Pcb板鍍金中的孔金屬化工藝的制作方法
【專利摘要】本發明公開了PCB板鍍金中的孔金屬化工藝，包括以下步驟：步驟一、采用膠體鈀液對孔進行活化，其中，膠體鈀液的配方為氯化鈀０.5～0.7g/L、鹽酸200～300ml/L、氯化亞錫35～45g/L及錫酸鈉6～8g/L，活化時間為3～5min，活化溫度為25℃；步驟二、將活化后的孔采用質量百分比濃度為5％的氫氧化鈉溶液解膠；步驟三、進行化學鍍銅，其中，化學鍍銅液的配方為硫酸銅10～15g/L、氫氧化鈉10～20g/L、甲醛8～12ml/L，溫度為45℃～55℃，鍍銅時間為40～50min。采用本發明對PCB板鍍金工序中的孔進行金屬化，工序簡單，操作便捷，便于實現，并能保證鍍銅層的厚度，進而保證鍍銅后具有良好的導電性能。
【專利說明】PCB板鍍金中的孔金屬化工藝

【技術領域】
[0001]本發明涉及印制電路板加工領域，具體是PCB板鍍金中的孔金屬化工藝。

【背景技術】
[0002]PCB板，即印制電路板，其是電子產品的基本零組件，其在電子設備中主要提供集成電路等各種電子元器件固定、裝配的機械支撐，實現集成電路等各種電子元器件之間的布線和電氣連接或電絕緣等功能。隨著現代信息產業及電子工業的高速發展，印制電路板行業發展迅猛。印制電路板的銅電路表面易氧化，可焊性差，最可靠的方法是對印制電路板鍍金，由于銅與金在界面的原子易相互滲透，金的硬度較低，一般的工藝是銅基體先鍍上一層鎳，再鍍金，鎳比銅硬度大，可以為鍍金層提供一種較硬的基底，從而能提高了金鍍層的耐磨性。另外，鎳的標準電極電位比銅低，因此，鎳鍍層對于銅來說是屬于陽極鍍層，對銅基體起電化學保護作用。鎳是一種可靠的阻擋層，可阻止基體銅向金鍍層擴散，從而提高金的抗腐蝕性。
[0003]印制電路板鍍金過程中會涉及到對印制電路板基板進行鉆孔，并需對孔金屬化使印制電路板基板兩面銅層的線路連通，目前孔金屬化一般都是在孔壁上設置銅層。由于印制電路板的基板不具有導電性，無法電鍍銅，也不具備自催化活性，無法直接進行化學鍍銅。為了使孔金屬化，現有工序復雜，成本較高。


【發明內容】

[0004]本發明的目的在于克服現有技術的不足，提供了一種工序簡便、便于實現、耗材少、成本低的PCB板鍍金中的孔金屬化工藝。
[0005]本發明的目的主要通過以下技術方案實現:PCB板鍍金中的孔金屬化工藝，包括以下步驟:
步驟一、采用膠體鈀液對孔進行活化，其中，膠體鈀液的配方為氯化鈀0.5?0.7g/L、鹽酸200?300ml/L、氯化亞錫35?45g/L及錫酸鈉6?8g/L，活化時間為3?5min，活化溫度為25 °C ；
步驟二、將活化后的孔采用質量百分比濃度為5%的氫氧化鈉溶液解膠；
步驟三、進行化學鍍銅，其中，化學鍍銅液的配方為硫酸銅10?15g/L、氫氧化鈉10?20g/L、甲醛8?12ml/L，溫度為45°C?55°C，鍍銅時間為40?50min。其中，解膠的目的是使印制電路板基板吸附的膠體鈀的鈀核完全暴露出來。
[0006]進一步的，所述步驟三完成后還包括以下步驟:采用硫酸鹽進行電鍍銅，其中，電鍍液中硫酸銅90 g/L、濃硫酸200 g/L，溫度為25°C，陰極電流密度為0.01?0.03A/cm2。
[0007]為了提高電鍍銅過程的活性和加快電鍍效率，所述電鍍液中還包括聚二硫二丙烷磺酸鈉0.02 g/L、四氫噻唑硫酮0.001 g/L、0P-21乳化劑0.3g/L及鹽酸0.05g/L。
[0008]進一步的，所述陰極電流密度為0.02A/cm2。
[0009]進一步的，所述膠體鈀液的配方為氯化鈀0.6g/L、鹽酸250ml/L、氯化亞錫40g/L及錫酸鈉7g/L,活化時間為4min。
[0010]為了提高化學鍍銅的活性和效率，所述化學鍍銅液的配方還包括乙二胺四乙酸40g/L、2，2-聯吡啶0.01 g/L及亞鐵氰化鉀0.1 g/L。
[0011]進一步的，所述化學鍍銅液的溫度為50°C。
[0012]進一步的，所述化學鍍銅液的配方中硫酸銅13g/L、氫氧化鈉15g/L、甲醛10ml/L，溫度為50°C，鍍銅時間為45min。
[0013]與現有技術相比，本發明具有以下有益效果:(1)本發明采用膠體鈀液對孔進行活化后進行解膠，然后化學鍍銅，在印制電路板基板的孔上實現化學鍍銅，進而實現孔金屬化，工序簡單，操作方便，便于實現。
[0014](2)本發明在化學鍍銅后再通過電鍍銅，能增加鍍銅層的厚度，增加了印制電路板中電路的可靠性。

