技術總結
本發明公開了一種屬于封裝材料領域的具有抗輻射加固功能的高導熱電子封裝材料。所述封裝材料是一種Al?W?Si三元體系的復合材料，其中W的質量分數為20～40％，Si的質量分數為10～60％，其余為Al，該材料的密度為2.9～4.01g/cm3，熱導率為130～200W/(m×K)，熱膨脹系數為8～19×10?6/K，厚度為2mm的該材料對40KeV能量的X射線屏蔽效能超過75％，對60KeV能量的X射線屏蔽效能超過40％。本發明制備的封裝材料具有低比重、高熱導率、低膨脹系數的特性，同時兼具抗輻射加固性能，可以滿足某些特殊應用環境下對器件小型化、輕量化和多功能集成的要求。

技術研發人員：梁秋實;熊靜華;朱小峰;王健;趙洪超;楊劍;楊志民;毛昌輝
受保護的技術使用者：北京有色金屬研究總院
文檔號碼：201611129388
技術研發日：2016.12.09
技術公布日：2017.05.17