本發明實施例涉及一種等離子體系統的腔室。

背景技術：

在制造現今半導體裝置時，通過氣體的化學反應將薄層沉積在半導體襯底上是主要步驟之一。此沉積過程一般稱為化學氣相沉積(chemicalvapordeposition，cvd)工藝。典型的熱cvd工藝將反應氣體供應到襯底表面，并在所述襯底表面發生熱誘導(heat-induced)的化學反應，以制造出所需的層。

另一方面，等離子體增強化學氣相沉積(plasma-enhancedcvd，pecvd)技術則是通過將射頻(radiofrequency，rf)能量施加到襯底表面附近的反應區，以促進反應氣體的激發和/或分解，藉此產生等離子體。等離子體中的物質的高反應性會減少發生化學反應所需的能量，因此，與習知的熱cvd工藝相比，pecvd工藝所需的溫度較低。高密度等離子體(highdensityplasma，hdp)cvd技術進一步利用這些優點，以在低真空壓力下形成稠密等離子體，使得等離子體物質更容易反應。

技術實現要素：

本發明實施例提供一種等離子體系統的腔室，包括腔室壁、襯底支架以及內襯。腔室壁定義等離子體加工區域。襯底支架經配置以支撐所述等離子體加工區域中的襯底。內襯位在所述等離子體加工區域中并且將所述腔室壁與所述等離子體加工區域分離。

附圖說明

圖1是根據本發明的一些實施例的等離子體系統的腔室的簡化圖。

圖2是圖1的腔室的簡化分解圖。

圖3示出為根據本發明的一些實施例的將內襯安裝到等離子體系統的步驟流程圖。

圖4是根據本發明的一些實施例的圖2的腔室的簡化俯視圖。

圖5是根據本發明的一些實施例的沿著圖4中的線a-a’的簡化剖面圖。

圖6是根據本發明的一些實施例的沿著圖4中的線b-b’的簡化剖面圖。

圖7是根據本發明的一些實施例的第二螺釘的簡化圖。

圖8是根據本發明的一些實施例的內襯的簡化剖面圖。

具體實施方式

以下揭示內容提供用于實施所提供的目標的不同特征的許多不同實施例或實例。以下所描述的構件及位的具體實例是為了以簡化的方式傳達本發明為目的。當然，這些僅僅為實例而非用以限制。舉例來說，于以下描述中，在第二特征上方或在第二特征上形成第一特征可包括第一特征與第二特征形成為直接接觸的實施例，且也可包括第一特征與第二特征之間可形成額外特征使得第一特征與第二特征可不直接接觸的實施例。此外，本發明在各種實例中可使用相同的組件標號和/或字母來指代相同或類似的部件。組件標號的重復使用是為了簡單及清楚起見，且并不表示所欲討論的各個實施例和/或位本身之間的關系。

另外，為了易于描述附圖中所示出的一個構件或特征與另一組件或特征的關系，本文中可使用例如“在...下”、“在...下方”、“下部”、“在…上方”、“上部”及類似術語的空間相對術語。除了附圖中所示出的定向之外，所述空間相對術語意欲涵蓋組件在使用或操作時的不同定向。設備可被另外定向(旋轉90度或在其他定向)，而本文所用的空間相對術語相應地作出解釋。

如上述，高射頻電源在hdp-cvd系統中誘發電弧，這會造成損壞且在hdp-cvd系統中形成污染物或顆粒。所述污染物或顆粒會導致襯底的缺陷或甚至導致襯底報廢。具體來說，電弧可在等離子體電子接地并穿過腔室壁期間損壞等離子體系統的腔室壁(通常為導體)，由此形成導電污染物或顆粒。所述導電污染物或顆粒可能落在襯底上并且可能由于尖端放電(pointdischarge)而使得電弧發生在導電污染物或顆粒處，進而導致襯底的缺陷或甚至造成襯底報廢。

