鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜、制備方法及其應用的制作方法
【專利摘要】一種鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，其化學式為ZnO：xAl3+,yGa3+，其中，0.005≤x≤0.05，0.005≤y≤0.08。該鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的可見光透過率達95%，能夠應用于薄膜電致發光顯示器中。本發明還提供該鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的制備方法及其應用。
【專利說明】鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜、制備方法及其應用
【【技術領域】】
[0001]本發明涉及一種鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜、其制備方法、薄膜電致發光器件及其制備方法。
【【背景技術】】
[0002]薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發多波段發光的薄膜，是該課題的發展方向。但是，可應用于薄膜電致發光顯示器的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，仍未見報道。
【
【發明內容】
】
[0003]基于此，有必要提供一種可應用于薄膜電致發光器件的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜、其制備方法該鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜電致發光器件及其制備方法。
[0004]一種鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，其化學式為ZnO:xA13+, yGa3+，其中，
0.005 ≤ X ≤0.05，0.005 ≤ y≤ 0.08。
[0005]在優選實施例中，所述鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜是納米線結構的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，所述納米線直徑為500nm~2000nm。
[0006]一種鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0007]根據ZnO:xA13+, yGa3+各元素的化學計量比將ZnO，Al2O3和Ga2O3粉體，經過混合后，在 900°C ~1300°C下燒結得到靶材，其中，0.005 ≤ X≤ 0.05，0.005≤ y ≤ 0.08 ；
[0008]將襯底裝入脈沖激光沉積設備的反應室中，并將反應室的真空度設置為
1.0XlO-3Pa^l.0XlO^5Pa ；
[0009]調芐基靶間距為45mnT95mm，襯底的溫度為250 V~750 °C，工作氣體的流量為10sccnT40sccm，工作壓強為3Pa~30Pa，脈沖激光能量為80W~300W，進行脈沖激光沉積得到化學式為ZnO:xA13+, yGa3+的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜。
[0010]在優選的實施例中,所述工作氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣或氮氣。
[0011]在優選的實施例中，基靶間距為60mm，襯底的溫度為500°C，工作氣體的流量為20SCCm，工作壓強為10Pa，脈沖激光能量為150W ;
[0012]一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，所述陽極層的材料為鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，該鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學式為 ZnO:xA13+, yGa3+，其中，0.005 ≤x ≤ 0.05，0.005≤ y≤ 0.08。
[0013]一種薄膜電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0014]提供透明的玻璃襯底；
[0015]在所述襯底上形成陽極層，所述陽極層為鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，該鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學式為ZnO:xA13+, yGa3+，其中，0.005 ^ x ^ 0.05，
0.005 ≤ y ≤ 0.08;[0016]在所述陽極層上形成發光層，在所述發光層上形成陰極。
[0017]在優選的實施例中，所述陽極層的制備包括以下步驟:
[0018]根據ZnO:xA13+, yGa3+各元素的化學計量比將ZnO，Al2O3和Ga2O3粉體，經過混合后，在 900°C ~1300°C下燒結得到靶材，其中，0.005 ^ X ^ 0.05，0.005 ^ y ^ 0.08 ；
[0019]將襯底裝入脈沖激光沉積設備的反應室中，并將反應室的真空度設置為1.0XlO-3Pa^l.0XlO^5Pa ；
[0020]調芐基靶間距為45mnT95mm，襯底的溫度為250 V~750 °C，工作氣體的流量為10sccnT40sccm，工作壓 強為3Pa~30Pa，脈沖激光能量為80W~300W，進行脈沖激光沉積得到化學式為ZnO:xA13+, yGa3+的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜。
[0021]上述鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜(ZnO:xA13+, yGa3+)的透過率測試曲線中，在可見光470nnT790nm波長范圍平均透過率達95%，能夠應用于薄膜電致發光顯示器中。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0022]圖1為一實施方式的薄膜電致發光器件的結構示意圖；
[0023]圖2為實施例1制備的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的透過率測試曲線；
[0024]圖3為實施例1制備的鋁鎵共摻雜氧化鋅納米線透明導電薄膜的電鏡掃描圖。
[0025]圖4為實施例1制備的薄膜電致發光器件與對比例比較的亮度與電壓關系圖。
【【具體實施方式】】
[0026]下面結合附圖和具體實施例對鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜、其制備方法和薄膜電致發光器件及其制備方法作進一步闡明。
[0027]一實施方式的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，其化學式為ZnO:XAl3+，yGa3+，其中，
0.005 ^ X ^ 0.05，0.005 ≤ y ≤ 0.08。
[0028]優選的，鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜是納米線結構的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，納米線直徑為500nm~2000nm。
