研磨墊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的是提供層疊研磨墊，其即使在較大的情況下也能夠平坦地貼附于研磨壓盤。本發(fā)明的層疊研磨墊為研磨層和支撐層經(jīng)由粘接構(gòu)件層疊而成，其特征在于：所述研磨層包含0.5-5重量％的親水性物質(zhì)；所述支撐層由緩沖層和熱尺寸變化率為1.3-12.6％的樹脂膜一體成形而成；所述層疊研磨墊以研磨層側(cè)成為凹狀的方式彎曲，墊周邊的平均彎曲量為3-50mm。
【專利說明】研磨墊【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及層疊研磨墊，其可以穩(wěn)定地且高研磨效率地進(jìn)行用于透鏡、反射鏡等光學(xué)材料或硅晶片、硬盤用的玻璃基板、鋁基板、及通常的金屬研磨加工等要求高度的表面平坦性的材料的平坦化加工。本發(fā)明的層疊研磨墊特別適用于如下的步驟:將硅晶片以及其上形成有氧化物層、金屬層等的裝置，在進(jìn)一步層疊并形成這些氧化物層或金屬層之前進(jìn)行平坦化。
【背景技術(shù)】
[0002]在制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，在晶片表面形成導(dǎo)電性膜，需實(shí)施通過光刻、蝕刻等形成配線層的形成步驟和在配線層上形成層間絕緣膜的步驟等，而這些步驟會(huì)導(dǎo)致晶片表面產(chǎn)生由金屬等導(dǎo)電體或絕緣體構(gòu)成的凹凸。近年來，以半導(dǎo)體集成電路高密度化為目的的配線微細(xì)化或多層配線化的不斷發(fā)展，但隨之對(duì)晶片表面凹凸進(jìn)行平坦化的技術(shù)也變得日益重要。
[0003]作為晶片表面凹凸的平坦化方法，一般采用化學(xué)機(jī)械拋光(以下稱為“CMP”)。CMP是一種在將晶片的被研磨面擠壓于研磨墊的研磨面的狀態(tài)下，使用分散有磨粒的漿狀研磨劑(以下稱為“漿料”)進(jìn)行研磨的技術(shù)。在CMP中通常使用的研磨裝置例如，如圖1所示，具有:支撐研磨墊I的研磨壓盤2、支撐被研磨材料(半導(dǎo)體晶片)4的支撐臺(tái)(拋光頭)5、用以對(duì)晶片進(jìn)行均勻加壓的背襯材料、以及研磨劑的供給機(jī)構(gòu)。研磨墊I例如通過用雙面膠帶貼附而安裝于研磨壓盤2。研磨壓盤2與支撐臺(tái)5以與各自所支撐的研磨墊I與被研磨材料4相對(duì)的方式進(jìn)行配置，分別具有旋轉(zhuǎn)軸6、旋轉(zhuǎn)軸7。另外，支撐臺(tái)5側(cè)設(shè)置有用以將被研磨材料4擠壓于研磨墊I的加壓機(jī)構(gòu)。
[0004]專利文獻(xiàn)I提出了一種半導(dǎo)體基板的研磨方法，其特征在于:將半導(dǎo)體基板固定于研磨頭，并將微橡膠A硬度為70度以上的研磨層擠壓于所述半導(dǎo)體基板上，其中，該研磨層經(jīng)由體積彈性率為600kg/cm2以上且壓縮彈性率為lOkg/cm2以上-140kg/cm2以下的緩沖層而固定于研磨壓盤，在該半導(dǎo)體基板自身的彎曲或凹凸被所述緩沖層吸收的狀態(tài)下，使所述研磨頭或研磨壓盤或其兩者旋轉(zhuǎn)而研磨所述半導(dǎo)體基板。
[0005]近年來，由于半導(dǎo)體晶片的大型化，研磨墊也已大型化，將大的研磨墊貼附于研磨壓盤的操作也變得困難。在將研磨墊貼附于研磨壓盤的操作中，必須盡可能平坦地貼附研磨墊。但是，若研磨墊變大，則在貼附時(shí)，研磨墊和研磨壓盤之間很容易進(jìn)入空氣。進(jìn)入空氣的部分會(huì)突出成凸?fàn)睿虼诉@些部分將存在發(fā)生半導(dǎo)體晶片研磨加工不良(例如:研磨均勻性惡化、由修整器引起的研磨層破損等)的問題。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專 利文獻(xiàn)1:特開2000-117619號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]發(fā)明要解決的問題
[0010]本發(fā)明的目的是提供一種層疊研磨墊，其即使在較大的情況下也能夠平坦地貼附于研磨壓盤。另外，本發(fā)明的目的還在于提供一種使用該層疊研磨墊的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0011]解決問題的手段
[0012]本
【發(fā)明者】等人為了解決所述問題而反復(fù)仔細(xì)研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過以下所示的層疊研磨墊而可以達(dá)成所述目的，從而完成了本發(fā)明。
[0013]S卩，本發(fā)明涉及層疊研磨墊，其為研磨層和支撐層經(jīng)由粘接構(gòu)件層疊而成，其特征在于:所述研磨層包含0.5-5重量％的親水性物質(zhì)；所述支撐層由緩沖層和熱尺寸變化率為1.3-12.6%的樹脂膜一體成形而成；所述層疊研磨墊以研磨層側(cè)成為凹狀的方式彎曲，墊周邊的平均彎曲量為3-50mm。
[0014]圖2是表示將現(xiàn)有未彎曲的研磨墊貼附于研磨壓盤步驟的概略圖。如圖2所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，首先，將研磨墊I的一端貼附于研磨壓盤2的端部，然后，從研磨墊I的一端向相對(duì)端將研磨墊I擠壓于研磨壓盤2的同時(shí)進(jìn)行貼附。但是，在使用這種現(xiàn)有的貼附方法的情況下，若研磨墊變大，則墊周圍會(huì)因自重而下垂，從而容易咬進(jìn)空氣。
[0015]另一方面，圖3是表示將本發(fā)明的有彎曲的層疊研磨墊貼附于研磨壓盤步驟的概略圖。本發(fā)明的層疊研磨墊I以研磨層9側(cè)成為凹狀的方式彎曲。如圖3所示，首先，將層疊研磨墊I的中心部分貼附于研磨壓盤2的中心部分，然后，通過從層疊研磨墊I的中心部分向周邊部分將層疊研磨墊I擠壓于研磨壓盤2的同時(shí)進(jìn)行貼附，能夠在不咬進(jìn)空氣的情況下將層疊研磨墊I平坦地貼附于研磨壓盤2。