基于上述，本發明實施例提供一種用于等離子體系統的內襯。將內襯安裝在等離子體系統的腔室中，以將腔室的腔室壁與等離子體加工區域分離，以防止電弧所造成的損壞。

圖1是根據本發明的一些實施例的等離子體系統的腔室100的簡化圖。在一些實施例中，等離子體系統是高密度等離子體(highdensityplasma，hdp)系統。術語“高密度”在此上下文中應理解為具有等于或超過10¹¹ions/cm³的離子密度。在一些實施例中，高密度等離子體系統是高密度等離子體化學氣相沉積(highdensityplasmachemicalvapordeposition，hdp-cvd)系統。在一些實施例中，高密度等離子體化學氣相沉積系統經配置以形成淺溝槽隔離(shallowtrenchisolation，sti)。在一些實施例中，高密度等離子體化學氣相沉積系統經配置以形成磷硅玻璃(phosphosilicateglass，psg)。

如圖1所示，腔室100包括腔室壁110、襯底支架120和內襯130。腔室壁110定義出等離子體加工區域109。具體來說，腔室100可分為下部腔室102和上部腔室104，并且氣環106浮動(floating)安裝在下部腔室102與上部腔室104之間。上部腔室104可包括圓頂108。在一些實施例中，圓頂108的材料包括陶瓷介電材料，例如是氧化鋁、氮化鋁、任何其它合適的材料或其組合。上部腔室104定義等離子體加工區域109的上邊界。襯底支架120和下部腔室102定義等離子體加工區域109的下邊界。在本文中，本發明的實施例的腔室壁110稱為下部腔室102的內側壁。襯底支架120經配置以支撐等離子體加工區域109中的襯底200。在一些實施例中，襯底200的直徑介于200mm至450mm之間。在一些實施例中，襯底200的直徑為200mm、300mm或450mm。在一些實施例中，襯底支架120包括襯底200下方的靜電吸盤(electrostaticchuck，esc)，所述靜電吸盤在工藝期間將襯底200固定到襯底支架120。在一些實施例中，襯底支架120的材料包括氧化鋁、氮化鋁、任何其它鋁陶瓷材料或其組合。

圖2是腔室100的簡化分解圖，為了清楚地示出出內襯130和下部腔室102等的其它構件，圖2中省略了上部腔室104和氣環106。如圖1和圖2所示，內襯130安裝在等離子體系統的腔室100中并且經配置以分離腔室壁110與等離子體加工區域109，進而防止電弧所造成的損壞。在一些實施例中，內襯130可以通過第一螺釘142和第一螺釘144固定到下部腔室102。具體來說，內襯130的側壁132上具有第一螺孔152且其底部舌片(bottomtabs)134上具有第一螺孔154。可將第一螺釘142經由第一螺孔152旋擰(screwed)并穿過內襯130的側壁132。另外，可將第一螺釘144經由第一螺孔154旋擰并穿過內襯130的底部舌片134。在一些實施例中，第一螺釘142和第一螺釘144可以是聚酰亞胺螺釘(vespelscrews)或其它可適用類型的螺釘。

圖3示出為根據本發明的一些實施例的將內襯130安裝到等離子體系統的步驟流程圖。圖4是根據本發明的一些實施例的圖2的腔室100的簡化俯視圖。圖5是根據本發明的一些實施例的沿著圖4中的a-a’線的簡化剖面圖。在一些實施例中，內襯130相對于腔室壁110的相對位置可以通過旋擰第一螺釘142和第一螺釘144來調整。參考圖3至圖5，將內襯130安置在腔室100的等離子體加工區域109中，以分離腔室壁110與等離子體加工區域109(步驟310)。之后，將第一螺釘142經由第一螺孔152從內襯130的內側朝向腔室壁110旋擰并穿過內襯130的側壁132，以將第一螺釘142中的每一個的末端推至(pushesagainst)腔室壁110的側表面112(步驟320)。另外，將第一螺釘144經由第一螺孔154從內襯130的內側朝向腔室壁110旋擰并穿過內襯130的底部舌片134，以將第一螺釘144中的每一個的末端推至腔室壁110的底表面114(步驟320)。

在一些實施例中，在將內襯130安置在腔室100中之前，第一螺釘142和第一螺釘144可分別預安裝到第一螺孔152和第一螺孔154中。另外，第一螺釘142和第一螺釘144可分別安裝到第一螺孔152和第一螺孔154中，直到內襯130安置在腔室100中。具體來說，內襯130的水平位置可以通過第一螺釘142來調整，以將內襯130居中(centering)或定位在相對于腔室壁110的位置。此外，當第一螺釘142推擠至腔室壁110的側表面112時，內襯130通過從腔室壁110至第一螺釘142的反作用力固定在腔室100中。另一方面，內襯130相對于腔室壁110的高度或斜度可通過將第一螺釘144朝向腔室壁110的底表面114旋擰并穿過內襯130的底部舌片134來調整。另外，在一些實施例中，內襯130通過第一螺釘142和第一螺釘144與腔室100的腔室壁110分隔。

