一種用于加速惰性硅化合物生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué)組合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供的一種用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué)組合物，包括以下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸或氟硅酸鹽類化合物0.1-25％，氨基酸類化合物0.1-15％，銨類化合物0.05-15％，無(wú)機(jī)酸0.001-30％，有機(jī)酸0.001-30％，表面活性劑0.001-0.05％，核心添加劑0.01-10％，余量為水。該輔助化學(xué)組合物成本低廉、使用方便、重復(fù)性好，將該輔助化學(xué)組合物應(yīng)用于在硅片表面生成惰性硅化合物薄膜，制得的硅片整面色澤均勻，硅片表面惰性硅化合物薄膜分布均勻，該組合物特別適用于光伏、電子行業(yè)，可以大大降低惰性硅化合物在襯底表面生長(zhǎng)所需要的溫度，大大降低生產(chǎn)成本。
【專利說(shuō)明】一種用于加速惰性硅化合物生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué)組合 物

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于材料領(lǐng)域，特別涉及一種用于優(yōu)化惰性硅化合物生長(zhǎng)在襯底表面上的 化學(xué)組合物；更具體地，本發(fā)明涉及一種用于在低溫情況下能加速惰性硅化合物生長(zhǎng)在襯 底表面上的輔助化學(xué)組合物。惰性硅化合物包含所有能將單質(zhì)硅表面有懸鍵的硅原子反應(yīng) 生成不導(dǎo)電的硅的化合物。

【背景技術(shù)】
[0002] 惰性硅化合物薄膜具有硬度高、耐磨性好、絕熱性好、光透過(guò)率高、抗侵蝕能力強(qiáng) 以及良好的介電性質(zhì)。現(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)制備方法、工藝的開(kāi)發(fā)和不同組分配比對(duì)二氧化硅 薄膜的影響研究制備具有優(yōu)良性能的透明惰性硅化合物薄膜的工作已經(jīng)取得了很大進(jìn)展。 惰性硅化合物薄膜在諸多領(lǐng)域得到了很好的應(yīng)用，如用于電子器件和集成器件、光學(xué)薄膜 器件等相關(guān)器件中。
[0003] 在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，可用不同的方法使無(wú)機(jī)材料生長(zhǎng)在工業(yè)襯底表面上。然而，現(xiàn)有 的方法或者生產(chǎn)成本很高，或者應(yīng)用工藝相當(dāng)復(fù)雜，因此難以廣泛應(yīng)用。
[0004] 化學(xué)蒸氣沉積法（CVD)在襯底表面上生長(zhǎng)無(wú)機(jī)薄膜是電子工業(yè)中應(yīng)用最多的一 種方法。該方法要求襯底表面的溫度足夠高，從而使得微小物質(zhì)碎片在襯底表面自由遷移， 這些碎片在表面移動(dòng)直到它們發(fā)現(xiàn)熱力學(xué)穩(wěn)定的粘伏位置。因此，CVD法要求使用高溫、揮 發(fā)性化合物以及低壓力，從而使工藝設(shè)備昂貴、工藝過(guò)程復(fù)雜，且可造成環(huán)境危害。