[0016]不過，在將研磨層側(cè)以成為凹狀的方式彎曲的層疊研磨墊貼附于研磨壓盤時(shí)，由于墊周邊以遠(yuǎn)離研磨壓盤的方式產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力，因此墊周邊將變得容易從研磨壓盤剝離。但是，由于本發(fā)明的層疊研磨墊的研磨層包含0.5-5重量％的親水性物質(zhì)，通過濕式處理時(shí)的超純水或研磨時(shí)的漿料使研磨層發(fā)生溶脹(膨脹)。由此，施加于墊周邊的內(nèi)部應(yīng)力將得以緩和，墊周邊將變得難以從研磨壓盤剝離。
[0017]當(dāng)親水性物質(zhì)的含量不足0.5重量％時(shí)，由于因超純水等引起的研磨層溶脹變難，施加于墊周邊的內(nèi)部應(yīng)力變得難以得到緩和，墊周邊會(huì)變得容易從研磨壓盤剝離。另一方面，當(dāng)親水性物質(zhì)的含量超過5重量％時(shí)，由超純水等引起的研磨層溶脹過多，導(dǎo)致研磨層的硬度降低，從而對(duì)研磨特性造成不良影響。
[0018]作為支撐層，使用緩沖層和熱尺寸變化率為1.3-12.6%的樹脂膜一體成形而成的支撐層。通過使用該支撐層，可以將墊周邊的彎曲量調(diào)整為3-50_。當(dāng)樹脂膜的熱尺寸變化率不足1.3%時(shí)，墊周邊的彎曲量將無法達(dá)到3mm以上。另一方面，當(dāng)樹脂膜的熱尺寸變化率超過12.6%時(shí)，緩沖層和樹脂膜一體成形時(shí)，樹脂膜會(huì)因熱收縮而產(chǎn)生皺褶，從而無法制作支撐層。
[0019]當(dāng)墊周邊的平均彎曲量不足3_時(shí)，將層疊研磨墊從層疊研磨墊的中心部分向周邊貼附于研磨壓盤時(shí)，墊周圍會(huì)下垂而變得容易咬進(jìn)空氣。另一方面，當(dāng)墊周邊的平均彎曲量超過50_時(shí)，因施加于貼附在研磨壓盤的墊周邊的內(nèi)部應(yīng)力變得過大，即使由超純水等引起的研磨層溶脹也無法充分緩和施加于墊周邊的內(nèi)部應(yīng)力，因此，墊周邊將容易從研磨壓盤剝離。[0020]另外，本發(fā)明還涉及一種層疊研磨墊的制造方法，包括以下步驟:將含有0.5-5重量％親水性物質(zhì)的研磨層加熱至30-100°C ;以及將加熱的研磨層和支撐層經(jīng)由粘接構(gòu)件進(jìn)行貼合，所述支撐層由緩沖層和熱尺寸變化率為1.3-12.6%的樹脂膜一體成形而成，
[0021]其中，研磨層側(cè)以成為凹狀的方式彎曲，墊周邊的平均彎曲量為3_50mm。
[0022]通過在將研磨層加熱至30-100°C的狀態(tài)下，將研磨層和所述支撐層經(jīng)由粘接構(gòu)件進(jìn)行貼合，能夠制造研磨層側(cè)以成為凹狀的方式彎曲墊周邊的平均彎曲量為3-50mm的層疊研磨墊。墊的彎曲可以認(rèn)為是由研磨層因加熱而以延伸的狀態(tài)進(jìn)行貼合，隨后又因冷卻使研磨層收縮而產(chǎn)生。
[0023]另外，本發(fā)明還涉及一種層疊研磨墊的制造方法，包括以下步驟:在由緩沖層和熱尺寸變化率為1.3-12.6%的樹脂膜一體成形而成的支撐層的緩沖層上層疊熱熔粘接劑片；將層疊的熱熔粘接劑片進(jìn)行加熱而使熱熔粘接劑熔融或軟化；在熔融或軟化的熱熔粘接劑上層疊含有0.5-5重量％親水性物質(zhì)的研磨層而制作層疊片；將層疊片通過加熱至30-100°C的滾筒之間而進(jìn)行壓接；以及將層疊片的熔融或軟化的熱熔粘接劑進(jìn)行硬化，
[0024]其中，研磨層側(cè)以成為凹狀的方式彎曲，墊周邊的平均彎曲量為3_50mm。
[0025]另外，本發(fā)明還涉及一種層疊研磨墊的制造方法，包括以下步驟:在由緩沖層和熱尺寸變化率為1.3-12.6%的樹脂膜一體成形而成的支撐層的緩沖層上涂布熔融或軟化的熱熔粘接劑；在熔融或軟化的熱熔粘接劑上層疊含有0.5-5重量％親水性物質(zhì)的研磨層而制作層疊片；將層疊片通過加熱至30-100°C的滾筒之間而進(jìn)行壓接；以及將層疊片的熔融或軟化的熱熔粘接劑進(jìn)行硬化，
[0026]其中，研磨層側(cè)以成為凹狀的方式彎曲，墊周邊的平均彎曲量為3_50mm。
[0027]通過本發(fā)明的制造方法而使層疊研磨墊發(fā)生彎曲的理由如上所述。
[0028]熱熔粘接劑的熔融溫度優(yōu)選為130_170°C。
[0029]另外，本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括使用所述層疊研磨墊對(duì)半導(dǎo)體晶片的表面進(jìn)行研磨的步驟。
[0030]發(fā)明效果
[0031]本發(fā)明的層疊研磨墊具有研磨層側(cè)以成為凹狀的方式彎曲的結(jié)構(gòu)。因此，即使在層疊研磨墊較大時(shí)，也能夠在不咬進(jìn)空氣的情況下平坦地貼附于研磨壓盤。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1是表示CMP研磨中所使用的研磨裝置的一個(gè)實(shí)例的概略構(gòu)成圖。
[0033]圖2是表示將現(xiàn)有未彎曲的研磨墊貼附于研磨壓盤步驟的概略圖。
[0034]圖3是表示將本發(fā)明的有彎曲的層疊研磨墊貼附于研磨壓盤步驟的概略圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]本發(fā)明中使用的研磨層只要含有0.5-5重量％的親水性物質(zhì)即可，其既可以是發(fā)泡體，也可以是無發(fā)泡體，但優(yōu)選為具有微細(xì)氣泡的發(fā)泡體。研磨層優(yōu)選含有0.6-2重量％的親水性物質(zhì)。
[0036]在本發(fā)明中，所謂親水性物質(zhì)是指在IOg水中溶解或混合IOg以上的物質(zhì)，例如
可以列舉:乙二醇和二乙二醇等多元醇；乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丁基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單丁基醚等乙二醇單醚；乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二丁基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、及二乙二醇二丁基醚等乙二醇二醚；二(甲基)丙烯酸四乙二醇酯；在二乙二醇中加聚環(huán)氧乙烷而成的聚乙二醇；在聚硅氧烷中加聚環(huán)氧乙烷而成的聚硅氧烷醚等。親水性物質(zhì)優(yōu)選為不與構(gòu)成研磨層的樹脂或其原料發(fā)生反應(yīng)的物質(zhì)，特別優(yōu)選使用乙二醇二醚。
