用于處理基板的掃描式噴射器組件模塊的制作方法
【專利摘要】描述了一個噴射模塊組件(IMA)，該噴射模塊組件(IMA)沿著預定路徑移動以將氣體噴射到基板上并且排出過量的氣體。該IMA可以用于處理因為各種原因而難于移動的基板，這些原因例如是基板的較大的尺寸和重量。IMA通過多個結構連接至一組或更多組聯合臂，以提供用于噴射氣體或排出過量氣體的一個或更多個路徑。IMA通過第一驅動機構(例如，線性馬達)移動，聯合臂獨立地通過第二驅動機構(例如，滑輪和纜繩)操縱以減小由于聯合臂的重量引起的力或力矩。使第一驅動機構和第二驅動機構的運動同步來移動IMA和聯合臂。
【專利說明】用于處理基板的掃描式噴射器組件模塊
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請根據35U.S.C.§ 119(e)要求于2012年3月29日提交的共同未決美國臨時專利申請N0.61/617，525的申請的優先權，該申請的全部內容通過參引的方式并入本文。

【技術領域】
[0003]本公開涉及一種用于通過將氣體噴射到基板上來執行材料在基板上的沉積或者處理基板的表面的噴射器組件模塊。

【背景技術】
[0004]各種各樣的化學工藝被用來使材料沉積到基板上。這些化學工藝包括化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)和分子層沉積(MLD)。CVD是用于將材料層沉積到基板上的最常見的方法。在CVD中，將反應性氣體前驅體混合，然后輸送至反應室，在反應室中，在混合氣體與基板相接觸之后材料層沉積。
[0005]ALD是將材料沉積到基板上的另一種方法。ALD使用與物理吸附的分子的鍵合力不同的化學吸附的分子的鍵合力。在ALD中，源前驅體被吸收到基板的表面中，然后用惰性氣體吹掃。因此，源前驅體的物理吸附的分子(通過范德華力結合)會從基板中解吸。然而，源前驅體的化學吸附的分子是共價鍵合的，因此，這些分子被強烈地吸附在基板中，并且不會從基板中解吸。源前驅體的化學吸附的分子(被吸收到基板上的)與反應物前驅體的分子發生反應和/或被反應物前驅體的分子替換。然后，過量的前驅體或物理吸附的分子通過噴射吹掃氣體和/或抽吸反應室去除，從而獲得最終的原子層。
[0006]MLD是類似于ALD的薄膜沉積法，但是在MLD中，分子作為單元沉積到基板上，以形成基板上的聚合物膜。在MLD中，在每個反應循環中都發生分子碎片的沉積。對于MLD而言，前驅體通常是同雙功能反應物。MLD法一般用于在基板上沉積聚合物或有機-無機雜化薄膜。
[0007]為了在基板上執行空間ALD或MLD沉積法,基板相對于固定噴射器移動以暴露于不同的氣體中。然而，由于基板的尺寸或重量的增大，用于移動基板的裝置和部件也變得過大或者不經濟。


【發明內容】

[0008]實施方式涉及使用第一驅動機構使噴射模塊組件移動越過基板、以及使用第二驅動機構使連接至噴射模塊的一組臂旋轉來處理基板的表面或者在基板上沉積材料層。氣體經由形成在該一組臂中的路徑噴射到具有面向基板的表面的噴射模塊組件中。該一組臂包括至少一個第一臂和第二臂，第二臂的一端通過鉸鏈可旋轉地連接至第一臂的一端。第一臂的另一端可旋轉地連接至噴射模塊，第二臂的另一端可旋轉地連接至固定通口。該組臂通過第二驅動機構使得第一臂的另一端以與噴射模塊組件相同的速度和相同的方向移動的速度旋轉，。
[0009]在一個實施方式中，在將基板暴露于來自噴射模塊組件的氣體中之后殘留的過量氣體經由形成在噴射模塊組件和另一固定通口之間的另一組臂中的路徑排出。另一組臂也通過第二驅動機構旋轉。
[0010]在一個實施方式中，第一驅動機構包括噴射模塊組件中的線性馬達和用于支承該線性馬達的軸。
