本發明屬于鍍膜機領域，尤其涉及一種多真空室的電阻式蒸發鍍膜機及其操作方法。

背景技術：

現有的真空電阻式蒸發鍍膜機，一般采用一個真空室，利用電阻加熱法將待鍍材料緊貼在電阻片或電阻絲上熔融汽化，從而蒸發沉積到基片上，并且每爐裝取片和蒸發鍍膜均在該真空室完成。

由于待鍍材料加熱會熔融為液體，受液體向下重力影響，待鍍材料需位于電阻片或電阻絲上方，并朝上方蒸發。待鍍材料一般為一次性材料，每爐鍍膜完成后需要換一次。

現有的單一真空室電阻式蒸發鍍膜機的裝取片、抽真空、鍍膜均在該真空室內完成，每爐裝取片時鍍膜室都會破真空至大氣狀態，鍍膜室內壁會吸附水汽等雜質，在鍍膜狀態時，水汽等雜質會影響鍍膜品質和穩定性。

技術實現要素：

本發明所要解決的技術問題為提供一種多真空室的電阻式蒸發鍍膜機及其操作方法，旨在避免鍍膜室內壁會吸附水汽等雜質，提高鍍膜品質和穩定性。

為解決上述技術問題，本發明是這樣實現的，一種多真空室的電阻式蒸發鍍膜機，包括裝取片室、鍍膜室和蒸發室，所述裝取片室與所述蒸發室均與所述鍍膜室連通，且所述裝取片室與所述鍍膜室之間設有控制其連通與閉合的第一閥門，所述蒸發室與所述鍍膜室之間設有控制其連通與閉合的第二閥門，所述裝取片室與所述鍍膜室之間還設有用于帶動工件進出所述鍍膜室的傳動裝置，所述蒸發室內具有鍍料組件和用于加熱所述鍍料組件的電阻片，所述鍍料組件緊貼在所述電阻片上。

進一步地，所述鍍料組件包括鍍料載體和待鍍材料，所述待鍍材料放置在所述鍍料載體內，所述鍍料載體的一端具有開口，并緊貼在所述電阻片上，所述鍍料載體的開口一端不接觸所述電阻片并朝向所述工件。

進一步地，所述工件與所述鍍料載體均為豎直方向，所述鍍料載體的開口沿水平方向朝向所述工件。

進一步地，所述鍍料載體內還包括用于吸附所述待鍍材料的蓬松金屬絲。

進一步地，所述鍍膜室內包括用于承載所述工件的工件架，所述工件架可繞其中心線旋轉。

進一步地，所述傳動裝置與所述工件架連接。

進一步地，所述鍍膜機還包括晶振探頭、晶體振蕩器和膜厚控制儀，所述晶振探頭與所述晶體振蕩器和膜厚控制儀電連接，共同組成振蕩回路，所述晶振探頭隨所述工件架一起繞其中心線旋轉，且所述晶振探頭與所述工件位于所述工件架同一圓周位置。

本發明還提供了一種多真空室的電阻式蒸發鍍膜機的操作方法，包括以下步驟：

裝片：將工件在裝取片室內進行裝片；

裝料：將含有待鍍材料的鍍料載體裝入蒸發室內；

裝取片室抽真空：對所述裝取片室進行抽真空，抽真空到指定真空度后，打開第一閥門，使傳動裝置帶動所述工件到達鍍膜室的工件架上；

蒸發室抽真空：對所述蒸發室進行抽真空，抽真空到指定真空度后，打開第二閥門進行鍍膜，直至鍍膜完成；

取片：已鍍膜工件在傳動裝置帶動下傳動至裝取片室，關閉第一閥門，將所述裝取片室內的已鍍膜工件取出。

進一步地，還包括以下步驟：

換料：鍍膜完成后，關閉第二閥門，將所述蒸發室內的鍍料載體取出，更換含有待鍍材料的鍍料載體。

本發明與現有技術相比，有益效果在于：本發明的一種多真空室的電阻式蒸發鍍膜機，其包括裝取片室、鍍膜室和蒸發室。在裝取片室內進行裝取片和抽真空；在鍍膜室內進行產品加工；在蒸發室內進行鍍料組件的加熱。這樣鍍膜室會一直處于真空狀態，無需因裝取片而破真空導致吸附水汽等雜質，鍍膜狀態時沒有水汽等雜質的干擾，氣體氣氛相對穩定，從而提高了鍍膜品質和穩定性。

附圖說明

圖1是本發明實施例提供的一種多真空室的電阻式蒸發鍍膜機的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

如圖1所示，本發明實施例提供的一種多真空室的電阻式蒸發鍍膜機100，其包括裝取片室1、鍍膜室2和蒸發室3。所述裝取片室1內進行裝取片和抽真空；所述鍍膜室2內進行產品加工；所述蒸發室3內進行鍍料組件的加熱。所述裝取片室1與所述蒸發室3均與所述鍍膜室2連通，且所述裝取片室1與所述鍍膜室2之間設有控制其連通與閉合的第一閥門4，所述蒸發室3與所述鍍膜室2之間設有控制其連通與閉合的第二閥門5。所述裝取片室1與所述鍍膜室2之間還設有帶動工件6進入所述鍍膜室2的傳動裝置(未圖示)，所述蒸發室3內具有鍍料組件31和電阻片32，所述鍍料組件31緊貼在所述電阻片32上，所述電阻片32加熱所述鍍料組件31。

