一種不銹鋼基材玻璃封接元件鍍鎳方法
【專利摘要】本發明涉及一種不銹鋼基材玻璃封接元件鍍鎳方法，其特征在于：采用化學鍍鎳活化替代原電鍍鎳活化步驟，其中化學鍍鎳的溶液組成為：硫酸鎳20～25克/升，次亞磷酸鈉25～30克/升，乙酸鈉10～15克/升，乙酸7～10克/升，硫脲0.002～0.003克/升，尿素10～20克/升，控制pH4.5.～4.9，化學鍍鎳活化的溫度為87～90℃，反應時間5～30分鐘。本發明的優點在于：以尿素作為添加劑與鎳離子配位，提高了鎳離子在金屬表面與次亞磷酸鈉的自催化活性，可使被鍍表面的電位迅速變負，促進了鎳還原反應發生，保證了鍍層結合力。同時使用鹽酸溶液作為洗除氧化皮的溶液，避免了玻璃腐蝕。
【專利說明】一種不銹鋼基材玻璃封接元件鍍鎳方法

【技術領域】
[0001] 本發明屬于電鍍工藝領域，涉及一種不銹鋼基材玻璃封接元件鍍鎳方法。

【背景技術】
[0002] 常規的不銹鋼電鍍工藝為先化學除油和電化學除油，用含氟離子的硫酸溶液清洗 除氧化皮后，以鹽酸和氯化鎳閃鍍鎳使不銹鋼表面活化，最后再電鍍鎳及其它鍍層。該工藝 中含氟離子的硫酸溶液對玻璃具有一定的腐蝕性，會破壞玻璃封結體氣密結構；而電鍍鎳 會因為電流分布不均勻而導致鍍層厚度不均，影響產品質量。


【發明內容】

[0003] 本發明的目的就是解決常規工藝中存在的溶液腐蝕和鍍層不均勻的問題，提供一 種不銹鋼基材玻璃封接元件鍍鎳方法。
[0004] 本發明采用的技術方案如下： 一種不銹鋼基材玻璃封接元件鍍鎳方法，主要包括化學除油和電化學除油、酸洗除氧 化皮、閃鍍鎳活化、電鍍鎳及其它鍍層步驟，其特征在于： 采用化學鍍鎳活化取代原電鍍鎳活化，其中化學鍍鎳溶液的主要組成為：硫酸鎳20? 25克/升，次亞磷酸鈉25?30克/升，乙酸鈉10?15克/升，乙酸7?10克/升，硫 脲0. 002?0. 003克/升，尿素10?20克/升，化學鍍鎳活化控制PH4. 5.?4. 9,溫度為 87?90°C，反應時間為5?30分鐘。
[0005] 在上述技術方案的基礎上，本發明還可以做如下改進： 將原含氟的酸洗除氧化皮步驟改為利用在濃度37%鹽酸中加入該鹽酸50%?100%容 積的水構成的鹽酸溶液清洗除氧化皮，控制溫度在40?50°C。
[0006] 本發明的優點在于：本發明以尿素作為添加劑與鎳離子配位，提高了鎳離子在金 屬表面與次亞磷酸鈉的自催化活性，可使被鍍表面的電位迅速變負，促進了鎳還原反應發 生，保證了鍍層結合力。同時使用鹽酸溶液作為洗除氧化皮的溶液，避免了玻璃腐蝕。

【具體實施方式】[0007]實施例1 工藝流程：取不銹鋼片10片（型號lCrl8Ni9,尺寸5mmX100mmX0. 5mm)放入50°C堿性 化學除油溶液中浸泡5min，然后在該溶液中電化學除油（陰極除油方式，DklA/dm2) 0. 5min， 將處理好的不銹鋼片放入由濃度37%鹽酸加入該鹽酸1倍容積的水構成的鹽酸溶液的中， 溫度保持45°C浸泡5min，洗除氧化皮。而后進行化學鍍鎳，其中化學鍍鎳溶液的主要組成 為：硫酸鎳25克/升，次亞磷酸鈉25克/升，乙酸鈉12克/升，乙酸10克/升，硫脲0. 003 克/升，尿素15克/升。采用碳酸鉀或氨水調節溶液的PH為4. 8,保持溶液的溫度為88°C。 將不銹鋼試片每次投入一片到化學鍍鎳溶液中，反應時間〇. 5h，將試件取出，去離子水洗 滌，吹干后進入下一工序。
[0008]實施例2 本實施例的工藝步驟與實施例1相同，不同的是，工藝流程中不加入尿素。
[0009]實施例3 本實施例的工藝步驟與實施例1相同，不同的是，加入尿素的量為5克/升。
[0010] 實施例4 本實施例的工藝步驟與實施例1相同，不同的是，加入尿素的量為10克/升。
[0011] 實施例5 本實施例的工藝步驟與實施例1相同，不同的是，加入尿素的量為20克/升。
[0012] 實施例6 本實施例的工藝步驟與實施例1相同，不同的是，加入尿素的量為25克/升。
[0013]將鍍好的試片圍繞小1. 6mm軸進行彎折試驗。試驗結果見下表： 化學鍍鎳后彎折試驗結果表

【權利要求】
1. 一種不銹鋼基材玻璃封接元件鍍鎳方法，主要包括化學除油和電化學除油、酸洗除 氧化皮、電鍍鎳活化、電鍍鎳步驟，其特征在于： 采用化學鍍鎳活化替代原電鍍鎳活化步驟，其中化學鍍鎳所采用的溶液主要組成為： 硫酸鎳20?25克/升，次亞磷酸鈉25?30克/升，乙酸鈉10?15克/升，乙酸7?10 克/升，硫脲〇. 002?0. 003克/升，尿素10?20克/升，控制PH4. 5.?4. 9,化學鍍鎳活化 的溫度為87?90°C，反應時間5?30分鐘。
2. 根據權利要求1所述的一種不銹鋼基材玻璃封接元件鍍鎳方法，其特征在于：酸洗 除氧化皮步驟為：利用濃度37%鹽酸加入50%?100%水構成的鹽酸溶液洗除氧化皮，控制 溫度在40?50°C。
【文檔編號】C23F17/00GK104342733SQ201410585557
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年10月28日 優先權日:2014年10月28日
【發明者】沈涪, 郭茂玉, 李奎, 錢竹平 申請人:蚌埠富源電子科技有限責任公司