[0011]在一個實施方式中，第二驅動機構包括馬達、一組臂上的滑輪以及在滑輪之間延伸的纜繩。
[0012]在一個實施方式中，鐵磁流體密封件設置為密封在鉸鏈和一組臂之間的間隙。
[0013]在一個實施方式中，氣體是用于在基板上執行原子層沉積(ALD)的源前驅體或反應物前驅體。
[0014]在一個實施方式中，氣體被傳送至噴射模塊組件的用于接收氣體的室中，以及將所述基板經由形成在所述噴射模塊組件中的通道暴露于所述氣體中。
[0015]在一個實施方式中，通過使氣體經過形成在噴射模塊組件的面向基板的表面上的狹窄區域傳遞，能夠促進去除基板上的氣體的物理吸附的分子。該狹窄區域形成在用于接收氣體的室和形成在噴射模塊組件中的排氣腔之間。
[0016]在一個實施方式中，狹窄區域的高度小于室的高度的1/3。
[0017]在一個實施方式中，狹窄區域的高度小于室的寬度的1/3。
[0018]在一個實施方式中，過量氣體經由形成在噴射模塊組件中的通道傳送至另一組臂中的路徑中。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是根據一個實施方式的包括噴射模塊組件的處理裝置的立體圖。
[0020]圖2A是根據一個實施方式的噴射模塊組件(IMA)的立體圖。
[0021]圖2B是根據一個實施方式的沿圖2A的線M-N截取的IMA的局部橫截面視圖。
[0022]圖3是根據一個實施方式的處理裝置的IMA的側視圖。
[0023]圖4A和4B是根據一個實施方式的附接至IMA并且由滑輪操縱的聯合臂的圖解。
[0024]圖5A和5B是根據一個實施方式的圖示過量氣體經由聯合臂從IMA排出的圖解。
[0025]圖6A和6B是根據一個實施方式的圖示氣體經由聯合臂噴射到IMA中的圖解。
[0026]圖7是根據一個實施方式的圖示為處理基板而操縱IMA的過程的流程圖。

【具體實施方式】
[0027]本文參照附圖對實施方式進行描述。然而，本文所公開的原理可以以不同的形式體現，并且不應該被理解為限制于本文所提出的實施方式。在本說明書中，已知特征和技術的細節可以省略以避免不必要地使本實施方式的特征變得模糊。
[0028]在附圖中，附圖中相同的附圖標記表示相同的元件。為清楚起見，附圖的形狀、尺寸和區域等可以被擴大。
[0029]實施方式涉及一個噴射模塊組件(IMA)，該噴射模塊組件(IMA)沿著預定路徑移動以將氣體噴射到基板上并且從IMA排出過量的氣體。該IMA可以用于處理因為各種原因而難于移動的基板，這些原因例如是基板的較大的尺寸和重量。IMA通過多個結構連接至一組或更多組聯合臂，以提供用于噴射氣體或排出過量氣體的一個或更多個路徑。IMA通過第一驅動機構(例如線性馬達)移動，聯合臂分別通過第二驅動機構(例如滑輪和纜繩)操縱以減小施加于在聯合臂之間的鉸鏈上的力或力矩。第一驅動機構的運動和第二驅動機構的操縱被控制使得IMA和聯合臂以同步的方式移動。
[0030]圖1是根據一個實施方式的包括IMA 114的處理裝置100的立體圖。處理裝置100用于通過將一種或更多種類型氣體噴射到基板上從而在基板上沉積材料層或者處理基板的表面。處理裝置100可以形成封閉區域以容置IMA 114。在一個實施方式中，處理裝置100內的封閉區域保持在低壓處或者保持在真空狀態中(例如在1mTorr以下)。在處理裝置100的一側，放置有用于暴露于由IMA 114噴射的氣體中的基板和保持基板的基座。
[0031]IMA 114被放置在軌道116上的直線滑動導軌上或用于沿著預定路徑滑動運動的其他支承結構上。該預定路徑可以是直的或者是彎曲的。在一個實施方式中，在IMA 114的底部或軌道116的頂部處設有滑動軸承，以減小與IMA 114的運動相關的摩擦力。諸如從處理裝置的頂板延伸至IMA 114的吊桿的替代性結構也可以用于可滑動地支承IMA 114。
