電子部件用金屬材料及其制造方法、使用其的連接器端子、連接器及電子部件的制作方法
【專利摘要】本發明提供具有低晶須性、低粘著磨耗性及高耐久性的電子部件用金屬材料、使用其的連接器端子、連接器及電子部件。本發明的電子部件用金屬材料具備：基材；下層，其形成在基材上且由選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所組成的組即A構成元素組中的1種或2種以上所構成；中層，其形成在下層上且由選自A構成元素組中的1種或2種以上、及選自由Sn及In所組成的組即B構成元素組中的1種或2種所構成；及上層，其形成在中層上且由選自B構成元素組中的1種或2種與選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所組成的組即C構成元素組中的1種或2種以上的合金所構成；并且下層的厚度為0.05 μm以上且低于5.00 μm，中層的厚度為0.01 μm以上且低于0.40 μm，上層的厚度為0.02 μm以上且低于1.00 μm。
【專利說明】電子部件用金屬材料及其制造方法、使用其的連接器端子、 連接器及電子部件

【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種電子部件用金屬材料及其制造方法、使用其的連接器端子、連接 器及電子部件。

【背景技術】
[0002] 作為民生用及車載用電子設備用連接部件的連接器使用于黃銅或磷青銅的表面 實施Ni或Cu的基底鍍敷，進一步在其上實施Sn或Sn合金鍍敷而成的材料。Sn或Sn合金 鍍敷通常要求低接觸電阻及高焊料潤濕性的特性，進一步近年來也謀求降低將利用壓制加 工使鍍敷材料成形而成的公頭端子及母頭端子對接時的插入力。另外，有時在制造步驟中 在鍍敷表面產生引起短路等問題的針狀結晶即晶須，因而也有必要良好地抑制該晶須。
[0003] 對此，專利文獻1中公開了一種電接點材料，其特征在于：具備接點基材、形成在 上述接點基材的表面的由Ni或Co或兩者的合金所構成的基底層、及形成在上述基底層的 表面的Ag-Sn合金層，并且上述Ag-Sn合金層中的Sn的平均濃度低于10質量％，且上述 Ag-Sn合金層中的Sn的濃度根據從與上述基底層的界面向上述Ag-Sn合金層的表層部增大 的濃度梯度而變化。并且記載了由此得到的耐磨耗性、耐蝕性、加工性優異的電接點材料及 能夠極其廉價地制造該電接點材料。
[0004] 另外，專利文獻2中公開了一種電氣、電子部件用材料，其特征在于：至少在表面 由Cu或Cu合金構成的基體的上述表面隔著由Ni或Ni合金層構成之中間層而形成有均含 有Ag3Sn ( ε相)化合物的厚度〇. 5?20 μm的由Sn層或Sn合金層構成的表面層。并且 記載了其目的在于由此提供一種電氣、電子部件用材料及其制造方法、以及使用了該材料 的電氣、電子部件，該電氣、電子部件用材料的表面層的熔點低于Sn，焊接性優異，另外，也 無晶須的產生，焊接后所形成的接合部的接合強度高，同時也不易引起該接合強度在高溫 下的經時性降低，因此適宜作為引線材料，另外，即便在高溫環境下使用時也可抑制接觸電 阻的上升，也無導致與對象材料間的連接可靠性的降低的情況，因此也適宜作為連接器材 料。
[0005] 另外，專利文獻3中公開了一種被覆材料，其具備具有導電性的基材、及形成于上 述基材的被覆層，其特征在于：上述被覆層至少在表面側包含Sn與貴金屬的金屬間化合 物。并且記載了其目的在于由此提供一種被覆材料、及其制造方法，該被覆材料具有如下特 性：接觸電阻低，具有低摩擦系數，對插入力的降低有效，且耐氧化性優異而長期穩定。
[0006] 現有技術文獻 專利文獻 專利文獻1 :日本特開平4-370613號公報 專利文獻2 :日本特開平11-350189號公報 專利文獻3 :日本特開2005-126763號公報。


【發明內容】

[0007] 發明要解決的的技術課題 然而，在專利文獻1中所記載的技術中，近年來所謀求的插入力的降低化與有無晶須 產生的關系尚不明確。另外，Ag-Sn合金層中的Sn的平均濃度低于10質量％，Ag-Sn合金 層中的Ag的比例相當高，因此在本發明人等的評價中，對氯氣、亞硫酸氣體、硫化氫等氣體 的耐氣體腐蝕性不足夠。
[0008] 另外，在專利文獻2中所記載的技術中，對于在含有Ag3Sn ( ε相）化合物的厚度 0. 5?20 μ m的由Sn層或Sn合金層構成的表面層，在本發明人等的評價中，該表面層厚度 中存在無法充分降低插入力的區域。進一步，也記載了由Sn層或Sn合金層構成的表面層 的Ag 3Sn ( ε相)的含量以Ag換算計為0. 5?5質量％，由Sn層或Sn合金層構成的表面層 中的Sn的比例多，由Sn層或Sn合金層構成的表面層的厚度也厚，因此在本發明人等的評 價中，產生晶須，耐微滑動磨耗性不足夠。耐熱性或焊料潤濕性也不足夠。
[0009] 另外，在專利文獻3中所記載的技術中，被覆層包含Sn與貴金屬的金屬間化合物， 但Sn與貴金屬的金屬間化合物（Ag 3Sn)的厚度優選為成為1 μπι以上且3 μπι以下。在本 發明人等的評價中，該厚度無法充分降低插入力。
[0010] 如此，先前的具有Sn-Ag合金/Ni基底鍍敷構造的電子部件用金屬材料還無法充 分降低插入力，另外，還存在產生晶須的問題。另外，關于耐久性(耐熱性、焊料潤濕性、耐微 滑動磨耗性及耐氣體腐蝕性)，也難以實現可充分令人滿意的規格，因而尚不明確。
