Si源，水浴保持恒溫34. 5°C，以H2為載氣鼓泡輸送到CVD爐中。沉積溫度為1100°C，沉積壓力為700Pa，沉積時間為4h。(2) SiC-SiO2 涂層的制備保持步驟(I)中工藝參數及工藝條件，通入二氧化碳氣體，并逐漸將C02/H2流量比從0. 32增加至IJ I. 28，沉積時間為4h，沉積制備SiC-SiO2涂層。(3) SiO2涂層的制備保持步驟(2)中最終的C02/H2流量比0. 32，其它工藝參數及工藝條件不變，沉積時間為4h，沉積制備SiO2涂層。(4) SiO2-SiC 涂層的制備逐漸將步驟(3)中C02/H2流量比從I. 28減少到0. 32，其它工藝參數及工藝條件不變，沉積時間為4h，沉積制備SiO2-SiC涂層。基體材料依次重復步驟(I)、(2)、(4)、(2)、…、(4)、(2)、(3)，即可制備出由多個梯度構成、具有良好抗氧化性能的 SiC/SiC-Si02/Si02_SiC/SiC-Si02-SiC/SiC-Si02/Si02 復合涂層。實施例6 SiC/SiC-Si02/SiC Si02/Si02-SiC/SiC SiO2A../SiC Si02/SiC_Si02/Si02 復合涂層的制備將基體材料用600號S i C砂紙打磨后，依次用蒸餾水、無水乙醇超聲清洗干凈，然后在烘箱內于100°C下干燥12h后備用。
(I) SiC涂層的制備將經過表面處理的基體材料置于化學氣相沉積爐中，米用CH3SiCl3-H2-Ar體系制備，其中CH3SiCl3(MTS)為Si源，水浴保持恒溫34. 5°C，以H2為載氣鼓泡輸送到CVD爐中。沉積溫度為1100°C，沉積壓力為700Pa，沉積時間為4h。

(2) SiC-SiO2 涂層的制備保持步驟(I)中工藝參數及工藝條件，通入二氧化碳氣體，并逐漸將C02/H2流量比從0. 32增加至IJ I. 28，沉積時間為4h，沉積制備SiC-SiO2涂層。(3) SiO2涂層的制備保持步驟(2)中最終的C02/H2流量比0. 32，其它工藝參數及工藝條件不變，沉積時間為4h，沉積制備SiO2涂層。(4) SiO2-SiC 涂層的制備逐漸將步驟(3)中C02/H2流量比從I. 28減少到0. 32，其它工藝參數及工藝條件不變，沉積時間為4h，沉積制備SiO2-SiC涂層。(5) SiC SiO2涂層的制備保持步驟(I)中工藝參數及工藝條件，通入二氧化碳氣體，保持C02/H2流量比為
0.47，沉積時間為4h，沉積制備SiC SiO2涂層。基體材料依次重復步驟(I)、(2)、(5)、(4)、(5)、…、(5)、(2)、(3)，即可制備出由多個梯度構成、具有良好抗氧化性能的SiC/SiC_Si02/SiC Si02/Si02-SiC/SiC SiO2/-/SiC Si02/SiC-Si02/Si02 復合涂層。實施例I SiC SiO2復合涂層的制備將基體材料用600號SiC砂紙打磨后，依次用蒸餾水、無水乙醇超聲清洗干凈，然后在烘箱內于100°C下干燥12h后備用。將經過表面處理的基體材料置于化學氣相沉積爐中，采用CH3SiCl3-H2-CO2-Ar體系制備，其中CH3SiCl3 (MTS)為Si源，水浴保持恒溫34. 5°C，以H2為載氣鼓泡輸送到CVD爐中。沉積溫度為1100°C，沉積壓力為700Pa，保持C02/H2流量比為0. 47，沉積時間為10h，沉積制備SiC SiO2涂層。
權利要求
1.一種CVD SiC/Si02梯度抗氧化復合涂層，其特征在于由采用化學氣相沉積方法制備的SiC涂層、SiO2涂層及SiC與SiO2共沉積涂層組成，或僅由采用化學氣相沉積方法制備的SiC與SiO2共沉積涂層組成。
2.根據權利要求I所述的CVDSiC/Si02梯度抗氧化復合涂層，其特征在于所述的SiC與SiO2共沉積涂層的成分有三種變化兩種梯度變化，一種成分基本穩定不變，即SiC成分由高到低，同時SiO2的成分由低到高的SiC-SiO2梯度涂層，或SiO2成分由高到低，同時SiC的成分由低到高的SiO2-SiC梯度涂層，或SiC、SiO2兩成分基本不變的SiC SiO2共沉積涂層。
3.根據權利要求1、2所述的CVDSiC/Si02梯度抗氧化復合涂層，其特征在于所述的梯度涂層由一種梯度構成，或由多個梯度構成多層復合梯度涂層，即由內至外涂層依次為 SiC/SiC-Si02/Si02 涂層，或依次 SiC/SiC_Si02/SiC Si02/SiC_Si02/Si02 涂層，或依次為 SiC/SiC-Si02/Si02/Si02-SiC/SiC/SiC_Si02/SiCV"SiC/SiC-Si02/Si02，或依次為 SiC/SiC-Si02/Si02-SiC/SiC-Si02/— /Si02-SiC/SiC_Si02/Si02，或依次為 SiC/SiC_Si02/SiC Si02/Si02-SiC/SiC SiO2A../SiC Si02/SiC_Si02/Si02，或依次為 SiC-Si02/Si02-SiC/.../Si02-SiC/SiC-Si02/，或為 SiC Si02。
