專利名稱：氣體管路輸送系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型專利涉及一種氣體輸送設(shè)備，特別涉及一種具有充足供應(yīng)能力、壓力流量穩(wěn)定的氣體管路輸送系統(tǒng)。
背景技術(shù)半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中需要用到大量氣體進(jìn)行反應(yīng)，比如在CVD、Etch等過程中就需要引入多種反應(yīng)氣體，這些氣體經(jīng)過配管后通過各自的管道輸送至反應(yīng)區(qū)域。在實際操作過程中，常常因為管道材質(zhì)和尺寸設(shè)計不合理導(dǎo)致流量不穩(wěn)定，供應(yīng)能力不足的問題發(fā)生
實用新型內(nèi)容
本實用新型專利的目的在于提供一種具有充足供應(yīng)能力、壓力流量穩(wěn)定的氣體管路輸送系統(tǒng)。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提出如下技術(shù)方案實現(xiàn)氣體管路輸送系統(tǒng)，由可燃?xì)怏w室、不可燃?xì)怏w室、VMB氣體分配室、CVDArea、EtchArea、輸送管道組成；其特征在于可燃?xì)怏w室內(nèi)設(shè)置有C2H2+N2氣瓶柜、PH3氣瓶柜1#、PH3氣瓶柜2#、SiH4+B2H6氣瓶柜、SiH4氣瓶柜、NH3氣瓶柜；不可燃?xì)怏w室內(nèi)設(shè)置有CL2+HBr氣瓶柜、SF6+CF4、N2CHCHF3G. R、Ar+He+N2G. R ；VMB 氣體分配室內(nèi)設(shè)置有 BCL3+SiH2CL2 氣瓶柜、SiH2CL2VMB, BCL3VMB, SiH4VMB, NH3VMB, CL2VMB ；CVD Area 內(nèi)設(shè)置有 DSF250、5200LPCVD、TEMPLPCVD, SF50、ASM MICR03、P5000、平板 CVD、三室 CVD ；Etch Area 內(nèi)設(shè)置有 Rainbow4420、Rainbow4520>TCP9600>Auto Etch490、Auto Etch590、AURA1000、Auto Etch690、Tegal701、506蝕刻機、AME8330 ;輸送管道由C2H2輸送管道、PH31#輸送管道A、PH31#輸送管道B、PH32#輸送管道A、PH32#輸送管道B、SiH4l#輸送管道、B2H6輸送管道、SiH42#輸送管道、NH3輸送管道、CL2輸送管道、HBr輸送管道、SF6輸送管道、CF4輸送管道、N2O輸送管道、CHF3輸送管道、Ar輸送管道、He輸送管道、BCL3輸送管道、SiH2CL2輸送管道、SiH2CL2VMB輸送管道、BCL3VMB輸送管道、SiH4VMB輸送管道、NH3VMB輸送管道、CL2VMB輸送管道組成；其中C2H2+N2氣瓶柜通過C2H2輸送管道與三室CVD相連；PH3氣瓶柜1#通過PH31#輸送管道A、PH31#輸送管道B分別與SF50、DSF250連接；PH3氣瓶柜2#通過PH32#輸送管道A、PH32#輸送管道B分別與5200LPCVD、P5000連接；SiH4+B2H6氣瓶柜中SiH4通過SiH4l#輸送管道與TEMP LPCVD連接，B2H6通過B2H6輸送管道與SF50連接；SiH4氣瓶柜通過SiH42#輸送管道與SiH4VMB連接，SiH4VMB通過SiH4VMB輸送管道與CVD Area內(nèi)設(shè)置的DSF250、5200LPCVD、TEMP LPCVD, SF50、ASM MICR03、P5000、平板 CVD、三室 CVD 分別連接；NH3 氣瓶柜通過NH3輸送管道與NH3VMB連接，NH3VMB通過NH3VMB輸送管道與CVD Area內(nèi)設(shè)置的5200LPCVD、TEMP LPCVD, SF50、ASMMICR03、P5000、平板 CVD、三室 CVD 分別連接；CL2+HBr氣瓶柜通過CL2輸送管道、HBr輸送管道分別與CL2VMB、Rainbow4420連接，CL2VMB 通過 CL2VMB 輸送管道與 Etch Area 內(nèi)設(shè)置的 Rainbow4420、TCP9600、Auto Etch490、Auto