[0037]作為構(gòu)成研磨層的樹脂，例如可以列舉:聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、聚酰胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、鹵素系樹脂(聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯等)、聚苯乙烯、烯烴系樹脂(聚乙烯、聚丙烯等)、環(huán)氧樹脂、感光性樹脂等的I種或2種以上的混合物。聚氨酯樹脂耐磨性優(yōu)異，并且通過對(duì)原料組成進(jìn)行各種變更而可以容易地獲得具有所期望的物性的聚合物，因此是作為研磨層的形成材料的特別優(yōu)選材料。以下，以所述發(fā)泡體為代表對(duì)聚氨酯樹脂發(fā)泡體進(jìn)行說明。
[0038]所述聚氨酯樹脂由異氰酸酯成分、多元醇成分(高分子量多元醇、低分子量多元醇等)和增鏈劑組成。
[0039]作為異氰酸酯成分，可以無特別限定地使用聚氨酯領(lǐng)域公知的化合物。作為異氰酸酯成分，可以列舉:2，4_甲苯二異氰酸酯、2，6_甲苯二異氰酸酯、2，2' - 二苯基甲烷二異氰酸酯、2，4' -二苯基甲烷二異氰酸酯、4，4' -二苯基甲烷二異氰酸酯、1，5_萘二異氰酸酯、對(duì)亞苯基二異氰酸酯、間亞苯基二異氰酸酯、對(duì)苯二亞甲基二異氰酸酯、間苯二亞甲基二異氰酸酯等芳香族二異氰酸酯；亞乙基二異氰酸酯、2，2,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、1，6_六亞甲基二異氰酸酯等脂肪族二異氰酸酯；1，4_環(huán)己烷二異氰酸酯、4，4' -二環(huán)己基甲烷二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、降冰片烷二異氰酸酯等脂環(huán)式二異氰酸酯。這些可以使用I種，也可以混合使用2種以上。
[0040]作為高分子量多元醇，可以列舉在聚氨酯【技術(shù)領(lǐng)域】中通常所使用的高分子量多元醇。例如，可以列舉:以聚四亞甲基醚二醇、聚乙二醇等為代表的聚醚多元醇、以聚己二酸丁二酯為代表的聚酯多元醇、聚己內(nèi)酯多元醇、由聚己內(nèi)酯這樣的聚酯二醇與碳酸亞烷酯的反應(yīng)物等例示的聚酯聚碳酸酯多元醇、使碳酸亞乙酯與多元醇反應(yīng)接著使所得的反應(yīng)混合物與有機(jī)二羧酸反應(yīng)而成的聚酯聚碳酸酯多元醇、通過使多羥基化合物與碳酸芳基酯的酯交換反應(yīng)而得的聚碳酸酯多元醇等。這些可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。
[0041]作為多元醇成分，除了所述的高分子量多元醇外，也可以并用乙二醇、1，2_丙二醇、1，3-丙二醇、1，2-丁二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、2，3-丁二醇、1，6-己二醇、新戊二醇、1，4-環(huán)己烷二甲醇、3-甲基-1，5-戊二醇、二乙二醇、三乙二醇、1，4_雙(2-羥基乙氧基)苯、三羥甲基丙烷、甘油、1，2，6_己三醇、季戊四醇、四羥甲基環(huán)己烷、甲基葡萄糖苷、山梨糖醇、甘露醇、半乳糖醇、蔗糖、2，2，6，6_四(羥基甲基)環(huán)己醇、二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺等低分子量多元醇。另外，也可以并用乙二胺、甲苯二胺、二苯基甲烷二胺和二亞乙基三胺等低分子量多胺。另外，還可以并用單乙醇胺、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇和單丙醇胺等醇胺。這些低分子量多元醇、低分子量多胺等可以單獨(dú)使用I種，也可以并用2種以上。低分子量多元醇或低分子量多胺等的混合量并沒有特別限定，可根據(jù)制造的研磨層所要求的特性進(jìn)行適當(dāng)確定。
[0042]在利用預(yù)聚物法制造聚氨酯樹脂發(fā)泡體時(shí)，在預(yù)聚物的硬化中使用增鏈劑。增鏈劑是具有至少2個(gè)以上活性氫基的有機(jī)化合物，作為活性氫基，可以例示:羥基、伯氨基或仲氨基、巰基(SH)等。具體可以列舉:4，4'-亞甲基雙(鄰氯苯胺)(MOCA)、2，6-二氯對(duì)苯二胺、4，4'-亞甲基雙(2，3-二氯苯胺)、3，5_雙(甲硫基)-2，4_甲苯二胺、3，5_雙(甲硫基)_2，6_甲苯二胺、3, 5_ 二乙基甲苯-2,4_ 二胺、3, 5- 二乙基甲苯-2,6- 二胺、丙二醇-二-對(duì)氨基苯甲酸酯、聚四氫呋喃-二-對(duì)氨基苯甲酸酯、4，4' - 二氨基_3，3'，5，5'-四乙基二苯基甲烷、4，4' - 二氨基_3，3' -二異丙基_5，5' -二甲基二苯基甲烷、4，4' - 二氨基_3，3'，5，5'-四異丙基二苯基甲烷、1，2-雙(2-氨基苯硫基)乙烷、4,4/ - 二氨基_3，3' - 二乙基_5，5' - 二甲基二苯基甲烷、N，N' -二-仲丁基_4，4' _ 二氛基二苯基甲燒、3, 3' - 二乙基-4,4' _ 二氛基二苯基甲燒、間亞二甲苯基二胺、N, N' -二-仲丁基-對(duì)苯二胺、間苯二胺和對(duì)亞二甲苯基二胺等所例示的多胺類，或所述低分子量多元醇或低分子量多胺。這些可以使用I種，也可以混合2種以上。
[0043]在本發(fā)明中，異氰酸酯成分、多元醇成分和增鏈劑之間的比可以根據(jù)其各自的分子量或?qū)盈B研磨墊所期望的物性等進(jìn)行各種變更。為了得到具有所期望的研磨特性的層疊研磨墊，相對(duì)于多元醇成分和增鏈劑的總活性氫基(羥基+胺基)數(shù)，異氰酸酯成分的異氰酸酯基數(shù)優(yōu)選為0.80-1.20，更優(yōu)選為0.99-1.15。當(dāng)異氰酸酯基數(shù)在所述范圍外時(shí)，會(huì)發(fā)生硬化不良，導(dǎo)致無法得到所要求的比重和硬度，從而有研磨特性降低的傾向。