[0005] 溶膠-凝膠是在襯底表面生成無(wú)機(jī)材料的另一種方法。該方法將溶膠凝膠前體化 合物溶解在溶液中，加入其他試劑（通常為水或乙酸）反應(yīng)，得凝膠；再將凝膠必須是旋涂 到基材上，從而形成薄膜或涂層。因?yàn)榇蠖鄶?shù)溶膠凝膠包括納米顆粒或納米顆粒簇，具有顯 著的有機(jī)含量，因此必須進(jìn)行額外的熱處理或化學(xué)處理。由此可見(jiàn)，盡管溶膠凝膠是一種低 溫方法，然而其包括多個(gè)步驟，工藝復(fù)雜。
[0006] 液相淀積（LPD)是一種較新的在襯底表面生成無(wú)機(jī)材料方法。美國(guó)專利 (US2505629, US5073408，US5132140)公開(kāi)在30-50°C下在液體中在硅片表面上生長(zhǎng)惰性硅 化合物的方法，其利用氟硅酸和水反應(yīng)生成氫氟酸和二氧化硅的原理在襯底表面生成惰性 硅化合物。然而，該方法生成惰性硅化合物的速度非常緩慢，大約為每小時(shí)8納米左右，很 難在工業(yè)上推廣應(yīng)用。
[0007] 為了提高惰性硅化合物的生長(zhǎng)速度，大多研究者將反應(yīng)液中增加硼酸、金屬化合 物或其他添加劑，但是大多情況下生長(zhǎng)出的二氧化硅在襯底表面上分布不夠均勻。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 發(fā)明目的：本發(fā)明的目的在于提供一種用于加速惰性硅化合物生長(zhǎng)在襯底表面上 的輔助化學(xué)組合物。
[0009] 技術(shù)方案：本發(fā)明提供的一種用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化 學(xué)組合物，包括以下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸或氟硅酸鹽類化合物0. 1-25%，氨基酸類 化合物0. 1-15%，銨類化合物0. 05-15%，無(wú)機(jī)酸0. 001-30%，有機(jī)酸0. 001-30%，表面活 性劑0· 001-0. 05%，核心添加劑0· 01-10 %余量為水。
[0010] 優(yōu)選地，用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué)組合物，包括以下 重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸或氟硅酸鹽類化合物2-10 %，氨基酸類化合物0. 1-15%，銨類 化合物0. 5-15 %，無(wú)機(jī)酸1-20 %，有機(jī)酸1-20 %，表面活性劑0. 001-0. 05 %，核心添加劑 0. 1-5%余量為水。
[0011] 更優(yōu)選地，用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué)組合物，包括以 下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸或氟硅酸鹽類化合物5-8%，氨基酸類化合物4-8%，銨類化 合物2-10 %，無(wú)機(jī)酸5-10 %，有機(jī)酸5-10 %，表面活性劑0. 02-0. 04 %，核心添加劑1-3 %余 量為水。
[0012] 作為另一種優(yōu)選，所述氟硅酸或氟硅酸鹽類化合物選自氟硅酸和氟硅酸銨中的一 種或兩種。
[0013] 作為另一種優(yōu)選，所述氨基酸類化合物選自甘氨酸、絲氨酸、蘇氨酸、天冬氨酸、谷 氨酰胺、賴氨酸、精氨酸和組氨酸中的一種或兩種。
[0014] 作為另一種優(yōu)選，所述銨類化合物選自氫氧化銨、二甲基乙基-2-羥乙基氫氧化 銨、氟化銨、三甲基-3-羥丁基氫氧化銨、三甲基-3-羥丙基氫氧化銨、三丁基2-羥基乙基 氫氧化銨和氟化四甲基銨和EDTA-二銨鹽中的一種或幾種。
