專利名稱：磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁瓦的制作方法，具體為制作磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的方法。
背景技術(shù)：
稀土就是化學(xué)元素周期表中鑭系元素一鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)，以及與鑭系的15個元素密切相關(guān)的元素一鈧(Sc)和釔(Y)共17種元素，稱為稀土元素。現(xiàn)有的制備磁瓦的方法如下:通過成熟的燒結(jié)稀土-鐵-硼系永磁體制備方法，首先制備出具有磁力線β平行分布的磁塊M (如圖7所示)，然后通過線切割等機械加工工藝制備成瓦形，此方法制作的磁瓦的磁力線β仍然是平行分布，無法制造出磁力線β點點垂直于其圓弧面切平面方向的永磁瓦片。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決目前缺乏一種制造出磁力線β點點垂直于其圓弧面切平面方向的永磁瓦片的方法的問題，提供了一種磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法。本發(fā)明是采用如下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
一種磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，包括如下步驟:
(I)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理。
·
(2)、用不與磁塊M發(fā)生物理化學(xué)反應(yīng)的材料制備基座，所述基座的頂部具有弧面，基座內(nèi)位于所述弧面的下方形成有與弧面弧度相同的弧形空腔，所述弧面上開有與所述弧形空腔聯(lián)通的、布滿弧面的通孔。(3)、將磁塊M置于基座的弧面上；所述基座的弧形空腔內(nèi)裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N是由I類稀土材料和II類金屬材料構(gòu)成的合金,所述I類稀土材料由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一種或幾種以任意比例混合，占所述濺射靶材N總重量的范圍是:大于等于80%且小于100% ;所述II類金屬材料由Ga、Al、Sn、Mg、Ca、Cu中的一種或幾種以任意比例混合(即占所述濺射靶材N總重量的范圍是:大于O且小于等于20%)。(4)、將磁塊M和基座一同置于真空燒結(jié)裝置中，所述真空燒結(jié)裝置內(nèi)安裝有可調(diào)節(jié)壓力裝置，所述可調(diào)節(jié)壓力裝置的輸出壓力端安裝有用不與磁塊M發(fā)生物理化學(xué)發(fā)應(yīng)的材料制備的、底部呈圓弧狀的壓力件，所述磁塊M置于所述壓力件的圓弧狀底部的下方。(5)、分如下四階段實施熱處理工藝:
a、將真空燒結(jié)裝置的真空度排至lX10_3Pa以下，同時啟動加熱系統(tǒng)升溫至500°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置的輸出壓力至0.1 0.5MPa，壓力件在調(diào)節(jié)好的溫度、壓力下壓磁塊M，并保持I 2h ;
b、利用加熱系統(tǒng)升溫至500 600°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置的輸出壓力至0.5 IMPa，壓力件在調(diào)節(jié)好的溫度、壓力下壓磁塊M，并保持2 5h ;C、利用加熱系統(tǒng)升溫至600 700°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置的輸出壓力至I 1.5MPa，壓力件在調(diào)節(jié)好的溫度、壓力下壓磁塊M，并保持2 5h ;
d、利用加熱系統(tǒng)升溫至700 1000°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置的輸出壓力至1.5 2MPa，壓力件在調(diào)節(jié)好的溫度、壓力下壓磁塊M，并保持4 24h ;
通過上述熱處理工藝處理后，所述磁塊M的下表面形成其與所述基座的弧面相吻合的弧面，磁塊M的上表面在壓力下自然形成弧面。(6)、冷卻至室溫后取出，完成將具有磁力線β平行分布的磁塊M制成具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦。制備上述濺射靶材N采用本領(lǐng)域通用的熔融合金制備方法即可，不存在技術(shù)難度。可調(diào)節(jié)壓力裝置為本領(lǐng)域常用裝置，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易實現(xiàn)。