在一些實施例中，腔室100的腔室壁110可包括兩個觀察部116或更多個觀察部116，如圖2所示。舉例來說，兩個觀察部116分別位在腔室壁110的相對兩側處。另外，內襯130可具有對應于觀察部116的兩個第二螺孔156或更多個第二螺孔156。圖6是根據本發明的一些實施例的沿著圖4中的線b-b’的簡化剖面圖。兩個第二螺釘146或更多個第二螺釘146經由第二螺孔156旋擰并穿過內襯130，且第二螺釘146中的每一個的末端插入到穿過對應于觀察部116的第一通孔116a中。這有助于將內襯130支撐和固定在腔室100中。在一些實施例中，第二螺釘146可以是聚酰亞胺螺釘或其它可適用類型的螺釘。

圖7是根據本發明的一些實施例的第二螺釘146中的一者的簡化圖。如圖6和圖7所示，在一些實施例中，第二螺釘146中的每一者可具有第二通孔146a，且當第二螺釘146插入到第二通孔146a中時，等離子體加工區域109和對應于觀察部116的第一通孔116a可以通過第二通孔146a連通。換句話說，在第二螺釘146插入到觀察部116中的情況下，腔室100的觀察部116仍可通過第二螺釘146的第二通孔146a觀察或監視等離子體加工區域109中的等離子體加工。

圖8是根據本發明的一些實施例的內襯130的簡化剖面圖。內襯130具有非導電表面，以防止在等離子體系統的腔室100中產生電弧。在一些實施例中，內襯130包括內襯主體130a以及覆蓋內襯主體130a的絕緣保護層130b。在一些實施例中，內襯主體130a包括任何合適的金屬或合金，例如，鋁、鎂、鈦、任何其它合適的金屬或合金，或其組合。

絕緣保護層130b經配置以隔離內襯主體130a與等離子體，并由此防止電弧所造成的損壞。在一些實施例中，絕緣保護層130b可通過微弧等離子體氧化(microarcplasmaoxidation，mapo)法或其它合適的技術來形成，且絕緣保護層130b可以是晶體金屬氧化物層(crystallinemetaloxidelayer)或非晶體金屬氧化物層(amorphousmetaloxidelayer)。在一些實施例中，晶體金屬氧化物層包括晶體氧化鋁、晶體氧化鎂、晶體氧化鈦、任何其它合適的晶體金屬氧化物或其組合。在一些實施例中，晶體氧化鋁包括α-氧化鋁、γ-氧化鋁或其組合。

在一些實施例中，絕緣保護層130b不包括結晶水(crystalwater)，因此適用于等離子體系統中。如果在絕緣保護層130b中存在結晶水，那么可能會影響等離子體加工區域109的環境。

在一些實施例中，絕緣保護層130b具有高于或等于800的維氏硬度(vickers-hardness)，使得絕緣保護層130b具有良好的耐磨特性。在一些實施例中，絕緣保護層130b具有介于800至1,500之間的維氏硬度。

在一些實施例中，絕緣保護層130b具有大于或等于900伏特(v)的崩潰電壓(breakdownvoltage)；也就是說，絕緣保護層130b具有高電壓的崩潰電阻。在一些實施例中，絕緣保護層具有高達1,200v的崩潰電壓。

在一些實施例中，絕緣保護層130b具有大于或等于20微米(μm)的厚度。在一些實施例中，絕緣保護層130b的厚度在20μm至50μm的范圍內。在實際應用中，可調整絕緣保護層130b的厚度以達到足夠的崩潰電壓。