[0015] 作為另一種優(yōu)選，所述無(wú)機(jī)酸選自碲酸、鋨酸、錸酸、鉻酸、硅酸、鈷酸、釩酸、磷酸、 硫酸、氣酸、猛酸、鑰酸、鎮(zhèn)酸、砸酸、鉛酸、神酸、欽酸、碳酸、鋪酸、鐵酸、鶴酸、硝酸、硒酸、錫 酸、鋅酸、溴酸、氙酸、鍺酸、原硅酸、原磷酸、原硫酸、原碳酸、（偏）硅酸、偏硼酸、偏鈦酸、偏 鐵酸、偏磷酸、偏亞砷酸、偏亞磷酸、偏鋁酸、偏釩酸、偏高碘酸、亞碲酸、碘酸、亞硫酸、亞磷 酸、亞氯酸、亞鉻酸亞鉛酸、亞砷酸、亞硝酸、亞硒酸、亞錫酸、亞鐵酸、亞銻酸、次氟酸、次碘 酸、次氯酸、次溴酸、次磷酸、次硫酸、高錸酸、高氯酸、高錳酸、高鐵酸、高碘酸、高溴酸、高氙 酸、連多硫酸、連二亞硫酸、連四硫酸、連二磷酸、過(guò)（氧）酸、過(guò)一硫酸、過(guò)二硫酸、過(guò)二碳 酸、過(guò)硼酸、過(guò)碳酸、同多酸、二鑰酸、三鑰酸、七鑰酸、八鑰酸、十二鑰酸、十二鎢酸、二釩酸、 三釩酸、四釩酸、五釩酸、十釩酸、重鉻酸、三鉻酸、四鉻酸、四硼酸（焦硼酸）、二偏硅酸、三 硅酸、焦硅酸、焦磷酸、三磷酸、焦亞磷酸、焦硫酸、焦亞硫酸、焦砷酸、焦亞砷酸、焦高碘酸、 磷鑰酸、磷鎢酸、十二鑰硅酸、十二鎢硼酸、過(guò)硫代碳酸、硫代硫酸、硫代碳酸、氯磺酸、氟磺 酸、單氟磷酸、氫碘酸、氫疊氮酸、氫碲酸、氫氟酸、氫硒酸、氫硫酸、氫氯酸、氫溴酸、硫氰酸、 硒氰酸、氰酸、異氰酸、雷酸、二氯合銅、四羥基合鋁（III)酸、四羥基合銅（II )酸、六羥基 合鐵（III)酸、氟硼酸、氟硅酸、氟鈦酸、氟銻酸、氟磷酸、氟鉬酸、氟鉛酸、氯金酸、氯鉬酸、 氯亞鉬酸、氯鉛酸、過(guò)氧酸、超氧酸，臭氧酸、氟銻磺酸、碳硼烷酸、偏鋁酸、四羥基合鋁（III) 酸、偏亞砷酸、亞砷酸、焦砷酸、氯金酸、硼酸、偏硼酸、四硼酸、氟硼酸、過(guò)硼酸、十二鎢硼酸、 碳硼烷酸、溴酸、亞溴酸、次溴酸、高溴酸、氫溴酸、碳酸、原碳酸、過(guò)硫代碳酸、硫代碳酸、過(guò) 二碳酸、高氯酸、高氯酸、過(guò)碳酸、氫氟酸、硝酸、亞硝酸、氫疊氮酸、鎳酸、鉛酸、亞鉛酸、氟鉛 酸、氯鉛酸、氟鉬酸、氯鉬酸、氯亞鉬酸、錸酸、硫酸、亞硫酸、氫硫酸、硫代硫酸、焦硫酸、次硫 酸、連多硫酸、原硫酸、連二亞硫酸、過(guò)一硫酸、過(guò)二硫酸、氯磺酸、氟磺酸、銻酸、亞銻酸、氟 銻酸、氟銻磺酸、硒酸、亞硒酸、氫硒酸、（偏）硅酸、氟硅酸、焦硅酸、錫酸、亞錫酸、碲酸、氫 碲酸、亞碲酸、鈦酸、偏鈦酸、氟鈦酸、釩酸、偏釩酸、二釩酸、三釩酸、四釩酸、五釩酸、十釩 酸、鎢酸、十二鎢酸、磷鎢酸、十二鎢硼酸、氙酸、高氙酸、鋅酸的一種或幾種。
[0016] 作為另一種優(yōu)選，所述有機(jī)酸選自所述有機(jī)酸選自癸二酸、膠酸、甲酸、三氟甲基 磺酸、水楊酸、花生酸、單寧酸、軟木酸、蘋(píng)果酸、癸酸、月桂酸、鞣花酸、馬來(lái)酸、醋酸，酒石 酸、辛酸、草酸、肥酸、琥珀酸、檸檬酸、硬脂酸、豆蘧酸、丙氨酸、縮蘋(píng)果酸、杜鵑花酸和甲基 丙烯酸中的一種或幾種。
[0017] 作為另一種優(yōu)選，所述表面活性劑選自Capstone* FS-10、Capstone* FS-30、 Capstone^ FS-3K Capstone^ FS-δθΛ Capstone^ FS-8K Capstone· FS-83、 Capstone^ 1157λ Capstooe^ 11570λ Capstone? 1157Νλ Capstone^ 1430Λ Capstone^' 1440ΛCapstone^ 1460、Capstone? FS-3100、Dehypon?0054、FC-17、FC-23、FC-170、FC-171、FC-430、FC-431、 FC-2000、FC-3000、FC-5000、FC-6000、P1 lit on i c ? 17R2、Pluroni c⑩ 17R4、P 丨 uron i c* 25R2、 [-'luroni(:勢(shì) 25R4、Piui'oiii31R1 和Pluronic》+ 10R5 中的一種或幾種。