上述所用的濺射靶材N選取由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一種或幾種以任意比例混合形成的I類稀土材料，占所述濺射靶材N總重量的80%以上；同時為改善材料的特性，還在此I類稀土材料中添加由Ga、Al、Sn、Mg、Ca、Cu中的一種或幾種以任意比例構(gòu)成的II類金屬材料；用以滿足蒸發(fā)并發(fā)生濺射時在磁塊M表面發(fā)生附著的要求。工作時，對經(jīng)過機械加工成的方條狀磁塊M實施熱處理工藝，由于燒結(jié)Re-Fe-B永磁體由主相a和晶界相b (即富稀土相)組成，在高溫作用下，濺射靶材通過離子濺射的方式及滲透的作用在晶界相進行富集。圖9、10中下部的箭頭表示濺射靶材N的濺射方向，如圖9所示，在熱處理階段實施蒸發(fā)濺射，首先在磁塊M下表層進行附著，同時在如圖10所示過程中發(fā)生滲透作用，濺射靶材N通過滲透作用時富集在晶界相b當(dāng)中，濺射靶材N在附著及滲透過程時，磁塊M下表面首先開始膨脹，由于對磁塊M上表面實施了一個壓力作用，使得高溫處理狀態(tài)下的磁塊M發(fā)生形變，同時濺射靶材的作用增加了磁塊M的表面張力，該張力恰能使磁塊M在變形過程 中不至于開裂。基于上述過程，基座內(nèi)的濺射靶材N通過其上通孔達到磁塊M，磁塊M充分吸收濺射靶材后發(fā)生膨脹，并且磁塊M下邊緣的膨脹速度大于其上邊緣，同時在壓力件的導(dǎo)向作用下，通過分階段逐步升溫、保溫，逐步加壓，逐步吸收濺射靶材，逐步膨脹，在基座的弧面模型作用下形成瓦狀。優(yōu)選地，上述所用的濺射靶材N中，所述I類稀土材料優(yōu)先選用Pr、Nd、Dy、Ho的一種或幾種材料以任意比例混合，占濺射靶材總重量的90%以上；此I類稀土材料具有在800 1000°C下比較高的蒸發(fā)壓，約1χ10_2 IXKT1Pa,可以有效的滿足蒸發(fā)并發(fā)生濺射且在磁塊M表面發(fā)生附著的要求。II類金屬材料優(yōu)先選用Ga、Al、Cu的一種或幾種以任意比例混合；此11類金屬材料可以有效的滲入磁塊M的晶界相b中，使得磁塊M的性能提高。同時此類原子的滲入可以更有效的促進使磁塊M首先在下表層發(fā)生體積膨脹，并且由于其熔點低機械強度大的特性可以在滲入磁塊M下層同時避免磁塊M因形變造成開裂。當(dāng)然I類稀土材料同時具有上述功能，經(jīng)過對上述兩類材料的有效組分配比制作成合金可以更有利的發(fā)揮功能作用。制作成合金的濺射靶材N需要利用機械剪切手段，制作成顆粒狀，顆粒狀的濺射靶材可以更好的放置在基座當(dāng)中，當(dāng)然制作此類濺射靶材還可以利用現(xiàn)有成熟的霧化合金法制備成顆粒狀，這樣可以不利用機械剪切手段就可以得到顆粒狀合金，可以節(jié)約材料，降低成本。本發(fā)明設(shè)計合理、操作簡便，采用熱處理的方法對已加工成形的稀土 -鐵-硼系永磁體采用真空保護加熱手段，進行具有導(dǎo)向性的熱變形處理，最終使得磁塊M的下表面形成與基座的弧面相吻合的弧面，并且，該瓦狀永磁體的磁力線沿弧面聚焦分布，使得每條磁力線β垂直于其圓弧面切平面方向，滿足了實際工作要求，提高了磁瓦的使用工作效率。解決了目前缺乏一種制造出磁力線β點點垂直于其圓弧面切平面方向的永磁瓦片的方法的問題。


圖1是壓力件開始下壓磁塊的示意圖。圖2是壓力件壓制完成磁塊的示意圖。圖3是基座的結(jié)構(gòu)不意圖。圖4是基座的正視圖。圖5是基座的俯視圖。圖6是制作方法的示意圖。圖7是具有磁力線β平行分布的磁塊M的示意圖。圖8是具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦的示意圖。圖9是未經(jīng)濺射靶材作用的磁塊的微觀示意圖。圖10是經(jīng)過濺射靶材作用后的磁瓦的微觀示意圖。

圖中，1-保溫系統(tǒng)，2-加熱系統(tǒng)，3-真空機組，10-弧形空腔，20-通孔，30-弧面，100-基座，200-壓力件，300-可調(diào)節(jié)壓力裝置，400-磁瓦，M-磁塊，N-濺射靶材，β -磁力線，a-主相結(jié)構(gòu)，b晶界相。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例進行詳細(xì)說明。實施例1
一種磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，包括如下步驟:
(I)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理；可以先通過表面氣流噴砂進行清潔，清潔完畢后，在熱處理爐內(nèi)進行表面等離子清洗，特別是清除表面附著的氧化物，使之達到清潔無污的目的。(2)、如圖3、4、5所示，用不與磁塊M發(fā)生物理化學(xué)發(fā)應(yīng)的材料制備基座100，所述基座100的頂部具有弧面30，基座100上位于所述弧面30的下方形成有與弧面30弧度相同的弧形空腔10，所述弧面30上開有與所述弧形空腔10聯(lián)通的、布滿弧面30的通孔20。具體實施時，所述基座100的弧面30上的通孔20為方孔，所述方孔成排緊密規(guī)則地布滿所述弧面30。所述基座100能夠耐1000°C以上的高溫，并且在溫度273K 1273K范圍內(nèi)其膨脹系數(shù)低于IOX 10_6m/K。