[0032]IMA 114可以通過各種驅動機構水平地移動。用于水平移動IMAl 14的示例性驅動機構包括在延伸軸108、110上操作的線性馬達。替代性地，IMA 114可以由其外表面上形成有螺紋的一個或更多個軸支承。這些螺紋軸可以與形成在IMA 114上或IMA 114中的螺旋部配合，以使IMA 114在螺紋軸或IMA 114中的螺旋部旋轉時水平地移動。
[0033]IMA 114連接至多組臂以將氣體噴射到IMA 114中或者使過量的氣體從IMA 114中排出。在圖1的示例中，IMA 114連接至三組臂，(i)第一組臂包括用于噴射源氣體以及使過量的氣體(包括副產物)從IMA 114中排出的臂118A和120A，(ii)第二組臂包括用于通過電纜(未圖示)利用等離子體產生自由基的臂118B和120B，其中電纜插入臂的管路中，以及(iii)第三組臂包括用于噴射作為反應物氣體的由等離子體產生的自由基并且從IMA 114排出過量反應物(以及副產物)的臂118C和120C。每個臂的一端部通過鉸鏈可旋轉地連接至彼此，臂的另外的端部則連接至IMA 114或連接至處理裝置100外側的固定通口(連接至管路結構)。以第一組臂為例，臂120A的一端連接至IMA 114，另一端連接至另外的臂118A。臂118A的剩余端則連接至用于從處理裝置100中排出過量的氣體和副產物的通口。隨著IMA 114的水平移動，該組臂中的臂之間的相對角度發生變化。
[0034]每組臂均可以包括用于將氣體噴射到IMA 114中和/或將過量氣體從IMA 114中排出的路徑。例如，第二組臂可以包括用于將源前驅體或反應物前驅體連續地噴射到IMA114中的路徑，而第一組臂則包括用于將過量源前驅體從IMA 114中排出的路徑，以及第三組臂包括用于將過量反應物前驅體從IMA 114中排出的路徑。通過噴射源前驅體和反應物前驅體，隨后排出氣體，則可以執行諸如原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)和分子層沉積(MLD)的沉積過程。一組臂還可以噴射吹掃氣體或排出其他類型的氣體，以執行除沉積以外的基板上的處理。臂通過使用驅動機構進行旋轉，該驅動機構包括馬達(未圖示)、滑輪和滑輪之間的纜繩，如下文參照圖4A和4B詳細描述的。臂可能是沉重的，如果該臂由于IMA 114的運動而被動地移動，則連接這些臂的鉸鏈或接合部可能會過早地磨損。提供單獨的驅動機構以使臂旋轉的眾多優點中的一些優點在于，鉸鏈可以具有更長的壽命，具有較低功率容量的線性馬達可以用于移動IMA 114。
[0035]圖2A是根據一個實施方式的IMA 114的立體圖。IMA 114包括面向基板214和基座310的表面220。表面220形成有多個垂直的室232和多個呈縫狀的狹窄區域230，以用于接收噴射的氣體以及隨后將基板214暴露于該噴射的氣體中。表面220還包括排氣腔236，以排出沒有被吸收在基板214中的過量氣體和副產物。IMA 114在由箭頭270表示的方向上水平移動。
[0036]圖2B是根據一個實施方式的沿圖2A的線M-N截取的IMA 114的局部橫截面視圖。IMA 114的表面220形成有沿IMA 114垂直延伸的室232。基板214在室232的一側處與氣體相接觸。室232經由通道234(形成在IMA 114中)和一組臂(S卩，包括臂118B、120B的第一組臂)中的路徑接收氣體。氣體填充室232，然后穿過形成在IMA 114中的狹窄區域230、排氣腔236。室232中的每一個均具有寬度We和高度h3。排氣腔236連接至排氣通道(在圖5A中示作512)，排氣通道轉而連接至該組臂中的路徑(例如，如下文中參照圖5B詳細描述的由管道530形成的路徑)。
