1.一種用于對(duì)樣品去層以對(duì)所述樣品進(jìn)行逆向工程的系統(tǒng)，其中，所述樣品的暴露表面包括多種材料，所述系統(tǒng)包括：
離子束打磨機(jī)；
去層反饋機(jī)制；和
控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)與所述離子束打磨機(jī)和所述去層反饋機(jī)制可操縱地通信，以基于所述反饋機(jī)制自動(dòng)控制所述離子束打磨機(jī)的一個(gè)或更多個(gè)操作參數(shù)，從而使用所述離子束打磨機(jī)的離子束以相等的離子束移除速率移除所述多種材料中的每種材料，以從所述樣品的所述暴露表面移除具有恒定厚度的平坦的層，
其中，從所述樣品的每個(gè)新暴露的表面獲取表面數(shù)據(jù)，以用于對(duì)至少一部分的所述樣品進(jìn)行逆向工程。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述去層反饋機(jī)制包括實(shí)時(shí)反饋機(jī)制，并且其中，所述控制系統(tǒng)基于所述實(shí)時(shí)反饋機(jī)制實(shí)時(shí)地自動(dòng)調(diào)整所述一個(gè)或更多個(gè)操作參數(shù)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的系統(tǒng)，其中所述反饋機(jī)制包括去層材料檢測(cè)元件。
4.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，所述去層材料檢測(cè)元件能夠操作以自動(dòng)確定去層速率的變化和去層材料的變化中的至少一者，并且其中，所述控制系統(tǒng)能夠操作以根據(jù)所述確定自動(dòng)調(diào)整所述一個(gè)或更多個(gè)操作參數(shù)。
5.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，所述去層材料檢測(cè)元件包括二次離子質(zhì)譜(SIMS)。
6.一種使用離子束打磨機(jī)對(duì)樣品進(jìn)行逆向工程的方法，所述方法包括：
識(shí)別所述樣品的暴露表面中的多種材料以及對(duì)應(yīng)于每種所述材料的離子束移除速率的一個(gè)或更多個(gè)操作參數(shù)；
操縱所述離子束打磨機(jī)；
通過去層反饋機(jī)制測(cè)量樣品去層變化；
基于所測(cè)量的所述樣品去層變化自動(dòng)調(diào)整所識(shí)別的所述一個(gè)或更多個(gè)操作參數(shù)，以使用來自所述離子束打磨機(jī)的離子束以相等的離子束移除速率同時(shí)移除所述多種材料中的每種材料，從而從所述樣品的所述暴露表面移除具有恒定厚度的平坦的層；
從所述樣品的新暴露的表面獲取表面數(shù)據(jù)；以及
針對(duì)至少再一層重復(fù)上述識(shí)別、操縱和獲取步驟，所獲取的表面數(shù)據(jù)用于對(duì)至少一部分的所述樣品進(jìn)行逆向工程。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述去層反饋機(jī)制包括實(shí)時(shí)反饋機(jī)制，并且其中，所述測(cè)量步驟和所述調(diào)整步驟是實(shí)時(shí)執(zhí)行的。
8.如權(quán)利要求6或7所述的方法，其中，所述反饋機(jī)制包括去層材料檢測(cè)元件，以檢測(cè)去層材料和材料去層速率中至少一者的變化。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括：
使用所獲得的表面數(shù)據(jù)生成層次化電路示意圖。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述離子束在活性氣體的存在下進(jìn)行操作。
11.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述離子束在非活性氣體的存在下進(jìn)行操作。
12.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述離子束打磨機(jī)是寬幅離子束打磨機(jī)或聚焦離子束打磨機(jī)。
13.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述平坦的層的厚度小于所述平坦的層的長度或?qū)挾取?/p>
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述平坦的層的表面面積在5至20平方厘米的范圍中。
15.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述離子束使用活性離子。
16.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述離子束使用非活性離子。
17.一種用于對(duì)樣品去層以對(duì)所述樣品進(jìn)行逆向工程的系統(tǒng)，其中所述樣品的暴露表面包括多種材料，所述系統(tǒng)包括：
離子束打磨機(jī)；
去層反饋機(jī)制；以及