[0011] 本發明是為了解決上述課題而完成的，其課題在于提供一種具有低晶須性、低粘 著磨耗性及高耐久性的電子部件用金屬材料、使用其的連接器端子、連接器及電子部件。需 要說明的是，粘著磨耗是指起因于構成固體間的真實接觸面積的粘著部分因摩擦運動導致 斷裂而產生的磨耗現象。若該粘著磨耗增大，則將公頭端子與母頭端子對接時的插入力增 尚。
[0012] 解決課題的技術手段 本發明人等進行努力研宄，結果發現在基材上依序設置下層、中層、及上層，在下層、中 層、及上層使用特定的金屬，且設為特定的厚度及組成，由此可制作具有低晶須性、低粘著 磨耗性及高耐久性的電子部件用金屬材料。
[0013] 基于以上見解而完成的本發明在一方面中是一種電子部件用金屬材料，其具備： 基材；下層，其形成在上述基材上且由選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所組成的組即A構成 元素組中的1種或2種以上所構成；中層，其形成在上述下層上且由選自上述A構成元素 組中的1種或2種以上、及選自由Sn及In所組成的組即B構成元素組中的1種或2種所 構成；及上層，其形成在上述中層上且由選自上述B構成元素組中的1種或2種、與選自由 Ag、Au、Pt、PcU Ru、Rh、Os及Ir所組成的組即C構成元素組中的1種或2種以上的合金所 構成；并且上述下層的厚度為0.05 μ m以上且低于5.00 μ m，上述中層的厚度為0.01 μ m 以上且低于〇· 40 μ m，上述上層的厚度為0· 02 μ m以上且低于L 00 μ m，具有低晶須性、 低粘著磨耗性及高耐久性。
[0014] 本發明的電子部件用金屬材料在一實施方式中，上述上層的最小厚度（ym)為上 述上層的厚度（μ m)的50%以上。
[0015] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述上層與上述中層的界面輪 廓的相鄰的山與谷的高低差的最大值（ym)為上述上層的厚度（μπι)的50%以下。
[0016] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在上述上層的表面存在0.02 μ m以下的B構成元素的總計原子濃度（at%)彡C構成元素的總計原子濃度（at%)且O的 原子濃度（at%)彡10 at%的區域。
[0017] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述上層含有上述B構成元素 組的金屬10?50 at%。
[0018] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在上述上層存在為包含Sn 11. 8 ?22. 9 at% 的 SnAg 合金的 ζ (zeta)相。
[0019] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在上述上層存在為Ag3Sn的ε (epsilon)相。
[0020] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在上述上層存在為包含Sn 11. 8 ?22. 9 at% 的 SnAg 合金的 ζ (zeta)相、及為 Ag3Sn 的 ε (epsilon)相。
[0021] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在上述上層僅存在為Ag3Sn的 ε (epsilon)相。
[0022] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在上述上層存在為Ag3Sn的ε (epsilon)相、及為Sn單相的|3Sn。
[0023] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在上述上層存在為包含Sn 11. 8 ?22. 9 at% 的 SnAg 合金的 ζ (zeta)相、為 Ag3Sn 的 ε (epsilon)相、及為 Sn 單相 的 β Sn0
[0024] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述中層含有上述B構成元素 組的金屬35 at%以上。
[0025] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在上述中層存在Ni3Sn 4、& Ni3Sn20
[0026] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在上述中層存在Ni3Sn 4、及為 Sn單相的β Sn。
[0027] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述上層與上述中層的厚度的 比為上層：中層 =9 :1?3 :7。
[0028] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在自上述上層起至自上述上層 的最表面去除0.03 μ m的范圍的上述中層為止含有分別為2 at%以下的C、S、0。