[0018] 作為另一種優(yōu)選，所述核心添加劑包括氫氣、氦氣、鋰、鈹、硼粉、碳粉、氮?dú)狻⒀鯕狻?氟氣、氖氣、鈉、鎂、錯(cuò)、娃粉、紅磷粉、硫黃粉、氯氣、氦氣、鉀、?丐、鈧、鈦、銀、鉻、猛、鐵、鈷、 鎳、銅、鋅、鎵、鍺、砷粉、硒、溴、氪氣、銣、鍶、釔、鋯、鈮、鑰、锝、釕、銠、鈀、銀、鎘、銦、錫、銻、 締粉、鵬粉、侃氣、艷、鎖、綱、鋪、譜、欽、銀、你、錯(cuò)、禮、試、摘、欽、輯、錢(qián)、鏡、錯(cuò)、給、組、鶴、 錸、鋨、銥、鉬、金、汞、鉈、鉛、鉍、礪粉中的一種或幾種元素、化合物或單質(zhì)；優(yōu)選地，所述核 心添加劑包括氫氣、氦氣、鋰塊、鈹塊、硼粉、碳粉、氮?dú)狻⒀鯕狻⒎鷼狻⒛蕷狻⑩c塊、鎂條、鋁塊、 娃粉、紅憐粉、硫黃粉、氣氣、1?氣、鐘塊、興塊、銳塊、欽塊、鑰i塊、絡(luò)塊、猛塊、鐵塊、鉆塊、鎮(zhèn) 粉、銅粉、鋅粉、鎵塊、鍺粉、砷粉、硒粉、溴水、氪氣、銣塊、鍶塊、釔塊、鋯塊、鈮塊、鑰塊、锝 塊、釕塊、銠塊、鈀塊、銀塊、鎘塊、銦塊、錫、銻粉、碲粉、碘粉、氙氣、銫塊、鋇塊、鑭塊、鈰塊、 鐠塊、釹塊、钷塊、釤塊、銪塊、釓塊、鋱塊、鏑塊、欽塊、鉺塊、銩塊、鐿塊、镥塊、鉿塊、鉭塊、鎢 塊、錸塊、鋨塊、銥塊、鉬塊、金塊、汞、鉈塊、鉛塊、鉍塊中的一種或幾種。
[0019] 有益效果：本發(fā)明提供的輔助化學(xué)組合物制備工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、使用方便、重 復(fù)性好，將該輔助化學(xué)組合物應(yīng)用于在硅片表面生成惰性硅化合物，制得的硅片整面色澤 均勻，硅片表面氧化膜分布均勻，該組合物特別適用于光伏、電子行業(yè)，可以大大降低氧化 娃在襯底表面生長(zhǎng)所需要的溫度，大大降低生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020] 圖1為本發(fā)明用于加速惰性硅化合物生長(zhǎng)在襯底表面的設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021] 圖2為利用本發(fā)明在太陽(yáng)能電池硅片上生成的惰性硅化合物圖譜。

【具體實(shí)施方式】
[0022] 下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā) 明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員 可以對(duì)本發(fā)明作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書(shū)所限定的 范圍。
[0023] 本發(fā)明中，惰性硅化合物被理解為包括含有硅，也可包括但不限于氧、氟和氫。
[0024] 實(shí)施例1
[0025] 組合物1，包括以下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸0. 1%，甘氨酸0. 1%，氫氧化銨 15%，十釩酸 30%，癸二酸 0· 001 %，Capstone* FS-100. 05%，鋰塊 0· 01 %，余量為水。
[0026] 實(shí)施例2
[0027] 組合物2,包括以下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸25%，絲氨酸15%，二甲基乙 基-2-羥乙基氫氧化銨0· 05 %，十二鎢酸0· 001 %，膠酸30 % , Caps tonet FS-300. 001 %，氫 氣10%，余量為水。
