本發(fā)明屬于機(jī)械領(lǐng)域，一種不銹鋼單封頭的制作方法。

背景技術(shù)：

由于金屬薄膜具有良好的光學(xué)、聲學(xué)和電學(xué)特征，使其在機(jī)械、電子行業(yè)起到日益重要的作用。人們已經(jīng)采用化學(xué)氣相沉積(CVD)、離子注人和離子鍍等方法制備了不同材質(zhì)的納米金屬薄膜，然而在這幾種工藝的使用過(guò)程中，基片溫度過(guò)高、沉積速率較低，為納米金屬薄膜的實(shí)際用途帶來(lái)困難。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，發(fā)明一種不銹鋼單封頭的制作方法，其特征在于：首先在低微波功率(≦300W)，高的靶負(fù)偏壓(≦1200V)下，以等離子體流轟擊靶面6-8分鐘，除去靶表面的氧化物和吸物；再在較高的微波功率(1000W)，除去靶偏壓,，施加較高的基片負(fù)偏壓(300V)，將等離子體流直接引至基片上，對(duì)基片轟擊3～5分鐘，最后除去表面的氧化物和吸附物，最后在確定的工作闡述下沉積薄膜。

本發(fā)明的特點(diǎn)是：設(shè)計(jì)科學(xué)，可穩(wěn)態(tài)運(yùn)行，設(shè)備簡(jiǎn)單，效率高，參數(shù)易于控制等優(yōu)越特點(diǎn)。

具體實(shí)施方式

一種不銹鋼單封頭的制作方法，其特征在于：首先在低微波功率(≦300W)，高的靶負(fù)偏壓(≦1200V)下，以等離子體流轟擊靶面6-8分鐘，除去靶表面的氧化物和吸物；再在較高的微波功率(1000W)，除去靶偏壓,，施加較高的基片負(fù)偏壓(300V)，將等離子體流直接引至基片上，對(duì)基片轟擊3～5分鐘，最后除去表面的氧化物和吸附物，最后在確定的工作闡述下沉積薄膜。

另外，本發(fā)明已經(jīng)示出和描述了實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。