本發明涉及OLED制程領域，尤其涉及一種精密掩模板及大尺寸OLED顯示面板輔助電極的制備方法。

背景技術：

有機電致發光(Organic Light Emitting Display，OLED)器件具有自發光、全固態、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現柔性顯示與大面積全彩顯示等諸多優點，被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。相比于液晶顯示器，OLED器件可直接制備在驅動背板上，省去了背光相關的部分，從而其厚度大幅降低且節省生產成本。

OLED顯示器件的發光原理為半導體材料和有機發光材料在電場驅動下，通過載流子注入和復合導致發光。如圖1所示，現有的OLED顯示面板通常包括：TFT基板100、設于TFT基板100上的陽極200、設于陽極200上的有機發光層300、及設于有機發光層300上的陰極400。因為OLED顯示面板是共陰極的結構，所以在大尺寸OLED顯示面板上存在嚴重的電源電壓降(IR-drop)，導致面內亮度均一性差，通過在陰極400之上制備輔助電極500可有效地改善大尺寸OLED顯示面板面內亮度的均一性。

現有技術通過用細長狹縫(slit)型的金屬掩模板(metal mask)在特定區域內經蒸鍍工藝制備出所述輔助電極500。如圖2所示，現有的slit型的金屬掩模板包括掩模本體10、及與掩模本體10的外圍焊接固定的矩形邊框20。所述掩模本體10劃分為數個與OLED顯示面板尺寸對應的蒸鍍區域11，每一蒸鍍區域11用于制備一個OLED顯示面板上的所有輔助電極。每一蒸鍍區域11包括一行多列的細長狹縫111，一列細長狹縫111即用于制備一條輔助電極，因此使用該現有的slit型金屬掩模板制備輔助電極時，經一次蒸鍍成膜即制備出OLED顯示面板上的所有輔助電極。

當OLED顯示面板尺寸較大時，該現有的slit型金屬掩模板每一蒸鍍區域11內細長狹縫111的尺寸較長，實際蒸鍍過程中在磁力的作用下掩模板容易發生變形錯位等現象，導致蒸鍍的輔助電極出現不規則斷線、位置精度不足等缺陷，直接影響到發光像素的顯示質量。

技術實現要素：

本發明的目的在于提供一種精密掩模板，其應用于蒸鍍大尺寸OLED顯示面板的輔助電極，能夠防止在蒸鍍過程中發生變形及錯位，制得的輔助電極位置精度高，連續性好，有效降低IR-drop。

本發明的另一目的在于提供一種大尺寸OLED顯示面板輔助電極的制備方法，能夠制得位置精度高、連續性好的輔助電極，有效降低IR-drop，提高產品良率。

為實現上述目的，本發明首先提供一種精密掩模板，包括掩模本體、及與掩模本體的外圍固定的矩形邊框；所述掩模本體劃分為數個與OLED顯示面板尺寸對應的蒸鍍區域，每一蒸鍍區域包括呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫；一列網格形短縫配合蒸鍍機臺的偏移用于制備一條連續的輔助電極。

所述矩形邊框通過焊接與掩模本體的外圍固定。

所述掩模本體的材料為因瓦合金片材。

所述掩模本體的厚度為40um。

每一蒸鍍區域內呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫通過蝕刻形成。

本發明還提供一種大尺寸OLED顯示面板輔助電極的制備方法，包括以下步驟：

步驟1、提供蒸鍍用精密掩模板、及OLED基板；

所述精密掩模板包括掩模本體、及與掩模本體的外圍固定的矩形邊框；所述掩模本體劃分為數個與OLED顯示面板尺寸對應的蒸鍍區域，每一蒸鍍區域包括呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫；

步驟2、將所述精密掩模板、及OLED基板安裝于蒸鍍機臺上；

步驟3、透過所述精密掩模板對OLED基板進行第一次蒸鍍成膜，形成呈矩陣式排列的多個相互斷開的電極塊；

步驟4、保持精密掩模板不動，蒸鍍機臺偏移一次或多次，相應透過所述精密掩模板對OLED基板進行二次或多次蒸鍍成膜，使一列網格形短縫對應制備出一條連續的輔助電極。

所述矩形邊框通過焊接與掩模本體的外圍固定。

所述掩模本體的材料為因瓦合金片材。

所述掩模本體的厚度為40um。

每一蒸鍍區域內呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫通過蝕刻形成。

本發明的有益效果：本發明提供的一種精密掩模板，通過在掩模本體的每一蒸鍍區域設置呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫增加了掩模板剛性，提高了掩模板的抗變形能力，一列網格形短縫配合蒸鍍機臺的偏移能夠制備一條連續的輔助電極，有效防止在蒸鍍過程中發生變形及錯位，使制得的輔助電極位置精度高，連續性好，有效降低IR-drop。本發明提供的一種大尺寸OLED顯示面板輔助電極的制備方法，使用每一蒸鍍區域包括呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫的精密掩模板，通過蒸鍍機臺偏移一次或多次來對OLED基板進行二次或多次蒸鍍成膜，使一列網格形短縫對應制備出一條連續的輔助電極，能夠制得位置精度高、連續性好的輔助電極，有效降低IR-drop，提高產品良率。