[0037]氣體在室232中經由狹窄區域230行進至排氣腔236，狹窄區域230具有寬度\和的高度h2。高度h/j、于高度h 30在氣體行進經過狹窄區域230時，文丘里效應致使氣體的速度增大，并且氣體的壓力下降。因此，在氣體經過狹窄區域230時有利于將物理吸附的氣體分子從基板214的表面去除。為了加強物理吸附的氣體分子從基板表面的去除，一些氣體通道234可以用于噴射諸如IS氣的吹掃氣體。在一個實施方式中，高度h2小于高度h 3的1/3。為了引起文丘里效應，使高度匕小于寬度1/3也是有利的。
[0038]表面220形成有許多組的室232和狹窄區域230，其中每組均由壁242分隔。壁242離基板214間隔距離4。雖然具有較小的Ii1對于避免來自于不同的室232的氣體的混合是有利的，但是制造公差、基板214和/或保持基板214的基座310上的非平面工件以及其他因素會限制最小距離4。諸如氬氣的氣體可以經由形成在壁242上的孔眼(未圖示)噴射，以形成氣體簾幕從而防止不同的室232內的氣體的混合。
[0039]圖3是根據一個實施方式的處理裝置的IMA 114的側視圖。IMAl 14中放置在滑動軸承318上，滑動軸承318在軌道116上移動，其作用是引導線性運動。IMA 114在基板214和基座310的上方如箭頭270所表示地水平移動，以處理基板214的表面。
[0040]IMA 114可以沿一個方向移動或者在兩個方向上往復運動，以執行在基板214的表面上的處理。在圖3中，為方便起見，只示出了一組臂118A、120A。如上文參照圖1所描述的，延伸軸108、110與安裝在IMA 114中的線性馬達相互配合以水平地移動IMA 114。
[0041]圖4A和4B是根據一個實施方式的附接至IMA 114并且由滑輪410、414、418操縱的聯合臂118、120的圖解。滑輪410固定至臂118，臂118的端部可旋轉地固定至處理裝置100的外壁，以將氣體(例如，前驅體)輸送至IMA 114，并且將過量氣體和副產物從IMA114排出。滑輪410的旋轉引起臂118的旋轉，進而引起滑輪418的旋轉。滑輪418被固定至臂120，因此，滑輪418通過纜繩430的旋轉引起臂120相對于臂118旋轉。滑輪414固定至IMA 114。纜繩434的運動引起滑輪414以一定角度旋轉，該角度將由IMA 114的線性運動引起。
[0042]馬達402驅動位于臂118的固定端部處的滑輪410。馬達402可以連接至滑輪410以直接使滑輪410旋轉，或者經由在馬達402與滑輪410之間的齒輪、滑輪或其他動力傳動部件使滑輪410旋轉。
[0043]在一個實施方式中，馬達402的旋轉和IMA 114的線性馬達的運動被共同控制器(未圖示)操縱。該控制器發送出信號，以便以同步的方式操縱馬達402和線性馬達。
[0044]在圖4A和4B中，滑輪410和414沿相同的方向旋轉，而滑輪418則沿相反的方向旋轉。如圖4A所示，當IMA 114向右移動時，滑輪410和414沿順時針方向旋轉，而滑輪418則沿逆時針方向旋轉，以與IMA 114的運動同步。相反地，當IMA 114向左移動時，滑輪410和414沿逆時針方向旋轉，而滑輪418則沿順時針方向旋轉，以與IMA 114的運動同步。滑輪410、414、418的轉速和方向被控制，使得IMA 114的線性速度與滑輪414的軸線438的線性速度相一致。