在一些實施例中，等離子體系統可以是包括射頻產生器(radiofrequencygenerator)的高密度等離子體化學氣相沉積系統。所述射頻產生器經配置以提供大于或等于6,000瓦(watts)的射頻功率(radiofrequencypower)。在一些實施例中，射頻功率大于或等于9,000瓦。在一些實施例中，高密度等離子體化學氣相沉積系統還包括電源等離子體(sourceplasma)系統(未示出)和偏壓等離子體(biasplasma)系統(未示出)。在一些實施例中，電源等離子體系統包括頂部電源射頻產生器(未示出)和側面電源射頻產生器(未示出)。在一些實施例中，頂部電源射頻產生器經配置以提供大于或等于6,000瓦的射頻功率。在一些實施例中，側面電源射頻產生器經配置以提供大于或等于6,000瓦的射頻功率。在一些實施例中，頂部電源射頻產生器和側面電源射頻產生器分別耦接到圓頂108的頂部以及其側面。在一些實施例中，偏壓等離子體系統包括偏壓射頻產生器(未示出)。在一些實施例中，偏壓射頻產生器經配置以提供大于或等于6,000瓦的射頻功率。

在一些實施例中，高密度等離子體化學氣相沉積系統還包括真空系統(未示出)，以控制腔室壓力。在一些實施例中，真空系統包括節流閥(throttlevalve)、柵門閥(gatevalve)和渦輪分子泵(turbo-molecularpump)。

在一些實施例中，高密度等離子體化學氣相沉積系統還包括遠程等離子體清潔(remoteplasmacleaning)系統(未示出)，以從腔室構件中清除沉積殘留物。在一些實施例中，遠程等離子體清潔系統包括遠程微波產生器(remotemicrowavegenerator)，其從反應爐空腔(reactorcavity)(未示出)中的清潔氣體源(例如，分子氟、氮氣、氮氟化物(nitrogenfluoride)、其它碳氟化合物(fluorocarbons)任何其它合適的材料或其組合)產生等離子體。由此等離子體所產生的反應性物質通過施加管(applicatortube)(未示出)通過清潔氣體進料口(未示出)傳送到腔室100。

下文進一步描述制造等離子體系統的內襯(例如，前述實施例的內襯130)的方法。在一些實施例中，等離子體系統是高密度等離子體系統。在一些實施例中，高密度等離子體系統是高密度等離子體化學氣相沉積系統。所述方法包括接收含鋁內襯主體，例如，圖8的內襯主體130a。在一些實施例中，含鋁內襯主體的材料包括鋁。隨后形成含氧化鋁層(例如，圖8的絕緣保護層130b)以覆蓋含鋁內襯主體的表面。在一些實施例中，含氧化鋁層的形成方法包括陽極氧化處理法、微弧等離子體氧化法、大氣等離子體氧化法、熱等離子體氧化法、熱氧化法、任何其它合適的氧化法或其組合。在一些實施例中，含氧化鋁層包括晶體氧化鋁、非晶體氧化鋁或其組合。

在一些實施例中，通過在含鋁內襯主體上進行陽極氧化處理法來形成含氧化鋁層。在陽極氧化處理期間，含氧化鋁層可通過化學氧化以及電化學氧化來形成，其中含鋁內襯主體當作陽極，而不銹鋼當作陰極。

在一些實施例中，將含鋁內襯主體浸在酸性電解質溶液中，并且含鋁內襯主體隨后在酸性電解質溶液中電氣化(electrified)，以形成覆蓋含鋁內襯主體的表面的含氧化鋁層。在一些實施例中，酸性電解質溶液包括濃度為3g/l至25g/l之間的硫酸、鉻酸、草酸或其組合。

在一些實施例中，將含鋁內襯主體浸在電解質溶液中，并且含鋁內襯主體隨后在電解質溶液中電氣化，以形成覆蓋含鋁內襯主體的表面的含氧化鋁層，其中電解質溶液的溫度小于5℃。

在一些實施例中，使用陽極氧化處理法所形成的含氧化鋁層包括結晶水。在一些實施例中，使用陽極氧化處理法形成的含氧化鋁層包括非晶體氧化鋁。

在一些實施例中，通過在含鋁內襯主體上進行微弧等離子體氧化法來形成含氧化鋁層。微弧等離子體氧化法也稱為等離子體電解氧化法(plasmaelectrolyticoxidation)或陽極火花沉積法(anodicsparkdeposition)。在一些實施例中，含鋁內襯主體當作陽極，而不銹鋼當作陰極。在一些實施例中，微弧等離子體氧化法的電流大于陽極氧化處理法的電流。在一些實施例中，微弧等離子體氧化法的施加電壓大于陽極氧化處理法的施加電壓。在一些實施例中，微弧等離子體氧化法的溫度大于陽極氧化處理法的溫度。在微弧等離子體氧化期間，可通過化學氧化、電化學氧化和高溫等離子體氧化來形成含氧化鋁層。具體來說，先形成氧化鋁薄膜，隨后通過高電壓破壞所述氧化鋁薄膜，以形成具有高溫和高壓的等離子體區。由于等離子體區的高溫與高壓，鄰近等離子體區的鋁將被熔化，且鄰近等離子體區的電解質溶液將被蒸發。經熔化的鋁將與氧自由基反應，以形成包括晶體氧化鋁的含氧化鋁層。在一些實施例中，晶體氧化鋁包括α-氧化鋁、γ-氧化鋁或其組合。