Etch690、AME8330分別連接；SF6+CF4通過SF6輸送管道分別與Etch Area內(nèi)設(shè)置的Rainbow4420、TCP9600、Auto Etch490、Auto Etch690、Tegal701、506蝕刻機、AME8330相連，SF6+CF4 通過 CF4 輸送管道分別與 Etch Area 內(nèi)設(shè)置的 Rainbow4420、Rainbow4520、TCP9600、Auto Etch490、Auto Etch590、AURA1000、Auto Etch690、506蝕刻機、AME8330 以及 CVD Area內(nèi)設(shè)置的SF50、P5000、平板CVD相連；N20+CHF3G. R通過N2O輸送管道分別與CVD Area內(nèi)設(shè)置的DSF250、SF50、平板CVD相連，N20+CHF3G. R通過CHF3輸送管道分別與Etch Area內(nèi)設(shè)置的 Rainbow4420、Rainbow4520、Auto Etch590、Auto Etch690、Tegal701 相連；Ar+He+N2G.R 通過 Ar 輸送管道分別與 Etch Area 內(nèi)設(shè)置的 Rainbow4520、TCP9600、Auto Etch590、AME8330以及CVD Area內(nèi)設(shè)置的DSF250、SF50相連，Ar+He+N2G. R通過He輸送管道分別與Etch Area 內(nèi)設(shè)置的 Rainbow4420、Rainbow4520、Auto Etch490、Auto Etch590、Tegal701相連；BCL3+SiH2CL2氣瓶柜通過BCL3輸送管道與BCL3VMB連接，BCL3VMB通過BCL3VMB輸 送管道分別與 Etch Area 內(nèi)設(shè)置的 TCP9600、Auto Etch690、AME8330 連接，BCL3+SiH2CL2 氣瓶柜通過SiH2CL2輸送管道與SiH2CL2VMB連接，SiH2CL2VMB通過SiH2CL2VMB輸送管道分別與CVD Area 內(nèi)設(shè)置的 5200LPCVD、TEMP LPCVD、三室 CVD 連接。所述輸送管道均采用SS316L EP制成。所述N2O輸送管道尺寸為3/8"，其余輸送管道尺寸為1/4"。本實用新型專利可解決的技術(shù)問題是半導(dǎo)體生產(chǎn)中使用到眾多的可燃?xì)怏w和不可燃?xì)怏w，采用SS316L EP制成的輸送管道具有良好的耐腐蝕性和耐壓性，可以安全穩(wěn)定運輸半導(dǎo)體生產(chǎn)所需要的多種氣體；n20輸送管道尺寸為3/8"，其余輸送管道尺寸根據(jù)需要設(shè)計為1/4"，使得生產(chǎn)所需的氣體流量壓力穩(wěn)定，供應(yīng)充足，使得生產(chǎn)能夠正常進(jìn)行。

圖I為本實用新型結(jié)構(gòu)原理圖。
具體實施方式
如圖所示，氣體管路輸送系統(tǒng)，由可燃?xì)怏w室I、不可燃?xì)怏w室2、VMB氣體分配室
3,CVD Area 4,Etch Area 5、輸送管道組成；可燃?xì)怏w室I內(nèi)設(shè)置有C2H2+N2氣瓶柜IUPH3氣瓶柜1#12、PH3氣瓶柜2#13、SiH4+B2H6氣瓶柜14、SiH4氣瓶柜15、NH3氣瓶柜16 ;不可燃?xì)怏w室 2 內(nèi)設(shè)置有 CL2+HBr 氣瓶柜 21、SF6+CF422、N20+CHF3G. R23、Ar+He+N2G. R24 ；VMB 氣體分配室 3 內(nèi)設(shè)置有 BCL3+SiH2CL2 氣瓶柜 31、SiH2CL2VMB32、BCL3VMB33、SiH4VMB34、NH3VMB35、CL2VMB36 ；CVD Area 4 內(nèi)設(shè)置有 DSF25041、5200LPCVD 42、TEMP LPCVD 43、SF5044、ASMMICR0345、P500046、平板 CVD 47、三室 CVD 48 ；Etch Area5 內(nèi)設(shè)置有 Rainbow442050、Rainbow452051 > TCP960052、Auto Etch49053> Auto Etch59054> AURA100055、AutoEtch69056、Tegal70157、506 蝕刻機 58、AME833059 ;輸送管道由 C2H2 輸送管道 111、PH31# 輸送管道A121、PH31#輸送管道B122、PH32#輸送管道A131、PH32#輸送管道B132、SiH4l#輸送管道141、B2H6輸送管道142、SiH42#輸送管道151、NH3輸送管道161、CL2輸送管道211、HBr輸送管道212、SF6輸送管道221、CF4輸送管道222、N2O輸送管道231、CHF3輸送管道232、Ar輸送管道241、He輸送管道242、BCL3輸送管道311、SiH2CL2輸送管道312、SiH2CL2VMB輸送管道321、BCL3VMB輸送管道331、SiH4VMB輸送管道341、NH3VMB輸送管道351、CL2VMB輸送管道361組成；其中C2H2+N2氣瓶柜11通過C2H2輸送管道111將C2H2輸送至三室CVD 48 ；PH3氣瓶柜1#12通過PH31#輸送管道A121、PH31#輸送管道B122分別將PH3、15% PH3+85% Ar輸送至SF5044、DSF25041 ；PH3氣瓶柜2#13通過PH32#輸送管道A131、PH32#輸送管道B132分別將 10% PH3in N2, PH3+15% Ar 輸送至 5200LPCVD 42、P500046 ；SiH4+B2H6 氣瓶柜 14 通過SiH4IS 輸送管道 141、B2H6 輸送管道 142 分別將 SiH4+20. 3% PH3>B2H6Ar 輸送至 TEMP LPCVD43、SF5044 ;SiH4 氣瓶柜 15 通過 SiH42# 輸送管道 151 將 SiH4 輸送至 SiH4VMB 34，SiH4VMB 34通過 SiH4VMB 輸送管道 341 與 CVD Area 4 內(nèi)設(shè)置的 DSF25041、5200LPCVD 42、TEMP LPCVD43、SF5044、ASM MICR0345、P500046、平板 CVD 47、三室 CVD 48 分別連接；NH3 氣瓶柜 16 通過NH3輸送管道161將NH3輸送至NH3VMB 35，NH3VMB 35通過NH3VMB輸送管道351與CVDArea 4 內(nèi)設(shè)置的 5200LPCVD 42,TEMP LPCVD 43、SF5044、ASM MICR0345、P500046、平板 CVD47、三室CVD 48分別連接；CL2+HBr氣瓶柜21通過CL2輸送管道211、HBr輸送管道212分別將CL2、HBr輸送至 CL2VMB36、Rainbow442050, CL2VMB 36 通過 CL2VMB 輸送管道 361 與 Etch Area5 內(nèi)設(shè)置·的 Rainbow442050、TCP960052、Auto Etch49053、Auto Etch69056、AME833059 分別連接；SF6+CF422通過SF6輸送管道221將SF6分別輸送至Etch Area5內(nèi)設(shè)置的Rainbow442050、TCP960052、Auto Etch49053、Auto Etch69056、Tegal 70157、506 蝕刻機 58、AME833059，SF6+CF422通過0 4輸送管道222將CF4分別輸送至Etch Area 5內(nèi)設(shè)置的Rainbow442050、Rainbow452051 > TCP960052、Auto Etch49053> Auto Etch59054> AURA100055、AutoEtch69056、506 蝕刻機 58、AME833059 以及 CVD Area 4 內(nèi)設(shè)置的 SF5044、P500046、平板CVD 47 ；N20+CHF3G. R23通過N2O輸送管道231將N2O分別輸送至CVD Area 4內(nèi)設(shè)置的DSF25041、SF5044、平板 CVD 47，N20+CHF3G. R23 通過 CHF3 輸送管道 232 將 CHF3 分別輸送至Etch Area 5 內(nèi)設(shè)置的Rainbow442050、Rainbow452051、Auto Etch59054、Auto Etch69056、Tegal 70157 ；Ar+He+N2G. R24通過Ar輸送管道241將Ar分別輸送至Etch Area 5內(nèi)設(shè)置的 Rainbow45205U TCP960052、Auto Etch59054、AME833059 