一種化學復合鍍中外加磁場的裝置制造方法
【專利摘要】一種化學復合鍍中外加磁場裝置，該磁場裝置由通電螺線圈及其配套保護裝置組成，通過控制外部電路的交流電與直流電輸入模式來產生交變磁場和穩恒磁場，該套裝置產生的磁場作用在化學復合鍍實驗中的試件上，使得試件上所沉積的鍍層質量獲得較大的提升，縮短了生產周期，同時，該裝置結構簡單，操作簡便，工藝簡易。
【專利說明】—種化學復合鍍中外加磁場的裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種表面改性領域中外加磁場裝置。
【背景技術】
[0002]迄今為止，化學鍍工藝在生產實踐中已經發展的很成熟，在石油化工、機械模具、電子技術、航空航天等工業應用中較為普遍。然則，在實際工業化生產過程中，化學鍍不像電鍍工藝那樣有外加電場的額外動力，而是完全依賴于化學氧化還原反應實現的，因此，化學鍍工藝的生產周期長、效率低。此外，鍍液維護、調整、再生等工藝較復雜，使其成本昂貴。目前，在該領域的前沿性熱點研究課題是通過將穩恒磁場、交變磁場等外加動力場引入化學復合鍍來解決上述化學復合鍍工藝的技術瓶頸。同時，在磁場引入化學復合鍍過程中，由于磁場發生器受到實驗溫度、水浴加熱、液面高度、試樣位置等諸多因素的限制，導致該裝置無法正常工作，因此同時需要設計一個磁場發生器的配套保護裝置。

【發明內容】

[0003]為了克服現有的化學復合鍍工藝的諸多瓶頸，并解決無法順利加入磁場的不足，本實用新型提供一種通電螺線圈磁場發生裝置以及配套的隔水保護裝置，該套裝置不僅能完全解決磁場的加入問題，而且能方便地調整磁場強度、磁場方向，提高了工藝的可操作性。
[0004]本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:在原有化學復合鍍實驗裝置的基礎上，增加磁場及其配套保護裝置。交變磁場由交流電輸入通電螺線圈產生，穩恒磁場經過交流電整流、濾波、穩壓轉換為直流電后輸入螺線圈產生，通過外部的可程式控制電源調節外部輸入電流大小及線圈匝數調節磁場強度。該套裝置產生的磁場作用在化學復合鍍實驗中的試件上，使得試件上所沉積的鍍層質量獲得較大的提升。
[0005]本實用新型的有益效果是:磁場加快了化學復合鍍的鍍速，縮短了生產周期，并且鍍層的質量得到了較大提升。同時，配套的磁場及其保護裝置不僅能實現磁場順利加入化學復合鍍實驗中，而且裝置的結構簡單，操作簡便，工藝簡易。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1是螺線圈保護裝置的剖面構造圖。
[0007]圖2是螺線圈保護裝置的立體效果圖。
[0008]圖3是螺線圈置于保護裝置中的組合構造圖。
[0009]圖4是螺線圈與其配套保護裝置置于水浴槽的整套裝置工作示意圖。
[0010]圖1中1.空腔，2.進水口，3.保護裝置塑料密封底，4.外壁，5.內壁。
[0011]圖3中6.螺線圈接線柱，7.螺線圈，8.螺線圈繞線，9.螺線圈塑料壁。
[0012]圖5中10.恒溫水浴槽，11.燒杯(鍍液)放置區，12.導線，13.可程式控制電源。【具體實施方式】
[0013]下面結合附圖詳細說明依靠本實用新型，在化學復合鍍實驗中成功加裝磁場的工藝過程。
[0014]實施過程中，通電螺線圈是由螺線圈塑料壁(9)、螺線圈繞線(8)以及螺線圈接線柱(6)組成的，螺線圈(7)放置在保護裝置塑料密封底(3)、外壁(4)、內壁(5)所形成的空腔(I)中，同時，盛有鍍液(試樣位于鍍液中施鍍)的燒杯放置在燒杯(鍍液)放置區(11)，通過進水口(2)，使得燒杯處在水浴環境中，整套裝置處在85°C左右的恒溫水浴槽
(10)內。將導線(12)接在螺線圈接線柱上，通過調節外部電路中的可程式控制電源(13)來改變電流、電壓的大小，同時可以按照需要控制直流輸出或者交流輸出，以此改變磁場強度的大小。
[0015]其動作過程如下:
[0016]
【權利要求】
1.一種化學復合鍍中外加磁場的裝置，其特征在于:該磁場裝置由通電螺線圈及其配套保護裝置組成，通過控制外部電路的交流電與直流電輸入模式來產生交變磁場和穩恒磁場，以改善鍍層質量，提高材料性能；所述交變磁場由交流電輸入通電螺線圈產生；所述穩恒磁場經過交流電整流、濾波、穩壓轉換為直流電后輸入螺線圈產生，通過外部的可程式控制電源調節外部輸入電流大小及線圈匝數調節磁場強度；所述通電螺線圈由螺線圈塑料壁、螺線圈繞線及螺線圈接線柱組成的，通電螺線圈放置在保護裝置的塑料密封底、內壁、外壁所形成的空腔中，同時，盛有鍍液的燒杯放置在燒杯放置區，通過進水口，使得燒杯處在水浴環境中，整套裝置處在85°c的恒溫水浴槽內；導線接在螺線圈接線柱上，通過外部電路中的可程式控制電源改變電流、電壓的大小，并按需要控制直流輸出或者交流輸出，以改變磁場強度大小。
【文檔編號】C23C18/16GK203513795SQ201320551982
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年9月6日 優先權日:2013年9月6日
【發明者】侯俊英, 周志偉, 王松瑞 申請人:青島科技大學