[0029] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，通過超微小硬度試驗對上述上 層的表面以載荷10 mN壓出凹痕而測得的硬度即上述上層的表面的壓痕硬度為1000 MPa 以上。
[0030] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，通過超微小硬度試驗對上述上 層的表面以載荷10 mN壓出凹痕而測得的硬度即上述上層的表面的壓痕硬度為10000 MPa 以下。
[0031] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述上層的表面的算術平均高 度（Ra)為0.3 μπι以下。
[0032] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述上層的表面的最大高度 (Rz)為3 μπι以下。
[0033] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述上層、上述中層及上述下 層是通過在上述基材上使選自上述A構成元素組中的1種或2種以上成膜，其后使選自上 述C構成元素組中的1種或2種成膜，其后使選自上述B構成元素組中的1種或2種以上 成膜，使上述A構成元素組、上述B構成元素組及上述C構成元素組的各元素擴散而分別形 成。
[0034] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，通過熱處理進行上述擴散。
[0035] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在上述B構成元素組的金屬的 熔點以上進行上述熱處理，形成選自上述B構成元素組中的1種或2種及選自上述A構成 元素組中的1種或2種以上的合金層、及選自上述B構成元素組中的1種或2種及選自上 述C構成元素組中的1種或2種以上的合金層。
[0036] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述A構成元素組的金屬以 Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的總計計為50 mass%以上，且進一步包含選自由B、P、Sn及Zn所組 成的組中的1種或2種以上。
[0037] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述B構成元素組的金屬以Sn 與In的總計計為50 mass%以上，且其余合金成分由選自由Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、 Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W及Zn所組成的組中的I種或2種以上的金屬所構成。
[0038] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述C構成元素組的金屬以 Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、及Ir的總計計為50 mass%以上，且其余合金成分由選自由Bi、 CcU Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl 及 Zn 所組成的組中的 1 種或 2 種以上 的金屬所構成。
[0039] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述下層的剖面的維氏硬度為 Hv300以上。
[0040] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，通過超微小硬度試驗對上述下 層的剖面以載荷10 mN壓出凹痕而測得的硬度即上述下層的剖面的壓痕硬度為1500 MPa 以上。
[0041] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述下層的剖面的維氏硬度為 HvlOOO 以下。
[0042] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，通過超微小硬度試驗對上述下 層的剖面以載荷10 mN壓出凹痕而測得的硬度即上述下層的剖面的壓痕硬度為10000 MPa 以下。
[0043] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述中層由Ni3Sn與附 35112構 成。
[0044] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述中層由Ni3Sn2構成。
[0045] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，上述中層由Ni3Sn4構成。
[0046] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在上述下層與中層之間進一步 具備由A構成元素組的金屬與C構成元素組的金屬的合金所構成的層。