以及 CVD Area 4 內(nèi)設(shè)置的DSF25041、SF5044，Ar+He+N2G. R24 通過 He 輸送管道 242 將 He 分別輸送至 Etch Area 5 內(nèi)設(shè)置的 Rainbow442050、Rainbow452051、Auto Etch49053、Auto Etch59054> Tegal70157 BCL3+S%CL2氣瓶柜31通過BCL3輸送管道311、SiH2CL2輸送管道312分別將BCL3> SiH2CL2 輸送至 BCL3VMB33、SiH2CL2VMB32, BCLSVMB33 通過 BCL3VMB 輸送管道 331 分別與 Etch Area 5 內(nèi)設(shè)置的 TCP960052、Auto Etch69056、AME833059 連接，SiH2CL2VMB32 通過SiH2CL2VMB 輸送管道 321 分別與 CVD Area 4 內(nèi)設(shè)置的 5200LPCVD 42,TEMP LPCVD 43、三室CVD 48連接。半導(dǎo)體生產(chǎn)中使用到眾多的可燃?xì)怏w和不可燃?xì)怏w，采用SS316L EP制成的輸送管道具有良好的耐腐蝕性和耐壓性，可以安全穩(wěn)定運輸半導(dǎo)體生產(chǎn)所需要的多種氣體；n20輸送管道231尺寸為3/8"，其余輸送管道尺寸根據(jù)需要設(shè)計為1/4"，使得生產(chǎn)所需的氣體流量壓力穩(wěn)定，供應(yīng)充足，使得生產(chǎn)能夠正常進(jìn)行。本實用新型具有氣體流量穩(wěn)定，供應(yīng)充足等優(yōu)點，具有很好的推廣價值。
權(quán)利要求1.氣體管路輸送系統(tǒng)，由可燃?xì)怏w室、不可燃?xì)怏w室、VMB氣體分配室、CVDArea,EtchArea、輸送管道組成；其特征在于可燃?xì)怏w室內(nèi)設(shè)置有C2H2+N2氣瓶柜、PH3氣瓶柜1#、PH3氣瓶柜2#、SiH4+B2H6氣瓶柜、SiH4氣瓶柜、NH3氣瓶柜；不可燃?xì)怏w室內(nèi)設(shè)置有CL2+HBr氣瓶柜、SF6+CF4、N2CHCHF3G. R、Ar+He+N2G. R ；VMB 氣體分配室內(nèi)設(shè)置有 BCL3+SiH2CL2 氣瓶柜、SiH2CL2VMB^BCL3VMB,S iH4VMB、NH3VMB、CL2VMB ；CVD Area 內(nèi)設(shè)置有 DSF250、5200LPCVD、TEMPLPCVD, SF50、ASM MICR03、P5000、平板 CVD、三室 CVD ；Etch Area 內(nèi)設(shè)置有 Rainbow4420、Rainbow4520>TCP9600>Auto Etch490、Auto Etch590、AURA1000、Auto Etch690、Tegal701、506蝕刻機、AME8330 ;輸送管道由C2H2輸送管道、PH31#輸送管道A、PH31#輸送管道B、PH32#輸送管道A、PH32#輸送管道B、SiH4l#輸送管道、B2H6輸送管道、SiH42#輸送管道、NH3輸送管道、CL2輸送管道、HBr輸送管道、SF6輸送管道、CF4輸送管道、N2O輸送管道、CHF3輸送管道、Ar輸送管道、He輸送管道、BCL3輸送管道、SiH2CL2輸送管道、SiH2CL2VMB輸送管道、BCL3VMB輸送管道、SiH4VMB輸送管道、NH3VMB輸送管道、CL2VMB輸送管道組成； 其中C2H2+N2氣瓶柜通過C2H2輸送管道與三室CVD相連；PH3氣瓶柜1#通過PH31#輸送管道A、PH31#輸送管道B分別與SF50、DSF250連接；PH3氣瓶柜2#通過PH32#輸送管道A、PH32#輸送管道B分別與5200LPCVD、P5000連接；SiH4+B2H6氣瓶柜中SiH4通過SiH4l#輸送管道與TEMP LPCVD連接，B2H6通過B2H6輸送管道與SF50連接；SiH4氣瓶柜通過SiH42#輸送管道與SiH4VMB連接，SiH4VMB通過SiH4VMB輸送管道與CVD Area內(nèi)設(shè)置的DSF250、5200LPCVD、TEMP LPCVD, SF50、ASM MICR03、P5000、平板 CVD、三室 CVD 分別連接；NH3 氣瓶柜通過NH3輸送管道與NH3VMB連接，NH3VMB通過NH3VMB輸送管道與CVD