附圖說明

為了能更進一步了解本發明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制。

附圖中，

圖1為現有的OLED顯示面板的剖面結構示意圖；

圖2為現有的slit型金屬掩模板的俯視結構示意圖；

圖3為本發明的精密掩模板的俯視結構示意圖；

圖4為本發明的大尺寸OLED顯示面板輔助電極的制備方法的流程圖；

圖5為本發明的大尺寸OLED顯示面板輔助電極的制備方法的步驟3的示意圖；

圖6為本發明的大尺寸OLED顯示面板輔助電極的制備方法的步驟4的示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發明的優選實施例及其附圖進行詳細描述。

請參閱圖3，本發明首先提供一種精密掩模板，包括掩模本體3、及與掩模本體3的外圍固定的矩形邊框5。

優選的，所述矩形邊框5通過焊接與掩模本體3的外圍固定，當然也可采取其它適當的固定方式。

所述掩模本體3劃分為數個與OLED顯示面板尺寸對應的蒸鍍區域31，每一蒸鍍區域31用于制備一個OLED顯示面板上的所有輔助電極。每一蒸鍍區域31包括呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫311，相比于圖2所示現有slit型金屬掩模板中的細長狹縫111，所述呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫311由于相互間隔而增加了掩模板剛性，提高了掩模板的抗變形能力。

具體地，所述掩模本體3的材料為因瓦(Invar)合金片材，厚度優選40um；所述每一蒸鍍區域31內呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫311通過蝕刻形成，網格形短縫311的開口尺寸是微米級的，最小可小至一個像素(Pixel)的大小。

使用本發明的精密掩模板時，一列網格形短縫311配合蒸鍍機臺的偏移用于制備一條連續的輔助電極，具體過程為首先透過所述精密掩模板對OLED基板(參考圖1，OLED基板包括自下而上依次層疊設置的TFT基板、陽極、有機發光層、及陰極)進行第一次蒸鍍成膜，對應每一蒸鍍區域31在OLED基板上形成與呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫311一致的呈矩陣式排列的多個相互斷開的電極塊，然后保持精密掩模板不動，蒸鍍機臺偏移一次或多次，進而帶動OLED基板偏移一次或多次，相應透過所述精密掩模板對OLED基板進行二次或多次蒸鍍成膜，使一列網格形短縫311對應制備出一條連續的輔助電極71，能夠有效防止在蒸鍍過程中發生變形及錯位，使制得的輔助電極位置精度高，連續性好，有效降低IR-drop。

請同時參閱圖4至圖6，結合圖3，本發明還提供一種大尺寸OLED顯示面板輔助電極的制備方法，包括以下步驟：

步驟1、提供蒸鍍用精密掩模板、及OLED基板7。

如圖3所示，所述精密掩模板包括掩模本體3、及與掩模本體3的外圍固定的矩形邊框5。

優選的，所述矩形邊框5通過焊接與掩模本體3的外圍固定，當然也可采取其它適當的固定方式。

所述掩模本體3劃分為數個與OLED顯示面板尺寸對應的蒸鍍區域31，每一蒸鍍區域31用于制備一個OLED顯示面板上的所有輔助電極。每一蒸鍍區域31包括呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫311，相比于圖2所示現有slit型金屬掩模板中的細長狹縫111，所述呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫311由于相互間隔而增加了掩模板剛性，提高了掩模板的抗變形能力。

具體地，所述掩模本體3的材料為因瓦合金片材，厚度優選40um；所述每一蒸鍍區域31內呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫311通過蝕刻形成，網格形短縫311的開口尺寸是微米級的，最小可小至一個像素(Pixel)的大小。

具體地，所述OLED基板7包括自下而上依次層疊設置的TFT基板、陽極、有機發光層、及陰極。

步驟2、將所述精密掩模板、及OLED基板7安裝于蒸鍍機臺上。

步驟3、透過所述精密掩模板對OLED基板7進行第一次蒸鍍成膜，對應每一蒸鍍區域31在OLED基板上形成如圖5所示的與呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫311一致的多個相互斷開的電極塊71’。

步驟4、保持精密掩模板不動，蒸鍍機臺偏移一次或多次，進而帶動OLED基板7偏移一次或多次，相應透過所述精密掩模板對OLED基板7進行二次或多次蒸鍍成膜，如圖6所示，使一列網格形短縫311對應制備出一條連續的輔助電極71。

該大尺寸OLED顯示面板輔助電極的制備方法由于使用的是上述如圖3所示的精密掩模板，能夠有效防止在蒸鍍過程中發生變形及錯位，制得位置精度高、連續性好的輔助電極，有效降低IR-drop，提高產品良率。

綜上所述，本發明的精密掩模板，通過在掩模本體的每一蒸鍍區域設置呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫增加了掩模板剛性，提高了掩模板的抗變形能力，一列網格形短縫配合蒸鍍機臺的偏移能夠制備一條連續的輔助電極，有效防止在蒸鍍過程中發生變形及錯位，使制得的輔助電極位置精度高，連續性好，有效降低IR-drop。本發明提供的一種大尺寸OLED顯示面板輔助電極的制備方法，使用每一蒸鍍區域包括呈矩陣式排列的多行多列的網格形短縫的精密掩模板，通過蒸鍍機臺偏移一次或多次來對OLED基板進行二次或多次蒸鍍成膜，使一列網格形短縫對應制備出一條連續的輔助電極，能夠制得位置精度高、連續性好的輔助電極，有效降低IR-drop，提高產品良率。

以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發明后附的權利要求的保護范圍。