[0044]聚氨酯樹脂發(fā)泡體可以應(yīng)用熔融法、溶液法等公知的氨基甲酸酯化技術(shù)進(jìn)行制造，但在考慮成本、作業(yè)環(huán)境等的情況下，優(yōu)選使用熔融法進(jìn)行制造。
[0045]聚氨酯樹脂發(fā)泡體的制造也可以利用預(yù)聚物法、一步法的任一種，但預(yù)先由異氰酸酯成分與多元醇成分合成端異氰酸酯基預(yù)聚物、并使其與增鏈劑反應(yīng)的預(yù)聚物法，所得的聚氨酯樹脂的物理特性優(yōu)異而適合。
[0046]作為聚氨酯樹脂發(fā)泡體的制造方法，可以列舉添加中空珠粒的方法、機(jī)械發(fā)泡法、化學(xué)發(fā)泡法等。
[0047]特別優(yōu)選使用作為聚烷基硅氧烷與聚醚的共聚物的不含有活性氫基的硅系表面活性劑的機(jī)械發(fā)泡法。
[0048]另外，根據(jù)需要，也可以添加抗氧化劑等穩(wěn)定齊IJ、潤(rùn)滑齊IJ、顏料、填充齊U、抗靜電劑、其他添加劑。
[0049]聚氨酯樹脂發(fā)泡體可以是獨(dú)立氣泡型,也可以是連續(xù)氣泡型。
[0050]聚氨酯樹脂發(fā)泡體的制造可以是將各成分計(jì)量投入容器中進(jìn)行攪拌的間歇方式，另外也可以是在攪拌裝置中連續(xù)供給各成分和非反應(yīng)性氣體進(jìn)行攪拌、并送出氣泡分散液而制造成形品的連續(xù)生產(chǎn)方式。
[0051]另外，將成為聚氨酯樹脂發(fā)泡體的原料的預(yù)聚物加入反應(yīng)容器，然后投入增鏈劑，攪拌后，流入至給定大小的鑄模中制作塊體，該塊體可以通過使用銫狀或帶鋸狀的切片機(jī)切片的方法在或所述鑄塑階段制成薄片狀。另外，將成為原料的樹脂溶解，從T模擠壓成形，可以直接獲得片狀聚氨酯樹脂發(fā)泡體。
[0052]所述聚氨酯樹脂發(fā)泡體的平均氣泡直徑優(yōu)選為30-80 μ m,更優(yōu)選為30_60 μ m。當(dāng)脫離該范圍時(shí)，有研磨速度降低，且研磨后的被研磨材料(晶片)的平面性(平坦性)降低的傾向。
[0053]所述聚氨酯樹脂發(fā)泡體的比重優(yōu)選為0.5-1.3。當(dāng)比重不足0.5時(shí)，有研磨層的表面強(qiáng)度降低、被研磨材料的平面性降低的傾向。另外，當(dāng)比重大于1.3時(shí)，研磨層表面的氣泡數(shù)變少，平面性良好，但有研磨速度降低的傾向。
[0054]所述聚氨酯樹脂發(fā)泡體的硬度用ASKER D硬度計(jì)測(cè)定優(yōu)選為40_75度。當(dāng)ASKERD硬度不足40度時(shí)，被研磨材料的平面性降低，另外，當(dāng)ASKER D硬度超過75度時(shí)，平面性良好，但有被研磨材料的均勻性(均勻性)降低的傾向。
[0055]研磨層的與被研磨材料接觸的研磨表面，優(yōu)選具有用于保持、更新漿料的凹凸結(jié)構(gòu)。包含發(fā)泡體的研磨層在研磨表面具有多個(gè)開口，具有保持、更新漿料的功能，但通過在研磨表面形成凹凸結(jié)構(gòu)，可以更有效地進(jìn)行漿料的保持與更新，而且可以防止因與被研磨材料吸著而引起被研磨材料的破壞。凹凸結(jié)構(gòu)只要為保持、更新漿料的形狀，則沒有特別限定，例如可以列舉XY格子槽、同心圓狀槽、貫通孔、未貫通穴、多角柱、圓柱、螺旋狀槽、偏心圓狀槽、放射狀槽和這些槽的組合。另外，這些凹凸結(jié)構(gòu)通常具有規(guī)則性，但為了使?jié){料的保持、更新性變得理想，也可以使槽間距、槽寬度、槽深度等各自在某范圍內(nèi)變化。
[0056]研磨層的形狀并無 特別限定，可以使用圓形狀，也可以使用長(zhǎng)條狀。研磨層的大小可以根據(jù)所使用的研磨裝置進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。在圓形狀的情況下，直徑為30-150cm左右。在長(zhǎng)條狀的情況下，長(zhǎng)度為5-15m左右，寬度為60-250cm左右。
[0057]研磨層的厚度并無特別限定,通常為0.8-4mm左右,優(yōu)選為1.2-2.5mm。
[0058]為了在進(jìn)行研磨的狀態(tài)下進(jìn)行光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)，研磨層可以設(shè)置為透明構(gòu)件。
[0059]在本發(fā)明中所使用的支撐層是由緩沖層與熱尺寸變化率為1.3-12.6%的樹脂膜經(jīng)一體成形而成的層。
[0060]緩沖層是為了在CMP中使有權(quán)衡關(guān)系的平面性與均勻性這兩者兼具而需要的層。平面性是指研磨具有圖案形成時(shí)所產(chǎn)生的微小凹凸的被研磨材料時(shí)的圖案部的平坦性，均勻性是指被研磨材料整體的均勻性。利用研磨層的特性改善平面性，利用緩沖層的特性改善均勻性。
[0061]緩沖層例如可以列舉:聚酯無紡布、尼龍無紡布、以及丙烯酸類無紡布等纖維無紡布；如經(jīng)聚氨酯浸潰的聚酯無紡布的樹脂浸潰無紡布；聚氨酯泡沫及聚乙烯泡沫等高分子樹脂發(fā)泡體；丁二烯橡膠及異戊二烯橡膠等橡膠性樹脂；感光性樹脂等。
[0062]緩沖層的厚度并無特別限定，但優(yōu)選為300-1800 μ m，更優(yōu)選為700-1400 μ m。
[0063]由于緩沖層缺乏剛性，在貼合時(shí)容易發(fā)生皺褶，或引起粘接不良等問題。為了防止這樣的問題，在緩沖層的一面設(shè)置樹脂膜以賦予其剛性。
[0064]樹脂膜使用在150°C加熱30分鐘后的熱尺寸變化率為1.3-12.6%的膜。優(yōu)選熱尺寸變化率為1.4-3%的樹脂膜。例如可以列舉:聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜等聚酯膜?’聚乙烯膜和聚丙烯膜等聚烯烴膜；聚酰胺膜；丙烯酸樹脂膜；甲基丙烯酸樹脂膜；聚苯乙烯膜等。在這些中，優(yōu)選使用聚酯膜，特別優(yōu)選使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜。