控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)與所述離子束打磨機(jī)和所述去層反饋機(jī)制可操縱地通信，以基于所述反饋機(jī)制自動(dòng)控制所述離子束打磨機(jī)的一個(gè)或更多個(gè)操作參數(shù)，從而以所述多種材料中每種材料各自的離子束移除速率移除所述每種材料；
其中，所述控制系統(tǒng)經(jīng)操作以依據(jù)移除步驟的順序來順序地操作所述離子束打磨機(jī)，從而在每個(gè)移除步驟中以所述各自的離子束移除速率順序地移除所述多種材料中的一種或更多種材料，使得在完成所述順序時(shí)從所述樣品的所述暴露表面移除了具有恒定厚度的平坦的層；
其中，從所述樣品的每個(gè)新暴露的表面獲取表面數(shù)據(jù)，以用于對(duì)至少一部分的所述樣品進(jìn)行逆向工程。
18.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中，所述去層反饋機(jī)制包括實(shí)時(shí)反饋機(jī)制，并且其中，所述控制系統(tǒng)基于所述實(shí)時(shí)反饋機(jī)制實(shí)時(shí)地自動(dòng)調(diào)整所述一個(gè)或更多個(gè)操作參數(shù)。
19.如權(quán)利要求17或18所述的系統(tǒng)，其中，所述反饋機(jī)制包括去層材料檢測(cè)元件。
20.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中，所述去層材料檢測(cè)元件能夠操作以自動(dòng)確定去層速率的變化和去層材料的變化中的至少一者，并且其中，所述控制系統(tǒng)能夠操作以根據(jù)所述確定自動(dòng)調(diào)整所述一個(gè)或更多個(gè)操作參數(shù)。
21.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中，所述去層材料檢測(cè)元件包括二次離子質(zhì)譜(SIMS)。
22.如權(quán)利要求17或18所述的系統(tǒng)，其中，所述順序包括針對(duì)至少兩個(gè)不同的集合的不同移除次數(shù)。
23.一種使用離子束打磨機(jī)對(duì)樣品進(jìn)行逆向工程的方法，所述方法包括：
識(shí)別所述樣品的暴露表面中的多種材料；
定義移除順序，所述移除順序由一個(gè)或更多個(gè)操作參數(shù)定義，其中針對(duì)每一移除順序的所述操作參數(shù)中的每一者對(duì)應(yīng)于每種所述材料各自的離子束移除速率；
根據(jù)所述移除順序來操縱所述離子束打磨機(jī)；
通過去層反饋機(jī)制測(cè)量樣品去層變化；
在所述移除順序的每一個(gè)步驟期間，基于所測(cè)量的所述樣品去層變化自動(dòng)調(diào)整所述一個(gè)或更多個(gè)操作參數(shù)，以使用來自所述離子束打磨機(jī)的離子束以期望的離子束移除速率來順序地移除所述多種材料中的至少一種材料，使得在完成所定義的順序時(shí)，從所述樣品的所述暴露表面移除了具有恒定的厚度的平坦的層；
從所述樣品的新暴露的表面獲取表面數(shù)據(jù)；以及
針對(duì)至少再一層重復(fù)所述方法，所獲取的表面數(shù)據(jù)用于對(duì)至少一部分的所述樣品進(jìn)行逆向工程。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述去層反饋機(jī)制包括實(shí)時(shí)反饋機(jī)制，并且其中，所述測(cè)量步驟和所述調(diào)整步驟是實(shí)時(shí)執(zhí)行的。
25.如權(quán)利要求23或24所述的方法，其中，所述反饋機(jī)制包括去層材料檢測(cè)元件，以檢測(cè)去層材料和材料去層速率中至少一者的變化。
26.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述移除順序包括針對(duì)至少兩個(gè)不同的集合來定義不同的移除次數(shù)。
27.如權(quán)利要求23所述的方法，其進(jìn)一步包括使用所獲得的表面數(shù)據(jù)生成層次化電路示意圖。
28.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述離子束在活性氣體的存在下進(jìn)行操作。
29.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述離子束在非活性氣體的存在下進(jìn)行操作。
30.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述離子束打磨機(jī)是寬幅離子束打磨機(jī)或聚焦離子束打磨機(jī)。
31.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述平坦的層的厚度小于所述平坦的層的長度或?qū)挾取?/p>
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其中所述平坦的層的表面面積在5至20平方厘米的范圍中。
33.如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述離子束使用活性離子。
34.如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述離子束使用非活性離子。