1.一種多真空室的電阻式蒸發鍍膜機，其特征在于，包括裝取片室、鍍膜室和蒸發室，所述裝取片室與所述蒸發室均與所述鍍膜室連通，且所述裝取片室與所述鍍膜室之間設有控制其連通與閉合的第一閥門，所述蒸發室與所述鍍膜室之間設有控制其連通與閉合的第二閥門，所述裝取片室與所述鍍膜室之間還設有用于帶動工件進出所述鍍膜室的傳動裝置，所述蒸發室內具有鍍料組件和用于加熱所述鍍料組件的電阻片，所述鍍料組件緊貼在所述電阻片上。
2.如權利要求1所述的多真空室的電阻式蒸發鍍膜機，其特征在于，所述鍍料組件包括鍍料載體和待鍍材料，所述待鍍材料放置在所述鍍料載體內，所述鍍料載體的一端具有開口，并緊貼在所述電阻片上，所述鍍料載體的開口一端不接觸所述電阻片并朝向所述工件。
3.如權利要求2所述的多真空室的電阻式蒸發鍍膜機，其特征在于，所述工件與所述鍍料載體均為豎直方向，所述鍍料載體的開口沿水平方向朝向所述工件。
4.如權利要求2所述的多真空室的電阻式蒸發鍍膜機，其特征在于，所述鍍料載體內還包括用于吸附所述待鍍材料的蓬松金屬絲。
5.如權利要求1所述的多真空室的電阻式蒸發鍍膜機，其特征在于，所述鍍膜室內包括用于承載所述工件的工件架，所述工件架可繞其中心線旋轉。
6.如權利要求5所述的多真空室的電阻式蒸發鍍膜機，其特征在于，所述傳動裝置與所述工件架連接。
7.如權利要求5所述的多真空室的電阻式蒸發鍍膜機，其特征在于，所述鍍膜機還包括晶振探頭、晶體振蕩器和膜厚控制儀，所述晶振探頭與所述晶體振蕩器和膜厚控制儀電連接，共同組成振蕩回路，所述晶振探頭隨所述工件架一起繞其中心線旋轉，且所述晶振探頭與所述工件位于所述工件架同一圓周位置。
8.一種多真空室的電阻式蒸發鍍膜機的操作方法，其特征在于，包括以下步驟：
裝片：將工件在裝取片室內進行裝片；
裝料：將含有待鍍材料的鍍料載體裝入蒸發室內；
裝取片室抽真空：對所述裝取片室進行抽真空，抽真空到指定真空度后，打開第一閥門，使傳動裝置帶動所述工件到達鍍膜室的工件架上；
蒸發室抽真空：對所述蒸發室進行抽真空，抽真空到指定真空度后，打開第二閥門進行鍍膜，直至鍍膜完成；
取片：已鍍膜工件在傳動裝置帶動下傳動至裝取片室，關閉第一閥門，將所述裝取片室內的已鍍膜工件取出。
9.如權利要求8所述的一種多真空室的電阻式蒸發鍍膜機的操作方法，其特征在于，還包括以下步驟：
換料：鍍膜完成后，關閉第二閥門，將所述蒸發室內的鍍料載體取出，更換含有待鍍材料的鍍料載體。