[0028] 實(shí)施例3
[0029] 組合物3,包括以下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸銨10%，蘇氨酸15%，氟化銨 〇· 5%，鎢酸 20%，甲酸 1%，Capstone? FS-310. 001%，碘粉 0· 1%，余量為水。
[0030] 實(shí)施例4
[0031] 組合物4,包括以下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸2 %，天冬氨酸0. 1 %，三甲 基-3-羥丁基氫氧化銨15%,磷鎢酸1 %,三氟甲基磺酸20%, Capstone? FS-500. 05%,礪 粉5%，余量為水。
[0032] 實(shí)施例5
[0033] 組合物5,包括以下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸5%，谷氨酰胺4%，三甲基-3-羥 丙基氫氧化銨10 %，十二鎢硼酸5 %，水楊酸10 %，Capston# FS-810. 02 %，鎂粉1 %，余量 為水。
[0034] 實(shí)施例6
[0035] 組合物6,包括以下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸銨8%，賴氨酸8%，三丁基2-羥基 乙基氫氧化銨2 %，高氙酸10 %，花生酸5 %，Capstone? FS-830. 04 %，硫黃粉3 %，余量為 水。
[0036] 實(shí)施例7
[0037] 組合物7,包括以下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸6%，精氨酸5%，氟化四甲基銨 5%，氙酸 6%，單寧酸 8%，Capstone? 11570. 03%，砷粉 1. 5%，余量為水。
[0038] 實(shí)施例8
[0039] 組合物8,包括以下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸銨7 %，組氨酸6 %，EDTA-二銨鹽 7 %，鋅酸8 %，軟木酸6 %，Capstone+? 1157D0. 03 %，紅磷粉2. 5 %，余量為水。
[0040] 實(shí)施例9
[0041] 按表1配制輔助化學(xué)組合物，配制方法為：將所述組分混勻，即得。
[0042] 各物質(zhì)的量分別為：氟硅酸10%，組氨酸5%，氟化四甲基銨10%，無(wú)機(jī)酸5%，有 機(jī)酸5 %，表面活性劑0. 02 %，核心添加劑2 %，余量為水。
[0043] 表1化學(xué)組合物配方
[0044]

【權(quán)利要求】
1. 一種用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué)組合物，其特征在于： 包括以下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸或氟硅酸鹽類化合物0. 1-25%，氨基酸類化合物 0. 1-15 %，銨類化合物0. 05-15 %，無(wú)機(jī)酸0. 001-30 %，有機(jī)酸0. 001-30 %，表面活性劑 0· 001-0. 05%，核心添加劑0· 01-10%，余量為水。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué) 組合物，其特征在于：包括以下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸或氟硅酸鹽類化合物2-10%，氨 基酸類化合物〇. 1-15 %，銨類化合物0. 5-15 %，無(wú)機(jī)酸1-20 %，有機(jī)酸1-20 %，表面活性劑 0· 001-0. 