[0065]樹脂膜的厚度并無特別限定，優(yōu)選為10-150 μ m，更優(yōu)選為20-100 μ m。
[0066]本發(fā)明使用的支撐層，例如，可以通過使用粘接劑將樹脂膜貼合于緩沖層的一面的方法，以及將緩沖層形成材料涂布于樹脂膜上使其硬化而直接形成緩沖層的方法等進(jìn)行制作。
[0067]本發(fā)明的層疊研磨墊通過將所述研磨層和所述支撐層經(jīng)由粘接構(gòu)件進(jìn)行貼合而制作。例如，可以通過以下方法進(jìn)行制造。
[0068]制造方法I[0069]首先，將研磨層加熱至30-100°C。然后，將加熱至所述溫度的研磨層與所述支撐層的緩沖層側(cè)經(jīng)由粘接構(gòu)件進(jìn)行壓接而貼合。作為粘接構(gòu)件，可以使用通常的感壓性粘接劑，也可以使用在基材的兩面都設(shè)置有感壓性粘接劑的雙面膠帶。作為壓接方法，例如可以列舉:通過滾筒之間的方法。貼合后，通過冷卻使研磨層收縮，從而得到研磨層側(cè)以成為凹狀的方式彎曲的層疊研磨墊。將支撐層切斷成研磨層大小時(shí)，優(yōu)選在研磨層冷卻前，即，在研磨層收縮變?yōu)榘紶钪斑M(jìn)行切斷。若在研磨層收縮變?yōu)榘紶钪筮M(jìn)行切斷，則變得很難準(zhǔn)確地將支撐層切斷為與研磨層的大小一致。
[0070]制造方法2
[0071]首先，將熱熔粘接劑片層疊于所述支撐層的緩沖層上。
[0072]所述熱熔粘接劑片可以是由熱熔粘接劑所形成的粘接劑層，或者，也可以是在基材兩面設(shè)置了所述粘接劑層的雙面膠帶。
[0073]所使用的熱熔粘接劑無特別限定，但優(yōu)選使用聚酯系熱熔粘接劑。
[0074]所述聚酯系熱熔粘接劑至少包含作為基礎(chǔ)聚合物的聚酯樹脂、和作為交聯(lián)成分的在I分子中具有2個(gè)以上縮水甘油基的環(huán)氧樹脂。
[0075]作為所述聚酯樹脂，可以使用通過酸成分與多元醇成分進(jìn)行縮聚等而獲得的公知的聚酯樹脂，但特別優(yōu)選使用結(jié)晶性聚酯樹脂。
[0076]作為酸成分，可以列舉:芳香族二羧酸、脂肪族二羧酸以及脂環(huán)族二羧酸等。這些酸成分可以使用I種，也可以并用2種以上。
[0077]作為芳香族二羧酸的具體實(shí)例，可以列舉:對(duì)苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸酐、α -萘二羧酸、β -萘二羧酸及其酯形成體等。
[0078]作為脂肪族二羧酸的具體實(shí)例，可以列舉:琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸，辛二酸、壬二酸、癸二酸、十一碳烯酸，十二烷二酸及其酯形成體等。
[0079]作為脂環(huán)族二羧酸的具體實(shí)例，可以列舉:1，4_環(huán)己烷二羧酸、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐等。
[0080]另外，作為酸成分，也可以并用馬來酸、富馬酸、二聚酸等不飽和酸，以及偏苯三甲酸、均苯四甲酸等多元羧酸等。
[0081]作為多元醇成分，可以列舉:脂肪族二醇、脂環(huán)族二醇等二元醇和多元醇。它們可以使用I種，也可以并用2種以上。
[0082]作為脂肪族二醇的具體實(shí)例，可以列舉:乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、1，5-戊二醇、1，6-己二醇、1，8-辛二醇、1，9-壬二醇、新戊二醇、3-甲基戊二醇、2，2，3-三甲基戊二醇、二乙二醇、三乙二醇、二丙二醇等。
[0083]作為脂環(huán)族二醇的具體實(shí)例，可以列舉:1，4_環(huán)己烷二甲醇、氫化雙酚A等。
[0084]作為多元醇，可以列舉:甘油、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷、季戊四醇等。
[0085]結(jié)晶性聚酯樹脂可以通過公知的方法進(jìn)行合成。例如，添加原料和催化劑并在生成物熔點(diǎn)以上的溫度進(jìn)行加熱的熔融聚合法；在生成物的熔點(diǎn)以下進(jìn)行聚合的固相聚合法；以及使用溶劑的溶液聚合法等，可以采用其中任意一種方法。
[0086]結(jié)晶性聚酯樹脂的熔點(diǎn)優(yōu)選為100-200°C。當(dāng)熔點(diǎn)不足100°C時(shí)，由于研磨時(shí)發(fā)熱，熱熔粘接劑的粘接力降低。當(dāng)熔點(diǎn)超過200°C時(shí)，由于熱熔粘接劑熔融時(shí)的溫度變高，有在層疊研磨墊產(chǎn)生彎曲而對(duì)研磨特性造成不良影響的傾向。[0087]另外，結(jié)晶性聚酯樹脂的數(shù)均分子量?jī)?yōu)選為5000-50000。當(dāng)數(shù)均分子量不足5000時(shí)，由于熱熔粘接劑的機(jī)械特性降低而無法得到充分的粘接性和耐久性。當(dāng)數(shù)均分子量超過50000時(shí)，會(huì)導(dǎo)致結(jié)晶性聚酯樹脂合成時(shí)產(chǎn)生凝膠化等制造上的問題發(fā)生、或有作為熱熔粘接劑的性能降低的傾向。
[0088]作為所述環(huán)氧樹脂，例如可以列舉:雙酚A型環(huán)氧樹脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚AD型環(huán)氧樹脂、二苯乙烯型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、二胺基二苯基甲烷型環(huán)氧樹脂以及基于四(羥苯基)乙烷等的聚苯基環(huán)氧樹脂、含氟環(huán)氧樹脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯、含有雜芳香環(huán)(例如:三嗪環(huán)等)的環(huán)氧樹脂等芳香族環(huán)氧樹脂；脂肪族縮水甘油基醚型環(huán)氧樹脂、脂肪族縮水甘油基酯型環(huán)氧樹脂、脂環(huán)族縮水甘油基醚型環(huán)氧樹脂、脂環(huán)族縮水甘油基酯型環(huán)氧樹脂等非芳香族環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨(dú)使用I種，也可以并用2種以上。