[0045]臂118、120可能包括各種可能增加其重量的部件。因此，如果臂118、120由于IMA114的線性運動而被動地移動，這些臂118、120的鉸鏈可能會經受過大的力和/或力矩。相比于通過IMA 114的線性運動來驅動臂118、120的運動的情況，通過利用與IMA 114的運動相分離的機構使臂118、120旋轉和移動，能夠使臂118、120的鉸鏈經受減小的力矩和/或力。與鉸鏈相關聯的減小的力矩和/或力使得臂118、120和它們的鉸鏈能夠具有更長的壽命。
[0046]在其他實施方式中，包括但不限于齒輪或軸的其他機構可以用于代替滑輪和纜繩來使臂118、120旋轉。
[0047]圖5A和5B是根據一個實施方式的圖示過量氣體經由聯合臂118AU20A從IMA114排出的圖解。鐵磁流體密封件的外圓筒部件可以起到滑輪的作用。S卩，滑輪410、414、418可以由鐵磁流體密封件514的外圓筒部件形成。替代性地，每個滑輪(未圖示)均可以附接在鐵磁流體密封件514的外圓筒部件的端部處。臂118AU20A包括管道530，管道530用于將經由形成在IMA 114中的排氣腔236接收到的過量氣體排出。該過量氣體經由通口 518和由管道530形成的路徑從IMA 114中排出，其中，管道530延伸穿過臂120A、鉸鏈532(用于連接臂118A、120A)和臂118A。IMA 114形成有通道510，以將經由排氣腔236接收到的過量氣體傳送至管道530。
[0048]鉸鏈524設置在外部通口(未圖示)和臂118A之間，以使臂118A能夠相對于外部通口旋轉。該外部通口連接到排出機構的管道。鉸鏈532放置在兩個臂118AU20A之間，以實現臂118A、120A之間的相對旋轉。鉸鏈526放置在臂120A和IMA 114之間，以使臂120A能夠相對于IMA 114旋轉。鐵磁流體密封件514可以設置為圍繞鉸鏈524、526、532，使得行進通過這些鉸鏈的過量氣體在臂118AU20A旋轉和游動時不會泄漏到臂118AU20A的外面。
[0049]在一個實施方式中，管路或管道530可以安裝在路徑中，以避免氣體的泄漏，即使是在臂118A、120A或鉸鏈524、526、532發生斷裂或裂紋的時候。
[0050]圖6A和6B是根據一個實施方式的圖示氣體經由聯合臂118BU20B噴射到IMA114中的圖解。聯合臂118BU20B具有與聯合臂118A、120A相同的結構，如上文參照圖5A和5B所描述的。聯合臂118B、120B在如下方面中類似于聯合臂118A、120A，S卩，由聯合臂118B、120B中的管道630形成的路徑用于將氣體噴射到MA 114中，由圍繞管道630的管道626形成的另一路徑用于將過量氣體從IMA114中排出。
[0051]在IMA 114中形成有通道610，以將噴射進入IMA 114的氣體傳送至室232。該氣體填充室232，進而被噴射到基板214上。臂118B和120B以與臂118AU20A相同的方式通過鉸鏈624、626、632連接，如上文參照圖5A和5B所描述的。鐵磁流體密封件614設置在鉸鏈624、626、632處，從而使氣體在臂118B、120B轉動和游動時不會泄漏到臂118B、120B的外面。介于臂118BU20B與鉸鏈624、626、632之間的間隙也通過鐵磁流體密封件614密封。
[0052]臂118C和120C具有與臂118A和120A相同的結構，除了這些臂118C和120C是放置在IMA 114的右端，因此，為求簡潔，本文省略對它們的描述。
[0053]雖然本文所描述的實施方式涉及一個處理垂直直立的基板的處理裝置，但是其他實施方式也可以處理平放在基座上或以相對于垂直位置的一個傾斜角度放置的基板。此夕卜，雖然本文所描述的實施方式使用相同的一組臂來將兩種不同類型的氣體噴射到IMA中，但是其他實施方式也可以使用兩組或更多組臂來噴射不同類型的氣體。