05 %，核心添加劑0· 1-5%，余量為水。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化 學(xué)組合物，其特征在于：包括以下重量百分?jǐn)?shù)的組分：氟硅酸或氟硅酸鹽類化合物5-8%， 氨基酸類化合物4-8 %，銨類化合物2-10 %，無(wú)機(jī)酸5-10 %，有機(jī)酸5-10 %，表面活性劑 0. 02-0. 04%，核心添加劑1-3%，余量為水。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué) 組合物，其特征在于：所述氟硅酸或氟硅酸鹽類化合物選自氟硅酸和氟硅酸銨中的一種或 兩種。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué) 組合物，其特征在于：所述氨基酸類化合物選自甘氨酸、絲氨酸、蘇氨酸、天冬氨酸、谷氨酰 胺、賴氨酸、精氨酸和組氨酸中的一種或兩種。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué) 組合物，其特征在于：所述銨類化合物選自氫氧化銨、二甲基乙基-2-羥乙基氫氧化銨、氟 化按、二甲基 _3_輕丁基氧氧化按、二甲基_3_輕丙基氧氧化按、二丁基2_輕基乙基氧氧化 銨和氟化四甲基銨和EDTA-二銨鹽中的一種或幾種。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué) 組合物，其特征在于：所述無(wú)機(jī)酸選自碲酸、鋨酸、錸酸、鉻酸、硅酸、鈷酸、釩酸、磷酸、硫酸、 氯酸、猛酸、鑰酸、鎮(zhèn)酸、硼酸、鉛酸、神酸、欽酸、碳酸、鋪酸、鐵酸、鶴酸、硝酸、砸酸、錫酸、鋅 酸、溴酸、氙酸、鍺酸、原硅酸、原磷酸、原硫酸、原碳酸、硅酸、偏硼酸、偏鈦酸、偏鐵酸、偏磷 酸、偏亞砷酸、偏亞磷酸、偏鋁酸、偏釩酸、偏高碘酸、亞碲酸、碘酸、亞硫酸、亞磷酸、亞氯酸、 亞鉻酸亞鉛酸、亞砷酸、亞硝酸、亞硒酸、亞錫酸、亞鐵酸、亞銻酸、次氟酸、次碘酸、次氯酸、 次溴酸、次磷酸、次硫酸、高錸酸、高氯酸、高錳酸、高鐵酸、高碘酸、高溴酸、高氙酸、連多硫 酸、連二亞硫酸、連四硫酸、連二磷酸、過(guò)酸、過(guò)一硫酸、過(guò)二硫酸、過(guò)二碳酸、過(guò)硼酸、過(guò)碳 酸、同多酸、二鑰酸、三鑰酸、七鑰酸、八鑰酸、十二鑰酸、十二鎢酸、二釩酸、三釩酸、四釩酸、 五釩酸、十釩酸、重鉻酸、三鉻酸、四鉻酸、四硼酸、二偏硅酸、三硅酸、焦硅酸、焦磷酸、三磷 酸、焦亞磷酸、焦硫酸、焦亞硫酸、焦砷酸、焦亞砷酸、焦高碘酸、磷鑰酸、磷鎢酸、十二鑰硅 酸、十二鎢硼酸、過(guò)硫代碳酸、硫代硫酸、硫代碳酸、氯磺酸、氟磺酸、單氟磷酸、氫碘酸、氫疊 氮酸、氫碲酸、氫氟酸、氫硒酸、氫硫酸、氫氯酸、氫溴酸、硫氰酸、硒氰酸、氰酸、異氰酸、雷 酸、二氯合銅、四羥基合鋁（III)酸、四羥基合銅（II )酸、六羥基合鐵（III)酸、氟硼酸、氟 硅酸、氟鈦酸、氟銻酸、氟磷酸、氟鉬酸、氟鉛酸、氯金酸、氯鉬酸、氯亞鉬酸、氯鉛酸、過(guò)氧酸、 超氧酸，臭氧酸、氟銻磺酸、碳硼烷酸、偏鋁酸、四羥基合鋁（III)酸、偏亞砷酸、亞砷酸、焦 砷酸、氯金酸、硼酸、偏硼酸、四硼酸、氟硼酸、過(guò)硼酸、十二鎢硼酸、碳硼烷酸、溴酸、亞溴酸、 次溴酸、高溴酸、氫溴酸、碳酸、原碳酸、過(guò)硫代碳酸、硫代碳酸、過(guò)二碳酸、高氯酸、高氯酸、 過(guò)碳酸、氫氟酸、硝酸、亞硝酸、氫疊氮酸、鎳酸、鉛酸、亞鉛酸、氟鉛酸、氯鉛酸、氟鉬酸、氯鉬 酸、氯亞鉬酸、錸酸、硫酸、亞硫酸、氫硫酸、硫代硫酸、焦硫酸、次硫酸、連多硫酸、原硫酸、連 二亞硫酸、過(guò)一硫酸、過(guò)二硫酸、氯磺酸、氟磺酸、銻酸、亞銻酸、氟銻酸、氟銻磺酸、硒酸、亞 硒酸、氫硒酸、硅酸、氟硅酸、焦硅酸、錫酸、亞錫酸、碲酸、氫碲酸、亞碲酸、鈦酸、偏鈦酸、氟 鈦酸、釩酸、偏釩酸、二釩酸、三釩酸、四釩酸、五釩酸、十釩酸、鎢酸、十二鎢酸、磷鎢酸、十二 鎢硼酸、氙酸、高氙酸、鋅酸的一種或幾種。