【具體實施方式】
[0015]下面結合實施例對本發明做進一步的詳細說明，但本發明的實施方式不限于此。實施例
[0016]PCB板鍍金中的孔金屬化工藝，包括以下步驟:步驟一、采用膠體鈀液對孔進行活化，其中，膠體鈀液的配方為氯化鈀0.5?0.7g/L、鹽酸200?300ml/L、氯化亞錫35?45g/L及錫酸鈉6?8g/L，活化時間為3?5min，活化溫度為25°C ;步驟二、將活化后的孔采用質量百分比濃度為5%的氫氧化鈉溶液解膠；步驟三、進行化學鍍銅，其中，化學鍍銅液的配方為硫酸銅10?15g/L、氫氧化鈉10?20g/L、甲醒8?12ml/L、乙二胺四乙酸40g/L、2，2-聯吡啶0.01 g/L及亞鐵氰化鉀0.1 g/L，溫度為45°C?55°C，鍍銅時間為40?50min。其中，本實施例中膠體鈀液的配方中氯化鈀優選為0.6g/L，鹽酸優選為250ml/L，氯化亞錫優選為40g/L,錫酸鈉優選為7g/L,活化時間優選為4min。本實施例中化學鍍銅液的配方中硫酸銅優選為13g/L，氫氧化鈉優選為15g/L，甲醛優選為10ml/L，溫度優選為50°C，鍍銅時間優選為45min，化學鍍銅液的溫度優選為50°C。
[0017]本實施例在化學鍍銅完成后還包括以下步驟:采用硫酸鹽進行電鍍銅，其中，電鍍液中硫酸銅90 g/L、濃硫酸200 g/L、聚二硫二丙烷磺酸鈉0.02 g/L、四氫噻唑硫酮0.001g/L、0P-21乳化劑0.3g/L及鹽酸0.05g/L，溫度為25°C，陰極電流密度為0.01?0.03A/cm2。其中，陰極電流密度優選為0.02A/cm2。
[0018]采用本實施例對孔進行金屬化，能保證鍍層的厚度，鍍銅后導電性能好。
[0019]以上內容是結合具體的優選實施方式對本發明作的進一步詳細說明，不能認定本發明的【具體實施方式】只局限于這些說明。對于本發明所屬【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發明的技術方案下得出的其他實施方式，均應包含在本發明的保護范圍內。
【權利要求】
1.PCB板鍍金中的孔金屬化工藝，其特征在于，包括以下步驟: 步驟一、采用膠體鈀液對孔進行活化，其中，膠體鈀液的配方為氯化鈀0.5?0.7g/L、鹽酸200?300ml/L、氯化亞錫35?45g/L及錫酸鈉6?8g/L，活化時間為3?5min，活化溫度為25°C ； 步驟二、將活化后的孔采用質量百分比濃度為5%的氫氧化鈉溶液解膠； 步驟三、進行化學鍍銅，其中，化學鍍銅液的配方為硫酸銅10?15g/L、氫氧化鈉10?20g/L、甲醛8?12ml/L，溫度為45°C?55°C，鍍銅時間為40?50min。
2.根據權利要求1所述的PCB板鍍金中的孔金屬化工藝，其特征在于，所述步驟三完成后還包括以下步驟:采用硫酸鹽進行電鍍銅，其中，電鍍液中硫酸銅90 g/L、濃硫酸200 g/L，溫度為25°C，陰極電流密度為0.01?0.03A/cm2。
3.根據權利要求2所述的PCB板鍍金中的孔金屬化工藝，其特征在于，所述電鍍液中還包括聚二硫二丙烷磺酸鈉0.02 g/L、四氫噻唑硫酮0.001 g/L、OP-21乳化劑0.3g/L及鹽酸0.05g/L。
4.根據權利要求2所述的PCB板鍍金中的孔金屬化工藝，其特征在于，所述陰極電流密度為 0.02A/cm2。
5.根據權利要求1所述的PCB板鍍金中的孔金屬化工藝，其特征在于，所述膠體鈀液的配方為氯化鈀Q.6g/L、鹽酸250ml/L、氯化亞錫40g/L及錫酸鈉7g/L，活化時間為4min。
6.根據權利要求1所述的PCB板鍍金中的孔金屬化工藝，其特征在于，所述化學鍍銅液的配方還包括乙二胺四乙酸40 g/L,2, 2-聯吡啶0.01 g/L及亞鐵氰化鉀0.1 g/L。
7.根據權利要求1所述的PCB板鍍金中的孔金屬化工藝，其特征在于，所述化學鍍銅液的溫度為50°C。
8.根據權利要求1?7中任意一項所述的PCB板鍍金中的孔金屬化工藝，其特征在于，所述化學鍍銅液的配方中硫酸銅13g/L、氫氧化鈉15g/L、甲醛10ml/L，溫度為50°C，鍍銅時間為45min。
【文檔編號】C23C18/30GK104419917SQ201310406900
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月10日 優先權日:2013年9月10日
【發明者】龔伶 申請人:龔伶