在一些實施例中，將含鋁內襯主體浸在堿性電解質溶液中，且含鋁內襯主體隨后在堿性電解質溶液中電氣化，以形成覆蓋含鋁內襯主體的表面的含氧化鋁層。在一些實施例中，堿性電解質溶液包括濃度為3g/l至25g/l之間的硅酸鈉、鋁酸鈉、磷酸鈉或其組合。在一些實施例中，堿性電解質溶液還包括濃度為3g/l至25g/l之間的氫氧化鈉、氫氧化鉀或其組合。

在一些實施例中，將含鋁內襯主體浸在電解質溶液中，且含鋁內襯主體隨后在電解質溶液中電氣化，以形成覆蓋含鋁內襯主體的表面的含氧化鋁層，其中電解質溶液的溫度介于5℃至50℃之間。在一些實施例中，電解質溶液的溫度介于20℃至50℃之間。

下文進一步描述制造用于等離子體系統的內襯(例如，前述實施例的內襯130)的方法。在一些實施例中，等離子體系統是高密度等離子體系統。在一些實施例中，高密度等離子體系統是高密度等離子體化學氣相沉積系統。所述方法包括接收金屬內襯主體，例如，圖8的內襯主體130a。在一些實施例中，金屬內襯主體包括鋁、鎂、鈦或其組合。隨后形成含晶體金屬氧化物層(例如，圖8的絕緣保護層130b)，以覆蓋金屬內襯主體的表面。在一些實施例中，含晶體金屬氧化物層的形成方法包括微弧等離子體氧化法、大氣等離子體氧化法、熱等離子體氧化法、熱氧化法、任何其它合適的氧化法或其組合。

在一些實施例中，通過在金屬內襯主體上執行微弧等離子體氧化法來形成含晶體金屬氧化物層。在一些實施例中，金屬內襯主體當作陽極，而不銹鋼當作陰極。在微弧等離子體氧化期間，可通過化學氧化、電化學氧化和高溫等離子體氧化來形成含晶體金屬氧化物層。具體來說，先形成金屬氧化物薄膜，隨后通過高電壓破壞所述金屬氧化物薄膜，以形成具有高溫和高壓的等離子體區。由于等離子體區的高溫與高壓，鄰近等離子體區的金屬將被熔化，且鄰近等離子體區的電解質溶液將被蒸發。經熔化的金屬將與氧自由基反應，以形成含晶體金屬氧化物層。在一些實施例中，含晶體金屬氧化物層包括晶體氧化鋁、晶體氧化鎂、晶體氧化鈦或其組合。在一些實施例中，晶體氧化鋁包括α-氧化鋁、γ-氧化鋁或其組合。

在一些實施例中，將金屬內襯主體浸在堿性電解質溶液中，且金屬內襯主體隨后在堿性電解質溶液中電氣化，以形成覆蓋金屬內襯主體的表面的含晶體金屬氧化物層。在一些實施例中，堿性電解質溶液包括濃度為3g/l至25g/l之間的硅酸鈉、鋁酸鈉、磷酸鈉或其組合。在一些實施例中，堿性電解質溶液還包括濃度為3g/l至25g/l之間的氫氧化鈉、氫氧化鉀或其組合。

在一些實施例中，將金屬內襯主體浸在電解質溶液中，且金屬內襯主體隨后在電解質溶液中電氣化，以形成覆蓋金屬內襯主體的表面的含晶體金屬氧化物層，其中電解質溶液的溫度介于5℃至50℃之間。在一些實施例中，電解質溶液的溫度介于20℃至50℃之間。

根據一些實施例，等離子體系統的腔室包括：腔室壁，其定義等離子體加工區域；襯底支架，其經配置以支撐等離子體加工區域中的襯底；以及內襯，其位在等離子體加工區域中并且將腔室壁與等離子體加工區域分離。