[0047] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在上述上層的表面附著有P，上 述？的附著量為1\1〇'?4\10-8111〇1/〇112〇
[0048] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在上述上層的表面進一步附著 有N，上述N的附著量為2Xl(Γ12?8Xl(Γ9mol/cm2。
[0049] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在利用XPS對上述上層進行分 析時將所檢測出的P的基于2S軌道電子的光電子檢測強度設為I(P2s)，將N的基于IS軌 道電子的光電子檢測強度設為I (Nls)時，滿足O.KI (P2s)/I (NlsXl。
[0050] 本發明的電子部件用金屬材料在另一實施方式中，在利用XPS對上述上層進行分 析時將所檢測出的P的基于2S軌道電子的光電子檢測強度設為I(P2s)，將N的基于IS軌 道電子的光電子檢測強度設為I (Nls)時，滿足1<I (P2s)/I (Nls)<50。
[0051] 本發明在另一方面中是一種本發明的電子部件用金屬材料的制造方法，其是利用 含有下述通式[1]及[2]所表示的磷酸酯的至少1種、及選自下述通式[3]及[4]所表示 的環狀有機化合物組中的至少1種的磷酸酯系液對金屬材料的表面進行表面處理，該金屬 材料具備有：基材；下層，其形成在上述基材上且由選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所組成的 組即A構成元素組中的1種或2種以上所構成；中層，其形成在上述下層上且由選自上述A 構成元素組中的1種或2種以上、及選自由Sn及In所組成的組即B構成元素組中的1種 或2種所構成；及上層，其形成在上述中層上且由選自上述B構成元素組中的1種或2種、 與選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所組成的組即C構成元素組中的1種或2種以上 的合金所構成：

【權利要求】
1. 電子部件用金屬材料，其具備： 基材； 下層，其形成在所述基材上且由選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所組成的組即A構成元 素組中的1種或2種以上所構成； 中層，其形成在所述下層上且由選自所述A構成元素組中的1種或2種以上、和選自由Sn及In所組成的組即B構成元素組中的1種或2種所構成；及 上層，其形成在所述中層上且由選自所述B構成元素組中的1種或2種、與選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所組成的組即C構成元素組中的1種或2種以上的合金所構成； 并且 所述下層的厚度為0.05μm以上且低于5.00μm， 所述中層的厚度為0.01μπι以上且低于0.40μπι， 所述上層的厚度為0.02μm以上且低于1.00μm。
2. 如權利要求1所述的電子部件用金屬材料，其中所述上層的最小厚度（ym)為所述 上層的厚度（μπι)的50%以上。
3. 如權利要求1或2所述的電子部件用金屬材料，其中所述上層與所述中層的界面輪 廓的相鄰的山與谷的高低差的最大值（ym)為所述上層的厚度（μπι)的50%以下。
4. 如權利要求1?3中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層的表面存 在0. 02μm以下的B構成元素的總計原子濃度（at%)彡C構成元素的總計原子濃度（at%) 且0的原子濃度（at%)彡10at%的區域。
5. 如權利要求1?4中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中所述上層含有所述B 構成元素組的金屬10?50at%。
6. 如權利要求1?5中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層存在為包 含Sn11. 8 ?22. 9at% 的SnAg合金的ζ(zeta)相。
7. 如權利要求1?5中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層存在為 Ag3Sn的ε(epsilon)相。
8. 如權利要求1?5中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層存在為包 含Sn11. 8 ?22. 9at% 的SnAg合金的ζ(zeta)相、及為Ag3Sn的ε(epsilon)相。
9. 如權利要求1?5中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層僅存在為 Ag3Sn的ε(epsilon)相。
10. 如權利要求1?5中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層存在為 Ag3Sn的ε(epsilon)相、及為Sn單相的 |3Sn。
11. 如權利要求1?5中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層存在為 包含Sn11. 8 ?22. 9at% 的SnAg合金的ζ(zeta)相、為Ag3Sn的ε(epsilon)相、及 為Sn單相的βSn。