所述鍍料組件31包括鍍料載體311和待鍍材料312，所述待鍍材料312放置在所述鍍料載體311內。在本發明實施例中，所述含有待鍍材料312的鍍料載體311在蒸發室3內沿豎直方向緊貼所述電阻片32。所述鍍料載體311的一端具有開口，并緊貼在所述電阻片32上。所述鍍料載體311的開口一端不接觸所述電阻片32并朝向所述工件6，以便將汽化后的待鍍材料312鍍膜在所述工件6上。

在本發明實施例中，所述工件6與所述鍍料載體311均為豎直方向，所述鍍料載體311的開口沿水平方向朝向所述工件6，從而可以使所述鍍料載體311內的待鍍材料312沿水平方向向工件6蒸發，相比于傳統的將待鍍材料由下往上蒸發的方式，節約待鍍材料，材料利用率高。

所述鍍料載體311內還包括用于吸附所述待鍍材料的蓬松金屬絲(未圖示)，以便于吸附所述待鍍材料312，防止其液化后流出所述鍍料載體311。

所述鍍膜室2內包括用于承載所述工件6的工件架21，所述工件架21可繞其中心線旋轉，本發明實施例中的工件架為立式公轉架或立式公自轉架，當然也可以是其他類型的轉架。所述傳動裝置與所述工件架21連接，用于將工件6運送至所述工件架21上。所述工件6貼合在所述工件架21的外表面，并沿所述工件架21的中心線旋轉，可一次性對多個工件6進行鍍膜加工。

所述鍍膜機100還包括晶振探頭7、晶體振蕩器8和膜厚控制儀9，所述晶振探頭7與所述晶體振蕩器8和膜厚控制儀9電連接，共同組成振蕩回路。所述晶振探頭7隨所述工件架21一起繞其中心線旋轉，且所述晶振探頭7與所述工件6位于所述工件架21的同一圓周位置，用于在鍍膜狀態時檢測所述工件6的膜層厚度。

本發明實施例還提供了一種多真空室的電阻式蒸發鍍膜機100的操作方法，包括以下步驟：

裝片：將工件6在裝取片室1內進行裝片；

裝料：將含有待鍍材料312的鍍料載體311裝入蒸發室3內；

裝取片室抽真空：對所述裝取片室1進行抽真空，抽真空到指定真空度后，打開第一閥門4，使傳動裝置帶動所述工件6到達鍍膜室2的工件架21上；

蒸發室抽真空：對所述蒸發室3進行抽真空，抽真空到指定真空度后，打開第二閥門5進行鍍膜，直至鍍膜完成；

取片：已鍍膜工件6在傳動裝置帶動下傳動至裝取片室1，關閉第一閥門4，將所述裝取片室1內的已鍍膜工件6取出。

所述操作方法還包括以下步驟：

換料：鍍膜完成后，關閉第二閥門5，將所述蒸發室3內的鍍料載體311取出，更換含有待鍍材料312的鍍料載體311。

具體工作時，將待鍍工件6在所述裝取片室1進行裝片，裝片完成后進行抽真空，到達指定真空度后打開所述第一閥門4，所述待鍍工件6在傳動裝置的帶動下到達所述鍍膜室2的工件架21上。

所述待鍍材料312為低熔點材料，所述鍍料載體311為高熔點材料，將待鍍材料312添加到所述鍍料載體311中，再將含有待鍍材料312的鍍料載體311在蒸發室3內沿豎直方向緊貼所述電阻片32，且所述鍍料載體311的開口方向朝向所述待鍍工件6。

待所述蒸發室3內抽真空到指定真空度后，打開所述第二閥門5，通過電阻片32對含有待鍍材料312的鍍料載體311進行加熱，使待鍍材料312朝著待鍍工件6所在方向蒸發，從而在所述鍍膜室2內完成鍍膜產品加工。

鍍膜完成后，關閉所述第二閥門5，蒸發室3破真空至大氣狀態，更換含有待鍍材料312的鍍料載體311。

已鍍膜的工件6在所述傳動裝置的帶動下，從所述工件架21上到達所述裝取片室1，關閉所述第一閥門4，所述裝取片室1破真空至大氣狀態，將已鍍膜的工件6取出。

本發明實施例的一種多真空室的電阻式蒸發鍍膜機100，其包括裝取片室1、鍍膜室2和蒸發室3。在裝取片室1內進行裝取片和抽真空；在鍍膜室2內進行產品加工；在蒸發室3內進行鍍料組件的加熱。這樣鍍膜室2會一直處于真空狀態，無需因裝取片而破真空導致吸附水汽等雜質，鍍膜狀態時沒有水汽等雜質的干擾，氣體氣氛相對穩定，從而提高了鍍膜品質和穩定性。

以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。