[0054]在氣體實施方式中，可以使用單一的一組臂來噴射和排出相同或不同的氣體。出于這個目的，該組臂可以包括用于運送不同氣體或用于不同流動方向的多個路徑。
[0055]圖7是根據一個實施方式的說明操縱IMA 114以處理基板214的過程的流程圖。氣體經由第一組臂(例如，臂118BU20B)中的路徑(例如，由管道630形成的路徑)被供應至IMA 114——步驟710。通過IMA 114將氣體噴射到基板214上——步驟720。該被噴射的氣體可以是源前驅體、反應物前驅體、吹掃氣體或者它們的組合。由于該噴射，使得基板214可以吸附有氣體分子或者基板214的表面用該氣體進行處理。
[0056]然后，將在基板214暴露之后殘留的過量氣體經由第二組臂(例如，臂118A、120A)中的路徑(例如，由管道530形成的路徑)從IMA 114中排出730。過量氣體可以包括由IMA 114噴射的氣體或通過化學反應得到的轉化后的氣體。可以不使用第二組臂，而是使用用于供應氣體的相同的一組臂通過利用形成在該組臂中的另一路徑將過量氣體排出。
[0057]使用第一驅動機構移動IMA 114-步驟740,以將基板214的不同部分暴露于所噴射的氣體中。在一個實施方式中，IMA 114水平地移動。該第一驅動機構可以包括例如線性馬達和延伸軸108、110。
[0058]在步驟740中移動IMA 114的同時，使用第二驅動機構使第一組臂和第二組臂旋轉一步驟750。該第二驅動機構可以包括馬達、滑輪和纜繩。第一和第二臂的運動與IMA114的線性運動是同步的，使得臂的連接至IMA 114的端部通過第二驅動機構以與IMA 114相同的速度和方向移動。
[0059]在一個實施方式中，連接外部通口和IMA的一組臂包括多于兩個臂。在多于兩個臂中的每一個中都可以放置有滑輪，并且該滑輪通過纜繩或鏈條旋轉，以使臂的運動相對于IMA的線性運動同步。
[0060]雖然已經在上文參照多種實施方式對本發明進行了描述，但是在本發明范圍內可以做出各種改型。因此，本發明的公開內容是出于說明的目的，而不是限制本發明的范圍，本發明的范圍在文中的權利要求中提出。
【權利要求】
1.一種處理基板的表面或在基板上沉積材料層的方法，包括: 將氣體經由形成在一組臂中的路徑噴射到噴射模塊組件中，所述一組臂至少包括第一臂和第二臂，所述第二臂的一端通過鉸鏈可旋轉地連接至所述第一臂的一端，所述第一臂的另一端可旋轉地連接至所述噴射模塊，且所述第二臂的另一端可旋轉地連接至固定通Π ； 將所述基板的一部分暴露于由所述噴射模塊組件噴射的氣體中； 通過第一驅動機構移動所述噴射模塊組件，以將所述基板的不同部分暴露于由所述噴射模塊組件噴射的所述氣體中；以及 通過第二驅動機構使所述一組臂以使得所述第一臂的另一端以與所述噴射模塊組件相同的速度移動的速度旋轉。
2.根據權利要求1所述的方法，還包括: 將在所述基板暴露于來自所述噴射模塊組件的所述氣體中之后殘留的過量氣體經由圍繞所述路徑的另一路徑排出。
3.根據權利要求1所述的方法，其中: 移動所述噴射模塊組件包括操縱所述噴射模塊組件中的線性馬達；以及 使所述一組臂旋轉包括操縱馬達、所述一組臂中的滑輪、以及在所述滑輪之間延伸的纜繩。
4.根據權利要求1所述的方法，還包括通過鐵磁流體密封件密封所述鉸鏈和所述一組臂之間的間隙。
5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述氣體是用于在所述基板上執行原子層沉積(ALD)的源前驅體或反應物前驅體。