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué) 組合物，其特征在于：所述有機(jī)酸選自所述有機(jī)酸選自癸二酸、膠酸、甲酸、三氟甲基磺酸、 水楊酸、花生酸、單寧酸、軟木酸、蘋(píng)果酸、癸酸、月桂酸、鞣花酸、馬來(lái)酸、醋酸，酒石酸、辛 酸、草酸、肥酸、琥珀酸、檸檬酸、硬脂酸、豆蘧酸、丙氨酸、縮蘋(píng)果酸、杜鵑花酸和甲基丙烯酸 中的一種或幾種。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué) 組合物，其特征在于：所述表面活性劑選自Capstone? FS-10、Capstone* FS-30、Capstone* FS-3U Capstone* FS-50, Capstone*· FS-8U Capstone'*· FS-83, Capstone? 1157, Capstone? 1157D> Dipstonc* 1157N> Capstone? 1430> Capstone? 1440> Capstone?5 1460> Capstonofr FS-3100、Dehypon?0054、FC-17、FC-23、FC-170、FC-171、FC-430、FC-431、FC-2000、FC-3000、 FC-5000> FC-6000> Plutonic? 17R2> Pluronic? 17R4> Pluronic1? 25R2> I：3luronic? 25R4> Pl.uronic? 31R1 和p|uronie* 10R5 中的一種或幾種。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于加速惰性硅化合物薄膜生長(zhǎng)在襯底表面上的化學(xué) 組合物，其特征在于：所述核心添加劑包括氫氣、氦氣、鋰、鈹、硼粉、碳粉、氮?dú)狻⒀鯕狻⒎鷼狻?氖氣、鈉、鎂、錯(cuò)、娃粉、紅磷粉、硫黃粉、氯氣、氦氣、鉀、?丐、鈧、鈦、f凡、鉻、猛、鐵、鈷、鎳、銅、 鋅、鎵、鍺、砷粉、硒、溴、氪氣、銣、鍶、釔、鋯、鈮、鑰、锝、釕、銠、鈀、銀、鎘、銦、錫、銻、碲粉、碘 粉、侃氣、艷、鎖、綱、鋪、譜、欽、銀、你、錯(cuò)、禮、試、摘、欽、輯、錢(qián)、鏡、錯(cuò)、給、組、鶴、鍊、餓、依、 鉬、金、汞、鉈、鉛、鉍、礪粉中的一種或幾種元素、化合物或單質(zhì)；優(yōu)選地，所述核心添加劑 包括氫氣、氦氣、鋰塊、鈹塊、硼粉、碳粉、氮?dú)狻⒀鯕狻⒎鷼狻⒛蕷狻⑩c塊、鎂條、鋁塊、硅粉、紅 憐粉、硫黃粉、氣氣、氬!氣、鐘塊、--塊、銳塊、欽塊、f凡塊、絡(luò)塊、猛塊、鐵塊、鉆塊、鎮(zhèn)粉、銅粉、 鋅粉、鎵塊、鍺粉、砷粉、硒粉、溴水、氪氣、銣塊、鍶塊、釔塊、鋯塊、鈮塊、鑰塊、锝塊、釕塊、銠 塊、鈀塊、銀塊、鎘塊、銦塊、錫、銻粉、碲粉、碘粉、氙氣、銫塊、鋇塊、鑭塊、鈰塊、鐠塊、釹塊、 钷塊、釤塊、銪塊、釓塊、鋱塊、鏑塊、欽塊、鉺塊、銩塊、鐿塊、镥塊、鉿塊、鉭塊、鎢塊、錸塊、鋨 塊、銥塊、鉬塊、金塊、汞、鉈塊、鉛塊、鉍塊中的一種或幾種。
【文檔編號(hào)】C23C18/12GK104087913SQ201410256585
【公開(kāi)日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2014年6月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月11日
【發(fā)明者】韓冰, 丁曉輝, 徐濤 申請(qǐng)人:韓冰, 丁曉輝, 徐濤