例如采用Mo作為制作基座100的材料。(3)、將磁塊M置于基座100的弧面30上；所述基座100的弧形空腔10內(nèi)裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N由I類稀土材料和II類金屬材料構(gòu)成的合金,所述I類稀土材料由La、Nd、Dy等三種以任意比例混合，占所述濺射靶材N總重量的80% ;所述II類金屬材料由Cu構(gòu)成，占所述濺射靶材N總重量的20%。(4)、如圖6所示，將磁塊M和基座100—同置于真空燒結(jié)裝置中，所述真空燒結(jié)裝置內(nèi)安裝有可調(diào)節(jié)壓力裝置300，所述可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力端安裝有用不與磁塊M發(fā)生物理化學(xué)發(fā)應(yīng)的材料制備的、底部呈圓弧狀的壓力件200，所述磁塊M置于所述壓力件200的圓弧狀底部的下方，如圖1所示。(5)、分如下四階段實施熱處理工藝:
a、將真空燒結(jié)裝置的真空度排至lX10_3Pa以下，同時啟動加熱系統(tǒng)升溫至500°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至0.1MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持 1.5h ；
b、利用加熱系統(tǒng)升溫至570°C，調(diào)節(jié) 可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至0.5MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持5h ；
C、利用加熱系統(tǒng)升溫至600°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至1.3MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持4h ；
d、利用加熱系統(tǒng)升溫至900°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至2MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持20h。通過上述熱處理工藝處理后，所述磁塊M的下表面形成其與所述基座100的弧面30相吻合的弧面，磁塊M的上表面在壓力下自然形成弧面，如圖2所示。(6)、冷卻至室溫后取出，完成將具有磁力線β平行分布的磁塊M制成具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦400，如圖8所示。實施例2
一種磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，包括如下步驟:
(I)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理；可以先通過表面氣流噴砂進行清潔，清潔完畢后，在熱處理爐內(nèi)進行表面等離子清洗，特別是清除表面附著的氧化物，使之達到清潔無污的目的。(2)、如圖3、4、5所示，用不與磁塊M發(fā)生物理化學(xué)發(fā)應(yīng)的材料制備基座100，所述基座100的頂部具有弧面30，基座100上位于所述弧面30的下方形成有與弧面30弧度相同的弧形空腔10，所述弧面30上開有與所述弧形空腔10聯(lián)通的、布滿弧面30的通孔20。具體實施時，所述基座100的弧面30上的通孔20為方孔，所述方孔成排緊密規(guī)則地布滿所述弧面30。所述基座100能夠耐1000°C以上的高溫，并且在溫度273K 1273K范圍內(nèi)其膨脹系數(shù)低于IOX 10_6m/K。例如采用Mo、Hf、Zr等三種材料的合金，作為制作基座100的材料。(3)、將磁塊M置于基座100的弧面30上；所述基座100的弧形空腔10內(nèi)裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N由I類稀土材料和II類金屬材料構(gòu)成的合金,所述I類稀土材料由Nd構(gòu)成，占所述濺射靶材N總重量的99% ;所述II類金屬材料由Ga、Al、Cu等三種以任意比例混合，即占所述濺射靶材N總重量的1%。(4)、如圖6所示，將磁塊M和基座100—同置于真空燒結(jié)裝置中，所述真空燒結(jié)裝置內(nèi)安裝有可調(diào)節(jié)壓力裝置300，所述可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力端安裝有用不與磁塊M發(fā)生物理化學(xué)發(fā)應(yīng)的材料制備的、底部呈圓弧狀的壓力件200，所述磁塊M置于所述壓力件200的圓弧狀底部的下方，如圖1所示。(5)、分如下四階段實施熱處理工藝:
a、將真空燒結(jié)裝置的真空度排至lX10_3Pa以下，同時啟動加熱系統(tǒng)升溫至500°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至0.5MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持Ih ；
b、利用加熱系統(tǒng)升溫至520°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至IMPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持2h ；
C、利用加熱系統(tǒng)升溫至650°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至1.5MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持5h ；
d、利用加熱系統(tǒng)升溫至700°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至1.7MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持12h ；
通過上述熱處理工藝處理后，所述磁塊M的下表面形成其與所述基座100的弧面30相吻合的弧面，磁塊M的上表面在壓力下自然形成弧面，如圖2所示。(6)、冷卻至室溫后取出，完成將具有磁力線β平行分布的磁塊M制成具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦400，如圖8所示。實施例3
一種磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，包括如下步驟:
(1)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理；可以先通過表面氣流噴砂進行清潔，清潔完畢后，在熱處理爐內(nèi)進行表面等離子清洗，特別是清除表面附著的氧化物，使之達到清潔無污的目的。(2)、如圖3、4、5所示，用不與磁塊M發(fā)生物理化學(xué)發(fā)應(yīng)的材料制備基座100，所述基座100的頂部具有弧面30，基座100上位于所述弧面30的下方形成有與弧面30弧度相同的弧形空腔10，所述弧面30上開有與所述弧形空腔10聯(lián)通的、布滿弧面30的通孔20。具體實施時，所述基座100的弧面30上的通孔20為方孔，所述方孔成排緊密規(guī)則地布滿所述弧面30。所述基座100能夠耐1000°C以上的高溫，并且在溫度273K 1273K范圍內(nèi)其膨脹系數(shù)低于10X10_6m/K。例如采用Mo、Hf、W、Zr等四種材料的合金，作為制作基座100的材料。(3)、將磁塊M置于基座100的弧面30上；所述基座100的弧形空腔10內(nèi)裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N由I類稀土材料和II類金屬材料構(gòu)成的合金,所述I類稀土材料由Pr、Nd、Dy、Ho等四種以任意比例混合，占所述濺射靶材N總重量的95% ;所述II類金屬材料由Ga、Al等兩種以任意比例混合，占所述濺射靶材N總重量的5%。(4)、如圖6所示，將磁塊M和基座100—同置于真空燒結(jié)裝置中，所述真空燒結(jié)裝置內(nèi)安裝有可調(diào)節(jié)壓力裝置300，所述可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力端安裝有用不與磁塊M發(fā)生物理化學(xué)發(fā)應(yīng)的材料制備的、底部呈圓弧狀的壓力件200，所述磁塊M置于所述壓力件200的圓弧狀底部的下方，如圖1所示。(5)、分如下四階段實施熱處理工藝:
a、將真空燒結(jié)裝置的真空度排至lX10_3Pa以下，同時啟動加熱系統(tǒng)升溫至500°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至0.3MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持2h ；
b、利用加熱系統(tǒng)升溫至600°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至0.7MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持3h ；
C、利用加熱系統(tǒng)升溫至700°C，調(diào)節(jié)壓力調(diào)節(jié)裝置的輸出壓力至I MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持2h ；
d、利用加熱系統(tǒng)升溫至1000°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至1.5MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持4h ；