6.根據權利要求1所述的方法，還包括將噴射到所述噴射模塊組件中的所述氣體傳送至用于接收所述氣體的室中，以及將所述基板經由形成在所述噴射模塊組件中的通道暴露于所述氣體中。
7.根據權利要求1所述的方法，還包括通過使所述氣體穿過形成在所述噴射模塊組件的面向所述基板的表面上的狹窄區域、用于接收所述氣體的室和形成在所述噴射模塊組件中的排氣腔來促進去除所述基板上的所述氣體的物理吸附的分子。
8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述狹窄區域的高度小于所述室的高度的1/3。
9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述狹窄區域的高度小于所述室的寬度的1/3。
10.一種處理裝置，包括: 噴射模塊組件，所述噴射模塊組件被構造成通過第一驅動機構相對于基板移動，以將氣體噴射到所述基板的不同部分上，所述氣體在所述噴射模塊組件的面向所述基板的表面處噴射到所述基板的不同部分上； 一組臂，所述一組臂至少包括第一臂和第二臂，所述第二臂的一端通過鉸鏈可旋轉地連接至所述第一臂的一端，所述第一臂的另一端可旋轉地連接至所述噴射模塊，且所述第二臂的另一端可旋轉地連接至固定通口，在所述一組臂中形成有路徑，以將所述氣體噴射到所述噴射模塊組件中；以及 第二機構，所述第二機構被構造成使所述一組臂以使得所述第一臂的另一端以與所述噴射模塊組件相同的速度移動的速度旋轉。
11.根據權利要求10所述的裝置，還包括介于所述噴射模塊組件和另一固定通口之間的另一組臂，所述另一組臂形成有用于將過量氣體從所述噴射模塊組件排出的路徑。
12.根據權利要求11所述的裝置，其中，所述噴射模塊組件形成有用于將所述過量氣體從所述噴射模塊的表面傳送至所述另一組臂中的路徑的通道。
13.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述第一機構包括所述噴射模塊組件中的線性馬達和所述線性馬達在其上移動的軸，以及其中，所述第二機構包括馬達、所述一組臂中的滑輪、以及在所述滑輪之間延伸的纜繩。
14.根據權利要求10所述的裝置，還包括被構造成密封所述鉸鏈和所述一組臂之間的間隙的鐵磁流體密封件。
15.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述氣體是用于在所述基板上執行原子層沉積(ALD)的源前驅體或反應物前驅體。
16.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述噴射模塊組件形成有通道，以將噴射到所述噴射模塊組件中的氣體傳送到被構造成用于接收所述氣體的室中以及將所述基板暴露于所述氣體中。
17.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述噴射模塊組件的所述表面包括狹窄區域，所述狹窄區域被構造成通過使所述氣體穿過所述狹窄區域來促進去除所述基板上的所述氣體的物理吸附的分子，所述狹窄區域形成在所述噴射模塊組件的介于用于接收所述氣體的室與用于排出所述過量氣體的排氣腔之間的表面上。
18.根據權利要求17所述的裝置，其中，所述狹窄區域的高度小于所述室的高度的1/3。
19.根據權利要求17所述的裝置，其中，所述狹窄區域的高度小于所述室的寬度的1/3。
【文檔編號】C23C16/00GK104471104SQ201380018205
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年3月21日 優先權日:2012年3月29日
【發明者】塞繆爾·S·帕克, 李相忍, 李一松, 梁曉錫 申請人:威科Ald有限公司