Area內(nèi)設(shè)置的5200LPCVD、TEMP LPCVD, SF50、ASMMICR03、P5000、平板 CVD、三室 CVD 分別連接； CL2+HBr氣瓶柜通過CL2輸送管道、HBr輸送管道分別與CL2VMB、Rainbow4420連接，CL2VMB 通過 CL2VMB 輸送管道與 Etch Area 內(nèi)設(shè)置的 Rainbow4420、TCP9600、Auto Etch490、Auto Etch690、AME8330分別連接；SF6+CF4通過SF6輸送管道分別與Etch Area內(nèi)設(shè)置的Rainbow4420、TCP9600、Auto Etch490、Auto Etch690、Tegal701、506蝕刻機、AME8330相連，SF6+CF4 通過 CF4 輸送管道分別與 Etch Area 內(nèi)設(shè)置的 Rainbow4420、Rainbow4520、TCP9600、Auto Etch490、Auto Etch590、AURA1000、Auto Etch690、506蝕刻機、AME8330 以及 CVD Area內(nèi)設(shè)置的SF50、P5000、平板CVD相連；N20+CHF3G. R通過N2O輸送管道分別與CVD Area內(nèi)設(shè)置的DSF250、SF50、平板CVD相連，N20+CHF3G. R通過CHF3輸送管道分別與Etch Area內(nèi)設(shè)置的 Rainbow4420、Rainbow4520、Auto Etch590、Auto Etch690、Tegal701 相連；Ar+He+N2G.R 通過 Ar 輸送管道分別與 Etch Area 內(nèi)設(shè)置的 Rainbow4520、TCP9600、Auto Etch590、AME8330以及CVD Area內(nèi)設(shè)置的DSF250、SF50相連，Ar+He+N2G. R通過He輸送管道分別與Etch Area 內(nèi)設(shè)置的 Rainbow4420、Rainbow4520、Auto Etch490、Auto Etch590、Tegal701相連； BCL3+SiH2CL2氣瓶柜通過BCL3輸送管道與BCL3VMB連接，BCL3VMB通過BCL3VMB輸送管道分別與 Etch Area 內(nèi)設(shè)置的 TCP9600、Auto Etch690、AME8330 連接，BCL3+SiH2CL2 氣瓶柜通過S^CL2輸送管道與SiH2CL2VMB連接，SiH2CL2VMB通過SiH2CL2VMB輸送管道分別與CVDArea 內(nèi)設(shè)置的 5200LPCVD、TEMP LPCVD、三室 CVD 連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣體管路輸送系統(tǒng)，其特征在于所述輸送管道均采用SS316L EP 制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣體管路輸送系統(tǒng)，其特征在于所述N2O輸送管道尺寸為3/8"，其余輸送管道尺寸為1/4"。
專利摘要本實用新型涉及一種氣體管路輸送系統(tǒng)，由可燃?xì)怏w室、不可燃?xì)怏w室、VMB氣體分配室、CVD Area、Etch Area、輸送管道組成；可燃?xì)怏w室與不可燃?xì)怏w室內(nèi)的氣體通過由SS316L EP制成的輸送管道輸送到VMB氣體分配室內(nèi)相應(yīng)的VMB中，再從相應(yīng)的VMB中輸送到需求相應(yīng)氣體的CVD Area或Etch Area中；或是將可燃?xì)怏w室與不可燃?xì)怏w室內(nèi)的氣體直接輸送至需求相應(yīng)氣體的CVDArea或Etch Area中；輸送管道尺寸除N2O輸送管道為3/8″外，其余輸送管道尺寸均為1/4″；本實用新型具有氣體流量穩(wěn)定，供應(yīng)充足的優(yōu)點。
文檔編號C23C16/455GK202688439SQ20122037843
公開日2013年1月23日 申請日期2012年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月31日
發(fā)明者馬全合, 張磊, 姚煜 申請人:無錫奧維特電子科技有限公司