一種等離子鍍膜設備用引弧裝置制造方法
【專利摘要】一種等離子鍍膜設備用引弧裝置，該裝置由市電AC的L經限流電阻R1和N分別接二極管D1、D2串聯聯接點和電解電容C1、C2串聯連接點，二極管D1和電解電容C1的連接點與MOS管Q的漏極相接，MOS管Q反向并聯有二極管D3，MOS管Q的控制極經電阻R2連接觸發變壓器T1次級的一端，MOS管Q的源極連接觸發變壓器T1次級的另一端，電容C3垮接于電阻R3和電阻R4的兩端，觸發變壓器T1的輸入端連接脈沖觸發電路，脈沖觸發電路連接控制電路和電阻R4與電阻R3的連接點。該裝置用倍壓整流取代龐大、昂貴的工頻升壓變壓器，用脈沖觸發晶體開關技術經脈沖升壓隔離變壓器輸出脈沖引弧電壓，具有穩定、安全、可靠的優點。
【專利說明】—種等離子鍍膜設備用引弧裝置
【技術領域】
[0001]本發明屬于電源領域，特別涉及一種引弧裝置。
【背景技術】
[0002]電弧鍍膜、電弧離子鍍的原理是基于冷陰極自持真空弧光放電理論。在電弧源離子鍍中，以鍍膜材料作為靶極(陰極)，借助引孤裝置，使靶表面產生弧光放電。采用低電壓、大電流、電弧放電技術，利用氣體放電或被蒸發物質部分電離，并在氣體離子或被蒸發物質離子轟擊下，將被蒸發物質或其反應產物沉積在基片上。它是一種自蒸發自離化式固體蒸發源。這種蒸發源可蒸鍍金屬材料、合金材料，也可進行反應離子鍍，如TiN、TiC、(TiAl)N、ZrN、等超硬膜，Al、Ag、Cu高低溫耐蝕膜、不銹鋼、黃銅、鎳鉻、(TiAl)N、T1、Cr等裝飾保護膜等。
[0003]在電弧鍍膜、空心陰極鍍膜、磁控濺射、離子束鍍膜等這許多方法中，其中電弧鍍膜被認為最具有市場價值。
[0004]該方法運用了等離子體真空鍍膜原理，將電弧鍍技術與磁控離子鍍技術融合一體，實現多功能鍍膜的目的。
[0005]目前，在等離子 涂膜設備中采用的引弧裝置有高頻引弧器和工頻升壓脈沖引弧器，聞頻引弧器缺點有:
[0006](I)高頻引弧器的火花放電器容易燒蝕，間隙難以調整；
[0007](2)體積大、質量重；
[0008](3)高頻引弧器對計算機、通信、快速開關管和快速整流管干擾嚴重。
[0009]而工頻升壓脈沖引弧器體積龐大，成本高。

【發明內容】

[0010]本發明的目的是克服現有技術的不足，提供一種等離子鍍膜設備用引弧裝置，該裝置用倍壓整流取代龐大、昂貴的工頻升壓變壓器，用脈沖觸發晶體開關技術經脈沖升壓隔離變壓器輸出脈沖引弧電壓，具有穩定、安全、可靠的優點。
[0011]本發明為實現上述目的所采用的技術方案是:一種等離子鍍膜設備用引弧裝置，其特征在于:二極管Dl、D2同向串聯，電解電容Cl、C2同向串聯，市電AC的L經限流電阻Rl和N分別接二極管Dl、D2串聯聯接點和電解電容Cl、C2串聯連接點，串聯后的二極管D1、D2的負端和正端分別連接串聯后的電解電容C1、C2的正端和負端，二極管Dl和電解電容Cl的連接點與MOS管Q的漏極相接，MOS管Q反向并聯有二極管D3，MOS管Q的控制極經電阻R2連接觸發變壓器Tl次級的一端，MOS管Q的源極連接觸發變壓器Tl次級的另一端，再經電感LI連接脈沖變壓器T2的I輸入端，脈沖變壓器T2的另一輸入端經電阻R3和電阻R4接GND，電容C3垮接于電阻R3和電阻R4的兩端，觸發變壓器Tl的輸入端連接脈沖觸發電路，脈沖觸發電路連接控制電路和電阻R4與電阻R3的連接點。
