一種合成銅盤的排污結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種合成銅盤的排污結構,包括銅盤主體和排污結構,銅盤主體包括內環區和外環區,排污結構包括排污入口、排污通道以及排污出口;上述的排污入口位于銅盤主體的內環區且位置低于銅盤主體的表面,排污入口與銅盤主體表面之間設置有直角溝槽結構,排污入口通過排污通道與排污出口相連接,所述排污通道位于銅盤主體的內部,所述排污出口位于銅盤主體的側壁;即通過在排污入口處增加了直角溝槽結構,從而使得產生的廢液可以堆積在內環區的低凹處,進而使得廢液快速流入到該排污孔內,最終實現了加速排污的效果,達到了提高生產效率的目的。
【專利說明】一種合成銅盤的排污結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及研磨盤領域,特別涉及一種合成銅盤的排污結構。
【背景技術】
[0002]特殊工件對于其表面的平整度有要求,如LED芯片、LED襯底、LED顯示屏光學晶體、硅片、化合物晶體、液晶面板、寶石、陶瓷、鍺片、金屬工件等,通常這些工件表面的平整工藝需要研磨盤,再配以研磨液進行拋光。
[0003]由于研磨盤需要與研磨液配合使用,而使用后的研磨液則需要從研磨盤上排放掉,現有的排污結構雖然能夠實現對廢液的排污效果,但排污效率較低,從而影響了整個生產流程的生產效率,進而導致了生產成本的提高。
實用新型內容
[0004]為了解決上述問題,本實用新型提供本一種合成銅盤的排污結構,可以在現有技術的基礎上,實現快速排污的效果。
[0005]本實用新型中的一種合成銅盤的排污結構,包括銅盤主體和排污結構,所述銅盤主體包括內環區和外環區,所述排污結構包括排污入口、排污通道以及排污出口 ;其中,所述排污入口位于銅盤主體的內環區且位置低于銅盤主體的表面,所述排污入口與銅盤主體表面之間設置有直角溝槽結構,所述排污入口通過排污通道與排污出口相連接,所述排污通道位于銅盤主體的內部,所述排污出口位于銅盤主體的側壁。
[0006]上述結構中,所述銅盤主體的內環區還設置有安裝孔。
[0007]上述結構中,所述直角溝槽結構的深度為10mm。
[0008]上述結構中,所述合成銅盤包含兩個排污結構。
[0009]上述結構中,所述兩個排污結構設置于合成銅盤的同一條直徑上。
[0010]本實用新型的優點和有益效果在于:本實用新型提供一種合成銅盤的排污結構,通過在排污入口處增加了直角溝槽結構,從而使得產生的廢液可以堆積在該直角溝槽中,進而使得廢液快速流入到該排污孔內,最終實現了加速排污的效果,達到了提高生產效率的目的。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1為本實用新型中合成銅盤的截面示意圖。
[0013]圖中:1、內環區2、外環區31、排污入口 32、排污通道33、排污出口 4、安裝孔【具體實施方式】
[0014]下面結合附圖和實施例,對本實用新型的【具體實施方式】作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本實用新型的技術方案,而不能以此來限制本實用新型的保護范圍。
[0015]如圖1所示,本實用新型是一種合成銅盤的排污結構,包括銅盤主體和排污結構,其中,銅盤主體包括內環區I和外環區2,內環區I比外環區2更靠近合成銅盤的圓心;
[0016]優選的,內環區I內設置有安裝孔4,以便實現更為方便的合成銅盤的安裝工作。
[0017]進一步的,排污結構包括排污入口 31、排污通道32以及排污出口 33,其中,排污入口 31位于銅盤主體的內環區1,且位置低于銅盤主體的表面,以便廢液排出,而且排污入口 31與銅盤主體表面之間設置有直角溝槽結構(未在圖中標出),該直角溝槽結構的深度為IOmm,由于增加了該直角溝槽結構,再通過地球引力的作用,便可以實現加速排污的效果;
[0018]同時,排污入口 31通過排污通道32與排污出口 33相連接,所述排污通道32位于銅盤主體的內部,所述排污出口 33位于銅盤主體的側壁;即廢液通過排污入口 31進入到排污通道32內,再由排污出口 33將廢液排出,以此實現排污效果。
[0019]優選的,上述合成銅盤包含兩個排污結構,且該兩個排污結構設置于合成銅盤的同一條直徑上,以便實現更好的排污效果。
[0020]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已,并不用以限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種合成銅盤的排污結構,包括銅盤主體和排污結構,所述銅盤主體包括內環區和外環區,所述排污結構包括排污入口、排污通道以及排污出口 ;其特征在于,所述排污入口位于銅盤主體的內環區且位置低于銅盤主體的表面,所述排污入口與銅盤主體表面之間設置有直角溝槽結構,所述排污入口通過排污通道與排污出口相連接,所述排污通道位于銅盤主體的內部,所述排污出口位于銅盤主體的側壁。
2.根據權利要求1所述的合成銅盤的排污結構,其特征在于,所述銅盤主體的內環區還設置有安裝孔。
3.根據權利要求1所述的合成銅盤的排污結構,其特征在于,所述直角溝槽結構的深度為10_。
4.根據權利要求1所述的合成銅盤的排污結構,其特征在于,所述合成銅盤包含兩個排污結構。
5.根據權利要求1所述的合成銅盤的排污結構,其特征在于,所述兩個排污結構設置于合成銅盤的同一條直徑上。
【文檔編號】B24B37/16GK203680025SQ201420031421
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2014年1月18日 優先權日:2014年1月18日
【發明者】朱孟奎 申請人:上海百蘭朵電子科技有限公司