[0029]上述鋁鎵共摻雜氧化鋅納米線透明導電薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0030]步驟S11、根據ZnO:xA13+, yGa3+各元素的化學計量比將ZnO，Al2O3和Ga2O3粉體，經過混合后，在900°C~1300°C下燒結得到靶材，其中，0.005 ^ X ^ 0.05，0.005≤y≤0.08 ；
[0031]將襯底裝入脈沖激光沉積設備的反應室中，并將反應室的真空度設置為
1.0X10_3Pa~1.0X10_5Pa。
[0032]在本實施方式中，襯底為透明的玻璃；襯底先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入反應室；
[0033]優選的，在1250°C下燒結得到靶材；反應室的真空度為5.0X 10_4Pa。
[0034]步驟S13、調芐基靶間距為45mnT95mm，襯底的溫度為250°C ^750°C，工作氣體的流量為10sccnT40sccm，工作壓強為3Pa~30Pa，脈沖激光能量為80W~300W，進行脈沖激光沉積得到化學式為ZnO:xA13+, yGa3+的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜；
[0035]在優選的實施例中,工作氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣或氮氣。
[0036]在優選的實施例中，基靶間距為60mm，襯底的溫度為500°C，工作氣體的流量為20SCCm，工作壓強為10Pa，脈沖激光能量為150W。[0037]該方法是采用激光燒蝕靶材，使靶材中的氧化鋁，氧化鎵和氧化鋅等材料被燒蝕成原子或離子團的粒子，粒子在基底上沉積的過程中，通過通入大量的惰性氣體，使粒子鈍化，在基板上分散成核，然后在各個成核點垂直生長，形成柱狀的納米線。可以通過調節惰性氣體壓強的大小來控制納米線的粗細和線間距。理論上，通入惰性氣體壓強大的，得到的納米線較細，線間距較大。
[0038]請參閱圖1，一實施方式的薄膜電致發光器件100，該薄膜電致發光器件100包括依次層疊的襯底1、陽極2、發光層3以及陰極4。
[0039]襯底I為透明的玻璃襯底。陽極2的材料為鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，該鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學式為ZnO:xAl3+，yGa3+，其中，0.005 ≤ x ≤ 0.05，
0.005 ≤ y ≤ 0.08。發光層3為有機發光層，如Alq3,陰極4的材質為銀(Ag)。
[0040]上述薄膜電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0041]步驟S21、在襯底I上形成陽層2。
[0042]本實施方式中，襯底I為玻璃襯底,先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗并用氮氣吹干，陽極2為鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，該鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學式為 ZnO:xA13+, yGa3+，其中，0.005 ≤ x ≤ 0.05，0.005 ≤ y ≤ 0.08。
[0043]本實施方式中，陽極層2由以下步驟制得:
[0044]首先，根據ZnO:xAl3+, yGa3+各元素的化學計量比將ZnO, Al2O3和Ga2O3粉體,經過混合后，在900°C~1300°C下燒結得到靶材，其中，0.005 ≤ X ≤ 0.05，0.005≤y≤0.08 ；
[0045]將襯底裝入脈沖激光沉積設備的反應室中，并將反應室的真空度設置為
1.0X10_3Pa~1.0X10_5Pa,
[0046]再則、調芐基靶間距為45mnT95mm，襯底的溫度為250°C~750°C，工作氣體的流量為lOsccmlOsccm，工作壓強為3Pa~30Pa，脈沖激光能量為80W~300W，進行脈沖激光沉積得到化學式為ZnO:xA13+, yGa3+的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，其中，0.005 ≤ x ≤ 0.05，
0.005 ≤ y ≤ 0.08。
[0047]在優選的實施例中，所述基靶間距為60mm，襯底的溫度為500°C，工作氣體的流量為20SCCm，工作壓強為lOPa，脈沖激光能量為150W;
[0048]步驟S22、在陽極2上形成發光層3，發光層3的材料為有機發光層，如Alq3 ;在發光層3上形成陰極4。
[0049]本實施方式中，陰極4的材料為銀(Ag)，由蒸鍍形成。
[0050]下面為具體實施例。
[0051]實施例1
[0052]將0.95mol ZnO, 0.01mol Al2O3 和 0.02mol Ga2O3 粉體經過均勻混合后，在 1250°C下燒結成尺寸為直徑50，厚度為2mm的陶瓷靶材是圓餅的形狀，并將靶材裝入真空腔體內，將透明玻璃襯底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，并用對其進行氮氣吹干，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為60_，用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至5.0X10_4Pa ;采用氬氣作為工作氣流，工作氣流量為20sCCm，壓強調節為lOPa，襯底溫度為500°C，脈沖激光能量150W，開始在透明玻璃襯底上進行薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至120nm，取出樣品得到的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學通式為ZnO:
0.02Al3+，0.04Ga3+，然后在樣品上面蒸鍍Alq3有機發光層和陰極銀層，制備成有機發光器件。
[0053]對比例
[0054]將0.95mol ZnO, 0.01mol Al2O3 和 0.02mol Ga2O3 粉體經過均勻混合后，在 1250°C下燒結成尺寸為直徑50，厚度為2mm的陶瓷靶材是圓餅的形狀，并將靶材裝入真空腔體內，將透明玻璃襯底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，并用對其進行氮氣吹干，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為60_，用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至5.0X10_4Pa ;采用氧氣作為工作氣流，工作氣流量為15sCCm，壓強調節為IPa，襯底溫度為500°C，脈沖激光能量150W，開始在透明玻璃襯底上進行薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至120nm，取出樣品得到的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學通式為ZnO:
0.02A13+, 0.04Ga3+，然后在樣品上面蒸鍍Alq3有機發光層和陰極銀層，制備成有機發光器件。