通過上述熱處理工藝處理后，所述磁塊M的下表面形成其與所述基座100的弧面30相吻合的弧面，磁塊M的上表面在壓力下自然形成弧面，如圖2所示。(6)、冷卻至室溫后取出，完成將具有磁力線β平行分布的磁塊M制成具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦400，如圖8所示。實施例4
一種磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，包括如下步驟:
(I)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理；可以先通過表面氣流噴砂進行清潔，清潔完畢后，在熱處理爐內(nèi)進行表面等離子清洗，特別是清除表面附著的氧化物，使之達到清潔無污的目的。(2)、如圖3、4、5所示，用不與磁塊M發(fā)生物理化學(xué)發(fā)應(yīng)的材料制備基座100，所述基座100的頂部具有弧面30，基座100上位于所述弧面30的下方形成有與弧面30弧度相同的弧形空腔10，所述弧面30上開有與所述弧形空腔10聯(lián)通的、布滿弧面30的通孔20。具體實施時，所述基座100的弧面30上的通孔20為方孔，所述方孔成排緊密規(guī)則地布滿所述弧面30。所述基座100能夠耐1000°C以上的高溫，并且在溫度273K 1273K范圍內(nèi)其膨脹系數(shù)低于IOX 10_6m/K。例如采用Mo、Hf等兩種材料的合金，作為制作基座100的材料。

(3)、將磁塊M置于基座100的弧面30上；所述基座100的弧形空腔10內(nèi)裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N由I類稀土材料和II類金屬材料構(gòu)成的合金,所述I類稀土材料由NcUGd等兩種以任意比例混合，占所述濺射靶材N總重量的85%以上；所述II類金屬材料由Mg、Ca、Cu等三種以任意比例混合，即占所述濺射靶材N總重量的15%。(4)、如圖6所示，將磁塊M和基座100—同置于真空燒結(jié)裝置中，所述真空燒結(jié)裝置內(nèi)安裝有可調(diào)節(jié)壓力裝置300，所述可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力端安裝有用不與磁塊M發(fā)生物理化學(xué)發(fā)應(yīng)的材料制備的、底部呈圓弧狀的壓力件200，所述磁塊M置于所述壓力件200的圓弧狀底部的下方，如圖1所示。(5)、分如下四階段實施熱處理工藝:
a、將真空燒結(jié)裝置的真空度排至lX10_3Pa以下，同時啟動加熱系統(tǒng)升溫至500°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至0.4MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持 1- 7h ；
b、利用加熱系統(tǒng)升溫至550°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至0.9MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持4h ；
C、利用加熱系統(tǒng)升溫至680°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至1.2MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持3h ；
d、利用加熱系統(tǒng)升溫至800°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置300的輸出壓力至1.8MPa，壓力件200在該溫度、壓力下壓磁塊M，并保持24h ；
通過上述熱處理工藝處理后，所述磁塊M的下表面形成其與所述基座100的弧面30相吻合的弧面，磁塊M的上表面在壓力下自然形成弧面，如圖2所示。
(6)、冷卻至室溫后取出，完成將具有磁力線β平行分布的磁塊M制成具有磁力線β聚焦成輻射狀 分布的磁瓦400，如圖8所示。
權(quán)利要求
1.一種磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，其特征在于:包括如下步驟: (1)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理； (2)、用不與磁塊M發(fā)生物理化學(xué)反應(yīng)的材料制備基座(100)，所述基座(100)的頂部具有弧面(30)，基座(100)上位于所述弧面(30)的下方形成有與弧面(30)弧度相同的弧形空腔(10)，所述弧面(30)上開有與所述弧形空腔(10)聯(lián)通的、布滿弧面(30)的通孔(20)； (3)、將磁塊M置于基座(100)的弧面(30)上；所述基座(100)的弧形空腔(10)內(nèi)裝有濺射靶材N，所述濺射靶材N是由I類稀土材料和II類金屬材料構(gòu)成的合金,所述I類稀土材料由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho中的一種或幾種以任意比例混合，占所述派射革巴材N總重量的范圍是:大于等于80%且小于100% ;所述II類金屬材料由Ga、Al、Sn、Mg、Ca、Cu中的一種或幾種以任意比例混合； (4)、將磁塊M和基座(100)—同置于真空燒結(jié)裝置中，所述真空燒結(jié)裝置內(nèi)安裝有可調(diào)節(jié)壓力裝置(300)，所述可調(diào)節(jié)壓力裝置(300)的輸出壓力端安裝有用不與磁塊M發(fā)生物理化學(xué)發(fā)應(yīng)的材料制備的、底部呈圓弧狀的壓力件(200)，所述磁塊M置于所述壓力件(200)的圓弧狀底部的下方； (5)、分如下四階段實施熱處理工藝: a、將真空燒結(jié)裝置的真空度排至lX10_3Pa以下，同時啟動加熱系統(tǒng)升溫至500°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置(300)的輸出壓力至0.1 0.5MPa，壓力件(200)在調(diào)節(jié)好的溫度、壓力下壓磁塊M，并保持I 2h ; b、利用加熱系統(tǒng)升溫至500 600°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置的輸出壓力至0.5 IMPa，壓力件(200)在調(diào)節(jié)好的 溫度、壓力下壓磁塊M，并在保持2 5h ; C、利用加熱系統(tǒng)升溫至600 700°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置(300)的輸出壓力至I 1.5MPa，壓力件(200)在調(diào)節(jié)好的溫度、壓力下壓磁塊M，并保持2 5h ; d、利用加熱系統(tǒng)升溫至700 1000°C，調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)壓力裝置(300)的輸出壓力至1.5 2MPa，壓力件(200)在調(diào)節(jié)好的溫度、壓力下壓磁塊M，并保持4 24h ; 通過上述熱處理工藝處理后，所述磁塊M的下表面形成其與所述基座(100)的弧面(30)相吻合的弧面，磁塊M的上表面在壓力下自然形成弧面； (6)、冷卻至室溫后取出，完成將具有磁力線β平行分布的磁塊M制成具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦(400 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，其特征在于:所述步驟(5)中，升溫的速度為5°C /min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，其特征在于:所述步驟(2)中基座(100)的制備材料采用Mo、Hf、W、Ta、Nb、Zr的一種或以上幾種以任意比例混合。
4.權(quán)利要求3所述的磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，其特征在于:所述步驟(2)中基座(100 )的弧面(30 )上的通孔(20 )為方孔，所述方孔成排規(guī)則地布滿所述弧面(30 )。
5.權(quán)利要求4所述的磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，其特征在于:所述步驟(2)中的基座(100)在溫度273K 1273K范圍內(nèi)的膨脹系數(shù)低于10X10_6m/K。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，其特征在于:所述步驟(3)中濺射靶材N呈顆粒狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，其特征在于:所述步驟(3)中濺射靶材N中所述I類稀土材料由Pr、Nd、Dy、Ho的一種或幾種以任意比例混合，占濺射靶材總重量的90%以上；所述II類金屬材料由Ga、Al、Cu中的一種或幾種以任意比例混 合。
全文摘要
本發(fā)明涉及磁瓦的制作方法，具體為制作磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的方法及裝置，解決了目前缺乏一種制造出磁力線β點點垂直于其圓弧面切平面方向的永磁瓦片的方法的問題。一種磁力線輻射發(fā)散的磁瓦的制作方法，包括如下步驟(1)、對具有磁力線β平行分布的磁塊M進行表面清潔處理；(2)、用不與磁塊M發(fā)生物理化學(xué)發(fā)應(yīng)的材料制備基座，所述基座的頂部具有弧面，基座上位于所述弧面的下方形成有與弧面弧度相同的弧形空腔，所述弧面上開有與所述弧形空腔聯(lián)通的、布滿弧面的通孔。本發(fā)明設(shè)計合理、操作簡便，采用熱處理的方法對已加工成形的稀土-鐵-硼系永磁體進行具有導(dǎo)向性的熱變形處理，最終制造出具有磁力線β聚焦成輻射狀分布的磁瓦。
文檔編號B22F3/14GK103236347SQ20131013752
公開日2013年8月7日 申請日期2013年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月19日
發(fā)明者徐建波, 祁三文, 張敏, 張鋒銳, 張燕慶 申請人:山西匯鏹磁性材料制作有限公司