[0089]在這些中，從研磨時(shí)與研磨層的粘接性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選使用甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂。
[0090]相對(duì)于100重量份作為基礎(chǔ)聚合物的聚酯樹脂而言，所述環(huán)氧樹脂需添加2-10重量份，優(yōu)選為3-7重量份。
[0091]熱熔粘接劑可以含有烯烴系樹脂等軟化劑、粘著賦予劑、填充劑，穩(wěn)定劑以及偶聯(lián)劑等公知的添加劑。另外，也可以含有滑石粉等公知的無機(jī)填料。
[0092]熱熔粘接劑的熔融溫度(熔點(diǎn))優(yōu)選為130-170°C。
[0093]另外，熱熔粘接劑的比重優(yōu)選為1.1-1.3。
[0094]另外，在150°C負(fù)載為2.16kg的條件下，熱熔粘接劑的熔體流動(dòng)指數(shù)(MI)優(yōu)選為16_26g/10min。
[0095]由熱熔粘接劑所形成的粘接劑層的厚度優(yōu)選為10-200 μ m,更優(yōu)選為50-130 μ m。
[0096]也可以使用在基材兩面都具有所述粘接劑層的雙面膠帶代替所述粘接劑層。通過基材，可以防止?jié){料向支撐層側(cè)滲透，并且可以防止支撐層和粘接劑層之間的剝離。
[0097]作為基材，例如可以列舉:聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜和聚萘二甲酸乙二醇酯膜等聚酯膜；聚乙烯膜和聚丙烯膜等聚烯烴膜；尼龍膜；聚酰亞胺膜等。在這些中，優(yōu)選使用防止水的透過性質(zhì)優(yōu)異的聚酯膜。
[0098]在基材表面，也可以實(shí)施電暈處理、等離子體處理等易粘接處理。
[0099]基材的厚度并無特別限定，但從透明性、柔軟性、剛性和加熱時(shí)的尺寸穩(wěn)定性等觀點(diǎn)來看，優(yōu)選為10-200 μ m,更優(yōu)選為15-55 μ m。
[0100]在使用雙面膠帶的情況下，所述粘接劑層的厚度優(yōu)選為10-200 μ m，更優(yōu)選為50-130 μ mD
[0101]然后，將層疊的熱熔粘接劑片進(jìn)行加熱使熱熔粘接劑熔融或軟化。在使其軟化的情況下，優(yōu)選以達(dá)到從熱熔粘接劑的熔融溫度-10°c以內(nèi)的溫度的方式進(jìn)行加熱。更優(yōu)選以達(dá)到從熱熔粘接劑的熔融溫度-5°C以內(nèi)的溫度的方式進(jìn)行加熱。使熱熔粘接劑片熔融或軟化的方法并無特別限制，例如可以列舉:在輸送帶上輸送片的同時(shí)使用紅外線加熱器對(duì)熱熔粘接劑片的表面進(jìn)行加熱的方法。
[0102]然后，將研磨層層疊于熔融或軟化的熱熔粘接劑上而制作層疊片，并將該層疊片通過加熱至30-100°C的滾筒之間進(jìn)行壓接而貼合。另外，也可以將熔融或軟化的熱熔粘接劑涂布于支撐層的緩沖層上，代替使用熱熔粘接劑片。貼合后，通過冷卻使熔融或軟化的熱熔粘接劑硬化。此時(shí)，研磨層收縮，得到研磨層側(cè)以成為凹狀的方式彎曲的層疊研磨墊。在將支撐層切斷成研磨層的大小時(shí)，優(yōu)選在研磨層收縮變成凹狀之前進(jìn)行切斷。若在研磨層收縮變成凹狀之后進(jìn)行切斷，則很難準(zhǔn)確地將支撐層切斷為與研磨層的大小一致。
[0103]通過本發(fā)明的制造方法而獲得的層疊研磨墊，其研磨層側(cè)以成為凹狀的方式彎曲，墊周邊的平均彎曲量為3-50_，優(yōu)選為5-15_。
[0104]本發(fā)明的層疊研磨墊可以為圓形狀，也可以為長(zhǎng)條狀。層疊研磨墊的大小可以根據(jù)所使用的研磨裝置進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。在圓形狀的情況下，直徑為30-150cm左右，在長(zhǎng)條狀的情況下，長(zhǎng)度為5-15m左右，寬度為60-250cm左右。
[0105]本發(fā)明的層疊研磨墊也可以在支撐層的樹脂膜側(cè)設(shè)置雙面膠帶。
[0106]半導(dǎo)體裝置可以經(jīng)過使用所述研磨墊對(duì)半導(dǎo)體晶片的表面進(jìn)行研磨的步驟而制造。半導(dǎo)體晶片通常在硅晶片上層疊配線金屬及氧化膜而成。半導(dǎo)體晶片的研磨方法、研磨裝置并無特別限制，例如使用如圖1所示的研磨裝置等來進(jìn)行，此研磨裝置包括:支撐研磨墊I的研磨壓盤2、支撐半導(dǎo)體晶片4的支撐臺(tái)(拋光頭)5、用以對(duì)晶片進(jìn)行均勻加壓的背襯材料、以及研磨劑3的供給構(gòu)件。研磨墊I例如通過利用雙面膠帶貼附而安裝于研磨壓盤2。研磨壓盤2與支撐臺(tái)5以與各自所支撐的研磨墊I與半導(dǎo)體晶片4相對(duì)的方式進(jìn)行配置，分別具有旋轉(zhuǎn)軸6、旋轉(zhuǎn)軸7。另外，支撐臺(tái)5側(cè)設(shè)置有用以將半導(dǎo)體晶片4擠壓于層疊研磨墊I的加壓機(jī)構(gòu)。研磨時(shí)，使研磨壓盤2與支撐臺(tái)5旋轉(zhuǎn)并將半導(dǎo)體晶片4擠壓于層疊研磨墊I，一邊供給漿料一邊進(jìn)行研磨。漿料的流量、研磨負(fù)載、研磨壓盤轉(zhuǎn)速、及晶片轉(zhuǎn)速并無特別限制，適當(dāng)調(diào)整而進(jìn)行。
[0107]由此將半導(dǎo)體晶片4的表面的突出的部分除去而研磨成平坦?fàn)睢Ｈ缓螅ㄟ^進(jìn)行切晶、接合、封裝等而制造半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置可以用于運(yùn)算處理裝置或存儲(chǔ)器等。
[0108]實(shí)施例
[0109]以下，列舉實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。
[0110][測(cè)定、評(píng)價(jià)方法]
[0111](熔融溫度的測(cè)定)
