技術(shù)特征：

1.一種不銹鋼單封頭的制作方法，其特征在于：首先在低微波功率(≦300W)，高的靶負(fù)偏壓(≦1200V)下，以等離子體流轟擊靶面6-8分鐘，除去靶表面的氧化物和吸物；再在較高的微波功率(1000W)，除去靶偏壓,，施加較高的基片負(fù)偏壓(300V)，將等離子體流直接引至基片上，對(duì)基片轟擊3～5分鐘，最后除去表面的氧化物和吸附物，最后在確定的工作闡述下沉積薄膜。