12. 如權利要求1?11中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中在所述中層含有所 述B構成元素組的金屬35at%以上。
13. 如權利要求1?12中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中在所述中層存在 Ni3Sn4、及Ni3Sn2。
14. 如權利要求1?13中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中在所述中層存在 Ni3Sn4、及為Sn單相的|3Sn。
15. 如權利要求1?14中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中所述上層與所述中 層的厚度的比為上層：中層=9 :1?3 :7。
16. 如權利要求1?15中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中在從所述上層起， 到自所述上層的最表面去除0.03ym的范圍的所述中層為止含有分別為2at%以下的C、 S、0〇
17. 如權利要求1?16中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中通過超微小硬度試 驗對所述上層的表面以載荷10mN壓出凹痕而測得的硬度即所述上層的表面的壓痕硬度為 1000MPa以上。
18. 如權利要求1?17中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中通過超微小硬度試 驗對所述上層的表面以載荷10mN壓出凹痕而測得的硬度即所述上層的表面的壓痕硬度為 10000MPa以下。
19. 如權利要求1?18中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中所述上層的表面的 算術平均高度（Ra)為0.3ym以下。
20. 如權利要求1?19中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中所述上層的表面的 最大高度（Rz)為3μπι以下。
21. 如權利要求1?20中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中所述上層、所述中層 及所述下層是如下形成的， 通過在所述基材上使選自所述A構成元素組中的1種或2種以上成膜，其后使選自所 述C構成元素組中的1種或2種成膜，其后使選自所述B構成元素組中的1種或2種以上 成膜，使所述A構成元素組、所述B構成元素組及所述C構成元素組的各元素擴散而分別形 成。
22. 如權利要求21所述的電子部件用金屬材料，其中通過熱處理進行所述擴散。
23. 如權利要求21或22所述的電子部件用金屬材料，其中在所述B構成元素組的金 屬的熔點以上進行所述熱處理，形成選自所述B構成元素組中的1種或2種與選自所述A 構成元素組中的1種或2種以上的合金層、及選自所述B構成元素組中的1種或2種與選 自所述C構成元素組中的1種或2種以上的合金層。
24. 如權利要求1?23中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中所述A構成元素組 的金屬以Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的總計計為50mass%以上，且進一步包含選自由B、P、Sn及 Zn所組成的組中的1種或2種以上。
25. 如權利要求1?24中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中所述B構成元素組 的金屬以Sn與In的總計計為50mass%以上，且其余合金成分由選自由Ag、As、Au、Bi、Cd、 Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W及Zn所組成的組中的1種或2種以上的金屬所構成。
26. 如權利要求1?25中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中所述C構成元素組 的金屬以八8、411、？1:、？(1、1?11、1?11、〇8、及11'的總計計為5〇1]^88%以上，且其余合金成分由選 自由Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl及Zn所組成的組中的 1 種或 2 種以上的金屬所構成。
27. 如權利要求1?26中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中所述下層的剖面的 維氏硬度為Hv300以上。
28. 如權利要求1?27中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中通過超微小硬度試 驗對所述下層的剖面以載荷10mN壓出凹痕而測得的硬度即所述下層的剖面的壓痕硬度為 1500MPa以上。
29. 如權利要求1?28中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中所述下層的剖面的 維氏硬度為HvlOOO以下。