[0112]聚酯系熱熔粘接劑的熔融溫度(熔點(diǎn))使用TOLEDO DSC822 (METTLER公司制造)，以20°C /min的升溫速度進(jìn)行測(cè)定。
[0113](比重的測(cè)定)
[0114]依據(jù)JIS Z8807-1976進(jìn)行。將包含聚酯系熱熔粘接劑的粘接劑層切出4cmX8.5cm的短條狀(厚度:任意)并作為比重測(cè)定用試樣，在溫度23°C ±2°C、濕度50%±5%的環(huán)境下靜置16小時(shí)。測(cè)定時(shí)使用比重計(jì)(Sartorius公司制造)，測(cè)定比重。
[0115](熔體流動(dòng)指數(shù)(MI)的測(cè)定)
[0116]依據(jù)ASTM-D-1238，在150°C、2.16kg的條件下，測(cè)定聚酯系熱熔粘接劑的熔體流
動(dòng)指數(shù)。
[0117](熱尺寸變化率的測(cè)定)
[0118]依據(jù)JIS C2318測(cè)定樹脂膜在150°C加熱30分鐘后與加熱前的熱尺寸變化率。
[0119](墊周邊的平均彎曲量的測(cè)定)
[0120]將所制作的層疊研磨墊靜置于水平的試驗(yàn)臺(tái)上，從墊周邊彎曲量最大的部分按每90°共取4個(gè)位置，測(cè)定其高出試驗(yàn)臺(tái)的高度(拱起程度)。
[0121](面內(nèi)均勻性的評(píng)價(jià))
[0122]使用ARW_8C1MS(MAT公司制造)作為研磨裝置，將所制作的層疊研磨墊貼附于研磨裝置。使用鉆石修整器(MMC公司制造、MECY#100型)對(duì)層疊研磨墊進(jìn)行20分鐘的修整處理。然后，使用所述層疊研磨墊，對(duì)在300mm的硅晶片上沉積I μ m熱氧化膜而形成的晶片進(jìn)行I分鐘研磨(初期研磨)。研磨條件是在研磨中以流量200ml/min供給二氧化硅衆(zhòng)料-SS12 (Cabot公司制造)，研磨負(fù)載設(shè)為275hPa,研磨壓盤轉(zhuǎn)速設(shè)為60rpm,晶片轉(zhuǎn)速設(shè)為60rpm。然后，在晶片直徑線上的3mm間隔的99點(diǎn)(從晶片邊緣起3mm的位置除外)處，根據(jù)研磨前后的膜厚測(cè)定值求出研磨速度最大值、研磨速度最小值和研磨速度平均值，并通過將這些值代入下式而算出面內(nèi)均勻性(％)。膜厚測(cè)定時(shí)，使用干涉式膜厚測(cè)定裝置(Nanometrics公司制造)。然后，使用所述鉆石修整器對(duì)所述層疊研磨墊進(jìn)行5小時(shí)的修整處理。然后，以與前述同樣的方法對(duì)晶片進(jìn)行I分鐘研磨(5小時(shí)后研磨)，算出面內(nèi)均勻性(％)。面內(nèi)均勻性的值越小表示晶片表面的均勻性越高。當(dāng)面內(nèi)均勻性的值為15%以下時(shí)評(píng)定為0，當(dāng)面內(nèi)均勻性超過15%時(shí)評(píng)定為X。
[0123]面內(nèi)均勻性(％ ) = K研磨速度最大值-研磨速度最小值)/(研磨速度平均值 X 2)} XlOO
[0124]實(shí)施例1
[0125](研磨層的制作)
[0126]將100重量份聚醚系預(yù)聚物(UNIR0YAL公司制造、ADIPRENE L-325)、3重量份硅系表面活性劑(Goldschmidt公司制造、B8465)和0.8重量份二乙二醇二乙基醚添加至聚合反應(yīng)器內(nèi)進(jìn)行混合，調(diào)整為80°C而進(jìn)行減壓脫泡。然后，使用攪拌葉以轉(zhuǎn)速900rpm劇烈攪拌約4分鐘以使反應(yīng)體系內(nèi)摻入氣泡。向其中添加26重量份的事先已將溫度調(diào)整為120°C的M0CA(IHARA CHEMICAL公司制造、Cuamine MT)。將此混合液攪拌約I分鐘后，流入至平鍋型開放式模具(澆鑄模具容器)中。在此混合液?jiǎn)适Я鲃?dòng)性的時(shí)刻加入至烘箱內(nèi)，在100°C下進(jìn)行16小時(shí)的后固化，而獲得聚氨酯樹脂發(fā)泡體塊體。
[0127]使用切片機(jī)(Amitec公司制造、VGW-125)將加熱至約80°C的所述聚氨酯發(fā)泡體塊體進(jìn)行切片，而獲得聚氨酯樹脂發(fā)泡體片(比重:0.85、ASKER D硬度:55度)。接著，使用拋光機(jī)(Amitec公司制造)，對(duì)該片進(jìn)行表面拋光處理直至厚度為1.27mm為止,而制成厚度精度經(jīng)調(diào)整的片。將此經(jīng)拋光處理的片沖裁成直徑78cm的大小，使用槽加工機(jī)(Techno公司制造)在表面進(jìn)行槽寬度0.25mm、槽間距1.5mm、槽深度0.45mm的同心圓狀的槽加工而制作研磨層。
[0128](支撐層的制作)
[0129]將發(fā)泡氨基甲酸酯組合物涂布于厚度為50 μ m的PET膜(帝人Dupont膜公司制造、TETRON G2、熱尺寸變化率:1.7% )上，使其硬化而形成緩沖層(比量:0.5、ASKER C硬度:50度、厚度:0.8mm),從而制作支撐層。
[0130](層疊研磨墊的制作)
[0131]將包含聚酯系熱熔粘接劑(熔點(diǎn):142°C、比重:1.22、熔體流動(dòng)指數(shù):21g/10min)的粘接劑層(厚度:100μπι)層疊于所述支撐層的緩沖層上，其中，該聚酯系熱熔粘接劑包括:100重量份結(jié)晶性聚酯樹脂(東洋紡織(股份)公司制造、VYLON GM420)和5重量份在I分子中具有2個(gè)以上縮水甘油基的鄰甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂(日本化藥(股份)公司制造、E0CN4400)。使用紅外線加熱器將粘接劑層表面加熱至150°C而使粘接劑層熔融。然后，使用層壓機(jī)將所制作的研磨層層疊于熔融的粘接劑層上而獲得層疊片，并使該層疊片通過50°C的滾筒之間而進(jìn)行壓接。然后，將層疊片裁斷為研磨層的大小。并使用層壓機(jī)將感壓式雙面膠帶(3M公司制造、442JA)貼合于支撐層的PET膜側(cè)，從而制作層疊研磨墊。層疊研磨墊以研磨層側(cè)成為凹狀的方式彎曲。
[0132]實(shí)施例2