[0012]所述脈沖變壓器T2初次級匝數比小于或等于1:3。[0013]本發明的有益效果是:裝置簡單、體積小、質量輕，成本低，功耗小，可靠性高，降低了對計算機、電子設備的干擾。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步說明。
[0015]圖1是一種等離子鍍膜設備用引弧裝置結構示意圖。
【具體實施方式】
[0016]以下結合附圖對本發明做進一步說明，但本發明并不局限于具體實施例。
[0017]實施例
[0018]如圖1所示的一種等離子鍍膜設備用引弧裝置，其中，二極管D1、D2電解電容Cl、C2組成倍壓整流，串聯了的Cl、C2兩端的電壓是輸入交流電壓的2*1.414倍，即220V*2.828達622V，接法是二極管Dl、D2同向串聯，電解電容Cl、C2也是同向串聯，市電AC的L和N接分別接二極管D1、D2串聯聯接點和電解電容C1、C2串聯連接點，串聯后的二極管Dl、D2的負端和正端分別連接串聯后的電解電容Cl、C2的正端和負端，二極管Dl和電解電容Cl的連接點與MOS管Q的漏極相接，MOS管Q反向并聯有保護二極管D3，MOS管Q的控制極經電阻R2連接觸發變壓器Tl次級的一端，MOS管Q的源極連接觸發變壓器Tl次級的另一端，再 經電感LI連接脈沖變壓器T2的I輸入端，變壓器T2的另一輸入端經電阻R3、R4接GND，電容C3垮接于串聯了的電阻R3、R4的兩端，R3、R4是C3的放電電阻，R4又是電流取樣電阻，觸發變壓器Tl的輸入端連接脈沖觸發電路，脈沖觸發電路受控制電路和R4上反饋保護信號控制，MOS管Q被脈沖觸發導通，串聯的電解電容兩端的電壓經可控硅Q、電感L1、脈沖變壓器T2初級、電容器C3放電，由于此時回路阻抗很小，通過脈沖變壓器初級電流很大，強大的能量反饋到次級，而其次級的匝數是10倍，即脈沖變壓器T2初次級匝數比為1:10，輸出6千伏以上引弧電壓。
【權利要求】
1.一種等離子鍍膜設備用引弧裝置，其特征在于:二極管Dl、D2同向串聯，電解電容Cl、C2同向串聯，市電AC的L經限流電阻Rl和N分別接二極管Dl、D2串聯聯接點和電解電容C1、C2串聯連接點，串聯后的二極管Dl、D2的負端和正端分別連接串聯后的電解電容Cl、C2的正端和負端，二極管Dl和電解電容Cl的連接點與MOS管Q的漏極相接，MOS管Q反向并聯有二極管D3，M0S管Q的控制極經電阻R2連接觸發變壓器Tl次級的一端，MOS管Q的源極連接觸發變壓器Tl次級的另一端，再經電感LI連接脈沖變壓器T2的I輸入端，脈沖變壓器T2的另一輸入端經電阻R3和電阻R4接GND，電容C3垮接于電阻R3和電阻R4的兩端，觸發變壓器Tl的輸入端連接脈沖觸發電路，脈沖觸發電路連接控制電路和電阻R4與電阻R3的連接點。
2.根據權利要求1所述的一種等離子鍍膜設備用引弧裝置，其特征是:所述脈沖變壓器T2初次級匝數比小于或等于1:3。
【文檔編號】C23C14/32GK103981493SQ201410240556
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年5月30日 優先權日:2014年5月30日
【發明者】林國強, 錢立平, 韓治昀, 魏科科 申請人:大連理工常州研究院有限公司