蒸發裝置及應用該蒸發裝置的真空蒸鍍的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種蒸發裝置，包括一蒸發舟、導氣裝置及氣源通道，該蒸發舟容置于該導氣裝置內且該蒸發舟與導氣裝置之間形成一氣體容置空間；所述氣源通道的一端與該導氣裝置連接，并與該氣體容置空間連通，以向氣體容置空間中通入氣體；所述蒸發舟包括一第一底壁、由該第一底壁的周緣延伸形成的側壁及由該第一底壁與該側壁圍成的容置槽，該側壁上開設有若干通氣孔，所述通氣孔與該氣體容置空間相連通。本發明還提供了應用該蒸發裝置的電子裝置。
【專利說明】蒸發裝置及應用該蒸發裝置的真空蒸鍍機
【技術領域】[0001]本發明涉及一種蒸發裝置及應用該蒸發裝置的真空蒸鍍機。
【背景技術】
[0002]如圖1及圖2所示，現有蒸發鍍膜技術，通常采用一真空蒸鍍機300，其包括一蒸鍍室310及連接于蒸鍍室310的一真空泵330，該真空泵330用以對該蒸鍍室310抽真空。該蒸鍍室310內設置有一蒸發裝置311及一固定待鍍膜工件400的支承架313。反應氣體和/或工作氣體經氣源通道315進入所述蒸鍍室310中。蒸發裝置311用于承載蒸發料，并對蒸發料進行加熱。所述待鍍膜工件400包括一底面410、及由沿底面410的周緣延伸彎折形成的周壁430。在蒸發鍍膜過程中，蒸發料350蒸發產生的蒸氣分子沿箭頭A的方向向待鍍膜工件400運動，同時蒸氣分子還與蒸鍍室310內的反應氣體反應，在待鍍膜工件400的底面410及周壁430上沉積形成膜層。由于蒸發時蒸氣分子的方向性很強，僅沿箭頭A的方向運動，因此在周壁430上沉積的蒸發料分子的密度明顯低于底面410，導致底面410與周壁430上沉積的膜層的厚度不均。
【發明內容】
[0003]鑒于此，本發明提供一種可提高所形成膜層厚度的均勻性的蒸發裝置。
[0004]另外，本發明還提供一種應用該蒸發裝置的真空蒸鍍機。
[0005]一種蒸發裝置，包括一蒸發舟、導氣裝置及氣源通道，該蒸發舟容置于該導氣裝置內且該蒸發舟與導氣裝置之間形成一氣體容置空間；所述氣源通道的一端與該導氣裝置連接，并與該氣體容置空間連通，以向氣體容置空間中通入氣體；所述蒸發舟包括一第一底壁、由該第一底壁的周緣延伸形成的側壁及由該第一底壁與該側壁圍成的容置槽，該側壁上開設有若干通氣孔，所述通氣孔與該氣體容置空間相連通。
[0006]一種應用所述蒸發裝置的真空蒸鍍機，該真空蒸鍍機包括一蒸鍍腔及連接于蒸鍍腔的一真空泵，該蒸鍍腔內設置有所述蒸發裝置、固定待鍍膜工件的支承架，氣體經氣源通道進入所述蒸鍍腔內。
[0007]本發明所述蒸發裝置，氣體由通氣孔通入蒸發舟內，通過氣體分子與蒸發料分子之間的碰撞，可改變蒸發料分子的蒸發方向，擴大蒸發料分子蒸發擴散的范圍，同時反應氣體分子可與蒸發料分子充分反應，最終實現提高形成的膜層的均勻性的目的。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1為現有技術的真空蒸鍍機的示意圖。
[0009]圖2為圖1所示蒸發裝置中蒸發料被蒸發時其蒸氣分子的運動方向示意圖。
[0010]圖3為本發明一較佳實施例的蒸發裝置的整體示意圖。
[0011]圖4為圖3所示蒸發裝置的分解示意圖。
[0012]圖5為圖3所示蒸發裝置的沿V-V線的剖面圖。[0013]圖6為圖3所示蒸發裝置的沿V1-VI線的剖面圖。
[0014]圖7為圖3所示蒸發裝置中蒸發料被蒸發時其蒸氣分子的運動方向示意圖。
[0015]圖8為應用圖3所示蒸發裝置的真空蒸鍍機的示意圖。
[0016]主要元件符號說明
【權利要求】
1.一種蒸發裝置，包括一蒸發舟，其特征在于:該蒸發裝置還包括導氣裝置及氣源通道，該蒸發舟容置于該導氣裝置內且該蒸發舟與導氣裝置之間形成一氣體容置空間；所述氣源通道的一端與該導氣裝置連接，并與該氣體容置空間連通，以向氣體容置空間中通入氣體；所述蒸發舟包括一第一底壁、由該第一底壁的周緣延伸形成的側壁及由該第一底壁與該側壁圍成的容置槽，該側壁上開設有若干通氣孔，所述通氣孔與該氣體容置空間相連通。
2.如權利要求1所述的蒸發裝置，其特征在于:所述通氣孔的內壁朝向容置槽方向的延長線與第一底壁之間的夾角大于O度且小于90度。
3.如權利要求1所述的蒸發裝置，其特征在于:所述側壁包括二相對設置的第一側壁、二相對設置的第二側壁，所述若干通氣孔開設于所述第一側壁和第二側壁至少一方上。
4.如權利要求1、2或3所述的蒸發裝置，其特征在于:所述通氣孔為圓形孔、三角形孔或正方形孔。
5.如權利要求4所述的蒸發裝置，其特征在于:當通氣孔為圓孔時，通氣孔的內徑1.5-2.5mm。
6.如權利要求1所述的蒸發裝置，其特征在于:該蒸發舟還包括二加熱部，該二加熱部分別由二相對設置的第一側壁或第二側壁延伸形成。
7.如權利要求1所述的蒸發裝置，其特征在于:該導氣裝置包括一第二底壁、由第二底壁的周緣延伸彎折形成的二第三側壁、二第四側壁，以及由第二底壁、二第三側壁與二第四側壁圍成的一凹槽。
8.如權利要求7所述的蒸發裝置，其特征在于:所述凹槽與所述容置槽的開口方向及形狀相同，所述凹槽的開口大于所述容置槽的開口。
9.如權利要求7或8所述的蒸發裝置，其特征在于:當蒸發舟容置于該導氣裝置內時，所述第三側壁與第一側壁之間的夾角大于O度且小于90度。
10.如權利要求7所述的蒸發裝置，其特征在于:該第三側壁遠離第二底壁的一端與該第一側壁遠離第一底壁的一端相抵持。
11.一種應用權利要求1-10中任一項所述蒸發裝置的真空蒸鍍機，該真空蒸鍍機包括一蒸鍍腔及連接于蒸鍍腔的一真空泵，該蒸鍍腔內設置有固定待鍍膜工件的支承架，其特征在于:所述蒸發裝置容置于該蒸鍍腔內，氣體經氣源通道進入所述蒸鍍腔內。
【文檔編號】C23C14/24GK103668077SQ201210339847
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月14日 優先權日:2012年9月14日
【發明者】曹達華, 李彬 申請人:深圳富泰宏精密工業有限公司