[0055]本實施例中得到的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學通式為ZnO:
0.02A13+，0.04Ga3+。
[0056]測試結果為:
[0057]采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻為8Q/ 口。
[0058]請參閱圖2，圖2所示為得到的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的的透過率測試曲線。由圖2可以看出，使用紫外可見分光光度計，測試波長300nnT800nm，在可見光47(T790nm波長范圍平均透過率達90%，能夠應用于薄膜電致發光顯示器中。
[0059]請參閱圖3，圖3為實施例1制備的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的電鏡掃描圖，從圖3中可以看出納米線的直徑以500nnT2000nm為主。
[0060]請參閱圖4，圖4為實施例1制備的薄膜電致發光器件與對比例的電壓與亮度關系圖，在附圖4中曲線I是實施例1制備的薄膜電致發光器件電壓與亮度關系曲線，曲線2是對比例制備的薄膜電致發光器件電壓與亮度關系曲線，可看出:可看出納米線狀樣品使器件的啟動電壓降低從4.5V到4.0V，亮度提高從510cd/m2到590cd/m2。
[0061]實施例2
[0062]將0.90molZnO, 0.005mol Al2O3和 0.04mol Ga2O3粉體經過均勻混合后，在 1300°C下燒結成尺寸為直徑50，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內，將玻璃襯底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，并用對其進行氮氣吹干放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為45mm，用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至
1.0X 10_5Pa;采用氖氣作為工作氣流，工作氣流量為lOsccm，壓強調節為3Pa，襯底溫度為250°C，脈沖激光能量300W，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至80nm，取出樣品得到的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學通式為ZnO:0.01Al3+, 0.08Ga3+，然后在樣品上面蒸鍍Alq3有機發光層和陰極銀層，制備成有機發光器件。
[0063]測試結果為:
[0064]采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻為15Q/ 口，使用紫外可見分光光度計，測試波長300nnT800nm，在可見光47(T790nm波長范圍平均透光率為88%。
[0065]實施例3
[0066]將0.95mol ZnO, 0.02mol Al2O3 和 0.005mol Ga2O3 粉體經過均勻混合后，在 900°C下燒結成尺寸為直徑50，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內，將玻璃襯底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，并用對其進行氮氣吹干放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為95mm，用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至
1.0X 10_3Pa ;采用氪氣作為工作氣流，工作氣流量為40SCCm，壓強調節為30.0Pa，襯底溫度為750°C，脈沖激光能量80W，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至90nm，取出樣品得到的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學通式為ZnO:0.04A13+，0.01Ga3+，然后在樣品上面蒸鍍Alq3有機發光層和陰極銀層，制備成有機發光器件。
[0067]測試結果為:
[0068]采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻為18Ω/ 口，使用紫外可見分光光度計，測試波長300nnT800nm，在可見光47(T790nm波長范圍平均透光率為94%。
[0069]實施例4
[0070]將0.9molZnO, 0.005mol Al2O3和 0.005mol Ga2O3粉體經過均勻混合后，在 1300°C
下燒結成尺寸為直徑50，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內，將玻璃襯底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，并用對其進行氮氣吹干，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為95_，用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0X 10_5Pa ;采用氬氣作為工作氣流，工作氣流量為30SCCm，壓強調節為25Pa，襯底溫度為500°C，脈沖激光能量120W，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至lOOnm，取出樣品得到的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學通式為ZnO:0.005A13+，0.005Ga3+，然后在樣品上面蒸鍍Alq3有機發光層和陰極銀層，制備成有機發光器件。測試結果為:
[0071]采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻為56Ω/ 口，使用紫外可見分光光度計，測試波長300nnT800nm，在可見光47(T790nm波長范圍平均透光率為92%。
[0072]實施例5`
[0073]將0.87mol ZnO, 0.05mol Al2O3 和 0.08mol Ga2O3 粉體經過均勻混合后,在 1300°C下燒結成尺寸為直徑50，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內，將玻璃襯底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，并用對其進行氮氣吹干，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為95_，用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0X10_5Pa ;采用氪氣作為工作氣流，工作氣流量為30SCCm，壓強調節為？Pa，襯底溫度為450°C，脈沖激光能量90W，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至120nm，取出樣品得到的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學通式為ZnO:0.05A13+，0.08Ga3+，然后在樣品上面蒸鍍Alq3有機發光層和陰極銀層，制備成有機發光器件。測試結果為:
[0074]采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻為33Ω/ 口，使用紫外可見分光光度計，測試波長300nnT800nm，在可見光47(T790nm波長范圍平均透光率為95%。
[0075]實施例6
[0076]將0.94mol ZnO, 0.03mol Al2O3 和 0.03mol Ga2O3 粉體經過均勻混合后,在 1300°C下燒結成尺寸為直徑50，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內，將玻璃襯底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，并用對其進行氮氣吹干，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為95_，用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0 X 10_5Pa ;采用氙氣作為工作氣流，工作氣流量為25SCCm，壓強調節為lOPa，襯底溫度為450°C，脈沖激光能量110W，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至130nm，取出樣品得到的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學通式為ZnO:0.03A13+，0.03Ga3+，然后在樣品上面蒸鍍Alq3有機發光層和陰極銀層，制備成有機發光器件。測試結果為:
[0077]采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻為50Q/ 口，使用紫外可見分光光度計，測試波長300nnT800nm，在可見光47(T790nm波長范圍平均透光率為90%。
[0078]以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍 。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1.一種鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，其特征在于，其化學式為ZnO:XAl3+，yGa3+，其中，0.005 ^ X ^ 0.05，0.005 ≤ y ≤ 0.08。
2.根據權利要求1所述的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，其特征在于，所述鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜是納米線結構的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，所述納米線直徑為500nm~2000nm。
3.—種鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 根據ZnO:xA13+, yGa3+各元素的化學計量比將ZnO，Al2O3和Ga2O3粉體，經過混合后，在9000C ~1300°C下燒結得到靶材，其中，0.005 ^ X ^ 0.05，0.005 ≤ y ≤ 0.08 ； 將襯底裝入脈沖激光沉積設備的反應室中，并將反應室的真空度設置為1.0XlO-3Pa^l.0XlO^5Pa ； 調芐基靶間距為45mnT95mm，襯底的溫度為250 V~750 °C，工作氣體的流量為10sccnT40sccm，工作壓強為3Pa~30Pa，脈沖激光能量為80W~300W，進行脈沖激光沉積得到化學式為ZnO:xA13+, yGa3+的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜。
4.根據權利要求3所述的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述工作氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣或氮氣。
5.根據權利要求3所述的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述基靶間距為60mm，襯底的溫度為500°C，工作氣體的流量為20sCCm，工作壓強為10Pa，脈沖激光能量為150W。
6.一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述陽極層的材料為鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，該鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學式為 ZnO:xA13+, yGa3+，其中，0.005 ^ x ^ 0.05,0.005 ^ y ^ 0.08。
7.根據權利要求6所述的薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述陽極層具有納米線結構，所述納米線直徑為500nm~2000nm。
8.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供透明的玻璃襯底； 在所述襯底上形成陽極層，所述陽極層為鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜，該鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的化學式為ZnO:xA13+, yGa3+，其中，0.005 ^ x ^ 0.05，0.005≤y≤0.08;在所述陽極層上形成發光層，在所述發光層上形成陰極。
9.根據權利要求8所述的薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述陽極層的制備包括以下步驟: 根據ZnO:xA13+, yGa3+各元素的化學計量比將ZnO，Al2O3和Ga2O3粉體，經過混合后，在9000C ~1300°C下燒結得到靶材，其中，0.005 ^ X ^ 0.05，0.005 ≤ y ≤ 0.08 ； 將所述襯底裝入脈沖激光沉積設備的反應室，并將反應室的真空度設置為1.0XlO-3Pa^l.0XlO^5Pa ； 調芐基靶間距為45mnT95mm，襯底的溫度為250 V~750 °C，工作氣體的流量為10sccnT40sccm，工作壓強為3Pa~30Pa，脈沖激光能量為80W~300W，進行脈沖激光沉積得到化學式為ZnO:xA13+, yGa3+的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜。
10.根據權利要求9所述的鋁鎵共摻雜氧化鋅導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述基靶間距為60mm，襯底的溫度為500°C，工作氣體的流量為20sCCm，工作壓強為10Pa，脈沖激光能 量為150W。
【文檔編號】C23C14/32GK103668064SQ201210351501
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月20日 優先權日:2012年9月20日
【發明者】周明杰, 王平, 陳吉星, 馮小明 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司