[0133]將滾筒溫度從50°C變更為31°C，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方法制作層疊研磨墊。層疊研磨墊以研磨層側(cè)成為凹狀的方式彎曲。
[0134]實(shí)施例3
[0135]將滾筒溫度從50°C變更為98°C，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方法制作層疊研磨墊。層疊研磨墊以研磨層側(cè)成為凹狀的方式彎曲。
[0136]實(shí)施例4
[0137]在研磨層的制作中，將二乙二醇二乙基醚的混合量從0.8重量份變更為6.4重量份，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方法制作層疊研磨墊。層疊研磨墊以研磨層側(cè)成為凹狀的方式彎曲。
[0138]實(shí)施例5
[0139]在支撐層的制作中，使用厚度為100 μ m的PET膜(Toray公司制造、Lumirror H10、熱尺寸變化率:1.3% )代替TETRON G2，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方法制作層疊研磨墊。層疊研磨墊以研磨層側(cè)成為凹狀的方式彎曲。
[0140]實(shí)施例6
[0141]在支撐層的制作中，使用厚度為ΙΟΟμπι的PET膜(Toray公司制造、LumirrorΗΤ50、熱尺寸變化率:12.6% )代替TETRON G2，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方法制作層疊研磨墊。層疊研磨墊以研磨層側(cè)成為凹狀的方式彎曲。
[0142]比較例I
[0143]在研磨層的制作中，不混合二乙二醇二乙基醚，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方法制作層疊研磨墊。層疊研磨墊以研磨層側(cè)成為凹狀的方式彎曲。
[0144]比較例2
[0145]在研磨層的制作中，將二乙二醇二乙基醚的混合量從0.8重量份變更為15重量份，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方法制作層疊研磨墊。層疊研磨墊以研磨層側(cè)成為凹狀的方式彎曲。
[0146]比較例3
[0147]將滾筒溫度從50°C變更為23°C，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方法制作層疊研磨墊。層疊研磨墊基本上是平坦的。
[0148]比較例4
[0149]將滾筒溫度從50°C變更為130°C，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方法制作層疊研磨墊。層疊研磨墊以研磨層側(cè)成為凹狀的方式嚴(yán)重彎曲。
[0150]比較例5
[0151]在支撐層的制作中，使用厚度為25 μ m的PEN膜(帝人Dupont膜公司制造、TeonexQ51、熱尺寸變化率:1.0% )代替TETRON G2，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方法制作層疊研磨墊。層疊研磨墊基本上是平坦的。
[0152]比較例6
[0153]將發(fā)泡氨基甲酸酯組合物涂布于厚度為25 μ m的PET膜(Toray公司制造、Lumirror HT50、熱尺寸變化率:15% )上，進(jìn)行加熱時(shí)，因PET膜收縮而無法制作支撐層。
【權(quán)利要求】
1.層疊研磨墊，其為研磨層和支撐層經(jīng)由粘接構(gòu)件層疊而成，其特征在于:所述研磨層包含0.5-5重量％的親水性物質(zhì)；所述支撐層由緩沖層和熱尺寸變化率為1.3-12.6%的樹脂膜一體成形而成；所述層疊研磨墊以研磨層側(cè)成為凹狀的方式彎曲，墊周邊的平均彎曲量為3_50mm。
2.層疊研磨墊的制造方法，包括以下步驟: 將含有0.5-5重量％親水性物質(zhì)的研磨層加熱至30-100°C ;以及將加熱的研磨層和支撐層經(jīng)由粘接構(gòu)件進(jìn)行貼合，所述支撐層由緩沖層和熱尺寸變化率為1.3-12.6%的樹脂膜一體成形而成， 其中，研磨層側(cè)以成為凹狀的方式彎曲，墊周邊的平均彎曲量為3-50mm。
3.層疊研磨墊的制造方法，包括以下步驟: 在由緩沖層和熱尺寸變化率為1.3-12.6%的樹脂膜一體成形而成的支撐層的緩沖層上層疊熱熔粘接劑片； 將層疊的熱熔粘接劑片加熱而使熱熔粘接劑熔融或軟化； 在熔融或軟化的熱熔粘接劑上層疊含有0.5-5重量％親水性物質(zhì)的研磨層而制作層置片; 將層疊片通過加熱至30-100°C的滾筒之間而進(jìn)行壓接；以及 將層疊片的熔融或軟化的熱熔粘接劑進(jìn)行硬化， 其中，研磨層側(cè)以成為凹狀的方式彎曲，墊周邊的平均彎曲量為3-50mm。
4.層疊研磨墊的制造方法，包括以下步驟: 在由緩沖層和熱尺寸變化率為1.3-12.6%的樹脂膜一體成形而成的支撐層的緩沖層上涂布熔融或軟化的熱熔粘接劑；以及 在熔融或軟化的熱熔粘接劑上層疊含有0.5-5重量％親水性物質(zhì)的研磨層而制作層置片; 將層疊片通過加熱至30-100°C的滾筒之間而進(jìn)行壓接；以及 將層疊片的熔融或軟化的熱熔粘接劑進(jìn)行硬化， 其中，研磨層側(cè)以成為凹狀的方式彎曲，墊周邊的平均彎曲量為3-50mm。
5.權(quán)利要求3或4所述的層疊研磨墊的制造方法，其中，熱熔粘接劑的熔融溫度為130-170°C。
6.半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括使用權(quán)利要求1所述的層疊研磨墊對(duì)半導(dǎo)體晶片的表面進(jìn)行研磨的步驟。
【文檔編號(hào)】B24B37/22GK103945984SQ201280057510
【公開日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2012年12月6日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月28日
【發(fā)明者】數(shù)野淳 申請(qǐng)人:東洋橡膠工業(yè)株式會(huì)社