本發明涉及再生銅精煉技術領域，尤其涉及一種再生銅精煉中快速氧化、除雜的方法。

背景技術：

目前，在再生銅精煉生產低氧銅桿過程中，在氧化期間需要持續加熱，維持銅水溫度1150～1170℃之間，進行打氧工序，以實現氧化、除雜的目的。傳統的這種氧化、除雜方式，存在除雜不徹底、能耗高、工序長等缺點，傳統方式一次除雜后常見雜質依然大幅度超標。為了剔除雜質，工序中就會繼續升溫、氧化，不停重復此工序。經測算每重復一次此工序能耗會增加天然氣200立方，液氧400立方，而最終產品的銅純度和電阻因違背雜質物理化學性質均不達標，單爐除雜質時間最長可達72小時，迫使不得不對原材料的雜質限量做出限制，即對原材料的純度要求較高。

技術實現要素：

本發明的目的就在于提供一種再生銅精煉中快速氧化、除雜的方法，以解決上述問題。

為了實現上述目的，本發明采用的技術方案是這樣的：一種再生銅精煉中快速氧化、除雜的方法，將銅液加熱到1095-1105℃后停火，然后對銅液進行打氧至5600PPM后持續10～30分鐘，并迅速除去產生的浮渣；再將銅液加熱到1190-1200℃后繼續打氧至飽和，剔除高熔點雜質進行后續操作。

作為優選的技術方案：銅液加熱到1100℃后停火。

作為優選的技術方案：再將銅液加熱到1200℃后繼續打氧至飽和。

本申請的發明人通過大量實驗，并基于圖1的銅-氧相圖，發現：氧在銅液中溶解度與溫度有關，且在1100～1200℃區間兩者成正比關系。傳統工序中，氧化期間持續加熱，維持銅水溫度1150～1170℃之間，進行打氧工序，在某一溫度期間，氧在銅液中溶解度固定，當繼續向銅液中通入氧氣時，會加速雜質氧化程度和速度并不會過多增加銅液氧含量；

對于氧化溫度和打氧量，是根據所含雜質的物理性質來確定的，氧化溫度與雜質在銅液中溶解度成正比，而雜質的氧化主要是通過銅液進行氧傳遞，因此原料中雜質含量越大所需氧化溫度也越高；打氧量直接影響雜質氧化的幾率，因此剔除的雜質含量也與打氧量成正比關系；

另外，根據雜質的化學性質加入不同造渣劑及劑量。

本申請優選將銅液加熱到1100℃后停火，然后對銅液進行打氧至5600PPM后持續一段時間并迅速扒去產生的浮渣，因為通過上圖中可知1100℃時，銅液中氧飽和度為5600PPM；優選再將銅液加熱到1200℃后繼續打氧至飽和，因為溫度超過1200℃后，未剔除盡雜質金屬氧化物會產生分解，重新變為單質，再進行后續操作。

經測試，采用本發明方法后單次工序能除掉92.7％以上的Sn，剔除91.4％以上的Pb，單爐周期縮短到8小時內。

與現有技術相比，本發明的優點在于：采用本發明的方法，具有除雜徹底、節能、縮短工序時間等優點，與傳統方法相比，本發明的方法對于pb的一次除雜率提高6％以上，對于Sn的一次除雜率提高8.7％以上；能耗減少，而且工序時間縮短85％以上。

附圖說明

圖1是銅-氧相圖。

具體實施方式

下面將結合實施例對本發明作進一步說明。

實施例1：根據圖1，一種再生銅精煉中快速氧化、除雜的方法，待除雜銅中雜質含量：Pb(鉛):901ppm,Sn(錫):636ppm，將銅液加熱到1095℃后停火，然后對銅液進行打氧至5600PPM后15min，并迅速除去產生的浮渣；再將銅液加熱到1190℃后繼續打氧至飽和，剔除高熔點雜質進行后續操作。

采用本實施例的方法，一次除雜后，銅液中雜質含量：Pb:65ppm，Sn:55ppm，不需要額外能耗；工序時間最多為8h。

而采用傳統方法，一次除雜后，銅液中雜質含量：Pb:120ppm，Sn:110ppm，本發明的方法對于pb的一次除雜率提高6％以上，對于Sn的一次除雜率提高8.7％以上；能耗減少，而且工序時間縮短85％以上，具體對比見表1

表1傳統工藝與實施例1的方法對比

實施例2：【是否能編一個其他雜質含量的例子，采用其他的氧化溫度】

一種再生銅精煉中快速氧化、除雜的方法，待除雜銅中雜質含量：Pb(鉛):856ppm,Sn(錫):533ppm，將銅液加熱到1100℃后停火，然后對銅液進行打氧至5600PPM后15min，并迅速除去產生的浮渣；再將銅液加熱到1200℃后繼續打氧至飽和，剔除高熔點雜質進行后續操作，對比見表2。

表2傳統工藝與實施例2的方法對比

采用本實施例的方法，一次除雜后，銅液中雜質含量：Pb:63.5ppm，Sn:46.2ppm，不需要額外能耗；工序時間最多為8h。

以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。