30. 如權利要求1?29中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中通過超微小硬度試 驗對所述下層的剖面以載荷10mN壓出凹痕而測得的硬度即所述下層的剖面的壓痕硬度為 10000MPa以下。
31. 如權利要求1?30中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中所述中層由Ni3Sn 與Ni3Sn2構成。
32. 如權利要求1?30中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中所述中層由Ni3Sn2 構成。
33. 如權利要求1?30中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中所述中層由Ni3Sn4 構成。
34. 如權利要求1?33中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中在所述下層與中層 之間進一步具備由A構成元素組的金屬與C構成元素組的金屬的合金所構成的層。
35. 如權利要求1?34中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層的表面 附著有P，所述P的附著量為IXKT11?4XKT8mol/cm2。
36. 如權利要求35所述的電子部件用金屬材料，其中在所述上層的表面進一步附著有 N，所述N的附著量為2X10_12?8X10_9mol/cm2。
37. 如權利要求35或36所述的電子部件用金屬材料，其中在利用XPS對所述上層進 行分析時將所檢測出的P的基于2S軌道電子的光電子檢測強度設為I(P2s)，將N的基于 IS軌道電子的光電子檢測強度設為I(Nls)時，滿足0.1 <I(P2s)/I(Nls) <1。
38. 如權利要求35或36所述的電子部件用金屬材料，其中在利用XPS對所述上層進 行分析時將所檢測出的P的基于2S軌道電子的光電子檢測強度設為I(P2s)，將N的基于 IS軌道電子的光電子檢測強度設為I(Nls)時，滿足1<I(P2s)/I(NlsX50。
39. 權利要求35?38中任一所述的電子部件用金屬材料的制造方法，其中，利用含有 下述通式[1]及[2]所表示的磷酸酯的至少1種、及選自下述通式[3]及[4]所表示的環 狀有機化合物組中的至少1種的磷酸酯系液對金屬材料的表面進行表面處理，該金屬材料 具備： 基材； 下層，其形成在所述基材上且由選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu所組成的組即A構成元 素組中的1種或2種以上所構成； 中層，其形成在所述下層上且由選自所述A構成元素組中的1種或2種以上、和選自由Sn及In所組成的組即B構成元素組中的1種或2種所構成；及 上層，其形成在所述中層上且由選自所述B構成元素組中的1種或2種、與選自由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir所組成的組即C構成元素組中的1種或2種以上的合金所構成； [化1]
(式[1]、[2]中，1^及R2分別表亦取代焼基，M表;^氫或堿金屬） [化3]
[化4]
(式[3]、[4]中，1^表不氣、燒基、或取代燒基，R2表不喊金屬、氣、燒基、或取代燒基，R3 表示堿金屬或氫，R4表示-SH、被烷基或芳基取代的氨基、或被烷基取代的咪唑基烷基，R5及 R6表示-NH2、-SH或-SM(M表示堿金屬)）。
40. 如權利要求39所述的電子部件用金屬材料的制造方法，其中通過在所述上層的表 面涂布磷酸酯系液而進行所述利用磷酸酯系液的表面處理。
41. 如權利要求39所述的電子部件用金屬材料的制造方法，其中通過將形成所述上層 后的金屬材料浸漬在磷酸酯系液中，以形成所述上層后的金屬材料作為陽極進行電解而進 行所述利用磷酸酯系液的表面處理。
42. 連接器端子，其在接點部分使用了權利要求1?38中任一所述的電子部件用金屬 材料。
43. 連接器，其使用了權利要求42所述的連接器端子。 44. FFC端子，其在接點部分使用了權利要求1?38中任一所述的電子部件用金屬材 料。 45. FPC端子，其在接點部分使用了權利要求1?38中任一所述的電子部件用金屬材 料。 46. FFC，其使用了權利要求44所述的FFC端子。 47. FPC，其使用了權利要求45所述的FPC端子。
48. 電子部件，其在外部連接用電極使用了權利要求1?38中任一所述的電子部件用 金屬材料。
49. 電子部件，其在壓入型端子使用了權利要求1?38中任一所述的電子部件用金屬 材料，所述壓入型端子是分別在安裝于外殼的安裝部的一側設置母頭端子連接部，在另一 側設置基板連接部，并將所述基板連接部壓入到形成于基板的通孔而安裝在所述基板。
【文檔編號】C22C13/00GK104471113SQ201380039250
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年6月25日 優先權日:2012年7月25日
【發明者】涉谷義孝, 深町一彥, 兒玉篤志 申請人:Jx日礦日石金屬株式會社