4.制備權利要求1、2、3所述的CVDSiC/Si02梯度抗氧化復合涂層的方法，其特征在于其制備步驟為 (1)、SiC涂層的制備 將經過表面處理的基體材料置于化學氣相沉積爐中，通入硅源氣、碳源氣及稀釋氣，沉積溫度為900-1300°C，沉積壓力為0. 1-lOkPa，沉積時間為I-IOh ； (2)、SiC-SiO2梯度涂層的制備 保持步驟(I)中工藝參數及工藝條件，通入氧源氣，并逐漸增加氧源氣/碳源氣流量t匕，沉積時間為l-10h，沉積制備SiC-SiO2梯度涂層； (3)、SiO2涂層的制備 保持步驟(2)中最終的氧源氣/碳源氣流量比，其它工藝參數及工藝條件不變，沉積時間為l-10h，沉積制備SiO2涂層； (4)、SiO2-SiSiC梯度涂層的制備 逐漸減小步驟(3)中氧源氣/碳源氣流量比，其它工藝參數及工藝條件不變，沉積時間為l-10h，沉積制備SiO2-SiC梯度涂層； (5)、SiC SiO2共沉積涂層的制備 保持步驟(I)中工藝參數及工藝條件，通入氧源氣，并保持固定的氧源氣/碳源氣流量t匕，沉積時間為l-10h，沉積制備SiC SiO2共沉積涂層； (6)、基體材料依次經過步驟(I)、(2)、(3)，即制備出SiC/SiC_Si02/Si02梯度復合涂層； (7)、基體材料依次經過步驟(I)、(2)、(5)、(2)、(3)，即可制備出由多個梯度構成的SiC/SiC-Si02/SiC Si02/SiC_Si02/Si02 復合涂層； (8)、基體材料依次重復步驟⑴、⑵、(3)、⑷、⑴、⑵、(3)、⑷…、⑴、⑵、(3)，即制備出由多個梯度構成的 SiC/SiC-Si02/Si02/Si02-SiC/SiC/SiC-Si02/Si02/*" /SiC/SiC-Si02/Si02 復合涂層；(9)、基體材料依次重復步驟(I)、(2)、(4)、(2)、…、(4)、(2)、(3)，即制備出由多個梯度構成的 SiC/SiC-Si02/Si02SiC/SiC-Si02/*"/Si02-SiC/SiC-Si02/Si02 復合涂層； (10)、基體材料依次重復步驟(I)、(2)、(5)、(4)、(5)、…、(5)、(2)、(3)，即制備出由多個梯度構成的 SiC/SiC-Si02/SiC Si02/Si02-SiC/SiC SiO2/.../SiC Si02/SiC_Si02/SiO2復合涂層。
5.根據權利要求4所述的制備CVDSiC/Si02梯度抗氧化復合涂層的方法，其特征在于SiC SiO2共沉積涂層是硅源氣、碳源氣、氧源氣氣體基本不變的共沉積涂層。
6.根據權利要求4所述的制備CVDSiC/Si02梯度抗氧化復合涂層的方法，其特征在于所述的硅源氣為 SiCl4、HSiCl3'H2SiCl2'H3SiCl'SiH4、CH3SiCl3' (CH3) 2SiCl2、Si (OC2H5) 4中的一種或兩種組成，所述的碳源氣為CH4、C2H6, C2H4, C3H8, C3H6, C4H10及H2氣態或蒸汽壓較高的烷烴、烯烴和炔烴組成，所述的氧源氣由02、C02、H20、N20在高溫下具有強氧化性的氣態 物質，所述的稀釋氣由H2、Ar、N2組成，H2也作為還原氣體或催化氣體。
全文摘要
本發明公開了一種CVD SiC/SiO2梯度抗氧化復合涂層及其制備方法，主要用于石墨、C/C復合材料及易氧化陶瓷基材料(如C/C-陶瓷復合材料、C/陶復合材料、碳化物陶瓷等)的長時間抗氧化保護。涂層采用化學氣相沉積(CVD)方法制備，具有良好的可控性和可設計性。涂層由SiC涂層、SiO2涂層及SiC與SiO2共沉積涂層組成。涂層由一種梯度構成，或由多個梯度構成多層復合梯度涂層，即由內至外涂層依次為SiC/SiC-SiO2/SiO2涂層，或依次SiC/SiC-SiO2/SiC～SiO2/SiC-SiO2/SiO2涂層，或依次為SiC/SiC-SiO2/SiO2/SiO2-SiC/SiC/SiC-SiO2/SiO2…SiC/SiC-SiO2/SiO2，或為SiC/SiC-SiO2/SiO2-SiC/SiC-SiO2/…/SiO2-SiC/SiC-SiO2/SiO2，或為SiC/SiC-SiO2/SiC～SiO2/SiO2-SiC/SiC～SiO2/…/SiC～SiO2/SiC-SiO2/SiO2，或僅為SiC～SiO2共沉積涂層。所制備的梯度復合涂層在室溫至1700℃都具有良好的長時間抗氧化性能。
文檔編號C23C16/32GK102659451SQ20121012928
公開日2012年9月12日 申請日期2012年4月28日 優先權日2012年4月28日
發明者吳敏, 張紅波, 李國棟, 梁武, 熊翔 申請人:中南大學