在上述等離子體系統的腔室中，所述內襯包括內襯主體以及覆蓋所述內襯主體的絕緣保護層。

在上述等離子體系統的腔室中，所述絕緣保護層包括金屬氧化物層。

在上述等離子體系統的腔室中，所述內襯主體包括鋁、鎂、鈦或其組合。

在上述等離子體系統的腔室中，還包括旋擰穿過所述內襯的多個第一螺釘，且所述多個第一螺釘中的每一者具有末端，其推擠至所述腔室壁。

在上述等離子體系統的腔室中，所述內襯通過所述多個第一螺釘與所述腔室壁分隔。

在上述等離子體系統的腔室中，所述腔室壁包括多個觀察部，所述腔室還包括旋擰穿過所述內襯的多個第二螺釘，并且所述多個第二螺釘中的每一者具有末端，其插入到穿過對應于觀察部的第一通孔中。

在上述等離子體系統的腔室中，所述多個觀察部包括兩個觀察部，其分別位在所述腔室壁的相對兩側。

在上述等離子體系統的腔室中，所述第二螺釘中的每一者具有第二通孔，以連通所述等離子體加工區域和所述第一通孔。

根據一些實施例，提供一種用于等離子體系統的內襯，其中等離子體系統包括腔室壁，其定義等離子體加工區域；以及襯底支架，其經配置以支撐等離子體加工區域中的襯底。內襯包括內襯主體以及絕緣保護層，所述絕緣保護層覆蓋內襯主體，以分離腔室壁與等離子體加工區域。

在上述用于等離子體系統的內襯中，所述絕緣保護層包括金屬氧化物層。

在上述用于等離子體系統的內襯中，所述內襯主體包括鋁、鎂、鈦或其組合。

在上述用于等離子體系統的內襯中，所述內襯具有多個第一螺孔，所述多個第一螺孔經配置以由多個第一螺釘穿過，且所述多個第一螺釘中的每一者具有末端，其推擠至所述腔室壁。

在上述用于等離子體系統的內襯中，所述內襯具有多個第二螺孔，所述多個第二螺孔經配置以由多個第二螺釘穿過，且所述多個第二螺釘中的每一者具有末端，其插入到穿過所述腔室壁的觀察部的第一通孔中。

在上述用于等離子體系統的內襯中，所述多個第二螺孔包括兩個第二螺孔，其分別位在所述內襯的相對兩側。

根據一些實施例，提供一種用于將內襯安裝到等離子體系統的方法，其中等離子體系統包括腔室壁，其定義等離子體加工區域；以及襯底支架，其經配置以支撐等離子體加工區域中的襯底。所述方法包括：將內襯安置在等離子體加工區域中，以分離腔室壁與等離子體加工區域；以及將多個第一螺釘朝向腔室壁旋擰并穿過內襯，以將多個第一螺釘中的每一者的末端推至腔室壁。

在上述用于將內襯安裝到等離子體系統的方法中，在將所述多個螺釘朝向所述腔室壁旋擰并穿過所述內襯的步驟期間，調整所述內襯相對于所述腔室壁的相對位置。

在上述用于將內襯安裝到等離子體系統的方法中，還包括通過所述多個第一螺釘，以將所述內襯與所述腔室壁分隔。

在上述用于將內襯安裝到等離子體系統的方法中，還包括將多個第二螺釘朝向所述腔室壁旋擰并穿過所述內襯，以將所述多個第二螺釘中的每一者的末端插入到穿過所述腔室壁的觀察部的第一通孔中。

在上述用于將內襯安裝到等離子體系統的方法中，所述第二螺釘中的每一者具有第二通孔，所述第二通孔使得所述等離子體加工區域和所述第一通孔連通。

以上概述了數個實施例的特征，使本領域具有通常知識者可更佳了解本發明的態樣。本領域具有通常知識者應理解，其可輕易地使用本發明作為設計或修改其他工藝與結構的依據，以實行本文所介紹的實施例的相同目的和/或達到相同優點。本領域具有通常知識者還應理解，這種等效的配置并不悖離本發明的精神與范疇，且本領域具有通常知識者在不悖離本發明的精神與范疇的情況下可對本文做出各種改變、置換以及變更。